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Fターム[4K029BB02]の内容

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Fターム[4K029BB02]に分類される特許

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【課題】非鉛の圧電膜と下部電極とのエッチング選択性を確保するとともに、高精度に加工することができる圧電膜素子、圧電膜素子の製造方法、及び圧電デバイスを提供する。
【解決手段】圧電膜素子1は、基板2と、基板2上に形成されたPt又はPtを主成分とする合金からなる第1の下部電極層4と、第1の下部電極層4上に形成されたTi、Cr若しくはこれらのいずれかを主成分とする合金の単層又は積層体からなる第2の下部電極層5と、第2の下部電極層5上に形成されたペロブスカイト構造を有する非鉛のアルカリニオブ酸化物系化合物からなる圧電膜7と、圧電膜7上に形成された上部電極とを備える。 (もっと読む)


【課題】 成膜したフッ素含有樹脂からなる有機層と無機層との密着性が高い成膜方法及び成膜装置を提供する。
【解決手段】 成膜方法は、被処理基板2に成膜された無機物からなる無機層3上にフッ素含有樹脂からなる有機層を形成する成膜方法であって、無機層を形成する際に、反応性ガスとして水蒸気を用いた反応性スパッタリングを行って被処理基板上に無機層を形成し、次いで無機層上に有機層を形成する。成膜装置は、この成膜方法を実施できる。 (もっと読む)


【課題】炎天下の車内環境等のような高温かつ直射日光に曝される状況であっても、優れた意匠性と視認性を保ち、且つ変形、変色等の変質を起こし難い耐候性を有する樹脂製品及びその製造方法を提供する。
【解決手段】軟質樹脂基材2上に金属皮膜が形成された樹脂製品1において、前記金属皮膜は、前記軟質樹脂基材2上に少なくとも上下二層に形成されており、下層である第1金属皮膜3はスズ、インジウム又は亜鉛のうち少なくともいずれか1つから形成され、上層である第2金属皮膜4はクロムから形成されてなる樹脂製品1と、前記第1金属皮膜3及び第2金属皮膜4を、スパッタリング法によって形成する樹脂製品1の製造方法である。 (もっと読む)


【課題】本件発明の課題は、プラスチック光学部品の表面に対する密着性に優れ、広い波長領域の光に対して優れた反射防止性能を有するプラスチック光学部品の反射防止膜及びプラスチック光学部品の反射防止膜の製造方法を提供することである。
【解決手段】上記課題を解決するため、反射防止膜を、プラスチック光学部品基材上に設けられ、有機系ケイ素化合物を用いて形成された応力緩和層と、当該応力緩和層上に、高屈折率層と、有機系ケイ素化合物を用いて形成される低屈折率層とを当該順序で積層した二層を一組の反射防止ペア層として、当該反射防止ペア層を少なくとも二組積層した構造を有する反射防止構造体とを備える構成とする。 (もっと読む)


【課題】ロール・ツー・ロールで搬送される長尺の樹脂フィルムの両面に金属薄膜を成膜する場合に、第1の面の金属薄膜の表面と第2の面の金属薄膜の表面とがくっつくことによる、しわ、膜剥がれ等の不具合を防ぐことができ、両面積層基板の生産効率を低下させることのない金属薄膜積層基板の製造方法を提案する。
【解決手段】長尺のフィルム基板Fの両面に金属薄膜を真空成膜により成膜したのち、該金属薄膜の少なくとも一方の金属薄膜の表面に金属酸化物の薄膜を形成し、その後金属薄膜積層基板Fをロール状に巻き取ることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】真性に近い単結晶GaN膜を有し、かつこの膜をn形又はp形に選択的にドープした半導体デバイスを提供する。
【解決手段】次の要素を有する半導体デバイス:基板であって、この基板は、(100)シリコン、(111)シリコン、(0001)サファイア、(11−20)サファイア、(1−102)サファイア、(111)ヒ化ガリウム、(100)ヒ化ガリウム、酸化マグネシウム、酸化亜鉛、および炭化シリコンからなる群から選択される物質からなる;約200Å〜約500Åの厚さを有する非単結晶バッファ層であって、このバッファ層は前記基板の上に成長した第一の物質を含み、この第一の物質は窒化ガリウムを含む;および前記バッファ層の上に成長した第一の成長層であって、この第一の成長層は窒化ガリウムと第一のドープ物質を含む。 (もっと読む)


【課題】耐熱温度の低い樹脂材料などに、膜応力が大きい膜材料を成膜するときに、膜クラックの発生が少なく、環境試験寿命を大幅に長くできるスパッタリング方法を提供することを目的としている。
【解決手段】樹脂基板9などに高屈折率膜15,低屈折率膜16,高屈折率膜17,低屈折率膜18をスパッタする場合に、スパッタの開始前の圧力を10−1Pa台の低真空として、膜応力を引張応力とすることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】基板に蒸着される膜の膜厚均一性を向上させることができる成膜装置を提供する。
【解決手段】成膜装置10は、基板Sを収容する処理チャンバ12と、基板Sを保持するステージ14と、蒸着材料を含むガスGを基板Sに噴き付ける複数のノズル16cを有する蒸着ヘッド18cとを備える。ノズル16cはY方向に沿って配列される。成膜装置10は、ノズル16cに対して相対的に基板SがY方向と交差するX方向に沿って移動するように、蒸着ヘッド18c及びステージ14の少なくとも一方を駆動する駆動装置22と、Y方向に沿った基板Sの側面SaとX方向に沿った基板Sの側面Sbとを覆う枠Fとを備える。 (もっと読む)


