【課題】酸素欠陥が少なく、圧電特性に優れた圧電体膜を形成する。
【解決手段】一般式(Ｎａ_ｘＫ_ｙＬｉ_ｚ)ＮｂＯ_３ (０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦０．２、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１)で表されるペロブスカイト構造のアルカリニオブ酸化物からなる
圧電体膜であって、前記アルカリニオブ酸化物は、擬立方晶、正方晶、斜方晶、単斜晶、菱面体晶、またはそれらが共存した結晶構造を有しており、前記アルカリニオブ酸化物のＫ原子周囲の結合状態において、Ｋ−Ｏ結合とＫ−Ｍｅｔａｌ結合との合計を１００％としたとき、前記Ｋ−Ｏ結合の割合が４６．５％以上、前記Ｋ−Ｍｅｔａｌ結合の割合が５３．５％以下の圧電体膜である。 （もっと読む）

【課題】光電変換効率が高く、光電流／暗電流のＳ／Ｎ比の良好であり、且つ、応答速度の速い光電変換素子を提供する
【解決手段】一対の電極（２０，４０）と、一対の電極（２０，４０）に挟持された少なくとも光電変換層３２を含む受光層３０を有する光電変換素子１は、受光層３０の少なくとも一部の層が、フラーレン又はフラーレン誘導体を主成分とする複数の粒子又は該複数の粒子が成形されてなる成形体であり、複数の粒子のＤ５０％で表される平均粒径が５０μm〜３００μmであるの光電変換素子用蒸着材料を用いて蒸着されたフラーレン又はフラーレン誘導体を含むものである。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体膜と該酸化物半導体膜と接する下地となる膜との界面の電子状態が良好なトランジスタ。
【解決手段】下地となる膜は酸化物半導体膜と同様の原子配列を有し、下地となる膜と酸化物半導体膜とが接している面において、面内の下地膜の最隣接原子間距離と酸化物半導体の格子定数の差を、下地となる膜の同面内における最隣接原子間距離で除した値は０．１５以下、好ましくは０．１２以下、さらに好ましくは０．１０以下、さらに好ましくは０．０８以下とする。例えば、立方晶系の結晶構造を有し（１１１）面に配向する安定化ジルコニアを含む下地となる膜上に酸化物半導体膜を成膜することで、下地となる膜の直上においても結晶化度の高い結晶領域を有する酸化物半導体膜が得られる。 （もっと読む）

【課題】スパッタリング法によってＭｇＦ_２薄膜を形成するとともに、実用上問題のない反射率特性を維持しつつ、耐擦傷性の高い反射防止膜を提供する。
【解決手段】波長５００ｎｍにおける屈折率が１．３４〜１．４４のポーラスＳｉＯ_２層と、ポーラスＳｉＯ_２層の基板から遠い面に隣接するように形成された、膜厚５〜５０ｎｍのＭｇＦ_２層と、を有する。また、成膜圧力を０．５〜１０Ｐａに設定してＳｉＯ_２をスパッタリング成膜する第１工程と、第１工程で成膜したＳｉＯ_２上に、粒径０．１〜１０ｍｍの顆粒状ＭｇＦ_２をターゲットとし、Ｏ_２ガス雰囲気でＭｇＦ_２をスパッタリング成膜する第２工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】有機層蒸着装置及びこれを用いる有機発光表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】被蒸着用基板を固定させる静電チャックと、真空に維持されるチャンバ及びチャンバの内部に配されて静電チャックに固定された基板に薄膜を蒸着する薄膜蒸着アセンブリーを備える蒸着部と、基板が固定された静電チャックを蒸着部内に移動させる第１循環部と、を備え、第１循環部は、蒸着部を通過する時にチャンバ内部に貫通し、第１循環部は、静電チャックが一方向に移動可能に静電チャックを収容する収容部を備えるガイド部を備える有機層蒸着装置及びこれを用いる有機発光表示装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】高硬度鋼の高速重切削加工条件下において、硬質被覆層がすぐれた耐溶着性と耐欠損性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】ＷＣ基超硬合金またはＴｉＣＮ基サーメットで構成された工具基体の表面に、硬質被覆層として、ＡｌとＴｉの複合窒化物層からなる下部層と、Ａ層：（１１１）面配向性のＡｌとＣｒの複合窒化物層、Ｂ層：ＡｌとＴｉの複合窒化物層、Ｃ層：（２００）面配向性のＡｌとＣｒの複合窒化物層、Ｂ層＋Ａ層＋Ｂ層＋Ｃ層を１積層周期とした１周期以上の積層構造を有する上部層とからなる層を形成した表面被覆切削工具。 （もっと読む）

