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Fターム[4K029BB09]の内容

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Fターム[4K029BB09]に分類される特許

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【課題】単結晶基板上において、圧電薄膜を良好な単結晶の状態で確実にエピタキシャル成長させて成膜し、圧電特性を確実に向上させる圧電素子と、その製造方法を提供する。
【解決手段】圧電素子10は、以下の工程によって製造される。単結晶基板1を、振動する振動部1Aと、振動部1Aと連結されて振動が生じない非振動部1Bとに分けたときに、単結晶基板1上で、非振動部1B上を含む領域であって、振動部1A上の圧電薄膜3の成膜領域を除く領域に、圧電薄膜3の単結晶での成長を阻害する阻害膜2を成膜する。次に、上記成膜領域となる振動部1A上の少なくとも一部に、圧電薄膜3を単結晶でエピタキシャル成長させて成膜するとともに、阻害膜2上に、圧電薄膜3を非晶質または多結晶で成膜する。その後、阻害膜2上に成膜された圧電薄膜3を除去する。 (もっと読む)


【課題】p型ZnO系半導体層を形成するための新規な技術を提供する。
【解決手段】ZnO系半導体層の製造方法は、(a)下地層上方に、Zn、必要に応じてMg、O、N、及びTeを供給して、NとTeが共ドープされたMgZn1−xO(0≦x≦0.6)単結晶膜を形成する工程と(b)MgZn1−xO(0≦x≦0.6)単結晶膜上に、Zn及びMgの少なくとも一方、Te、及びNを供給して、NがドープされたMgZn1−yTe(0≦y≦1)単結晶膜を形成する工程とを有する。 (もっと読む)


【課題】酸素欠損を低減したβ−Ga単結晶膜の製造方法、及びβ−Ga単結晶膜を有する結晶積層構造体を提供する。
【解決手段】分子線エピタキシー法により、所定の気圧に減圧された真空槽10内にオゾンを含む酸素ガスを供給すると共に第1のセル13aからGa蒸気を供給し、基板ホルダ11に保持されたβ−Ga基板2上にβ−Ga単結晶膜を成長させ、結晶積層構造体を製造する。このように、β−Ga2O3単結晶膜の成長時に酸素の原料としてオゾンを供給することで、酸素欠損の少ない高品質なβ−Ga2O3単結晶膜が得られると共に、活性酸素のみを供給した場合に比較してβ−Ga2O3単結晶膜の成長レートが高まる。 (もっと読む)


【課題】ホモエピタキシャル成長法を用いて伝導特性に優れたβ−Ga単結晶膜を形成することができるβ−Ga単結晶膜の製造方法を提供する。
【解決手段】分子線エピタキシー法により、Snを添加しながらβ−Ga結晶をβ−Ga基板2上、又は前記β−Ga基板上に形成されたβ−Ga系結晶層上にホモエピタキシャル成長させ、Sn添加β−Ga結晶膜を形成する工程と、第1の不活性雰囲気中で前記Sn添加β−Ga結晶膜に第1のアニール処理を施す工程とを含む方法により、Sn添加β−Ga単結晶膜を製造する。 (もっと読む)


【課題】ホモエピタキシャル成長法を用いて伝導特性に優れたβ−Ga単結晶膜を形成することができるβ−Ga単結晶膜の製造方法、及びその方法により形成されたβ−Ga系単結晶膜を含む結晶積層構造体を提供する。
【解決手段】分子線エピタキシー法により、β−Ga結晶をβ−Ga基板2上、又はβ−Ga基板2上に形成されたβ−Ga系結晶層上にホモエピタキシャル成長させ、成長の間にβ−Ga結晶に一定周期で間欠的にSnを添加する工程を含む方法により、Sn添加β−Ga単結晶膜3を製造する。 (もっと読む)


【課題】酸化物半導体を用いたトランジスタは、非晶質シリコンを用いたトランジスタと比較して信頼性が劣る場合があった。そこで、信頼性が高い酸化物半導体を用いたトランジスタを有する半導体装置を提供する。
【解決手段】酸化物半導体膜に含まれる水素、窒素および炭素などの不純物は酸化物半導体膜の半導体特性を低下させる要因となる。例えば、酸化物半導体膜に含まれる水素および窒素は、酸化物半導体膜を用いたトランジスタのしきい値電圧をマイナス方向へシフトさせてしまう要因となる。また、酸化物半導体膜に含まれる窒素、炭素および希ガスは、酸化物半導体膜中に結晶領域が生成されることを阻害する。そこで、酸化物半導体膜の不純物濃度を低減することで、高い信頼性を有するトランジスタを作製する。 (もっと読む)


