【課題】ＩＣのシールド用メッキ膜を製造する設備及びＩＣの金属シールド膜層を提供する。
【解決手段】ベース３１は、チャンバー３１１を有している。ワーク支持具３２は、チャンバー３１１に内設されており、かつ複数の回転軸と回転自在に接続され、各回転軸は、少なくとも一つのジグを有し、そのジグでは、少なくとも一つのＩＣを取付ける。各中周波マグネトロンターゲット３３及び各多重アークイオンターゲット３４は、それぞれチャンバー３１１に内設され、中周波マグネトロンターゲット３３及び多重アークイオンターゲット３４が、金属材料をＩＣ上にスパッターリングを行うように用いられることによって、ＩＣの表面に少なくとも一つの金属シールド膜層が形成される。 （もっと読む）

【課題】耐硫化性及び導電性に優れた耐硫化性電極材料及びこれを用いた耐硫化性電極を提供すること。
【解決手段】Ｍｏ−Ｘ合金からなる耐硫化性電極材料。但し、前記Ｘは、Ｍｏと合金を形成し、Ｍｏより室温での硫化物生成自由エネルギーが負に大きく、かつ、アルカリ金属元素、アルカリ土類金属元素、希土類金属元素、及び、Ｔｌより元素番号の大きな元素以外の金属元素。前記Ｘの含有量は、１ａｔ％以上２０ａｔ％以下が好ましい。少なくとも表面から５０ｎｍまでの領域が本発明に係るＭｏ−Ｘ合金からなる耐硫化性電極。元素Ｘは、Ａｌ及びＧａからなる群から選ばれるいずれか１以上の金属元素が好ましい。 （もっと読む）

【課題】アスペクト比の異なる複数の開口下部に接続される配線に対して最適な処理を施すことができるようにする。
【解決手段】半導体装置の製造方法において、第１の半導体基板と第２の半導体基板が接合された半導体基板の第１の開口の下部配線と、貫通接続孔と異なるアスペクト比の第２の開口の下部配線に対して、バリアメタル膜の成膜と、スパッタガスによる物理エッチングを同時に行うアンカー処理工程が含まれる。本技術は、例えば、固体撮像装置などの半導体装置に適用できる。 （もっと読む）

【課題】コア・シェル構造のクラスターを高速で効率良く製造するクラスター製造装置および製造方法を提供する。
【解決手段】クラスター製造装置は、一列に並べられかつ同一方向に向けられたアブレーション面31〜33をそれぞれ有する複数のターゲット材料21〜23と、該アブレーション面31〜33に一定の繰り返し周波数のレーザ51〜53を同時に照射するレーザ手段と、該アブレーション面31〜33にそってこれと平行にキャリヤガス15を流すガス手段とを備えている。該キャリアガス15の流れ方向に隣り合うターゲット材料21、22において、上流側ターゲット材料21にレーザ51が照射されプルームP1が発生し、キャリヤガス15によって、下流側ターゲット材料22上まで搬送される間に、プルームP1中にコアが形成され、その周囲に下流側のターゲット22で生成したプルームP2によるシェルが形成される。 （もっと読む）

【課題】品質の低下が抑制された有機ＥＬデバイスを製造し得る有機ＥＬデバイスの製造方法及び製造装置を提供する。
【解決手段】帯状の基材を長手方向に移動させつつ蒸着により該基材に有機ＥＬ素子の構成層を形成する有機ＥＬデバイスの製造方法であって、前記基材を長手方向に移動させつつ、該基材の移動方向に沿って設けられた上向き蒸着部及び横向き蒸着部にて、前記基材の一面に蒸着源から気化材料を吐出して順次蒸着を行う構成層形成工程を備え、該構成層形成工程は、上向き蒸着工程と、横向き蒸着工程と、方向変換工程と、を備えている有機ＥＬデバイスの製造方法。 （もっと読む）