【課題】流動体を付着させて熱処理を行う工程を繰り返し行うことにより微細パターンの膜を所望の膜厚で精密に作製可能とするパターン形成用基板と、パターン形成用基板を用いた圧電アクチュエータの製造方法を提供する。
【解決手段】所定の流動体を特定領域に付着させて熱処理を行うことによりパターン化された膜を形成するためのパターン形成用基板１０で、特定領域を親和性とし、それ以外の領域を非親和性とする表面改質をおこなう。パターン形成用基板１０の表面改質処理対象となる金属膜はＰｔ膜５３を積層し、基体として、Ｔｉ，Ｔａ，Ｚｒ，Ｖ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｗから選ばれる少なくとも１つの金属元素、酸素元素および炭素元素から構成されるＭＯＣ膜５２を用いる。 （もっと読む）

【課題】リチウムイオン二次電池の生産において、処理時間の違いによって生じる処理装置の待ち時間を減少させる技術を提供する。
【解決手段】第二の処理部４で基板７０を真空処理した後、大気に搬出し、移動室２の一端に接続された搬入室３１から大気に曝さずに基板７０を移動室２内に搬入し、基板７０を移動室２に接続された第一の処理部３に移動させて真空処理し、大気に曝さずに第三の処理部５で真空処理し、リチウムイオン二次電池を生産する。 （もっと読む）

【課題】各種デバイスを積層するための基材とするためのポリイミドフィルムと支持体との積層体であって、デバイス作製時の高温プロセスにおいても剥がれることなく、しかもポリイミドフィルム上にデバイスを作製した後には容易に支持体からポリイミドフィルムを剥離することができる積層体を提供する。
【解決手段】ポリイミドフィルム６として、少なくとも支持体１に対向させる面にプラズマ処理が施されたフィルムを用い、支持体１とポリイミドフィルム６とが対向する面の少なくとも一方にカップリング剤を用いて、接着剥離強度は異なり表面粗さは略同一である良好接着部分と易剥離部分とを形成するパターン化処理を施した後、重ね合わせて加圧加熱処理することとし、ポリイミドフィルム６は、７０モル％以上がベンゾオキサゾール構造を有する芳香族ジアミン類を主成分とするジアミン類とテトラカルボン酸類との反応によって得られる。 （もっと読む）

【課題】 キャンロールの外周面とそこに巻き付けられる長尺樹脂フィルムとの間のギャップ部の熱コンダクタンスをほぼ均一にできるキャンロールの製造方法を提供する。
【解決手段】 筒状の基部１０とその外周面１０ａ上に設けられた最外周部１３とからなり、これら基部１０と最外周部１３との間に、最外周部１３の外周面側に放出するガスを導入する複数のガス導入路１４が埋設されたキャンロールの製造方法であって、複数のガス導入路１４の位置に、それぞれガス導入路１４と略同形状の複数の樹脂体１２を配設する工程と、複数の樹脂体１２を覆うように基部１０の外周面１０ａ上に電気鋳造法で最外周部１３を形成する工程と、最外周部１３を形成した後に複数の樹脂体１２を除去する工程とからなる。 （もっと読む）

