【課題】ＷＳ_２を主成分とするスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】本発明の一態様は、Ｈｆ，Ｒｅ，Ｔａ，Ｗ，Ｎｂ，Ｚｒ，Ｖ，Ａｌ，Ｉｎ，Ｓｎ，Ｇａ，Ｚｎ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ｍｎ，Ｎｉ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｃｕ，Ａｇ，Ｙ，Ｓｃ，Ｍｇ，Ｃａからなる群から選ばれた少なくとも一種類以上の元素を合計で０．１〜１０．０ｗｔ％含有し、残部がＷＳ_２および不可避的不純物からなることを特徴とするスパッタリングターゲットである。 （もっと読む）

【課題】光量を高めた特殊な光源や感度の高い特殊な検出器を用いることなく、成膜される光学薄膜の膜厚を、高い精度で計測する光学式膜厚モニターを備えた成膜装置を得ることである。
【解決手段】モニター基板と、真空チャンバーの外に設置され、透明窓を介してモニター基板にモニター光を投射する発光手段と、モニター基板から反射され、真空チャンバーの外に導出されるモニター光を受光する受光手段と、受光手段で計測したモニター光の強度変化から、被成膜部材に形成される薄膜の膜厚を算出する手段とを有する光学式膜厚モニターを備えた成膜装置であって、モニター基板が、平面に半導体でなる膜厚が１００ｎｍ未満の第１の薄膜を備えているものである。 （もっと読む）

【課題】大面積かつ室温の基板あるいは基材に金属硫化物、金属セレン化物もしくは金属テルル化物薄膜を作製できるスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】スパッタリング装置１０が基板２０と、少なくとも一つの陰極４０と、当該陰極の近傍に配置する少なくとも一つのターゲット５０をチャンバー内に備え、チャンバー内において、基板とターゲットによりその一部が囲まれる空間と他の空間を仕切るための分離板６０と、当該分離板を加熱する加熱手段７０を備える。分離板により基板上に堆積した薄膜中の成分が再蒸発してチャンバー内に拡散することを防止し、更に分離板を加熱手段で加熱することで、再蒸発した成分の蒸気が分離板に凝着することを防止し、蒸気圧を高い状態で維持する。 （もっと読む）

【課題】表面が曲面形状または凹凸 形状を有する基板上に、平滑性の高い被エッチング層と熱反応型レジスト材料を積層した積層体を設けることを目的の一つとする。
【解決手段】曲面形状または凹凸形状の基板上に、フロン系ガスを用いたドライエッチング処理に用いられ、且つ元素群Ｔａ、Ｍｏ、Ｎｂから少なくとも１種類を含む元素及びその酸化物、窒化物、硫化物、炭化物、セレン化物、シリサイドのいずれかから選択されるドライエッチング材を含むドライエッチング層と、前記ドライエッチング層の上に熱反応型レジスト層とを積層する。 （もっと読む）

【課題】本発明では、従来の薄膜蛍光体に比べて、面内での発光むらが生じ難い薄膜蛍光体を提供することを目的とする。
【解決手段】チオガレート化合物を含む薄膜蛍光体であって、当該薄膜蛍光体のＸ線回折において、最も大きなピークが得られる結晶面を（ｈ_１ｋ_１ｌ_１）とし、２番目に大きなピークが得られる結晶面を（ｈ_２ｋ_２ｌ_２）としたとき、２つの結晶面（ｈ_１ｋ_１ｌ_１）および（ｈ_２ｋ_２ｌ_２）のなす角度αが８５゜〜９５゜の範囲にあることを特徴とする薄膜蛍光体。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、基材表面に低ダメージのマグネトロンプラズマを容易に形成することを可能とし、かつ前記マグネトロンプラズマで反応性を高めることにより高品質かつ高速で化合物薄膜を形成できるスパッタ成膜装置およびスパッタ膜の製造方法に関する。具体的には、基材およびスパッタ膜が磁性体であっても、スパッタ用電源以外のプラズマ用電源を用いなくとも、基材表面で高密度のプラズマを生成して反応性を高めることが可能であり、高品質かつ高速でスパッタ膜を形成できるスパッタ成膜装置およびスパッタ膜の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】
真空に排気可能な容器内に、平板型マグネトロンカソードと基材保持機構とが対向して配置されているスパッタ成膜装置において、前記マグネトロンカソードと前記基材保持機構との間に、前記マグネトロンカソードの放電面を囲んで環状の磁性体が配置されていることを特徴とする、スパッタ成膜装置。 （もっと読む）

