【課題】 生産性を向上させることが可能な光電変換素子の製造方法、および光電変換素子を提供する。
【解決手段】 本発明の光電変換素子の製造方法は、入射した光を光電変換する光電変換層２ａを有する半導体基板２を準備する準備工程と、半導体基板２の主面２Ａ上に、酸素を含む雰囲気中でアルミニウム膜４を成膜する成膜工程と、該成膜工程よりも高い濃度の酸素を含む雰囲気中でアルミニウム膜４を加熱してアルミニウム膜４の表面に酸化膜３を形成する加熱工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】ターゲットに対して相対的に移動可能なマグネットを備えたマグネトロンスパッタリング装置において、放電電圧を安定させることができる技術を提供する。
【解決手段】本発明のマグネトロンスパッタリング装置１は、ターゲット８に対して相対的に移動可能で電磁石を有するマグネット１２を備える。ターゲット８に放電用の電圧を印加し、かつ、当該放電電圧の値をフィードバックしてＰＩＤ制御部１０に出力する放電用電源９と、マグネット１２の電磁石に対する通電量を制御する電磁石制御用電源１１とを有する。ＰＩＤ制御部１０は、放電用電源９から入力された放電電圧の値と目標とする放電電圧の値に基づいてマグネット１２の電磁石に対する通電量をＰＩＤ制御するように構成されている。 （もっと読む）

【解決手段】ＰｂおよびＣｄの少なくとも一方を含有することを特徴とする酸化ガリウム−酸化亜鉛系スパッタリングターゲットまたは酸化アルミニウム−酸化亜鉛系スパッタリングターゲット。
【効果】本発明の酸化ガリウム−酸化亜鉛系スパッタリングターゲットおよび酸化アルミニウム−酸化亜鉛系スパッタリングターゲットは、焼結温度が低温、たとえば１３００℃程度であっても高い焼結密度となることができる。このため高い焼結密度を得るために原料粉末を高温で焼結する必要がないので、焼結炉にかかる負担が小さく、焼結炉の早期劣化を避けることができ、また、原料粉末からの亜鉛等の成分の揮発を抑制することができ、予定していた組成を有する膜を容易に形成することができる。また、本発明のスパッタリングターゲットは、比抵抗が小さい。さらに本発明のスパッタリングターゲットは、スパッタレート減少率が小さい。 （もっと読む）

【課題】表示装置用酸化物半導体膜の製造に好適に用いられる酸化物焼結体であって、高い導電性と相対密度を兼ね備えており、高いキャリア移動度を有する酸化物半導体膜を異常放電を抑制しつつ成膜可能な酸化物焼結体を提供する。
【解決手段】本発明の酸化物焼結体は、酸化亜鉛と；酸化インジウムと；Ｔｉ、Ｍｇ、Ａｌ、およびＮｂよりなる群から選択される少なくとも１種の金属の酸化物と、を混合および焼結して得られる酸化物焼結体であって、前記酸化物焼結体をＸ線回折したとき、Ｚｎ_mＩｎ₂Ｏ_3+m（ｍは５〜７の整数）相を主相とし、Ｉｎ₂Ｏ₃、及びＺｎＯの各結晶相を含むと共に、相対密度８５％以上、比抵抗０．１Ω・ｃｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】純金属ターゲットで反応性スパッタリング方法を用いて作製されたフッ化物及びフッ素をドープした酸化物薄膜を提供する。
【解決手段】純金属のターゲット材料２を用い、反応性スパッタリング方法により作製された、高屈折率のフッ素ドープ酸化金属薄膜及び低屈折率のフッ化金属薄膜を備える深紫外光メッキ膜４であって、フッ素ドープ酸化金属薄膜は、ターゲット材料２からはじき飛ばされた金属原子が酸素ガスと結合することにより、金属酸化物が形成され、その金属酸化物が、フッ素を含むガスからはじき飛ばされたフッ素（Ｆ）イオンとフッ素（Ｆ）励起態原子と反応して堆積して形成されものである。また、フッ化金属薄膜は、フッ素を含むガスを励起してはじき飛ばされたフッ素（Ｆ）イオンとフッ素（Ｆ）励起態原子がターゲット材料に衝突し、金属原子がはじき飛ばされ、その金属原子と反応して堆積して形成されたものである。 （もっと読む）

【課題】改善されたアーク蒸着プロセスよって良好な性質を有する酸化硬質皮膜を経済的に析出させて提供する。
【解決手段】 本発明は、機能膜（３２）として加工物（３０）上でアーク−ＰＶＤ法によって析出される硬質材料膜において、この膜が本質的に、周期系の亜族ＩＶ、Ｖ、ＶＩの遷移金属およびＡｌ、Ｓｉ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｙの金属（Ｍｅ）の少なくとも１つからなる電気的に絶縁する酸化物として形成され、かつ前記機能膜（３２）が希ガスおよびハロゲンを含有しない硬質材料膜に関する。 （もっと読む）