【課題】塊状に変容した蒸着材料の残滓を複雑な機構や専用のアクチュエータを用いることなく、自動的に簡便に除去する。
【解決手段】リング状のターンテーブル５の上面に円環状の溝７を形成する。供給装置１２により溝７の中に顆粒状の蒸着材料１０を一定量ずつ供給する。ターンテーブル５を回転させ、エリア５ｂに供給された蒸着材料１０を蒸発位置Ｂで蒸発させ成膜を行う。一層目の成膜の後、ターンテーブル５を回転させ、エリア５ｂを休止位置Ｃに移動する。蒸発位置Ｂと休止位置Ｃとの間に、ターンテーブル５の移動路を横切るようにトラップ手段２４が設けられ、櫛歯状に並列させた複数本のアーム２５が塊状になった材料残滓をターンテーブル５の上から排除する。 （もっと読む）

【課題】種結晶の側面や表面外周部からの原子の脱離を抑えることができ、高品質な単結晶の作製が可能な単結晶の製造方法を提供すること。
【解決手段】単結晶の製造方法は、種結晶９が固定された坩堝蓋８で密閉される坩堝７内に原料６を配置して、原料６を昇華させて単結晶を製造する単結晶の製造方法であって、坩堝蓋８に固定された種結晶９の露出面を覆うように、予め、種結晶９が昇華しない温度領域で結晶薄膜１５を形成する成膜工程と、結晶薄膜１５が形成された坩堝蓋８で坩堝７を密閉して、原料６を昇華させて単結晶を成長させる成長工程と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 積層圧電素子の三面に、特別な構造の装置を用いることなく、膜質と膜厚が一定な外部電極を効率良く形成でき、外部電極の除去工程も必要ない製造方法を提供すること。
【解決手段】 第１の面（第１の側面）９４に第１の外部電極（第１の側面電極）を形成した複数の積層圧電体９を、第２の面（第２の側面）９５がターゲット１３の金属粒子が放出される面と平行な面と角度をなすように並置させて、コーティングを行い第２の外部電極（第２の側面電極）９５１と配線電極９２１を同時に形成する。 （もっと読む）

【課題】半導体発光素子において、インジウム組成の大小に対応したピーク波長が異なる複数の光を得る。
【解決手段】ｐｎ接合型のＩＩＩ族窒化物半導体発光素子であって、第１の導電型を有する第１の半導体層、発光層及び第１の導電型とは逆の導電性を示す第２の半導体層が積層された積層半導体層を備え、積層半導体層の発光層は、発光層からの発光の取り出し方向と反対側に配置され第１のインジウム組成を有する第１の窒化ガリウム・インジウム層と、第１の窒化ガリウム・インジウム層より発光の取り出し方向側に配置され第１のインジウム組成より小さい組成の第２のインジウム組成を有する第２の窒化ガリウム・インジウム層と、第１の窒化ガリウム・インジウム層と第２の窒化ガリウム・インジウム層との間に設けられ、第１の窒化ガリウム・インジウム層及び第２の窒化ガリウム・インジウム層を構成する材料より格子定数が小さい材料からなる中間層と、を含む。 （もっと読む）

【課題】圧電特性に優れ且つ信頼性の高い圧電膜素子及び圧電膜デバイスを提供する。
【解決手段】基板１上に、少なくとも下部電極層２と、非鉛のアルカリニオブ酸化物系の圧電膜４とを配した圧電膜素子１０において、前記下部電極層２は、立方晶、正方晶、斜方晶、六方晶、単斜晶、三斜晶、三方晶のいずれかの結晶構造、またはこれら結晶構造のうちの二以上の結晶構造が共存した状態を有し、前記結晶構造の結晶軸のうちの２軸以下のある特定の結晶軸に優先的に配向しており、前記基板１上における少なくとも一つの前記結晶軸を法線とした結晶面のＸ線回折強度分布において、前記結晶面のＸ線回折強度の相対標準偏差が５７％以下である。 （もっと読む）