【課題】２次電池に適用可能な高結晶性、高均一性、高純度の自己支持形金属硫化物系２次元ナノ構造体の負極活物質及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明による自己支持形金属硫化物系２次元ナノ構造体の負極活物質は、金属硫化物系物質からなる凝集体が剥離され、金属基板上に金属硫化物系２次元ナノ構造体として直接成長することを特徴とし、自己支持形金属硫化物系２次元ナノ構造体の負極活物質の製造方法は、金属硫化物系物質からなる凝集体を製造するステップと、凝集体をパルスレーザー蒸着用電気炉内のチューブに挿入装着するステップと、チューブ内に金属基板を挿入し、凝集体から離れて位置させるステップと、チューブ内の圧力を０．０１〜０．０３Ｔｏｒｒの真空状態に下げ、電気炉の温度を５９０〜６１０℃に上げるステップと、チューブ内にパルスレーザーを注入して凝集体を剥離するステップと、を含み、金属硫化物系物質を金属基板上に２次元ナノ構造体として直接成長させることを特徴とする。 （もっと読む）

本発明は、化学式Ｃｕ（Ｉｎ，Ｇａ）Ｘ_２（ここで、ＸはＳまたはＳｅ）を有する半導体材料から成る膜を堆積させるための方法および装置に関する。本発明の方法は、少なくとも１つのスパッタリングターゲットから基板の少なくとも１つの表面上にＣｕ，ＩｎおよびＧａをカソードスパッタ堆積させることを含み、加えて、カソードチャンバ内の前記表面上に蒸気相にあるＸを同時堆積させることを含む。Ｘまたは後者の前駆物質の蒸気形態は、第１のガス層流の形態で移動させられ、その進行経路は基板表面に平行であり、かつ後者と接触し、しかも不活性ガスに対する第２のガス層流の形態で同時に移動させられ、その進行経路は第１のガス層流と平行であり、かつ第１ガス層流の進行経路とスパッタリングターゲットの表面との間に設置され、これによって、第１のガス層流が基板の周りの領域に制限されることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】発電要素を構成する構成層が剥離したり、構成層にクラックが生じたりすることを抑制できる非水電解質電池用発電要素及びその製造方法、それを用いた非水電解質電池を提供する。
【解決手段】非水電解質電池用発電要素10は、基材Sの上に、正極層1と負極層2、及びこれら両層の間に介在される固体電解質層3を有する。そして、基材Sの両面にそれぞれ、基材S側から正極層1、固体電解質層3及び負極層2が順に積層され一体化された構造である。これら各層は気相法により形成され、基材Sは正極層1の集電体としての機能を有する材料（例えばステンレス）で構成されている。 （もっと読む）

【課題】 潤滑寿命の長い転動部材、転動部材を用いた真空用機器および転動部材の製造方法を提供する。
【解決手段】 鉄基合金製の転動要素１０の転動面上に形成された二硫化モリブデンまたは二硫化タングステンの少なくともいずれか一方で形成された鉄を含む潤滑被膜１００を有する鉄基合金製の転動部材１において、鉄の原子濃度をモリブデンまたはタングステンの原子濃度に対して０．０２より大きく，０．１２以下とする。 （もっと読む）

【課題】高品質のリチウム金属薄膜および無機固体電解質薄膜を製造することのできる方法を提供する。
【解決手段】リチウム金属薄膜または無機固体電解質薄膜積を製造する方法が提供され、該方法は、薄膜製造工程においてアルカリ金属または無機固体電解質もしくはその原料と接触する雰囲気の露点を−４０℃以下とすることを特徴とする。露点が−４０℃以下の環境において、薄膜作製のための原料や基材あるいは製造した薄膜を取り扱えば、リチウム金属や硫化物系の無機固体電解質の劣化を効果的に防止できる。 （もっと読む）

【課題】ターゲット抵抗の低いスパッタ用ＺｎＳ系誘電体ターゲット、並びにこのターゲットを用いて非結晶性の相変化光ディスク用誘電体膜を形成する成膜方法及び製造装置の提供。
【解決手段】ＺｎＳ系誘電体材料に対して、０〜５ｍｏｌ％のＡｌ_２Ｏ_３を配合したＺｎＯが５〜３０ｍｏｌ％分散されたターゲット。この誘電体材料は、ＺｎＳ単体又はＺｎＳに対して５ｍｏｌ％以下のＩｎ_２Ｏ_３、ＳｎＯ_２、若しくはＩＴＯ（Ｉｎ_２Ｏ_３＋ＳｎＯ_２）が配合されたものである。該ターゲットに５０〜４００ｋＨｚの周波数をＤＣに重畳させて印加できるように構成されたスパッタ電源を備えた成膜装置を用いて、スパッタ法により、基板上に、非結晶の相変化光ディスク用誘電体膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】高品質なＣＺＴＳ半導体光吸収層を用いた光電変換素子を２５０℃以下でかつ硫化水素などの有毒ガスを用いることなく、安定、安全かつ安価に実現する。
【解決手段】基材上にｎ型半導体透明導電膜と金属電極とに挟まれてｐ型半導体光吸収層が積層されており、前記ｐ型半導体光吸収層は銅、亜鉛、錫および硫黄を含み、かつ銅／（亜鉛＋錫）の組成比が７０原子％以上１００原子％未満であり、さらに前記基材の軟化点または融点が３５０℃以下とする。 （もっと読む）

