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Fターム[4K029BB02]の内容

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Fターム[4K029BB02]に分類される特許

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【課題】本発明の課題は、反射防止効果に優れ、且つ膜強度、耐環境信頼性に優れた反射防止膜を提供することである。
【解決手段】複数の層からなる反射防止膜であって、該複数層のうち少なくとも一層が、複数の微細な管状空間を有する構造体からなる光学薄膜であって、前記光学薄膜が有する全ての管状空間が基板の接平面垂直方向において平行に配列されていることを特徴とする構成とした。 (もっと読む)


【課題】耐食性及びガスバリア性を高めたガスバリア性シート及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基材2と、その基材2上に設けられたガスバリア膜3とを少なくとも有し、基材2とガスバリア膜3との間に耐食合金又は耐食合金の化合物4が存在するように構成したガスバリア性シート1により、上記課題を解決した。耐食合金が、Cr、Mo、W、V、Cu、Nb、Ta、Al、Ti、Si、Zr、及びMnの少なくとも1種の元素を含有することが好ましく、耐食合金又は耐食合金の化合物4が、基材2上に散布状若しくは島状又は薄膜状に存在させることが好ましい。 (もっと読む)


【課題】耐摩耗性および潤滑性を高度に両立した表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】本発明の表面被覆切削工具は、基材と、該基材上に形成された被膜とを備えるものであって、該被膜は、2以上の層を含み、該2以上の層のうち少なくとも一層は、TaNからなる第1化合物層であり、該第1化合物層は、基材側から厚み方向に非晶質領域と結晶質領域とをこの順に有し、非晶質領域は、非晶質からなり、結晶質領域は、六方晶構造からなり、第1化合物層の直下の層は、M1-xTaxy(0.01≦x≦0.3、0.95≦y≦1.05)からなる第2化合物層であり、Mは、Si、Cr、Al、Ti、Hf、およびVからなる群より選ばれる1種以上の元素であり、第2化合物層は、立方晶構造を含む結晶構造からなり、かつ4200mgf/μm2以上の硬度を有することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】 苛酷な使用環境下で使用される切削工具や金型等の工具において、耐摩耗性と摺動特性に優れる被覆工具およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 工具の基材表面に中間皮膜を介して硬質皮膜を被覆した被覆工具であって、該硬質皮膜は、原子比でSiよりもCが多く、組織に六方晶の結晶構造相を含むSiC膜であり、該中間皮膜は、AlxMyからなる窒化物又は炭窒化物(但し、x、yは原子比を示し、x+y=100、かつ、40≦x≦95、かつ、5≦y≦60、MはTi、Cr、V、Nbから選択される1種以上)であり、該基材側が立方晶の結晶構造、該硬質皮膜側が六方晶の結晶構造である耐摩耗性と摺動特性に優れる被覆工具である。 (もっと読む)


【課題】耐摩耗性、耐欠損性、および密着性を兼ね備えた被覆膜を表面に有する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】本発明の表面被覆切削工具は、基材とその上に形成された被覆膜とを備えるものであって、該被覆膜は、AlaTibSicdNからなるA層と、TieAlfSigMehNからなるB層とが交互に各2層以上積層された積層体を含み、A層およびB層はそれぞれ、20nm以下の層厚であり、刃先稜線部に形成された被覆膜の表面は、急峻な形状の凸部と、隣接する凸部の間の距離が2μm以上であって、かつその間をなだらかな曲面で結ぶ第1凹部と、隣接する凸部の距離が2μm未満であって、かつその間をなだらかな曲面で結ぶ第2凹部とが不規則に形成された凹凸を有するむしれ面であることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】真空蒸着を行なうるつぼにセットした昇華性材料が、蒸着の際に突沸しにくくする。
【解決手段】 真空チャンバー(10)と、真空チャンバー(10)内に設けられ、蒸着材料を収納するるつぼ(11)と、るつぼ(11)に設けた蒸着材料を加熱する均一加熱機構(20)とを備える。均一加熱機構(20)は、るつぼ(11)の周囲に設けたヒーター(21)と、るつぼ(11)の内部に設けたカーボンロッド(23)を備える。蒸着材料(2)は、前記るつぼ(11)とカーボンロッド(23)との間に配置され、ヒータ(21)にて加熱されたるつぼ(11)およびカーボンロッド(23)の双方により、ほぼ均一に加熱されて蒸発する。 (もっと読む)


【課題】ダクタイル鋳鉄などのフェライト相が多く析出した被削材の高速連続切削加工および断続切削加工で、すぐれた耐摩耗性、耐欠損性、耐溶着性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】cBN基超高圧焼結材料製工具基体の表面に、平均層厚0.1〜0.3μmの非晶質BNからなる下部層、平均層厚0.1〜0.3μmのTiBNからなる中間層、平均層厚1.0〜2.0μmのTiAlNからなる上部層を順次蒸着形成し、すくい面とホーニング面の上部層を除去することによって、前記課題を解決する。 (もっと読む)