【課題】表面平坦性に優れ、かつ高濃度の窒素ドーピングを実現できるZnO系薄膜を作製する方法を提供する。
【解決手段】主面の法線が結晶軸から傾斜した酸化亜鉛系基板1上に、窒素ドープ酸化亜鉛系薄膜2を形成するにあたって、少なくとも亜鉛と酸素と窒素を原料ガスとして使用し、これらを750〜900℃の温度条件で基板1に接触させて、基板1表面に、窒素をドープした酸化亜鉛系材料からなる結晶を成長させて窒素ドープ酸化亜鉛系薄膜2を形成する。原料ガスとしての酸素供給量に対する亜鉛供給量は、窒素ドープ酸化亜鉛系薄膜の亜鉛と酸素のモル比(亜鉛/酸素)が1より大きくなるようにされる。原料ガスとしての窒素は、窒素ガスを高周波で励起することによって発生させた窒素ラジカルを含む。 (もっと読む)


【課題】種結晶の側面や表面外周部からの原子の脱離を抑えることができ、高品質な単結晶の作製が可能な単結晶の製造方法を提供すること。
【解決手段】単結晶の製造方法は、種結晶9が固定された坩堝蓋8で密閉される坩堝7内に原料6を配置して、原料6を昇華させて単結晶を製造する単結晶の製造方法であって、坩堝蓋8に固定された種結晶9の露出面を覆うように、予め、種結晶9が昇華しない温度領域で結晶薄膜15を形成する成膜工程と、結晶薄膜15が形成された坩堝蓋8で坩堝7を密閉して、原料6を昇華させて単結晶を成長させる成長工程と、を有することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】半導体発光素子において、インジウム組成の大小に対応したピーク波長が異なる複数の光を得る。
【解決手段】pn接合型のIII族窒化物半導体発光素子であって、第1の導電型を有する第1の半導体層、発光層及び第1の導電型とは逆の導電性を示す第2の半導体層が積層された積層半導体層を備え、積層半導体層の発光層は、発光層からの発光の取り出し方向と反対側に配置され第1のインジウム組成を有する第1の窒化ガリウム・インジウム層と、第1の窒化ガリウム・インジウム層より発光の取り出し方向側に配置され第1のインジウム組成より小さい組成の第2のインジウム組成を有する第2の窒化ガリウム・インジウム層と、第1の窒化ガリウム・インジウム層と第2の窒化ガリウム・インジウム層との間に設けられ、第1の窒化ガリウム・インジウム層及び第2の窒化ガリウム・インジウム層を構成する材料より格子定数が小さい材料からなる中間層と、を含む。 (もっと読む)


【課題】データの保持期間を確保しつつ、単位面積あたりの記憶容量を高めることができる記憶装置を提供する。
【解決手段】複数のビット線を幾つかのグループに分割し、複数のワード線も幾つかのグループに分割する。そして、一のグループに属するビット線に接続されたメモリセルには、一のグループに属するワード線が接続されるようにする。さらに、複数のビット線は、複数のビット線駆動回路102a,102b,102cによってグループごとにその駆動が制御されるようにする。加えて、複数のビット線駆動回路102a,102b,102cと、ワード線駆動回路101とを含めた駆動回路上に、セルアレイ103a,103b,103cを形成する。駆動回路とセルアレイ103a,103b,103cが重なるように三次元化することで、ビット線駆動回路が複数設けられていても、記憶装置の占有面積を小さくすることができる。 (もっと読む)


【課題】真性に近い単結晶GaN膜を有し、かつこの膜をn形又はp形に選択的にドープした半導体デバイスを提供する。
【解決手段】次の要素を有する半導体デバイス:基板であって、この基板は、(100)シリコン、(111)シリコン、(0001)サファイア、(11−20)サファイア、(1−102)サファイア、(111)ヒ化ガリウム、(100)ヒ化ガリウム、酸化マグネシウム、酸化亜鉛、および炭化シリコンからなる群から選択される物質からなる;約200Å〜約500Åの厚さを有する非単結晶バッファ層であって、このバッファ層は前記基板の上に成長した第一の物質を含み、この第一の物質は窒化ガリウムを含む;および前記バッファ層の上に成長した第一の成長層であって、この第一の成長層は窒化ガリウムと第一のドープ物質を含む。 (もっと読む)


【課題】広い範囲で制御された組成比を有し、結晶性に優れる化合物半導体の膜を用いた半導体素子を製造する方法を提供する。
【解決手段】基板110上にn型半導体およびp型半導体を含むように積層して構成された半導体素子の製造方法であって、異なるIII族元素による少なくとも2つのターゲット(第1ターゲット21および第2ターゲット22)を、V族元素を含むガスによりスパッタリングして、基板110上にIII−V族の化合物半導体の膜を形成する工程を含む。 (もっと読む)


【課題】搬送中に基板がホルダから外れることを防止することができる真空蒸着装置を提供する。
【解決手段】ホルダ103aは、基板20を保持する一方面S1と、一方面S1と反対の他方面S2とを有する。またホルダ103aには、平面視において基板20の一部と重複する領域において開口部OPが設けられている。蒸着源120はホルダ103aの一方面S1に対向している。ヒータはホルダの他方面S2に対向している。固定具60は、ホルダの一方面S1上に固定され、一方面S1との間で基板20を挟むことによって基板20を固定している。 (もっと読む)