【課題】低摩擦であると共に安定した摺動性を発揮するバルブリフターやシム等の内燃機関用バルブ駆動系部材を提供する。
【解決手段】本発明の内燃機関用バルブ駆動系部材は、潤滑油が介在する湿式条件下でカムのカム面と摺接してカムに従動する摺接面を有するカムフォロアからなる。本発明に係るカムフォロアの摺接面は、全体を１００原子％としたときに５〜２５原子％のＨと４〜２５原子％のＢと残部であるＣとからなるＤＬＣ膜（ＤＬＣ−Ｂ膜）で被覆されてなる。このＤＬＣ−Ｂ膜からなる摺接面は、高靱性で耐衝撃性に優れ、カム面から１５０〜２５０ＭＰａ／ｄｅｇの衝撃力を受けても、欠け等を生じない。またジアルキルジチオカルバミン酸モリブデン（ＭｏＤＴＣ）を含まない潤滑油が介在する湿式条件下で使用される場合に、本発明に係るカムフォロアは優れた低摩擦係数を発揮する。 （もっと読む）

【課題】分光特性の再現性が良く、さらに帯電抑制を図る。
【解決手段】光学フィルタ１には、透明基板２と、透明基板２上に形成されたフィルタ群３とが備えられている。フィルタ群３は、ＩＡＤ蒸着法により形成された高屈折率材料からなる第１薄膜３１と、ＥＢ蒸着法により形成された低屈折率材料のＳｉＯ₂からなる第２薄膜３２とが交互に複数積層されてなる。 （もっと読む）

【課題】ＤＬＣ皮膜などのカーボン皮膜の表面の欠陥が少なく、母材とカーボン皮膜との密着性が良好で、相手攻撃性が低く、摩擦係数が低い硬質皮膜被覆部材およびその製造方法を提供する。
【解決手段】クロムターゲットを使用する処理装置の真空処理室内においてアルゴンガスと窒素ガスを含む雰囲気中でスパッタリングすることによって母材上に厚さ１〜３０μｍの窒素含有クロム皮膜を形成した後、カーボンターゲットを使用する処理装置の真空処理室内にアルゴンガスと窒素ガスを導入して、アルゴンガスと窒素ガスの全圧に対する窒素ガスの分圧の比が０．２３以上、好ましくは０．３７以上の雰囲気中において、バイアス電圧−２５０Ｖ以下、好ましくは−２８０Ｖ以下でスパッタリングして、窒素含有クロム皮膜上にカーボン皮膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】成膜マスク装置の各ガイドピン、ガイド孔に蒸着粒子が付着しないような手段を得る。
【解決手段】成膜マスク装置Ａは、表裏両面に被成膜基板１０を保持する複数の第２のガイドピン１３ｂ、及びマスク板２０の位置決め用の第１のガイドピン１３ａを有する保持基板１３と、各被成膜基板１０を間に挟んで保持基板１３の表裏両面に添設されるマスク板２０と、遮蔽カバー１１、１５と、を備えた成膜マスク装置である。蔽カバー１１、１５は、各第１、及び第２のガイドピン１３ａ、１３ｂに対して蒸着粒子の付着を防止する第１、及び第２の凹部１１ａ、１１ｂを備えている。 （もっと読む）

【課題】ターゲットであるCu₂Oから、単一結晶相からなる有用なCu₂O被膜（堆積膜）又はCuO被膜を選択的に形成できると共に、そのCu₂O被膜の形成に際して、そのCu₂O被膜の膜質制御を簡単に行うことができる被膜形成方法を提供する。
【解決手段】ターゲットとして、Cu₂Oを用い、Ａｒをプラズマ化するための投入電力とＡｒを含む全ガス圧力とを、前記Cu₂Oからのスパッタ粒子をO₂流量比が高まるに伴ってCu₂O,Cu₄O₃,CuOに順次、変化し得るように設定し、その上で、前記投入電力及び前記全圧力の下で、O2流量比を調整する。これにより、的確に、単一結晶相からなる有用なCu₂O被膜又はCuO被膜のいずれかを選択的に形成できるようにする。また、Cu₂O被膜の形成に際しては、O₂流量比調整により広い範囲で抵抗率（キャリア密度）を調整して、Cu₂O被膜の膜質特性の変更を簡単に行えるようにする。 （もっと読む）

