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Fターム[4K029BA45]の内容

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Fターム[4K029BA45]に分類される特許

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【課題】アーキングの発生回数を抑制しつつも、基板への異物の付着を抑制することが可能な薄膜の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の薄膜の製造方法では、ターゲット94と向かい合う上面に第1の極性を有する第1の磁石51と、上面に第2の極性を有し、第1の磁石51の周囲に配置される第2の磁石52と、を含む磁石ユニット5を配置し、ターゲット94の使用量の増加に応じて、磁石ユニット5の外縁52aとターゲット94の外縁94aとのY方向の最近接距離を減少させる。 (もっと読む)


【課題】透明導電性酸化物膜の表面の表面最大粗さ(Rpv)が小さな透明導電性酸化物膜付基板を好適に製造し得る方法を提供する。
【解決手段】基板の上に透明導電性酸化物膜を形成する。研磨剤を含まない酸性溶液またはアルカリ性溶液を透明導電性酸化物膜の表面に供給しながら擦る処理工程を行う。 (もっと読む)


【課題】優れた熱電変換性能を備えた熱電変換素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】アルミニウムの多孔質陽極酸化皮膜3を有する基板2上に、無機酸化物半導体を主成分として含有し且つ空隙構造を有する熱電変換層4を積層する。熱電変換層内に空隙構造が形成されると熱伝導率が低下すると共に導電率やゼーベック係数においても非常に優れたものとなる。前記無機酸化物半導体は、In2O3、SnO2、ZnO、SrTiO3、WO3、MoO3、In2O3−SnO2、フッ素ドープ酸化錫、アンチモンドープ酸化錫、アンチモンドープ酸化亜鉛、ガリウムドープ酸化亜鉛、In2O3−ZnO、及びガリウムドープIn2O3−ZnOからなる群より選ばれる。 (もっと読む)


【課題】表示装置用酸化物半導体膜の製造に好適に用いられる酸化物焼結体であって、高い導電性と相対密度を兼ね備えており、高いキャリア移動度を有する酸化物半導体膜を異常放電を抑制しつつ成膜可能な酸化物焼結体を提供する。
【解決手段】本発明の酸化物焼結体は、酸化亜鉛と;酸化インジウムと;Ti、Mg、Al、およびNbよりなる群から選択される少なくとも1種の金属の酸化物と、を混合および焼結して得られる酸化物焼結体であって、前記酸化物焼結体をX線回折したとき、ZnmIn23+m(mは5〜7の整数)相を主相とし、In23、及びZnOの各結晶相を含むと共に、相対密度85%以上、比抵抗0.1Ω・cm以下である。 (もっと読む)


【課題】外部からの圧力印加による透明導電層の基板からの剥離が防がれた導電性基板の製造方法及びその導電性基板の提供。
【解決手段】複数の反応性官能基を有する光硬化性プレポリマーを少なくとも一つ含有する光硬化性層22を基板21に形成する工程と、光硬化性層22の一部を遮蔽するようにパターンマスク31を配置する工程と、第一の光源L1を用いて光硬化性層22を露光して、光硬化性層22の第一の領域221を硬化させる第1の露光工程と、パターンマスク31を除去する工程と、第二の光源L1を用いて光硬化性層22を露光して、光硬化性層22の硬化されていない第二の領域222を硬化させ、第一と第二の領域221、222との表面高度が異なることで微細構造が基板21に形成される第2の露光工程と、前記微細構造に導電層23を形成する工程とを備えた導電性基板の製造方法を提供する。 (もっと読む)


【課題】透明導体パターンがさらに視認されにくい透明導電性フィルムを提供する。
【解決手段】透明導電性フィルム10は、フィルム基材11と、フィルム基材11上に形成された透明導体パターン12と、透明導体パターン12を埋設する粘着剤層13を備える。透明導体パターン12は、フィルム基材11側から、第1のインジウムスズ酸化物層14と、第2のインジウムスズ酸化物層15が積層された2層構造を有する。第1のインジウムスズ酸化物層14の酸化スズ含有量は、第2のインジウムスズ酸化物層15の酸化スズ含有量より多い。 (もっと読む)