【課題】従来に比べ高いIcを有する酸化物超電導薄膜線材とその製造方法を提供する。
【解決手段】配向金属基板上に、中間層、酸化物超電導層が順に積層されている酸化物超電導薄膜線材であって、中間層が、少なくとも、配向金属基板上にRFスパッタリング法を用いて形成されたCeO層と、CeO層上に電子ビーム蒸着法を用いて形成されたY層とを有している酸化物超電導薄膜線材。配向金属基板上に、中間層、酸化物超電導層が順に積層されている酸化物超電導薄膜線材の製造方法であって、中間層の形成工程が、少なくとも、配向金属基板上にRFスパッタリング法を用いてCeO層を形成するCeO層形成工程と、CeO層上電子ビーム蒸着法を用いてY層を形成するY層形成工程とを備えている酸化物超電導薄膜線材の製造方法。 (もっと読む)


【課題】ロールツーロール技術において、作業の効率化、或いは、改善を更に図った成膜方法を提供する。
【解決手段】長尺の基体10に連続的に真空成膜を行う方法であって、ロール状に巻かれた長尺の基体を第1ロール室W1から第2ロール室W2へ向う第1の方向に第1ロール室から繰り出す段階、第1の方向に繰り出された基体を脱ガスする段階、脱ガスされた基体の面に第2成膜室42において第2の膜材料を成膜する段階、第2の膜材料が成膜された基体を第2ロール室で巻取る段階、第2ロール室で巻き取った基体を第2ロール室から第1ロール室へ向う第2の方向に第2ロール室から繰り出す段階、第2の方向に繰り出された基体の面に第1成膜室41において第1の膜材料を成膜する段階、第2の膜材料の上に第1の膜材料が積層された基体を第1ロール室で巻取る段階、を備える。 (もっと読む)


【課題】ロールツーロール技術において、作業の効率化、或いは、改善を更に図った成膜方法を提供する。
【解決手段】第1基体を第1ロール室から第2ロール室へ向う第1の方向に第1ロール室から繰り出す段階、第1基体を脱ガスする段階、第1基体に第2成膜室で第2の膜材料を成膜する段階、第1基体を第2ロール室で巻取ることにより第1基体を生成する段階を備え、更に、第2ロール室から第1ロール室へ向う第2の方向において第2基体を生産するために同様の動作を行う。ここで、第2の膜材料が成膜された第1基体を生成するにあたり、第1成膜室の第1カソード電極が第1成膜室から取り除かれ、また、第1の膜材料が成膜された第2基体を生成するにあたり、第2成膜室の第2カソード電極が第2成膜室から取り除かれる。 (もっと読む)


【課題】従来の硬質皮膜であるTiAlNや酸化物皮膜よりも耐摩耗性に優れた硬質皮膜を提供する。
【解決手段】基材の表面に形成される硬質皮膜であって、(TiAlSi)Oからなり、0.3≦a≦0.7、0.3≦b≦0.7、0≦c≦0.2、a+b+c=1、0.8≦[x/(2a+1.5b+2c)]≦1.2を満たすことを特徴とする硬質皮膜、または、(TiCrAlSi)Oからなり、0.05≦a≦0.4、0.1≦d≦0.85、0≦b≦0.7、0≦c≦0.2、a+b+c+d=1、0.8≦[x/(2a+1.5d+1.5b+2c)]≦1.2満たすことを特徴とする硬質皮膜(a,d,b,cはTi,Cr,Al,Siの原子比を示し、xはOの原子比を示す)。 (もっと読む)


【課題】蒸着膜を均一な厚みで成膜しつつ、蒸着材料の使用効率および処理効率を向上させることができる電子ビーム蒸着装置を提供する。
【解決手段】上記電子ビーム蒸着装置10は、チャンバ11と、搬送機構12と、容器17と、マスク19と、電子ビーム形成機構15とを具備する。搬送機構12は、チャンバの内部で基板Sを支持する支持部材13と、支持部材を第1の方向に搬送する駆動源14とを有する。容器17は、蒸着材料Mを収容する。マスク19は、支持部材13と容器17との間に配置され、支持部材13に支持された基板Sに対する蒸着材料Mの成膜領域を規制する。電子ビーム形成機構15は、電子銃16を含み、マスク19側から容器17側へ向かう第2の方向より、電子ビームeが容器17へ入射するビームラインを形成する。 (もっと読む)


