【課題】緻密な薄膜の成膜を可能にして、薄膜の耐チッピング性を向上させることができるアークイオンプレーティング装置を提供する。
【解決手段】アークイオンプレーティング装置１は、蒸発源５が載置される陰極の背面中央に設けられる中央磁石１５と、ワーク３の背面に設けられる補助磁石１７とを備え、中央磁石１５と補助磁石１７とは、異なる極を対向させて配置され、ワーク３の成膜面の磁束密度が１ｍＴ以上１４ｍＴ以下となるように設定されている。 （もっと読む）

【課題】 高密度および高強度を有し、窒化チタン系の膜を成膜可能なスパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】 窒化チタン粉と酸化チタン粉とを焼結したスパッタリングターゲットであって、Ｎ：３０〜４３ａｔ％、Ｏ：９〜２７ａｔ％を含有し、残部がＴｉおよび不可避不純物からなる成分組成を有し、Ｏ／Ｔｉ原子比が２未満の酸化チタンを含む焼結体からなり、該焼結体の密度が４．４ｇ／ｃｍ^３以上である。また、このスパッタリングターゲットの製造方法は、窒化チタン粉と酸化チタン粉とを混合して混合粉末を作製する工程と、該混合粉末を真空中でホットプレスにて焼結する工程とを有し、前記酸化チタン粉の少なくとも一部をＯ／Ｔｉ原子比が２未満の酸化チタン粉とし、この酸化チタン粉を窒化チタン粉と混合する。 （もっと読む）

【課題】４５０〜６００℃程度の高温下に曝されてもヒロックが発生せず高温耐熱性に優れており、配線構造全体の電気抵抗（配線抵抗）も低く抑えられており、更にフッ酸耐性にも優れた表示装置用配線構造を提供する。
【解決手段】本発明の表示装置用配線構造は、基板側から順に、Ｔａ、Ｎｂ、Ｒｅ、Ｚｒ、Ｗ、Ｍｏ、Ｖ、Ｈｆ、Ｔｉ、ＣｒおよびＰｔよりなる群（Ｘ群）から選択される少なくとも一種の元素と、希土類元素の少なくとも一種とを含むＡｌ合金の第１層と；Ｔｉ、Ｍｏ、Ａｌ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｒｅ、Ｚｒ、Ｗ、Ｖ、Ｈｆ、およびＣｒよりなる群（Ｙ群）から選択される少なくとも一種の元素の窒化物、またはＡｌ合金の窒化物の第２層と、が積層された表層構造を有する。 （もっと読む）

【解決課題】 真空コーティング装置およびナノ・コンポジット被膜を堆積する方法を提供すること。
【解決手段】 真空チャンバ（３１）と、少なくとも１対の対向カソード（１および４）と、この対向カソードにＡＣ電圧を供給してこれをデュアル・マグネトロン・スパッタリング・モードで動作させる電源（８）とを備え、ＰＶＤコーティングのための少なくとも１のさらなるカソードが真空チャンバ内に提供された真空コーティング装置および方法は、少なくとも１のさらなるカソード（６および／または７）がマグネトロン・カソードとされ、マグネトロン・カソードまたはアーク・カソードに接続可能なパルス化電源またはＤＣ電源の形態としてさらなる電源（４２，４４）が提供されている。 （もっと読む）

【課題】スパッタチャンバ内を汚染することなく、バリアメタルを形成することができる成膜装置を提供すること。
【解決手段】実施形態の成膜装置は、第１のプロセスチャンバと、第２のプロセスチャンバと、第３のプロセスチャンバと、を備えている。そして、第１のプロセスチャンバは、スパッタ処理を行うことにより、基板上に第１のバリアメタルを成膜する。また、前記第２のプロセスチャンバは、前記第１のバリアメタルが成膜された前記基板上に第１のガスを導入することにより、前記第１のバリアメタルの上層部を前記第１のガスによって表面処理し、これにより前記第１のバリアメタル上に第２のバリアメタルを形成する。さらに、前記第３のプロセスチャンバは、前記第２のバリアメタルが形成された前記基板にスパッタ処理を行うことにより、前記第２のバリアメタル上に第３のバリアメタルを成膜する。 （もっと読む）