【課題】透明導電層上に金属層が形成された導電性積層体において、金属層をエッチングにより除去した際の透明導電層の抵抗の上昇を抑制する。
【解決手段】本発明の導電性積層体は、透明基材１の少なくとも一方の面に、少なくとも２層の透明導電性薄膜からなる透明導電性薄膜積層体２および金属層３がこの順に形成されている。透明導電性薄膜積層体２において、金属層３に最近接である第一透明導電性薄膜２１は、金属酸化物層または主金属と１種以上の不純物金属を含有する複合金属酸化物層であり、第一透明導電性薄膜以外の透明導電性薄膜２２は、主金属と１種以上の不純物金属を含有する複合金属酸化物層である。第一透明導電性薄膜２１における不純物金属の含有比が、前記透明導電性薄膜積層体２を構成する各透明導電性薄膜における不純物金属の含有比の中で最大ではないことにより、上記課題が解決される。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体層とオーミック電極とのコンタクト抵抗を低減できる窒化物半導体装置を提供する。
【解決手段】Ｓi基板１０上に形成されたアンドープＧaＮ層１,アンドープＡlＧaＮ層２と、アンドープＧaＮ層１,アンドープＡlＧaＮ層２上に形成されたＴi/Ａl/ＴiＮからなるオーミック電極(ソース電極１１,ドレイン電極１２)とを備える。上記オーミック電極中の酸素濃度を１×１０^１６ｃｍ^−３以上かつ１×１０^２０ｃｍ^−３以下とする。 （もっと読む）

【課題】封止膜の形成工程以後に処理対象物が１００℃以上に加熱されても、封止膜の表面にしわ（膜異常）が発生しない封止膜形成方法とリチウム二次電池の製造方法を提供する。
【解決手段】
１，３−ビス（イソシアナートメチル）シクロヘキサンと４，４’−メチレンビス（シクロヘキシルイソシアナート）のいずれか一方又は両方からなるイソシアナート材料と、４，４−メチレンビス（シクロヘキシルアミン）と１，３−ビス（アミノメチル）シクロヘキサンのいずれか一方又は両方からなるアミン材料とを別々に加熱して蒸気を発生させ、蒸気を処理対象物の表面に一緒に到達させてポリ尿素膜１６ａ₂を形成し、アルミナのターゲットをスパッタして、アルミナの粒子をポリ尿素膜１６ａ₂が表面に露出する処理対象物の表面に到達させて、ポリ尿素膜１６ａ₂の表面にアルミナ膜１６ｃ₂を形成する。 （もっと読む）

【課題】パワー系半導体のメタル電極製造工程に於いて、薄膜化されたウエハの熱処理等の反りによる搬送ミスやウエハクラックを防止する製造方法を提供する。
【解決手段】半導体ウエハ１の裏面研削後に、ウエハを予熱した状態でスパッタリング成膜によりメタル膜を成膜するに際して、ウエハを円環状のサセプタに収容して処理するものであって、その円環の放射状垂直断面は、半導体ウエハの表面の周辺部を重力に対して保持する水平に近い第１の上側表面４１と、第１の上側表面に続いて、その外側にあって、半導体ウエハの側面を横ずれに対して保持する垂直に近い第２の上側表面４２を有するものである。 （もっと読む）

【課題】Ｔｉ合金、ステンレス鋼等の難削材の高速切削加工で硬質被覆層がすぐれた耐熱性および耐溶着性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】工具基体の表面に硬質被覆層を形成してなる表面被覆切削工具において、硬質被覆層が、（ａ）０．０１〜１μｍの平均層厚を有し、かつ、組成式：（Ａｌ_ａTｉ_１−ａ）N（ａはＡｌの含有割合を示し、原子比で０．４≦ａ≦０．７５）を満足するＡｌとＴｉの複合窒化物からなるＡ層、（ｂ）０．０１〜１μｍの平均層厚を有し、かつ、組成式：（Ａｌ_ｂCｒ_１−ｂ）N（ｂはＡｌの含有割合を示し、原子比で０．４≦ｂ≦０．７５）を満足するＡｌとＣｒの複合窒化物からなるＢ層、（ｃ）０．０１〜１μｍの平均層厚を有する窒化クロムからなるＣ層、前記Ａ層、Ｂ層、Ｃ層からなる単位被覆ユニットを２回以上積層した全体膜厚０．５〜６μｍを有することを特徴とする。 （もっと読む）