【課題】ホスト材料とゲスト材料とを同時蒸着させる蒸着装置において、微量のゲスト材料を精度良く蒸着させるとともに、蒸着材料のロスを抑制する。
【解決手段】真空処理室201内において、基板100に対して蒸着材料を蒸着させて薄膜を形成する真空蒸着装置200であって、内部に収容された蒸着材料を加熱し、発生した蒸着材料の蒸気を放出口204aから基板100へ向けて放出する第2蒸着源204と、第2蒸着源204に連結され、第2蒸着源204の内部で発生した蒸着材料の蒸気を導く導管220と、導管220を流れる蒸着材料の蒸気の流量を制御する流量制御バルブ221と、導管220を介して第2蒸着源204に連結されて、第2蒸着源204の内部で発生した蒸着材料の蒸気を回収する回収容器230と、を備える。 (もっと読む)


【課題】PZT圧電体層をアーク放電イオンプレーティング(ADRIP)法によって形成する前に真空雰囲気下でウェハを加熱した場合、PZT圧電体層の絶縁破壊電圧が小さく、この結果、印加電圧を大きくできず、圧電アクチュエータの信頼性が低かった。
【解決手段】単結晶シリコン基板を熱酸化して酸化シリコン層を形成し、酸化シリコン層上にスパッタリング法によってTi密着層を形成し、引き続いて、Ti密着層上にスパッタリング法によってPt下部電極層を形成する。次に、ADRIP装置において、ADRIP本処理の前処理として酸素雰囲気において約500℃までウェハを加熱する。引き続き、同一ADRIP装置において、Pb蒸発源のPb蒸発量、Zr蒸発源のZr蒸発量及びTi蒸発源のTi蒸発量を制御してPbZrxTi1-xO3の組成比Pb/(Zr+Ti)が1.2以下となるようにする。最後に、PZT圧電体層上にスパッタリング法によってPt上部電極層を形成する。 (もっと読む)


【課題】長尺樹脂フィルムの取り付けおよび取り出しを効率よく行えるロール・トゥ・ロール方式真空両面成膜装置を提供する。
【解決手段】巻出しロール室内の巻出しロールから巻き出された長尺樹脂フィルムをロール・トゥ・ロール方式により搬送し、巻取りロール室内の巻取りロールに巻き取ると共に、成膜室の長尺樹脂フィルムの搬送路上の前記成膜室には、真空成膜手段に対向しかつ内部に冷媒が循環する2つ以上のキャンロールを備えるロール・トゥ・ロール方式真空両面成膜装置が、前記巻出し室と前記巻取り室が、前記成膜室の一方の側の外壁にのみ配されることと、且つ成膜室の鉛直方向では前記巻出し室が前記巻取り室の上若しくは下に配されていることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】可視域から赤外域まで高反射率な光学特性を有するとともに、折り曲げても剥離を抑制できる密着性を有し、耐性が高く、スパッタリングによる成膜のための設備を簡易なものにすることができるAgリフレクタとその製造方法を提供する。
【解決手段】ステンレス基板と、その表面に設けられたNiW膜からなる密着層と、その表面に設けられたAg膜からなる反射層と、その表面に設けられた第1のITO膜と、その表面に設けられた第2のITO膜と、その表面に順に設けられたSiO2膜およびNb25膜からなる増反射層とを備えることを特徴としている。 (もっと読む)


【課題】物理蒸着法による酸化物の上層と窒酸化物の下層との密着性及び上層の耐焼き付き性及び耐かじり性に優れた硬質被膜被覆金型を提供することである。
【解決手段】金型基体直上に、金属元素としてAlとCrを必須構成元素とする窒酸化物の下層と、金属元素としてAlとCrを必須構成元素とする酸化物の上層とを、物理蒸着法により被覆した硬質被膜被覆金型において、該酸化物の上層はα型結晶構造を有し、X線回折強度比TC(110)が1.3以上であることを特徴とする硬質被膜被覆金型。 (もっと読む)


【目的】本発明は、蓋付ハースライナーおよび蓋付ハースライナーを用いた蒸着方法に関し、簡単な構成で材料の突沸を防止し、材料がチャンバー内の広範囲に蒸着することを制限し、電子ビーム量を制御して温度制御して所望の蒸発速度にしたりすることを目的とする。
【構成】蒸着する対象の材料を入れる凹形状のハースライナーと、ハースライナーの上部に配置し、かつ1つ以上の孔を設けた蓋とを備え、ハースライナーの内部に材料を入れて蓋を載せて閉めた状態で、電子ビームを蓋の部分に照射して蓋を電子ビーム加熱し、加熱された蓋の熱によりハースライナーの内部の材料を間接加熱して蓋の1つ以上の孔から噴出させる蓋付ハースライナーである。 (もっと読む)


