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Fターム[4K029BA35]の内容

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Fターム[4K029BA35]に分類される特許

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【課題】 珪素の高い初期効率と電池容量を維持しつつ、サイクル特性に優れ、充放電時の体積変化を減少させた非水電解質二次電池の負極用として有効な活物質としての珪素粒子からなる負極活物質の製造方法を提供する。
【解決手段】 非水電解質を用いる二次電池用の負極活物質の製造方法であって、金属珪素を原料とした電子線蒸着法により、温度を800−1100℃に制御した基板上に、1kg/hrを超える蒸着速度で、蒸着膜厚が2−30mmの範囲で珪素を堆積させる工程と、該堆積させた珪素を粉砕・分級して、前記負極活物質を得る工程とを含むことを特徴とする非水電解質二次電池用負極活物質の製造方法。 (もっと読む)


【課題】金属またはセラミック材料の基材(ワークピース)上に少なくとも実質的に水素フリーのta−C層を製造する装置が提供される。
【解決手段】装置10は、a)不活性ガス供給源および真空ポンプに接続可能な真空チャンバ14と、b)真空チャンバ内へ挿入されるまたは挿入可能な、複数の基材(ワークピース)12のための支持装置と、c)炭素材料の供給源として機能し、マグネトロンを形成するための関連する磁石配置を有する黒鉛陰極16と、d)支持装置上の基材に負のバイアス電圧を印加するバイアス電源32と、e)黒鉛陰極および関連する陽極に接続可能な、陰極のための陰極電源18と、を備えており、陰極電源18は、(好ましくはプログラム可能な)時間間隔で離間された高電力パルス列を伝達するように設計され、各高電力パルス列は、自由選択では増大位相の後に、黒鉛陰極に供給されるように適合された高周波数のDCパルスの列から成る。 (もっと読む)


【課題】硬質炭素膜、特に潤滑油中で使用された場合に低摩擦や耐摩耗性等が優れた摺動特性を有する硬質炭素膜とその形成方法を提供する。
【解決手段】基材1表面上に中間層2を介して形成されている硬質炭素膜3であって、前記中間層2は金属層あるいは金属窒化物層、金属炭化物層のいずれか1層または2層以上からなり、かつ前記硬質炭素膜3は1層または2層以上からなり、前記中間層表面が粒平均直径0.1μm〜0.5μmの粒状の凹凸からなり、かつ平均凹凸高さ2nm〜5nmの微細な凹凸を有する硬質炭素膜。 (もっと読む)


【課題】ターゲットの損傷を防止しつつ、高品質の成膜を実現することができるスパッタ装置を提供する。
【解決手段】内部に配置された基板13にスパッタによる成膜を行う成膜室1と、成膜室1内に配置されたターゲット2a、2bの前面側にプラズマを生成するための電源5と、閉じ込め磁場を生成する永久磁石8a、8bと、成膜室1内に配置されたターゲット2a、2bの周縁部を覆うリングプレート6a、6bとを備え、リングプレート6a、6bは、少なくとも表層部が例えばセラミックスなどの絶縁材料で構成されており、異常放電の原因および発塵源となるスパッタ粒子が、非エロージョン領域でターゲット上に堆積するのを防止でき、ターゲットの損傷を防止しつつ高品質の成膜を実現する。 (もっと読む)


【課題】溶媒性ハードコーティングにおける設備、クリーンルーム環境等の不利点を克服する。
【解決手段】ハードコートフィルムであって、透明なポリマーフィルム基板2と、前記フィルム基板の表面上に形成される有機接着層4であって、約0.025μmから約20.0μmの範囲の厚さを有する接着層と、前記接着層の表面上に形成される有機ハードコート層6であって、約0.025μmから約20.0μmの範囲の厚さを有する有機ハードコート層と、を備えるハードコートフィルム。 (もっと読む)


【課題】近赤外線から遠赤外線までの広帯域における赤外線遮断機能を有する低コストの赤外線光学フィルタを提供する。
【解決手段】800nm〜20000nmの波長域の赤外線を制御する赤外線光学フィルタであって、半導体基板1と、当該半導体基板1の一表面側に形成された広帯域遮断フィルタ部2と、当該半導体基板2の他表面側に形成された狭帯域透過フィルタ部3とを備えている。広帯域遮断フィルタ部2は、屈折率が異なる複数種類の薄膜2a,2bが積層された多層膜からなり、当該複数種類の薄膜2a,2bのうち1種類の薄膜2aが遠赤外線を吸収する遠赤外線吸収材料(Al、Ta、SiOの群から選択される酸化物もしくはSiからなる窒化物)により形成され、残りの1種類の薄膜2bが上記遠赤外線吸収材料よりも屈折率の高い高屈折率材料であるSiにより形成されている。半導体基板1は、Si基板である。 (もっと読む)