【課題】層状構造の窒化ガリウム膜を汎用的の高められたプロセスで選択的に形成することの可能な窒化ガリウム膜の形成方法、及び該形成方法を用いて窒化ガリウム膜を形成する装置を提供する。
【解決手段】
窒化ガリウム膜を反応性スパッタにて単結晶の基板S上に形成するときに、真空槽11内に供給されるアルゴンガス及び窒素ガスの総流量に占める窒素ガスの流量の割合を窒化ガリウム膜の成長速度が窒素供給によって律速され、且つ、窒化ガリウム膜の成長速度の極大値に対して30%以上90%以下の成長速度となる範囲とする。また、基板温度T(℃)、ガリウムのターゲット14に供給される周波数が13.56MHzである高周波電力をバイアス電力P(W/cm)とするとき、基板温度T及びバイアス電力Pが、600≦T≦1200、0<P≦4.63、T≧0.0083P−4.7、T≦0.0084P−6.6を満たすようにする。 (もっと読む)


【課題】蒸着法における効率的な成膜条件の評価方法と、そのための蒸着装置とを提供する。
【解決手段】真空容器50内に収められた基板200の主面の第1の領域を蒸着源60へ露出しかつ第2の領域を遮蔽するように第1のシャッター10Aを配置しながら、第1の成膜条件によって第1の領域の上に第1の薄膜が成膜される。次に、基板200の主面の第2の領域の少なくとも一部を蒸着源60へ露出しかつ第1の領域の少なくとも一部を遮蔽するように第2のシャッター10Bを配置しながら、第2の成膜条件によって第2の領域の上に第2の薄膜が成膜される。第1および第2の薄膜の特性が評価される。 (もっと読む)


【課題】MBE成膜装置において、フェイスアップ状態で被処理体の表面に化合物半導体よりなる薄膜を形成することができる原料供給装置を提供する。
【解決手段】化合物半導体の製造に用いる原料を供給する原料供給装置62において、鉛直方向に延びて外周面が液体を流下させることができるような表面である液体流下面90になされた原料保持体64と、原料保持体の高さ方向の途中に設けられて原料の液体である原料液体を貯留すると共に濡れ性によって原料液体を液体流下面90に沿って流下させる原料液体貯留部66と、原料保持体内に設けられて、原料液体貯留部を原料が濡れ性を発揮するように加熱すると共に原料保持体の先端部を原料液体の蒸発温度まで加熱する加熱手段68とを備える。 (もっと読む)


【課題】ZnO系半導体層の新規な製造方法を提供する。
【解決手段】(a)基板上方に、(MgZn1−x(0≦x≦0.6)単結晶膜を成長させる工程と、(b)前記の(MgZn1−x(0≦x≦0.6)単結晶膜を、400℃以下で、活性酸素により酸化して、MgZn1−yO(0≦y≦0.6)単結晶膜を形成する工程と、(c)工程(a)及び(b)を繰り返して、MgZn1−yO(0≦y≦0.6)単結晶膜を積層する工程とを有するZnO系半導体層の製造方法とする。 (もっと読む)


【課題】マグネシウム以外の金属についても、固相反応させることにより、色中心含有金属酸化物を得て、色中心発光特性を有する発光媒体を提供する。
【解決手段】カチオンが電子を受け取って金属原子となる際の標準電極電位が−2.87〜−2.2(V)で、かつ、アルカリ金属,マグネシウムを含むアルカリ土類金属、もしくは、スカンジウムを除く希土類元素のいずれかに属する金属と、酸化物を構成する金属の標準電極電位が−1.7〜+0.4(V)である酸化物とを、所定の雰囲気下で、所定の温度で加熱する固相反応工程と、固相反応工程で得られる金属の昇華物を回収する工程とから成る。得られる昇華物は、酸素空孔を多量に導入させた金属酸化物であり、色中心由来の発光特性を有する。金属と固相反応させる酸化物のバリエーションを増やして、工業的生産の利便性を図る。 (もっと読む)


【課題】優れた結晶性を有する酸化物半導体膜を作製する。
【解決手段】酸化物半導体の膜を形成するに際し、基板を第1の温度以上第2の温度未満に加熱しつつ、基板の、典型的な長さが1nm乃至1μmの部分だけ、第2の温度以上の温度に加熱する。ここで、第1の温度とは、何らかの刺激があれば結晶化する温度であり、第2の温度とは、刺激がなくとも自発的に結晶化する温度である。また、典型的な長さとは、その部分の面積を円周率で除したものの平方根である。 (もっと読む)


【課題】バリア膜としての特性や品質に優れるTi−Al−N膜を再現性よく形成することを可能にしたスパッタターゲットを提供する。
【解決手段】Alを1〜30原子%の範囲で含有するTi−Al合金により構成されたスパッタターゲットであって、前記Ti−Al合金中のAlは、Ti中に固溶した状態、およびTiと金属間化合物を形成した状態の少なくとも一方の状態で存在しており、かつ前記Ti−Al合金の平均結晶粒径が500μm以下であると共に、ターゲット全体としての結晶粒径のバラツキが30%以内、前記Ti−Al合金の平均酸素含有量が1070ppmw以下であることを特徴とするスパッタターゲット。 (もっと読む)


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