【課題】相変化膜の組成が変わることを抑えつつ、基板の凹部に対する相変化膜の埋め込み性を高めることのできる相変化メモリの形成方法、及び相変化メモリの形成装置を提供する。
【解決手段】相変化メモリの形成に際し、金属カルコゲナイドターゲットをスパッタして絶縁膜２３の上面２３ｓ及びホール２３ｈ内に相変化膜２４を形成する。次いで、相変化膜２４を覆うキャップ膜２５を形成する。更に、相変化膜２４を加熱して、相変化膜２４によってホール２３ｈを埋め込むリフローを行う。キャップ膜２５は、絶縁膜２３よりも相変化膜２４に対する濡れ性が低い材料で形成される。 （もっと読む）

【課題】成膜条件が異なる場合であっても多数の基材に対して一度に且つ均一に成膜を行うことにより生産性を向上させる。
【解決手段】本発明のＡＩＰ装置１０１は、真空チャンバ内を真空排気する真空排気手段と、成膜対象である基材を自転状態で保持する４つの自転保持部４と、自転保持部４をその自転軸と軸心平行な公転軸Ｑ回りに公転させる公転テーブル５と、アーク蒸発源６と、４つのバイアス電源１０Ｂ１〜１０Ｂ４を備えた電源ユニット１０Ｂとを備え、自転保持部４の各々はスリップリング１５１を介して異なるバイアス電源に接続され、バイアス電位の差により異なる成膜条件を構成する。 （もっと読む）

【課題】大面積樹脂フィルム上への連続的かつ均一な窒化チタン膜の工業的な成膜を可能とする。
【解決手段】平均粒径が０．４〜１．５μｍのＴｉＮ粉末を用い、分散剤を、ＴｉＮ粉末１００質量部に対して０．５〜２．０質量部添加し、湿式粉砕し、噴霧乾燥し、９８〜２９４ＭＰａの圧力で成形し、大気圧還元性雰囲気で４００〜１０００℃で還元処理した後、大気圧窒素雰囲気中で、１８００〜２１００℃の温度で焼成し、加工し、一般式：ＴｉＮ_xにおいて０．８≦ｘ≦１．０、相対密度：９３〜１００％、平均空孔径が０．１〜１．５μｍの窒化チタンスパッタリングターゲットを得る。 （もっと読む）

【課題】蒸発源の消耗に伴って変化する薄膜表面の平滑性変化を低減でき、蒸発源の利用効率を向上させることができるアークイオンプレーティング装置を提供する。
【解決手段】裏側リング状磁石１７及び外側リング状磁石１６の極性の向きは同一に設定され、中央磁石１５の極性の向きは磁石１６，１７の極性の向きと逆に設定され、蒸発源５の直径をＤとした場合に裏側リング状磁石１７は、リング幅Ｗの中心位置Ｏが蒸発源５の端面からＤ／２０の範囲内に配置されており、磁石１５，１６，１７により蒸発源５の表面に生じる磁場の初期設定値は蒸発面の端面から内方にＤ／２０の範囲の端部領域Ｅを除く内側領域Ｃ表面の磁束密度が７〜１０ｍＴ、端部領域Ｅ表面の磁束密度が蒸発源中心部側から蒸発源端部まで連続的に増加し、端部領域Ｅ表面中心側が７〜１０ｍＴ、端部領域Ｅ表面最端部が１５ｍＴ以上、内側領域Ｃ表面の磁束密度の標準偏差が０．６以下に設定される。 （もっと読む）

【課題】透明性および導電性に優れる透明導電膜を提供する。
【解決手段】本発明の透明導電膜は、Ｔｉ、Ｐ、ＯおよびＮを必須元素とし、任意元素として、Ｖ、ｎ、Ｓｉ、Ｆｅ等を含むものでもよい。この透明導電膜が基材表面に形成された導電部材は、従来になく優れた透明性および導電性を発現する。特にＴｉ原子比（Ｔｉ／（Ｔｉ＋Ｐ））が０．５〜０．８である場合にその傾向が顕著である。本発明の透明導電膜は、従来の透明導電膜に必須であったＩｎやＮｂ等の希少元素を含まない。従って本発明によれば、資源的リスクがなく、低コストな透明導電膜の提供が可能となる。このような透明導電膜は、各種の薄型ディスプレイ、タッチパネル、太陽電池、バイオ刺激電極などの部材に利用可能である。 （もっと読む）

