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Fターム[4K029BA25]の内容

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Fターム[4K029BA25]に分類される特許

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【課題】ITO膜と引き回し配線との密着性に優れた透明導電フィルムを提供する。信頼性の高いタッチパネルを提供する。
【解決手段】透明導電膜(II)4と直接接続する金属配線(III)5を有するフィルムであって、前記金属配線(III)5が、金属配線5中の金属全体を100重量%としたとき、Niを30重量%以上、80重量%未満、Cuを20〜50重量%含む透明導電フィルム1。前記透明導電膜(II)4が結晶性ITOにより形成されていることが好ましい。 (もっと読む)


【課題】 耐湿性や耐酸化性を改善し、さらに低抵抗な主導電層であるCuと積層した際に、加熱工程を経ても低い電気抵抗値を維持できる、Mo合金からなら被覆層を用いた電子部品用積層配線膜および被覆層を形成するためのスパッタリングターゲット材を提供する。
【解決手段】 基板上に金属膜を形成した電子部品用積層配線膜において、Cuを主成分とする主導電層と該導電層の一方の面および/または他方の面を覆う被覆層からなり、該被覆層は原子比における組成式がMo100−x−y−Ni−Ti、10≦x≦50、3≦y≦30、x+y≦53で表され、残部が不可避的不純物からなる電子部品用積層配線膜。 (もっと読む)


【課題】金属箔と金属箔上に配置される抵抗層との間の剥離を回避し充分なピール強度を有した電気抵抗層付き金属箔及びその製造方法を提供する。
【解決手段】金属箔の表面にベンゾトリアゾール処理を施したのち、その金属箔表面上に電気抵抗層を形成する。電気抵抗層は、アルミニウム、ニッケル、クロム、銅、鉄、インジウム、亜鉛、タンタル、スズ、バナジウム、タングステン、ジルコニウム、モリブデン及びこれらの合金からなる群の中から選択された金属から形成される。また、電気抵抗層付き金属箔は別の一実施形態において、金属箔上に配置された熱可塑性樹脂層を更に備える。 (もっと読む)


【課題】各種デバイスを積層するための基材とするためのポリイミドフィルムと支持体との積層体であって、デバイス作製時の高温プロセスにおいても剥がれることなく、しかもポリイミドフィルム上にデバイスを作製した後には容易に支持体からポリイミドフィルムを剥離することができる積層体を提供する。
【解決手段】ポリイミドフィルム6として、少なくとも支持体1に対向させる面にプラズマ処理が施されたフィルムを用い、支持体1とポリイミドフィルム6とが対向する面の少なくとも一方にカップリング剤を用いて、接着剥離強度は異なり表面粗さは略同一である良好接着部分と易剥離部分とを形成するパターン化処理を施した後、重ね合わせて加圧加熱処理することとし、ポリイミドフィルム6は、70モル%以上がベンゾオキサゾール構造を有する芳香族ジアミン類を主成分とするジアミン類とテトラカルボン酸類との反応によって得られる。 (もっと読む)


【課題】 キャンロールの外周面とそこに巻き付けられる長尺樹脂フィルムとの間のギャップ部の熱コンダクタンスをほぼ均一にできるキャンロールの製造方法を提供する。
【解決手段】 筒状の基部10とその外周面10a上に設けられた最外周部13とからなり、これら基部10と最外周部13との間に、最外周部13の外周面側に放出するガスを導入する複数のガス導入路14が埋設されたキャンロールの製造方法であって、複数のガス導入路14の位置に、それぞれガス導入路14と略同形状の複数の樹脂体12を配設する工程と、複数の樹脂体12を覆うように基部10の外周面10a上に電気鋳造法で最外周部13を形成する工程と、最外周部13を形成した後に複数の樹脂体12を除去する工程とからなる。 (もっと読む)


【課題】信頼性の高い薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタ20のゲート電極15、ソース、ドレイン電極33、34のうち、いずれか一つ以上の電極はバリア膜25を有し、バリア膜25が成膜対象物21又は半導体層30に密着している。NiとMoを100原子%としたときに、バリア膜25は、Moを7原子%以上70原子%以下含有し、ガラスからなる成膜対象物21や半導体層30に対する密着性が高い。また、バリア膜25表面にCuを主成分とする金属低抵抗層26が形成された場合に、Cuが半導体層30に拡散しない。 (もっと読む)


【課題】Cu電極の保護膜として使用することができ、Cu電極の電解腐食や原子拡散による電気的特性の劣化を抑制することができ、ウェットエッチングにより高精度のパターニングが可能であり、透明電極との密着性が良好な保護膜を形成することができ、しかも、スパッタリングを効率よく行うことが可能なCu電極保護膜用NiCu合金ターゲット材及びこれを用いて製造される積層膜を提供すること。
【解決手段】15.0≦Cu≦55.0mass%、及び、0.5≦(Cr、Ti)≦10.0mass%を含み、残部がNi及び不可避的不純物からなるCu電極保護膜用NiCu合金ターゲット材及びこれを用いて製造される積層膜。 (もっと読む)


