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Fターム[4K029BB10]の内容

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Fターム[4K029BB10]に分類される特許

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【課題】分光特性の再現性が良く、さらに帯電抑制を図る。
【解決手段】光学フィルタ1には、透明基板2と、透明基板2上に形成されたフィルタ群3とが備えられている。フィルタ群3は、IAD蒸着法により形成された高屈折率材料からなる第1薄膜31と、EB蒸着法により形成された低屈折率材料のSiO2からなる第2薄膜32とが交互に複数積層されてなる。 (もっと読む)


【課題】スパッタリング法を用いた酸化物半導体膜の成膜時の異常放電の発生が抑制され、連続して安定な成膜が可能なスパッタリングターゲットを提供すること。希土類酸化物C型の結晶構造を持つ、表面にホワイトスポット(スパッタリングターゲット表面上に生じる凹凸などの外観不良)がないスパッタリングターゲット用の酸化物を提供すること。
【解決手段】ビックスバイト構造を有し、酸化インジウム、酸化ガリウム、酸化亜鉛を含有する酸化物焼結体であって、インジウム(In) 、ガリウム(Ga)および亜鉛(Zn)の組成量が原子比で以下の式を満たす組成範囲にある焼結体を提供する。
In/(In+Ga+Zn)<0.75 (もっと読む)


【課題】加工時間が短く、工具としての寿命が長く、像形成品質が高いパターン形成型及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明に係るパターン成形型は、被加工材の表面に、凹凸を有するパターンを転写するパターン成形型であって、基材1と、基材1に中間層2、3を介して接合されたDLCパターン層4bとで構成され、基材1が、剛性を有する金属、セラミックス、又はガラスであり、中間層2、3が、基材1及びDLCパターン層4bとの接合性を提供し、かつ、DLCパターン層4bに比べ、エッチングレートが小さい層であり、DLCパターン層4bに、被加工材の表面に転写するパターンが形成されている。 (もっと読む)


【課題】硬質炭素膜、特に潤滑油中で使用された場合に低摩擦や耐摩耗性等が優れた摺動特性を有する硬質炭素膜とその形成方法を提供する。
【解決手段】基材1表面上に中間層2を介して形成されている硬質炭素膜3であって、前記中間層2は金属層あるいは金属窒化物層、金属炭化物層のいずれか1層または2層以上からなり、かつ前記硬質炭素膜3は1層または2層以上からなり、前記中間層表面が粒平均直径0.1μm〜0.5μmの粒状の凹凸からなり、かつ平均凹凸高さ2nm〜5nmの微細な凹凸を有する硬質炭素膜。 (もっと読む)


【課題】基材表面に、非晶質炭素被膜を被覆し、これを高面圧下でかつ摺動頻度の高い摺動部材として使用したとしても、その表面の非晶質炭素被膜の摩耗を抑制することができる摺動部材の製造方法を提供することにある。
【解決手段】基材10の表面に、非晶質炭素被膜20が形成された摺動部材1であって、非晶質炭素被膜20には、Biからなるクラスター21が分散している。 (もっと読む)


【課題】高い耐摩耗性を有するとともに、耐剥離性に優れ、長期にわたり剥離を防止できる硬質膜、および、該硬質膜が形成された硬質膜形成体を提供する。
【解決手段】基材2の表面2a上に直接成膜されるCrとWCとを主体とする第1混合層1aと、第1混合層1aの上に成膜されるWCとDLCとを主体とする第2混合層1bと、第2混合層1bの上に成膜されるDLCを主体とする表面層1cとからなる構造の硬質膜1であり、第1混合層1aは、基材側から第2混合層側へ向けて連続的または段階的に、Crの含有率が小さくなり、WCの含有率が高くなる層であり、第2混合層1bは、第1混合層側から表面層側へ向けて連続的または段階的に、WCの含有率が小さくなり、DLCの含有率が高くなる層であり、第2混合層1bにおける水素含有量が10〜45原子%である。 (もっと読む)


【課題】移動度が高く、S値の低い電界効果型トランジスタの提供を目的とする。また、低温又は短時間の熱履歴でも高い特性の得られる電界効果型トランジスタの製造方法の提供を目的とする。
【解決手段】In元素及びZn元素と、Zr、Hf、Ge、Si、Ti、Mn、W、Mo、V、Cu、Ni、Co、Fe、Cr、Nb、Al、B、Sc、Y及びランタノイド類からなる群より選択される1以上の元素Xを、下記(1)〜(3)の原子比で含む複合酸化物からなる半導体層を有する電界効果型トランジスタ。
In/(In+Zn)=0.2〜0.8 (1)
In/(In+X)=0.29〜0.99 (2)
Zn/(X+Zn)=0.29〜0.99 (3) (もっと読む)