【課題】蒸発源の消耗に伴って変化する薄膜表面の平滑性や薄膜の残留応力の変化を低減でき、蒸発源の利用効率を向上させることができるアークイオンプレーティング装置および成膜方法を提供する。
【解決手段】中央磁石１５とリング状磁石１６とにより陰極２０の蒸発源５のバッキングプレート２１上に生じる陰極面磁場は、そのバッキングプレートの端面から内方に所定幅の端部領域を除く内側領域表面の磁束密度が７〜１５ｍＴであり、端部領域表面の磁束密度が内側領域表面の磁束密度よりも３ｍＴ以上大きく設定されており、陰極に蒸発源を載置した状態における蒸発源の表面に生じる磁場を、陰極面磁場と同じ大きさにするように、ソレノイドコイル１７に、蒸発源の消耗に伴ってソレノイドコイルに流す電流値を変化させ、蒸発源の表面に生じる磁場の大きさを保持するコイル電源１８、磁場測定器及び、コイル電流制御機構１９が設けられている。 （もっと読む）

【課題】蒸発源の消耗に伴って変化する薄膜表面の平滑性や薄膜の残留応力の変化を低減でき、蒸発源の利用効率を向上させることができるアークイオンプレーティング装置及び成膜方法を提供する。
【解決手段】リング状磁石およびソレノイドコイルの極性の向きは同一に設定され、中央磁石の極性の向きはリング状磁石およびソレノイドコイルの極性の向きと逆に設定され、中央磁石、リング状磁石およびソレノイドコイルとにより蒸発源の表面に生じる磁場の初期設定値は、蒸発源の端面から内方に所定幅の端部領域を除く内側領域表面の磁束密度が７〜１５ｍＴであり、端部領域表面の磁束密度が内側領域表面の磁束密度よりも３ｍＴ以上大きく設定されており、ソレノイドコイルに、蒸発源の消耗に伴ってソレノイドコイルに流す電流値を変化させ、初期設定値を保持するためのコイル電源、磁場測定器およびコイル電流制御機構が設けられている。 （もっと読む）

【課題】ターゲット横方向に飛び出したスパッタ粒子が、プラズマ範囲外のターゲット外周部に堆積することを防止する。
【解決手段】このスパッタ装置１００は、基板ホルダ４００、ターゲット保持部材２２０、プラズマ７００を発生させる電源（不図示）、イオン照射部３００と、を備える。電源（不図示）は、基板１０とターゲット２００に高電圧を印加することで、基板１０とターゲット２００との間にプラズマ７００を発生させる。また、イオン照射部３００は、プラズマ７００と異なるイオン源３２０から発生したイオンをターゲット２００の外周部に対して照射する。 （もっと読む）

【課題】高硬度鋼の高速切削加工ですぐれた耐剥離性を発揮する表面被覆立方晶窒化ほう素基超高圧焼結材料製切削工具を提供する。
【解決手段】立方晶窒化ほう素の含有量が５０〜８５容量％のｃＢＮ基超高圧焼結体の表面に硬質被覆層を形成してなる切削工具において、（ａ）硬質被覆層は、０．５〜５μｍの平均層厚を有する下部層と上部層とからなり、（ｂ）下部層は、ＴｉＮ膜からなり、上部層は、組成式：［Ｔｉ_１−ＸＡｌ_Ｘ］Ｎ（Ｘは原子比で０．１５〜０．６５）を満足するＴｉとＡｌの複合窒化物層からなり、（ｃ）逃げ面、すくい面、ホーニング部のナノインデンテーション硬さ、残留応力、表面粗さを所定の値とする。 （もっと読む）

【課題】従来の硬質皮膜であるＴｉＡｌＮや酸化物皮膜よりも耐摩耗性に優れた硬質皮膜を提供する。
【解決手段】基材の表面に形成される硬質皮膜であって、（Ｔｉ_ａＡｌ_ｂＳｉ_ｃ）Ｏ_ｘからなり、０．３≦ａ≦０．７、０．３≦ｂ≦０．７、０≦ｃ≦０．２、ａ＋ｂ＋ｃ＝１、０．８≦［ｘ／（２ａ＋１．５ｂ＋２ｃ）］≦１．２を満たすことを特徴とする硬質皮膜、または、（Ｔｉ_ａＣｒ_ｄＡｌ_ｂＳｉ_ｃ）Ｏ_ｘからなり、０．０５≦ａ≦０．４、０．１≦ｄ≦０．８５、０≦ｂ≦０．７、０≦ｃ≦０．２、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１、０．８≦［ｘ／（２ａ＋１．５ｄ＋１．５ｂ＋２ｃ）］≦１．２満たすことを特徴とする硬質皮膜（ａ，ｄ，ｂ，ｃはＴｉ，Ｃｒ，Ａｌ，Ｓｉの原子比を示し、ｘはＯの原子比を示す）。 （もっと読む）