【課題】欠陥が少なく、バリア性の高いバリア性積層体の提供。
【解決手段】少なくとも１層の有機層と、少なくとも１層の無機バリア層を有し、有機層の少なくとも１層は、重合成組成物を硬化してなる有機層（１）であって、前記重合性組成物を６０重量％含むプロピレングリコール１−モノメチルエーテル２−アセタート液における粘度が１０００ｍＰａ・ｓ以上である、バリア性積層体。 （もっと読む）

【課題】高い成膜速度を確保した上で、透明性及び高バリア性を付与し、蒸着材料から発生する突沸やスプラッシュなどによりフィルムがダメージを受けることを最小限に抑えることを可能とする真空成膜装置およびガスバリア性積層体の製造方法を提供する。
【解決手段】真空成膜装置３０は、基材の一方の面に蒸着法によって薄膜を形成する真空成膜装置であって、蒸着材料を蒸発させる蒸発手段である電子ビーム銃２０と、蒸発した蒸着材料を活性化させるためのプラズマを発生させるプラズマ発生手段であるホローカソード放電を用いたホローカソードガン１８と、蒸着材料と基材との間に設置された異物捕捉手段である異物ガード２４とを具備する。 （もっと読む）

【課題】膜厚分布と膜質分布にムラを発生させないスパッタリング装置と、それを用いた成膜方法を提供する。
【解決手段】
真空槽１１と、基板２０を保持する基板保持部１５と、真空槽１１内に配置されたターゲットとを有し、真空槽１１内にスパッタガスを導入し、ターゲット表面にプラズマを生成し、ターゲットをスパッタして、基板２０表面に薄膜を形成するスパッタリング装置１０ｃであって、基板２０の外周より外側の着火位置５１と基板２０表面と対向する成膜位置５２とを通る搬送路４３’に沿って、ターゲットを移動させる移動装置４０ｃを有している。着火位置５１でプラズマを着火させると、基板２０には着火直後の膜や放電不安定な膜が成膜されない。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置において、より安定した電気的特性を付与し、信頼性の高い半導体装置を提供する。また、当該半導体装置の作製方法を提供する。
【解決手段】ゲート電極と、ゲート電極上に形成されたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に形成された酸化物半導体膜と、酸化物半導体膜上に形成されたソース電極およびドレイン電極と、保護膜と、を有し、該保護膜は金属酸化膜を有し、該金属酸化膜は、膜密度が３．２ｇ／ｃｍ^３以上である。 （もっと読む）

【解決課題】 真空コーティング装置およびナノ・コンポジット被膜を堆積する方法を提供すること。
【解決手段】 真空チャンバ（３１）と、少なくとも１対の対向カソード（１および４）と、この対向カソードにＡＣ電圧を供給してこれをデュアル・マグネトロン・スパッタリング・モードで動作させる電源（８）とを備え、ＰＶＤコーティングのための少なくとも１のさらなるカソードが真空チャンバ内に提供された真空コーティング装置および方法は、少なくとも１のさらなるカソード（６および／または７）がマグネトロン・カソードとされ、マグネトロン・カソードまたはアーク・カソードに接続可能なパルス化電源またはＤＣ電源の形態としてさらなる電源（４２，４４）が提供されている。 （もっと読む）

【課題】近赤外線から遠赤外線までの広帯域における赤外線遮断機能を有する低コストの赤外線光学フィルタを提供する。
【解決手段】８００ｎｍ〜２００００ｎｍの波長域の赤外線を制御する赤外線光学フィルタであって、半導体基板１と、当該半導体基板１の一表面側に形成された広帯域遮断フィルタ部２と、当該半導体基板２の他表面側に形成された狭帯域透過フィルタ部３とを備えている。広帯域遮断フィルタ部２は、屈折率が異なる複数種類の薄膜２ａ，２ｂが積層された多層膜からなり、当該複数種類の薄膜２ａ，２ｂのうち１種類の薄膜２ａが遠赤外線を吸収する遠赤外線吸収材料（Ａｌ_２Ｏ_３、Ｔａ_２Ｏ_５、ＳｉＯ_２の群から選択される酸化物もしくはＳｉ_３Ｎ_４からなる窒化物）により形成され、残りの１種類の薄膜２ｂが上記遠赤外線吸収材料よりも屈折率の高い高屈折率材料であるＳｉにより形成されている。半導体基板１は、Ｓｉ基板である。 （もっと読む）

【課題】幅広の金属基板上に中間層が形成された幅広の金属基材であっても、金属基板と中間層の熱収縮差による反りの発生を抑制することができ、その後の酸化物超電導層形成工程、安定化層形成工程、薄膜超電導線材細線化工程における不良の発生が抑制できる薄膜超電導線材用金属基材、その製造方法および薄膜超電導線材の製造方法を提供する。
【解決手段】金属基板の表面に配向性のセラミックス層を有し、金属基板の裏面に非配向性のセラミックス層を有している薄膜超電導線材用金属基材であって、金属基板を成膜装置内で加熱して金属基板の表面に配向性のセラミックス層を形成する工程と、金属基板を成膜装置内で加熱して金属基板の裏面に非配向性のセラミックス層を形成する工程と、これらの工程の間に介在して、配向性のセラミックス層または非配向性のセラミックス層が形成された金属基板を成膜装置から取り出して冷却する工程とにより製造される。 （もっと読む）