【課題】高速動作可能な半導体装置を提供する。また、短チャネル効果による電気特性の変動が生じにくい半導体装置を提供する。
【解決手段】トランジスタの半導体層に結晶性を有する酸化物半導体を用い、該半導体層にチャネル形成領域とソース領域とドレイン領域を形成する。ソース領域及びドレイン領域は、ゲート電極をマスクとして、半導体層に第15族元素のうち一種類または複数種類の元素を添加する自己整合プロセスにより形成する。ソース領域及びドレイン領域に、ウルツ鉱型の結晶構造を付与することができる。 (もっと読む)


【課題】短時間で薄膜を積層させる場合であっても、スループットを損なうことなく効率的に上記積層を実現可能なスパッタリング装置、及び電子デバイスの製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の一実施形態に係るスパッタリング装置は、回転可能な基板ホルダー103と、基板ホルダー130に対して斜めに配置されたターゲットホルダー107a〜107dと、ターゲットホルダーと基板ホルダーの間に設けられ、回転軸Xに対して2回対称に配置された2個の孔を有する第1シャッター115および第2シャッター116とを備える。ターゲットホルダー107a、107cは、回転軸Xに対して2回対称な位置に配置される第1群のターゲットホルダーであり、ターゲットホルダー107b、107dは、第1群のターゲットホルダー同士の間に回転軸Xに対して2回対称に配置される第2群のターゲットホルダーである。 (もっと読む)


【課題】ビットパターンを高密度に集積した場合にも,熱安定性と記録性に優れ,ビットパターンのトラック周期よりも広い記録素子及び再生素子の磁気ヘッドを用いることができるようにする。
【解決手段】円錐台状の記録ビットの下層に垂直磁気異方性の大きい熱安定層を,上層に飽和磁束密度の大きい高出力層を備える。外周部は高出力層を除去して熱安定性を向上した熱安定性領域22とし,中心部は再生領域21とする。また,外周部と中心部の間に垂直磁気異方性と飽和磁束密度を小さくした反転制御領域23を設ける。 (もっと読む)


【課題】 処理装置等に用いるキャンロールにおいて、その外周面と長尺樹脂フィルム基板との間に形成されるギャップ部にガスを導入する際に、ギャップ部のギャップ間隔をほぼ一定にして、フィルムのシワ発生を防止することができるキャンロールを提供する。
【解決手段】 周方向に沿って略均等な間隔をあけ且つ全周に亘り回転軸方向に沿って配設された複数のガス導入路11を有し、各ガス導入路11はキャンロール10の回転軸方向に沿って略均等な間隔で外周面10a側に開口する複数のガス放出孔12を有すると共に、外径が回転軸方向の中央部で最も長く且つ中央部から両端部に向けて次第に短くなるクラウン形状の外周面10aを備えている。 (もっと読む)


【課題】難削材の高速切削加工で硬質被覆層がすぐれた耐熱性及び耐溶着性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】工具基体の表面に硬質被覆層を形成してなる表面被覆切削工具において、該硬質被覆層は、組成式:(Ti1−αAlα)Nで表されるTiとAlの複合窒化物層、あるいは、組成式:(Ti1−α−βAlαβ)Nで表されるTiとAlとMの複合窒化物層からなるA層(但し、Mは、Tiを除く周期律表4a,5a,6a族の元素、Si、B、Yのうちから選ばれた1種又は2種以上の添加成分を示し、原子比で、0.45≦α≦0.75、0.01≦β≦0.25)と組成式:(Cr1−x―γAgγ)N(但し、原子比で、0.01≦X≦0.30、0.01≦Y≦0.20)を満足するCrとWとAgの複合窒化物層からなるB層との2層構造または、A層とB層との交互積層として構成する。 (もっと読む)


【課題】混合ナノ粒子を利用した透明導電構造及びその製造方法を提供する。
【解決手段】透明導電構造は基板部及び導電部を備える。前記基板部は少なくとも1つのプラスチック基板を備える。前記導電部は少なくとも1つの透明導電フィルム及び少なくとも1つの導電ナノ粒子群が同時に形成されたものであり、前記透明導電フィルムは前記プラスチック基板上に形成される。前記導電ナノ粒子群は前記透明導電フィルム内に複数混入或いは組み込まれる導電ナノファイバーである。 (もっと読む)


【課題】 物理的膜厚dを均一にするだけでなく屈折率nも均一にした光学素子(OE)を提供する。
【解決手段】 第1の観点による光学素子(OE)は、基板を真空チャンバー内に配設し、基板保持部が有する複数の保持枠に基板を保持させ、基板を中央部から周辺部にかけて均一に加熱し、中央部から周辺部にかけて基板を均一に加熱している状態において蒸着源から蒸着材料を放出し、基板に蒸着材料を蒸着する光学薄膜成膜方法によって成膜された光学薄膜を含む光学素子である。そして光学薄膜の光学膜厚ndは、光学素子の中央部から周辺部の表面にかけて形成され、周辺部の光学膜厚ndと中央部の光学膜厚ndとが、均一である。なお、光学膜厚ndは、屈折率n×物理的膜厚dである。 (もっと読む)


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