【課題】樹脂フィルムに形成した密着性が良好でかつ配線パターンの精細化に対応できるフレキシブル基板とその製造方法並びにフレキシブル回路基板の製造方法を提供する。
【解決手段】樹脂フィルム基板1の少なくとも片面に、接着剤を介さずに乾式メッキ法による直接形成した下地金属層2を具備し、その下地金属層上に所望の厚さの銅被膜層6を有するフレキシブル基板であって、前記下地金属層は、第1層が厚さ2〜15nmの絶縁性のSi酸化物層またはTi酸化物層3、第2層が厚さ1〜5nmのアルミニウム(Al)、ニッケル(Ni)、もしくはニッケル−クロム合金(Ni−Cr)から選ばれる1種の金属層4、さらに第3層が厚さ50〜300nmの銅金属層5からなる。フレキシブル基板の銅被覆層をエッチング処理してフレキシブル回路基板とする。 (もっと読む)


【課題】耐食性及びガスバリア性を高めたガスバリア性シート及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基材2と、その基材2上に設けられたガスバリア膜3とを少なくとも有し、基材2とガスバリア膜3との間に耐食合金又は耐食合金の化合物4が存在するように構成したガスバリア性シート1により、上記課題を解決した。耐食合金が、Cr、Mo、W、V、Cu、Nb、Ta、Al、Ti、Si、Zr、及びMnの少なくとも1種の元素を含有することが好ましく、耐食合金又は耐食合金の化合物4が、基材2上に散布状若しくは島状又は薄膜状に存在させることが好ましい。 (もっと読む)


【課題】長尺樹脂フィルムの取り付けおよび取り出しを効率よく行えるロール・トゥ・ロール方式真空両面成膜装置を提供する。
【解決手段】巻出しロール室内の巻出しロールから巻き出された長尺樹脂フィルムをロール・トゥ・ロール方式により搬送し、巻取りロール室内の巻取りロールに巻き取ると共に、成膜室の長尺樹脂フィルムの搬送路上の前記成膜室には、真空成膜手段に対向しかつ内部に冷媒が循環する2つ以上のキャンロールを備えるロール・トゥ・ロール方式真空両面成膜装置が、前記巻出し室と前記巻取り室が、前記成膜室の一方の側の外壁にのみ配されることと、且つ成膜室の鉛直方向では前記巻出し室が前記巻取り室の上若しくは下に配されていることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】可視域から赤外域まで高反射率な光学特性を有するとともに、折り曲げても剥離を抑制できる密着性を有し、耐性が高く、スパッタリングによる成膜のための設備を簡易なものにすることができるAgリフレクタとその製造方法を提供する。
【解決手段】ステンレス基板と、その表面に設けられたNiW膜からなる密着層と、その表面に設けられたAg膜からなる反射層と、その表面に設けられた第1のITO膜と、その表面に設けられた第2のITO膜と、その表面に順に設けられたSiO2膜およびNb25膜からなる増反射層とを備えることを特徴としている。 (もっと読む)


【課題】 処理装置等に用いるキャンロールにおいて、その外周面と長尺樹脂フィルム基板との間に形成されるギャップ部にガスを導入する際に、ギャップ部のギャップ間隔をほぼ一定にして、フィルムのシワ発生を防止することができるキャンロールを提供する。
【解決手段】 周方向に沿って略均等な間隔をあけ且つ全周に亘り回転軸方向に沿って配設された複数のガス導入路11を有し、各ガス導入路11はキャンロール10の回転軸方向に沿って略均等な間隔で外周面10a側に開口する複数のガス放出孔12を有すると共に、外径が回転軸方向の中央部で最も長く且つ中央部から両端部に向けて次第に短くなるクラウン形状の外周面10aを備えている。 (もっと読む)


【課題】液晶ポリマーフィルムの表面を、2.6〜15Paのガス圧の酸素雰囲気又は窒素雰囲気下でプラズマ処理した面に、乾式めっき及び/又は湿式めっきにより形成された金属導体層を備えた銅張積層板。液晶ポリマーフィルムのプラズマ処理後の表面粗さが、算術平均粗さRaが0.15μm以下であり、かつ二乗平均平方根粗さRqが0.20μm以下である上記銅張積層板。
【解決手段】液晶ポリマーフィルムの表面を、2.6〜15Paのガス圧の酸素雰囲気又は窒素雰囲気下でプラズマ処理したした後、乾式めっき及び/又は湿式めっきにより金属導体層を形成することを特徴とする銅張積層板の製造方法。 (もっと読む)


【課題】 真空チャンバー内へのガス漏れを抑制しつつキャンロールの外周面と長尺基板との間に形成される隙間にガスを導入する方法及び装置を提供する。
【解決手段】 冷媒循環部11と、周方向に略均等な間隔をあけて全周に亘って配設された複数のガス導入路14と、これら複数のガス導入路14の各々に真空チャンバー51外部のガスを供給するロータリージョイント20とを備え、搬送される長尺基板Fを外周面に部分的に巻き付けて冷却するキャンロール56であって、各ガス導入路14は、キャンロール56の回転軸方向に沿って外周面側に開口する複数のガス放出孔15を有しており、ロータリージョイント20は、各ガス導入路14に対して長尺基板Fを巻き付ける角度範囲内に位置しているか否かに応じて当該ガス導入路14にガスを供給するか否か制御する。 (もっと読む)