【課題】ＰＶＤ法により形成された保護膜を有するプレス成形用金型において、高い耐焼き付き性を有するプレス成形用金型及びプレス成形金型用保護膜の製造方法を提供する。
【解決手段】プレス成形用金型は、少なくとも被成形体に接触する成形面上に、プレス成形時の焼き付きを防止するための保護膜が形成されている。この保護膜は、ＰＶＤ法により形成されており、その表面から抜き出された任意の選択区間を複数の個別区間に分割し、その分割数をＮとし、選択区間の端部からｎ番目の分割点における表面の傾斜を（ｄＺ_ｎ／ｄＸ_ｎ）としたときに、下記数式から算出される二乗平均平方根ＲΔｑが０．０３２以下である。
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【課題】光っているマクロパーティクルのみならず、光っていないマクロパーティクルについても計測すること、さらにマクロパーティクルの速度分布のみならず、マクロパーティクルの粒度分布や帯電状態（正・負・中性）を計測する。
【解決手段】マクロパーティクルが通過可能な孔を有する電極をマクロパーティクルの移動方向と垂直に配置して、１つ以上の無電界空間および電界空間を形成させ、マクロパーティクルに外部光源より光を照射して粒径を計測すると共に、マクロパーティクルが無電界空間および電界空間内において所定距離を移動するために要した時間を計測し、それに基づいてマクロパーティクルの無電界空間内における速度および電界空間内における速度変化を求め、粒径に基づいて、前記マクロパーティクルの粒度分布を計測すると共に、速度および速度変化に基づいて、マクロパーティクルの速度分布および帯電状態を計測する。 （もっと読む）

【課題】高送り・乾式の深穴用ドリル加工条件においても硬質被覆層がすぐれた耐摩耗性と切屑排出性を発揮する表面被覆ドリルを提供する。
【解決手段】ドリル先端部の逃げ面の皮膜断面の結晶粒形状を観察したとき、粒径制御層を構成する結晶粒が幅１０〜１００ｎｍ、高さ０．２〜６．０μｍの柱状晶からなり、かつ、ドリルの切屑排出溝のうち、ドリル先端部からドリル基体の長さに沿ってドリル径の５倍の長さまでの領域において、粒径制御層を構成する切れ刃の皮膜断面の結晶粒形状を観察したとき、粒径制御層を構成する結晶粒の平均アスペクト比が、ドリル先端から後方に向けて、１〜１００の範囲で漸次減少し、かつ、ドリル先端部から直径の０．０１倍の位置における平均アスペクト比が直径の５倍の位置における平均アスペクト比の２倍以上である。 （もっと読む）

【課題】少ない処理室で効率よくバリア層及び埋込層を形成する小型の真空処理装置を提供する。
【解決手段】バリア層は、Ｔｉ製のターゲットと希ガスを導入してプラズマ雰囲気を形成し、ターゲットをスパッタリングして第１金属層を形成し、処理室内に酸素ガス及び窒素ガスを含むガスを導入して、第１金属層の表面およびターゲット表面を酸窒化処理する。更にターゲットをスパッタリングして酸窒化処理された表面に第２金属層を形成する。他方、埋込層は、Ａｌ含有の金属製のターゲットを用い、スパッタ粒子をプラズマ中の荷電粒子と衝突するように所定圧力に調節すると共に、当初投入したバイアス電力を、成膜中に停止し、処理室の圧力も低下させると共に、加熱手段により処理対象物Ｗを、処理対象物表面に付着、堆積した金属粒子が流動する温度に加熱する。 （もっと読む）

【課題】基材と被膜との密着性を良好に保つとともに、加工面品位に優れた表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】本発明の表面被覆切削工具は、基材と、該基材上に形成された被膜とを備えるものであって、該基材は、硬質粒子と該硬質粒子を結合する結合相とを含み、被膜に接する硬質粒子は、被膜に接する側の表面に凹凸が形成されており、表面被覆切削工具のすくい面に対する法線を含む平面で表面被覆切削工具を切断したときの断面において、基材のすくい面側の表面は、被膜に接する側の表面に位置する長さ５０μｍのすくい面側基準線における面粗度Ｒz,sが１μｍ以上３０μｍ以下であり、基材の逃げ面側の表面は、被膜に接する側の表面に位置する長さ５０μｍの逃げ面側基準線における面粗度Ｒz,nが０．５μｍ以上５μｍ以下であり、かつＲz,sはＲz,nよりも大きいことを特徴の一つとする。 （もっと読む）