【課題】高硬度鋼の高速切削加工ですぐれた耐剥離性を発揮する表面被覆立方晶窒化ほう素基超高圧焼結材料製切削工具を提供する。
【解決手段】立方晶窒化ほう素の含有量が50〜85容量%のcBN基超高圧焼結体の表面に硬質被覆層を形成してなる切削工具において、(a)硬質被覆層は、0.5〜5μmの平均層厚を有する下部層と上部層とからなり、(b)下部層は、TiN膜からなり、上部層は、組成式:[Ti1−XAl]N(Xは原子比で0.15〜0.65)を満足するTiとAlの複合窒化物層からなり、(c)逃げ面、すくい面、ホーニング部のナノインデンテーション硬さ、残留応力、表面粗さを所定の値とする。 (もっと読む)


【課題】有機ELディスプレイや液晶ディスプレイなどの表示装置において、保護膜等の形成時に酸化処理層を必要とせずに、薄膜トランジスタの電気特性を安定させることが可能である酸化物半導体層を提供する。
【解決手段】基板上に少なくとも、基板側から順に、酸化物半導体層と、ソース・ドレイン電極と、保護膜とを備えた薄膜トランジスタ構造であって、前記酸化物半導体層は、金属元素全体に占めるZnの含有量が50原子%以上であり、ソース・ドレイン電極および保護膜側に形成される第1酸化物半導体層と、In、Ga、およびZnよりなる群から選択される少なくとも1種の元素を含み、基板側に形成される第2酸化物半導体層との積層体であり、かつ、前記第1酸化物半導体層と、前記ソース・ドレイン電極および保護膜とが、直接接触していることを特徴とする薄膜トランジスタ構造。 (もっと読む)


【課題】複数の成膜バッチを連続して安定に行うことができる成膜装置を提供する。
【解決手段】成膜プロセス領域及び反応プロセス領域が配置される成膜室に対し、開閉可能な隔絶手段11bを介して接続されたロードロック室11Bには、内壁面より内側を加熱可能な加熱装置90が設けられ、ロードロック室11B内を排気可能な真空ポンプ15’が接続されている。ロードロック室11Bには、ロードロック室11Bの内部に浮遊する不純物成分としての水分を凝結捕捉可能なガス凝結捕捉装置70を設ける。ガス凝結捕捉装置70は、ロードロック室11Bの内壁面付近に配置され、低温流体の、ロードロック室外からの導入とロードロック室内での循環を許容する配管72を含み、低温流体を配管72に導入し循環させることによって低温化した配管72の外側表面にロードロック室11Bの内部に浮遊する不純物成を凝結捕捉させる。 (もっと読む)


【課題】高温特性がより一層優れた硬質皮膜を提供する。
【解決手段】硬質皮膜は、下記式(1a)で示されかつ厚さが1〜80nmである第1の層と、下記式(2a)で示されかつ厚さが1〜80nmである第2の層とが、交互に複数積層されたものである。
(Cr(1-a)Ala)(C(1-x)x) …(1a)
(Zr(1-k)Hfk)(C(1-y)y) …(2a)
[式中の添字は、原子比を示す;これら添字は、以下の関係を満足する;
0.2≦a≦0.8
0.7≦x≦1
0≦k≦1
0.5≦y≦1 ] (もっと読む)


【課題】基板に蒸着材料を付着して光学薄膜を形成するハースライナーにおいて、電子銃からの電子ビームを蒸着材料に照射して溶融・気化する際に生じる突沸(スプラッシュ)を防止する。
【解決手段】電子銃から電子ビームを蒸着材料に照射して基板に光学薄膜を形成する真空蒸着装置のハースライナー1において、該ハースライナー1の蒸着材料収納部2の断面形状が、浅い半円形(球)状(おわん状)であることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】透明電極に用いられる透明導電性酸化物は導電性を上げるための一つの手法として膜厚を上げることがあるが、膜厚を上げると透過率が低下するという課題があり、膜厚を上げることなく導電性を向上する必要があった。
【解決手段】基材上に形成された透明電極であって、該透明電極が、基材上に炭素系薄膜層が形成されており、さらにその上に透明導電性化合物層が形成されており、且つ該透明導電性化合物層はその一部が炭素系薄膜に入り込んでいることを特徴とする透明電極。 (もっと読む)


【課題】坩堝同士の汚染を防止する。
【解決手段】
蒸発材料3が収められた複数の坩堝を備え回転軸を中心に回転する回転テーブル2と、電子ビーム照射位置に位置する一つの坩堝7に対して電子ビームを照射して坩堝7の蒸発材料3を蒸発させる電子銃1と、回転テーブル2の上側に複数の坩堝7を覆い、かつ電子銃1に対向する電子ビームの照射領域の全てが開口したカバー6とを備えた多点蒸発源装置において、回転テーブル2の上面に坩堝7を仕切るように形成された溝24と、この溝24に嵌り込みこんで各坩堝を仕切り、回転テーブル2の回転と共に回転する遮蔽体20と、各坩堝が電子ビームの照射位置に来たとき、遮蔽体20を上昇させ、遮蔽体20とカバー6との間隔を狭める遮蔽体昇降手段とを備えた。 (もっと読む)


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