【課題】低光吸収率の透明導電膜を安定的に成膜できることで、高い品質が確保できる発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】発光素子は、透光性基板１１に、ｎ型半導体層１２１、発光層１２２およびｐ型半導体層１２３が積層された半導体層１２と、半導体層１２に積層され、金属酸化物からなる成膜材料により成膜された透明導電膜１３と、透明導電膜１３に積層された反射部１４とを備えている。この透明導電膜を成膜する際には、半導体層に透明導電膜の原膜をスパッタにより成膜するスパッタ工程と、原膜を酸素含有雰囲気ガスによりアニールする第１アニール工程と、酸素非含有雰囲気ガスによりアニールする第２アニール工程との２段階アニールを行う。第１アニール工程または第２アニール工程では、雰囲気温度が６００℃より高く、６８０℃より低くなるような範囲で行う。 （もっと読む）

【課題】ヒートシール性を損なうことなく、優れた消臭性能を有する積層体およびそれを用いた包装体を提供する。
【解決手段】少なくともヒートシール層４を含む消臭性能を有する積層体１０である。ヒートシール層４が、メソポーラスシリカからなる消臭剤を０．０１〜５０質量％、好適には０．５〜３５質量％含有する樹脂からなる。メソポーラスシリカは、焼成後、Ｘ線回折パターンの少なくとも一つのピークが１．８ｎｍより大きいｄ間隔を有し、６．７ｋＰａ、２５℃におけるベンゼン吸着容量が１００ｇあたり１５ｇより大きい無機質、多孔質または非層状の結晶相物質であって、かつ、結晶相が下記式、Ｍｎ／ｑ（ＳｉＯ_２）で表わされる関係を満足することが好ましい。 （もっと読む）

【課題】優れたガスバリア性（特に、水蒸気バリア性）を有するフィルム及びこのフィルムを用いたデバイスを提供する。
【解決手段】基材フィルムの少なくとも一方の面にアンカー層２を介して、厚み方向の少なくとも一部の領域において、下記（１）及び／又は（２）の特性を有する酸化アルミニウムの蒸着層３を形成する。（１）酸化アルミニウム（ＡｌｘＯｙ）の組成比（ｙ／ｘ）のピークが２．１〜３．０にある（２）酸化アルミニウムの密度が３．４ｇ／ｃｍ^３以上である （もっと読む）

【課題】薄膜リチウム二次電池を小型の装置で簡易に真空一貫で製造する技術を提供する。
【解決手段】本発明の薄膜リチウム二次電池製造装置１は、真空槽２内に、回転駆動軸３を中心として旋回させて基板１０を搬送する基板搬送機構３０を有し、回転駆動軸３の周囲に、仕込取出室４と、第１〜第３のスパッタリング室５〜７と、負極層形成室８と、保護層形成室９とが設けられている。第１のスパッタリング室５においては、集電体層と保護層を形成する。第２のスパッタリング室６においては、ＬｉＣｏＯ₂からなる正極層を形成する。第３のスパッタリング室７においては、ＬｉＰＯＮからなる固体電解質層を形成する。各室の開口部４ａ、５ａ〜７ａ、８ａ、９ａは、基板搬送機構３０の保持部３２が通過する領域と対向する位置に配置される。各室の開口部４ａ、５ａ〜７ａ、８ａ、９ａは、基板１０を装着した状態で蓋機構によって塞がれる。 （もっと読む）

【課題】物理気相成長中に加工物を支持する方法及び関連する装置を提供する。
【解決手段】吸熱性コーティング（１５）でコートされた支持面を有するアルミニウム製支持体（１１）が提供される。冷却によって、加工物が３５０℃〜４５０℃の温度になるように、支持体は約１００℃に冷却されＰＶＤプロセスが実施される。コーティングは、不活性であり及び／または超高電圧に適合できる。 （もっと読む）

【課題】封止膜の形成工程以後に処理対象物が１００℃以上に加熱されても、封止膜の表面にしわ（膜異常）が発生しない封止膜形成方法とリチウム二次電池の製造方法を提供する。
【解決手段】
１，３−ビス（イソシアナートメチル）シクロヘキサンと４，４’−メチレンビス（シクロヘキシルイソシアナート）のいずれか一方又は両方からなるイソシアナート材料と、４，４−メチレンビス（シクロヘキシルアミン）と１，３−ビス（アミノメチル）シクロヘキサンのいずれか一方又は両方からなるアミン材料とを別々に加熱して蒸気を発生させ、蒸気を処理対象物の表面に一緒に到達させてポリ尿素膜１６ａ₂を形成し、アルミナのターゲットをスパッタして、アルミナの粒子をポリ尿素膜１６ａ₂が表面に露出する処理対象物の表面に到達させて、ポリ尿素膜１６ａ₂の表面にアルミナ膜１６ｃ₂を形成する。 （もっと読む）