【課題】タッチパネルに用いた際の高温高湿条件下での抵抗値安定性、およびペン入力耐久性に優れる透明導電性フィルム及びその効率的な製造方法を提供すること。
【解決手段】透明プラスチックフィルム基材の少なくとも一方の面に、酸化スズ添加酸化インジウムの透明導電膜が積層された透明導電性フィルムであって、透明導電膜の膜厚方向に対して、透明プラスチックフィルム基材側から表層側に向かって酸化スズの含有量が連続的に、および/または、段階的に減少していて、かつ、表層側の透明導電膜に含まれる酸化スズの含有量が0.5〜8質量%であり、かつ、透明プラスチック基材側の透明導電膜に含まれる酸化スズの含有量が表層側の含有量より20〜60質量%多く、かつ透明導電膜の全体の厚みが16〜50nmであり、かつ酸化スズの含有量が0.5〜8質量%の透明導電膜の厚みが15nm以上である透明導電性フィルム。 (もっと読む)


【課題】バンドギャップが大きく、且つ結合エネルギーを安定な状態にする酸化物半導体膜を提供する。また、バンドギャップが大きく、且つ結合エネルギーを安定な状態にする酸化物半導体膜を具備する半導体装置を提供する。
【解決手段】インジウム、ランタン、亜鉛及び酸素を有する結晶構造の酸化物半導体膜とする。また、当該結晶構造において、ランタンは酸素が6配位した構造とし、インジウムは酸素が5配位した構造とする。酸化物半導体膜の結晶構造中にランタンを用いることで、インジウム、ガリウム、亜鉛及び酸素を有する結晶構造の酸化物半導体膜よりもバンドギャップが大きく、結合エネルギーを大きくした酸化物半導体膜とすることができる。また、該酸化物半導体膜を用いた半導体装置の特性を向上させることができる。 (もっと読む)


【課題】異なる組成のスパッタリングターゲットを使用して、インラインで積層し、短時間の加熱処理で結晶性を有することができ、低抵抗の透明導電膜を有した透明導電性積層体及びその製造方法を提供する。
【解決手段】透明導電膜はIn、Sn、Oを主成分とし、Snの含有量が1重量%以上4重量%以下であるインジウム・スズ複合酸化物からなる第一透明導電膜3aと、同じくIn、Sn、Oを主成分とし、Snの含有量が4重量%超え、10重量%以下であるインジウム・スズ複合酸化物からなる第二透明導電膜3bで形成され、前記第一及び第二透明導電膜の膜厚がそれぞれ10nm以上30nm以下であり、両者の透明導電膜の合計厚みが20nm以上40nm以下であり、真空中で加熱温度が120℃以上200℃以下であり、加熱時間が1分以上、30分以下の条件で加熱処理することで前記第一及び第二透明導電膜のいずれも結晶化することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】高い移動度を実現でき、且つ、ストレス耐性(ストレス印加前後のしきい値電圧シフト量が少ないこと)にも優れた薄膜トランジスタ用酸化物を提供する。
【解決手段】本発明に係る薄膜トランジスタの半導体層用酸化物は、Zn、Sn、およびInと;Si、Hf、Ga、Al、Ni、Ge、Ta、W、およびNbよりなるX群から選択される少なくとも一種の元素(X群元素)と、を含むものである。 (もっと読む)


【課題】150℃以下の低い基板温度の成膜によっても、比抵抗が5×10-3Ω・cm以下、可視波長(400nm〜800nm)において98%以上の高い透過率を有する結晶性の透明導電膜を提供する。
【解決手段】Sn/Inが0.019〜0.102であり、かつ、In/(In+Sn+Co)が0.771〜0.967、Sn/(In+Sn+Co)が0.016〜0.091、Co/(In+Sn+Co)が0.015〜0.15であり、相対密度が98%以上、比抵抗が5×10-3Ω・cm以下である酸化物焼結体をスパッタリングターゲットとして成膜して透明導電膜を得る。 (もっと読む)


【課題】加熱処理によって透明導電体層が結晶化されている場合であっても、パターニングによって生じる段差を小さく抑えることができ、さらに、加熱処理において、剥がれ、発泡などの外観不具合を生じない粘着剤層付き透明導電性フィルムを提供すること。
【解決手段】粘着剤層として、(メタ)アクリル系ブロック共重合体(A)と架橋剤(B)とを含むものを使用する。(メタ)アクリル系ブロック共重合体(A)は、ガラス転移温度が異なる(メタ)アクリル系重合体セグメント(c)および(メタ)アクリル系重合体セグメント(d)を有するものとし、少なくとも一方の重合体セグメント中に、架橋性官能基(e)を有するモノマー単位を含むものとする。 (もっと読む)