【課題】本発明の一態様は、スパッタ法でトランジスタ、ダイオード等の半導体用途に好
適な材料を提供することを課題の一とする。
【解決手段】下地部材上に、第１の酸化物部材を形成し、第１の加熱処理を行って表面か
ら内部に向かって結晶成長し、下地部材に少なくとも一部接する第１の酸化物結晶部材を
形成し、第１の酸化物結晶部材上に第２の酸化物部材を形成し、第２の加熱処理を行って
第１の酸化物結晶部材を種として結晶成長させて第２の酸化物結晶部材を設ける積層酸化
物材料の作製方法である。 （もっと読む）

【課題】品質の低下が抑制された有機ＥＬデバイスを製造し得る有機ＥＬデバイスの製造方法及び製造装置を提供する。
【解決手段】帯状の基材を長手方向に移動させつつ蒸着により該基材に有機ＥＬ素子の構成層を形成する有機ＥＬデバイスの製造方法であって、前記基材を長手方向に移動させつつ、該基材の移動方向に沿って設けられた第１及び第２蒸着部にて、前記基材の一面に蒸着源から気化材料を吐出して順次蒸着を行う構成層形成工程を備え、該構成層形成工程は、複数の上向き蒸着工程と、方向変換工程とを備えている有機ＥＬデバイスの製造方法。 （もっと読む）

【課題】金属またはセラミック材料の基材（ワークピース）上に少なくとも実質的に水素フリーのｔａ−Ｃ層を製造する装置が提供される。
【解決手段】装置１０は、ａ）不活性ガス供給源および真空ポンプに接続可能な真空チャンバ１４と、ｂ）真空チャンバ内へ挿入されるまたは挿入可能な、複数の基材（ワークピース）１２のための支持装置と、ｃ）炭素材料の供給源として機能し、マグネトロンを形成するための関連する磁石配置を有する黒鉛陰極１６と、ｄ）支持装置上の基材に負のバイアス電圧を印加するバイアス電源３２と、ｅ）黒鉛陰極および関連する陽極に接続可能な、陰極のための陰極電源１８と、を備えており、陰極電源１８は、（好ましくはプログラム可能な）時間間隔で離間された高電力パルス列を伝達するように設計され、各高電力パルス列は、自由選択では増大位相の後に、黒鉛陰極に供給されるように適合された高周波数のＤＣパルスの列から成る。 （もっと読む）

【課題】苛酷な使用環境下で使用される切削工具や金型等において、ＳｉＣ皮膜の耐剥離性を大幅に改善することにより、工具の耐久性が改善することができる被覆工具およびその製造方法を提供する。
【解決手段】工具の基材表面に中間皮膜を介して硬質皮膜を被覆した被覆工具であって、該硬質皮膜は、原子比でＳｉよりもＣが多く、組織に立方晶の結晶構造相を含むＳｉＣ皮膜であり、
前記中間皮膜は、ＡｌｘＭｙからなる窒化物または炭窒化物（但し、ｘ、ｙは原子比を示し、ｘ＋ｙ＝１００、かつ、ｘ＞０、かつ、ｙ≧０、Ｍは周期律表の４ａ族元素、５ａ族元素、６ａ族元素、Ｂ、Ｓｉ、Ｙから選択される１種または２種以上）であり、
前記中間皮膜の硬質皮膜側は、六方晶が主体の結晶構造である耐剥離性に優れる被覆工具である。 （もっと読む）

【課題】無潤滑または境界潤滑環境下での使用において、DLCなどの従来の非晶質炭素皮膜と同等の低摩擦性を有し、かつ従来の非晶質炭素皮膜よりも優れた耐摩耗性を有する皮膜が形成された摺動部品を提供する。
【解決手段】本発明に係る摺動部品は、無潤滑または境界潤滑環境下で使用される摺動部品であり、前記摺動部品を構成する基材の摺動面に非晶質硬質皮膜が形成された摺動部品であって、前記非晶質硬質皮膜は、硼素、炭素、窒素および酸素を少なくとも含有し、前記硼素、前記炭素、前記窒素および前記酸素の合計を100原子％とした場合に、前記炭素の含有率が12原子％以上であり、前記窒素の含有率が10原子％以上であり、前記硼素の含有率が前記炭素および前記窒素のそれぞれの含有率よりも高く、前記酸素の含有率が5原子％以上12原子％以下であり、前記非晶質硬質皮膜の厚さが0.08μm以上10μm以下であることを特徴とする。 （もっと読む）