【課題】コア・シェル構造のクラスターを生成する。
【解決手段】同一パルス周期の第1レーザ51および第2レーザ52を用いる。第1レーザ51を第1ターゲット材料21に照射して第1プルームP1を発生させる。第1レーザ51の照射時から遅延時間Tdの経過後に、第2レーザ52を第2ターゲット材料22に照射して第2プルームP2を発生させる。遅延時間Tdの経過中に、第1プルームP1中にクラスターCを生成して、これに第2プルームP2を衝突させる。 (もっと読む)


【課題】構成が簡単なプラズマ成膜方法及びプラズマ成膜装置、より具体的には、危険な原料ガスを用いる必要がなく、高速に成膜が可能なプラズマ成膜方法及びプラズマ成膜装置を提供することを目的とする。
【解決手段】誘導結合型プラズマトーチユニットTには、ソレノイドコイル31が、石英管4の内部に配置され、その周囲に真鍮ブロック5が配置されている。筒状チャンバ内にガスを供給しつつ、ソレノイドコイル31に高周波電力を供給して、筒状チャンバ内にプラズマを発生させる。誘導結合型プラズマトーチユニットTと基材2間に設置したシリコン材料にプラズマが照射することで、基材2にシリコン系薄膜を成膜する。 (もっと読む)


【課題】より効率的な蒸着レートでのSiと金属Mとを含む膜の製造方法を提供する。
【解決手段】Siと金属M(但し、金属MはSi以外の金属である。)とを蒸着源に用いて、柱状構造の集合体を有する膜を基板に蒸着により形成するSiと金属Mとを含む膜の製造方法であって、下記(1)および(2)の条件で蒸着するSiと金属Mとを含む膜の製造方法。
(1)蒸着時の蒸着源の温度が、蒸着源の融点よりも100K以上高い温度であること
(2)蒸着時のSi原子の平均自由行程(λ)が蒸着源−基板間距離(D)よりも小さいこと (もっと読む)


【課題】粉末ターゲットを用いて、酸素の含有率の少ない高品質なシリコン薄膜を高速で成膜することができるスパッタリング方法及び装置を提供することを目的とする。
【解決手段】スパッタ成膜を行う前段階に、ターゲット材料8近傍に設置した高融点金属フィラメント14を加熱することで、真空チャンバ1内に導入したガスを分解し活性種を生成する。この活性種を用いて、ターゲット材料8表面の酸化膜の還元や真空チャンバ壁及び部材についた堆積膜の除去を行うことで、スパッタ成膜中の酸素量を低減させ、高品質なシリコン薄膜を形成する。 (もっと読む)


【課題】主材料のみからなる薄膜と該主材料に1%以下(ppmオーダー)の副材料を添加した薄膜、およびそれらの多層や積層膜を制御性よく高品質かつ安全・安価に提供することを目的としたスパッタリング装置、スパッタリング方法および該薄膜を用いて作成された電子デバイスを提供すること。
【解決手段】形成する薄膜の主材料ターゲット1iを有する複数のマグネトロンスパッタリングカソード3mの間に、添加材料となる成分を含む副材料からなる副材料ターゲット1p,1nを有するコンベンショナルスパッタリングカソード3cを配置し、マグネトロンスパッタリングカソード3mおよびコンベンショナルスパッタリングカソード3cに投入するスパッタリング電力を独立に制御することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】光量を高めた特殊な光源や感度の高い特殊な検出器を用いることなく、成膜される光学薄膜の膜厚を、高い精度で計測する光学式膜厚モニターを備えた成膜装置を得ることである。
【解決手段】モニター基板と、真空チャンバーの外に設置され、透明窓を介してモニター基板にモニター光を投射する発光手段と、モニター基板から反射され、真空チャンバーの外に導出されるモニター光を受光する受光手段と、受光手段で計測したモニター光の強度変化から、被成膜部材に形成される薄膜の膜厚を算出する手段とを有する光学式膜厚モニターを備えた成膜装置であって、モニター基板が、平面に半導体でなる膜厚が100nm未満の第1の薄膜を備えているものである。 (もっと読む)


【課題】大面積のプラズマを再現性良く生成することができ、これにより幅広い用途に適用可能な安価なプラズマソースを用いたプラズマ処理技術を提供する。
【解決手段】プラズマソース機構である酸化源69は、真空処理槽52の外側に誘電体部を介して配置され、高周波電力を印加可能な環状のアンテナ部と、アンテナ部の近傍に配置された磁石部とを有する。アンテナ部の第1及び第2のアンテナコイルが隣接して近接配置され並列に接続されている。真空処理槽52内において、回転支持ドラム53を回転させつつ第一及び第二成膜領域57、59にて基板55上に金属膜を形成し、かつ、酸化領域60にて基板55上の当該膜に対して酸化源69によって酸化処理を行う。 (もっと読む)