【課題】 樹脂フィルムに比べて伸び難く且つ割れやすい長尺ガラスフィルムに対して熱負荷の掛かる表面処理を連続的に施す方法を提供する。
【解決手段】 巻出ロール210から連続的に引き出された長尺ガラスフィルムGを搬送経路に沿って搬送しながら順に加熱処理、表面処理および冷却処理を施す長尺ガラスフィルムGの処理方法であって、前記表面処理では長尺ガラスフィルムGの一方の面を熱媒で加熱されたキャンロール233の外周面上に接触させながら他方の面にスパッタリング等の熱負荷の掛かる処理を施し、前記搬送経路における前記表面処理と前記加熱処理との間および/または前記冷却処理の後において例えばアキュムレータロールを用いて長尺ガラスフィルムGの伸縮を調整する。 (もっと読む)


【課題】簡単な構成・制御で高い品質の透明導電膜を生成する。
【解決手段】In−Sn合金膜120をガラス基板12上に成膜し、成膜されたIn−Sn合金膜120を、エッチングしてパターニングした後、水蒸気生成装置42の処理室400に格納する。水蒸気生成装置42によって水蒸気を生成させて、その基板12を格納する処理室400に水蒸気を導入する。In−Sn合金膜120が水蒸気に曝された状態を所定の時間保持することで、ITO膜140となるようにIn−Sn合金膜120を酸化反応させる。 (もっと読む)


【課題】蒸着法にてITO膜を成膜する場合に、酸素濃度の低下を防止して、ITO膜の低抵抗化を図ることができる成膜方法を提供する。
【解決手段】In−Sn−O系の材料を蒸発材料3とし、この蒸発材料3を蒸着室1a内に配置して減圧下にて蒸発させ、この蒸着室1a内に配置した基板W表面に蒸着により透明導電膜を成膜する成膜方法において、成膜時に蒸着室1a内に酸素ガスと水蒸気ガスとを導入する。蒸着室1a内で水蒸気ガスを導入するガス導入口83aを基板Wの蒸着面に向け、基板Wに向かって直接水蒸気ガスが供給されるようにする。 (もっと読む)


【課題】従来よりも抵抗値の低いIn系酸化物導電膜を形成することができる酸化物を提供する。
【解決手段】インジウム元素(In)及びガリウム元素(Ga)を含有し、X線回折において、2θ=12〜18度、21〜24度及び43〜45度に回折ピークを有する酸化物。 (もっと読む)


【課題】 ダメージが少なく均質な膜を形成可能な成膜装置や、当該成膜装置により形成される膜を電極として用いる発光装置を提供する。
【解決手段】 成膜装置1は、ターゲットTaの側方を囲うように配置されるシールド部6と、ターゲットTaの裏面側に配置されて磁場を発生する棒状の磁場発生部4と、ターゲットTaの表裏方向に対して垂直な面である水平面内で磁場発生部4の長手方向に対して垂直な方向である駆動方向に沿って磁場発生部4を直線的に往復駆動する駆動部5と、を備える。磁場発生部4が駆動部5によって駆動される範囲の端に位置するとき、磁場発生部4と、シールド部6を水平面に対して垂直に投影したときの射影との駆動方向における距離は、10mm以上である。 (もっと読む)


【課題】新規な非シリコン系半導体薄膜を用いた薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】ガリウムが酸化インジウムに固溶していて、原子比Ga/(Ga+In)が0.001〜0.12であり、全金属原子に対するインジウムとガリウムの含有率が80原子%以上であり、Inのビックスバイト構造を有する酸化物薄膜を用いることを特徴とする薄膜トランジスタ。 (もっと読む)


【課題】スパッタ初期のスパッタレートが高く、かつスパッタレートの経時的な低下が小さく、さらに均質な膜が形成できる太陽電池用スパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】インジウム製の鋳塊に物理的応力を加える加工を行って該鋳塊の厚みを元の厚みの70%以下にすることにより得られたターゲット材とバッキングプレートとを、インジウム-スズまたはインジウム-ガリウム合金製のボンディング材により接合することにより形成されたことを特徴とする太陽電池用スパッタリングターゲット。 (もっと読む)


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