【課題】半導体装置の製造コストを低減させ、信頼性を向上させる。
【解決手段】半導体ウエハSWを支持するステージ53と、半導体ウエハSWに対向するターゲット54と、半導体ウエハSWとターゲット54との間に配置されたコリメータ61と、半導体ウエハSWとターゲット54との間の空間とコリメータ61とを囲むロアーシールド62及びダークスペースシールド63とを備える成膜装置を用い、スパッタリング法によって半導体ウエハSWにNi−Pt合金膜を形成する。この際、ロアーシールド62およびダークスペースシールド63の内面のうち、コリメータ61の下面61bより上に位置する領域にAl膜71を予め形成しておくが、コリメータ61の下面61bより下に位置する領域にはAl膜71を形成しない。ロアーシールド62及びダークスペースシールド63を取り外して洗浄する際に、アルカリ溶液によってAl膜71を溶解する。 (もっと読む)


【課題】 ロールツーロール方式で搬送される長尺基板をキャンロールの外周面に巻き付けて冷却しながら熱負荷の掛かる処理を行う際に生じる長尺基板のシワをキャンロールの外周面上で伸ばす方法及び装置を提供する。
【解決手段】 キャンロール56の外周面56aのうち少なくとも片端側において長尺基板Fの端部付近が接触する箇所にキャンロール56の端部側に向かってキャンロール56の外径が徐々に細くなるような傾斜部21を設けるとともに、該傾斜部21のうちスパッタリングカソードなどの処理手段57〜60に対向していない箇所に設けたホイール31により長尺基板Fの端部を傾斜部21に押しつけることにより長尺基板Fを幅方向に広げる。 (もっと読む)


【課題】 Ni系合金とその上層のRu層との格子整合を向上させた磁気記録媒体のシード層用合金およびそれを使用したスパッタリングターゲット材並びに磁気記録媒体を提供する。
【解決手段】 Ni系合金であって、Sn,In,Ga,Ge,Siの1種又は2種以上をat.%で0.5〜20%含有し、残部がNiからなる垂直磁気記録媒体におけることを特徴とする磁気記録媒体のシード層用合金。上記のNi系合金にW,Ta,Mo,Cr,Nb,Vの1種又は2種以上を0.5〜20%含有させたことを特徴とする磁気記録媒体のシード層用合金。 (もっと読む)


【課題】 真空チャンバー内へのガス漏れを抑制しつつキャンロールの外周面と長尺基板との間に形成される隙間にガスを導入する装置を提供する。
【解決手段】 真空チャンバー51内においてロールツーロールで搬送される長尺基板Fを冷媒で冷却された外周面に巻き付けて冷却するキャンロール56であって、周方向に略均等な間隔をあけて全周に亘って配設された複数のガス導入路14を有しており、これら複数のガス導入路14の各々はキャンロール56の回転軸56a方向に沿って略均等な間隔をあけて外周面側に開口する複数のガス導入孔15を有しており且つ長尺基板Fが外周面に巻き付けられる領域であるか否かに対応して設けられた永久磁石などの磁力付与手段65によって開閉するガス導入バルブ20に接続している。 (もっと読む)


【課題】 摩擦係数が低減してキャンロールの回転駆動がフィルムに伝わりにくくなることを抑制できる長尺基板の処理装置を提供する。
【解決手段】 真空チャンバー71内でロールツーロールで搬送される長尺基板Fに対して外周面にガス導入孔15を備えたキャンロール76に部分的に巻き付けながら熱負荷の掛かる処理を施す長尺基板の処理装置70であって、キャンロール76の外周面上に画定される搬送経路の前後にそれぞれ長尺基板Fをキャンロール76との間に挟み込むフィードロール75、81が設けられており、これら両フィードロール75、81のうちの少なくとも一方にはその外周面に長尺基板Fが搬送されるに従って長尺基板Fをその幅方向に広げるパターンを有する螺旋状溝30が長尺基板Fの搬送経路の中心線に関して略線対称に形成されている。 (もっと読む)


【課題】キャンロールの外周面と長尺基板との間に形成されるギャップ部にガスを導入して長尺基板を均一かつ効率的に冷却する方法を提供する。
【解決手段】真空チャンバー内でロールツーロールで搬送される長尺基板Fに対して、内部に冷媒が循環し外周面にガス導入孔15a,15bを備えたキャンロールの当該外周面に部分的に長尺基板Fを巻き付けながら熱負荷の掛かる処理を行う長尺基板Fの処理方法であって、キャンロールの外周面上に画定される長尺基板Fの搬送経路の上流および下流にそれぞれ隣接して設けられたフィードロールの周速度とキャンロールの周速度とに差をつけながらキャンロールの外周面とそこに巻き付けられる長尺基板Fとの間に形成されるギャップ部にガス導入孔からガスを導入する。 (もっと読む)


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