【課題】真空中における薄膜堆積中に、チャンバー内壁堆積物の内部まで確実かつ効率的に酸化処理し、大気解放後の反応を抑制すること。
【解決手段】チャンバー1、真空ポンプ2、巻き出しロール3、搬送ロール4、巻き取りロール5、蒸着ロール6、蒸発源7、電子銃8、シャッター9(閉じた状態)、マスク10、紫外光源ユニット11、ガス供給配管12、基板フィルム13を含む真空蒸着装置100において、シャッター9を開いて基板フィルム13を、巻出しロール3と巻き取りロール5の間を往復させて繰り返し蒸着する途中において、シャッター9を閉じ、ガス供給配管12から酸素あるいはオゾンガスを供給し、紫外光源ユニット11から紫外線をマスク10に照射することによって、マスク10に付着した堆積物を酸化処理することができる。 (もっと読む)


【課題】界面拡散を抑えつつ基板上に薄膜を形成すること。
【解決手段】基板上に薄膜を形成する成膜装置であって、薄膜を構成する物質のスパッタ粒子を基板に向けて放出する放出部と、放出されたスパッタ粒子のうち少なくとも一部を帯電させる帯電部と、帯電した状態で基板に到達するスパッタ粒子の運動エネルギーの大きさを調整する調整部とを備える。 (もっと読む)


【課題】スパッタリングターゲットに起因する異物低減可能なEUVマスクブランクスの製造方法の提供。
【解決手段】基板11上にMo/Si多層反射膜12、保護層13としてRu膜またはRu化合物膜を、イオンビームスパッタリング法を用いて実施し、Mo/Si多層反射膜12のSi膜成膜時、および、Ru膜またはRu化合物膜成膜時に、ターゲット角度、プロセスガス種類、プロセスガス圧力、イオンソースのRFパワー、サプレッサ電圧、イオンビーム電圧、および、イオンビーム電流をほぼ同一とし、Si膜成膜に使用したスパッタリングターゲットのエロージョン領域に基づき、Ru膜またはRu化合物膜成膜に使用するスパッタリングターゲットのエロージョン領域、非エロージョン領域を予測し、RuターゲットおよびRu化合物ターゲットの予測される非エロージョン領域に粗面化処理を施してから、Ru膜またはRu化合物膜成膜を実施する。 (もっと読む)


【課題】凹面を有する光学素子に膜厚が均一な金属酸化膜を形成する。
【解決手段】金属ターゲットから放出されたスパッタ粒子を、光学素子2の凹面2aに蒸着させて金属膜11を形成する(スパッタ処理工程)。次に、スパッタ処理工程にて形成された金属膜にイオンビームiを照射して、金属膜11から放出されたスパッタ粒子saを再度、光学素子2の凹面2aに蒸着させて金属膜11Aを形成する(再スパッタ処理工程)。このとき、主に凹面2aの中央部の金属がスパッタされて、スパッタ粒子saが凹面2aの周縁部に蒸着される。次に、再スパッタ処理工程にて形成された金属膜11Aに、酸素ラジカルビームを照射して酸化処理を行い、金属酸化膜15を形成する(酸化処理工程)。 (もっと読む)


【課題】スパッタリングを用いて電池部材を成膜する際に、正負極が短絡することがなく、さらに、未成膜部分が生じることがない薄型電池の製造方法を提供する。
【解決手段】1つの電極を備えた積層体の表面を、所定形状の開口部を有するマスクでマスキングした後、スパッタリングにより、開口部内に電池部材を成膜して、前記積層体に積層する薄型電池の製造方法であって、マスクは、絶縁材料により形成された絶縁体部と、絶縁体部の上面側に設けられた第1の導体部と、成膜された電池部材が接する開口部の壁面部に設けられた第2の導体部と、を備えており、第1の導体部および第2の導体部が、接地されている薄型電池の製造方法。 (もっと読む)


【課題】成膜方法および成膜装置において、ターゲットの使用効率を向上することができ、組成や膜厚の調整が容易であり、成膜の効率を向上することができるようにする。
【解決手段】スパッタ装置1を用いて、ターゲット片を、独立に出力設定可能な第1電源11、第2電源12の陰極に電気的に接続されたバッキングプレート7上に設置するとともに、ターゲット片のいずれかの近傍に配置され第1電源11、第2電源12の陽極にそれぞれ電気的に接続可能に設けられた電極E〜Eを設置し、被処理体Wを、ターゲット片を横断する移動経路に沿って移動させ、被処理体Wの移動位置に基づいて、電極E〜Eの少なくともいずれかに選択的に電力を供給し、ターゲット片のうち少なくともいずれかから、選択的にターゲット粒子を放出させて、被処理体Wの表面に予め定められた一定の膜構成の成膜を行う成膜方法とする。 (もっと読む)


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