【課題】成膜処理時の成膜状況に応じてシート状基材を温度制御して、薄膜部材の品質をより向上させた薄膜部材の製造装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】成膜ロール６の胴部６０の外周表面６０ａにシート状基材２を密着させた状態で回転搬送させながら、シート状基材２の表面に薄膜を形成してシート状の薄膜部材を製造する薄膜部材の製造装置において、成膜ロール６は、シート状基材２の表面に成膜処理を行う成膜処理部４の対向位置に配設され、胴部６０の表面内側の軸心方向に沿って、かつ胴部６０の円周方向に配設された複数の媒体路６４・６４・・・と、成膜処理部４に対して近い回転位相部分と遠い回転位相部分とで、胴部６０の単位回転位相あたりの媒体路６４・６４・・・への温調媒体の供給量を変更して、前記胴部の外周表面の温度を所定の回転位相ごとに温調する温調機構と、を具備してなる。 （もっと読む）

【課題】硫化物を成膜する成膜装置において、安全かつ簡単にチャンバー内をクリーニングすることができる成膜装置、および成膜装置のクリーニング方法を提供する。
【解決手段】成膜対象を内部に収納するチャンバー２を備え、チャンバー２内の成膜対象（基板６）に硫化物を成膜する成膜装置１であって、クリーニングガス導入機構３と、雰囲気ガス排出機構４と、硫化水素除去機構５とを有する。成膜装置１をクリーニングする際は、導入機構３のバルブ３２を開放し導入管３１からクリーニングガスを導入して、チャンバー２内の付着物１０を硫化水素に分解する。同時に、排出機構４の吸引機（ポンプ４３）を作動させ、硫化水素を含むチャンバー２内の雰囲気ガスを排気する。排気された雰囲気ガスに含まれる硫化水素は、除去機構５により取り除かれる。 （もっと読む）

【課題】スパッタ時に発生するパーティクル（発塵）やノジュールを低減し、品質のばらつきが少なく量産性の向上可能なＺｎＳを主成分とするスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】ターゲットの結晶粒が微細であり、密度が９７％以上、さらには９９％以上の高密度を備えた、アルカリ金属０．５〜１０ｗｔｐｐｍを含有する焼結性に優れたスパッタリングターゲット用ＺｎＳ粉末を主成分とする粉末を焼結して形成されたスパッタリングターゲットで、アルカリ金属はＮａ又はＫである。 （もっと読む）

【課題】蒸着源からの蒸気を遮ることなく、試料のほぼ外周全域にわたって存在させながら、試料の外周表面の全面に蒸着膜を形成することができる蒸着装置とこの蒸着装置を用いた蒸着方法を提供すること。
【解決手段】中心軸を水平方向に向けたコイルバネ状の形状を有するホルダー２と、試料１をホルダーの内側に保持した状態においてホルダーをその中心軸の周りに回転させる回転手段とを備え、回転手段によってホルダーをその中心軸周りに回転させることにより、試料をホルダーに対して回転させ、蒸着源に対する試料の向きと姿勢を変更し、向きと姿勢を変更させながら試料の外周表面全面に前記蒸着源からの蒸気による蒸着膜を形成させる。 （もっと読む）

本発明は、式ＡＭ_４Ｘ_８（式中、Ａは、ＧａまたはＧｅであり、Ｍは、Ｖ、Ｎｂ、ＴａまたはＭｏであり、Ｘは、ＳまたはＳｅである）の少なくとも１種の化合物の薄膜を製造するための方法に関する。前記方法は、ｉ）少なくとも１種の不活性ガスを含む雰囲気下で式ＡＭ_４Ｘ_８の少なくとも１種の化合物を含有する標的をマグネトロンスプレーすることにより、式ＡＭ_４Ｘ_８の少なくとも１種の化合物の薄膜を形成するステップと、ｉｉ）ステップｉ）で形成された薄膜を熱処理によってアニーリングするステップとを含み、ここで、前記ステップｉ）および／またはステップｉｉ）は、ＸがＳである場合は硫黄の存在下で、またはＸがＳｅである場合はセレニウムの存在下で行われる。 （もっと読む）

【課題】軽量で、フレキシブル対応が可能で、ガスバリア性が高く、製造プロセスがシンプルなディスプレイに適した基板用部材を提供する。
【解決手段】下記式（Ｉ）で表される材料を含み、厚さが０．００５μｍ以上であるガスバリア層が樹脂基体上に形成されたディスプレイ用基板部材。
（ＺｎＳ）_ｘ（ＳｉＯ_２）_１−ｘ （Ｉ）
０．６≦ｘ≦０．９ （もっと読む）

【課題】発光膜中のＯ含有量を十分に低減することができるＥＬ素子製造用スパッタリングターゲットの製造方法を提供する。
【解決手段】ＥＬ素子製造用スパッタリングターゲットの製造方法が、少なくとも、２価金属の硫化物と、３価金属と、発光中心元素の硫化物とを混合して混合物を得る混合工程と、該混合物を成形して成形物を得る成形工程と、該成形物を焼結してＥＬ素子製造用スパッタリングターゲットを得る焼結工程とを含むと、上記課題を解決することができる。 （もっと読む）