【課題】 本発明により室温でのBsに対する高温でのBsの低下幅が小さい垂直磁気記録媒体用軟磁性合金、およびこの合金の薄膜を作製するためのスパッタリングターゲット材を提供する。
【解決手段】 at%で、原子番号が57〜71のランタノイドに属する元素を1種以上と、Y,Ti,Zr,Hf,V,Nb,Ta,Bの1種もしくは2種以上または/およびC,Al,Si,P,Cr,Mn,Ni,Cu,Zn,Ga,Ge,Mo,Sn,Wの1種もしくは2種以上を含み、残部Co,Feおよび不可避的不純物からなり、下記の式(1)〜(3)を全て満たすことを特徴とした垂直磁気記録媒体における軟磁性薄膜層に用いる合金。(1)0.5≦TLA≦15、(2)5≦TLA+TAM、(3)TLA+TAM+TNM≦30 (もっと読む)


【課題】高密度かつ低抵抗のスパッタリングターゲット、電界効果移動度の高い薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】Gaをドープした酸化インジウム、又はAlをドープした酸化インジウムを含み、正4価の原子価を示す金属を、Gaとインジウムの合計又はAlとインジウムの合計に対して100原子ppm超1100原子ppm以下含み、結晶構造が、実質的に酸化インジウムのビックスバイト構造からなる焼結体を含むスパッタリングターゲット。 (もっと読む)


【課題】インジウム系複合酸化物を有する非晶質層を結晶化するための加熱時間を短くすることができる透明導電性フィルムの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る透明導電性フィルムの製造方法は、厚みが10〜50μmのフィルム基材の第1の面に、インジウム系複合酸化物で形成された非晶質層を積層する第1工程と、上記非晶質層が積層されたフィルム基材を、繰り出しローラーにより搬送し巻き取りローラーに巻き取る途中で、このフィルム基材を160℃以上に加熱し、上記非晶質層を結晶化して透明導電体層を形成する第2工程と、上記フィルム基材の第2の面に、粘着剤層を形成する第3工程と、を備えている。 (もっと読む)


【課題】大気中において、これまでに比べてより低い摩擦係数を確保することができる摺動部材およびその製造方法を提供する。
【解決手段】基材の表面に、窒素を含有した非晶質炭素被膜を成膜する摺動部材の製造方法である。この方法では、基材表面に向けて窒素イオンビームを照射すると共に、非晶質炭素被膜の表面に、複数の突起部が形成されるように、カーボンターゲットに電子ビームを照射することにより、カーボンターゲットの一部を基材の表面に蒸着させながら非晶質被膜を成膜する。 (もっと読む)


【課題】連続スパッタ時においても、ノジュールやパーティクルの発生を抑制することができるとともに、膜特性の均一性の高い膜が得られるGTOスパッタリングターゲット、特にFPD用スパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】Gaが1〜20mol%、残部SnO及び不可避的不純物からなるスパッタリング用酸化物焼結体ターゲットであって、当該酸化物焼結体ターゲットの組織に観察される相において、相対密度が97%以上、バルク抵抗率が1000Ωcm以下であることを特徴とするスパッタリング用酸化物焼結体ターゲット。 (もっと読む)


【課題】半導体膜の表面欠陥の発生を抑制する半導体膜蒸着装置および半導体膜蒸着方法を提供する。
【解決手段】
半導体原料を収容するるつぼ2と、るつぼ2と対向して基板5を支持する基板支持器6と、るつぼ2と基板5との間でるつぼ2の開口を覆って配置されるマスク4と、るつぼ2およびマスク4を加熱する加熱器3と、るつぼ2、基板支持器6、およびマスク4を収容する真空チャンバ7とを備える半導体膜蒸着装置。るつぼ2から飛散した半導体分子はマスク4内部を衝突しながら通過することで基板5上に表面欠陥が抑制された状態で成膜される。 (もっと読む)


【課題】軸受鋼からなる軸受部品の軌道面または転動面への硬質膜を形成する方法として、高負荷環境で十分な耐久性を有する硬質膜が形成できる方法を提供する。
【解決手段】上レース1の軌道溝1aと下レース2の軌道溝2aに、炭素と珪素と水素からなるDLC膜5を形成する際に、珪素ターゲットおよび炭素ターゲットを用い、メタンガスとアルゴンガスを導入した非平衡マグネトロンスパッタリング法を採用する。また、スパッタリング装置内の試料支持台をヒーターで加熱し、ヒーターの温度を制御することで、試料支持台に支持された上下のレース1,2の軌道溝1a,2aの温度を150〜180℃の範囲に保持する。また、DLC膜5の厚さが1.0〜1.6μmとなるように時間を設定して成膜する。 (もっと読む)


【課題】透明性および導電性に優れる透明導電膜を提供する。
【解決手段】本発明の透明導電膜は、Ti、P、OおよびNを必須元素とし、任意元素として、V、n、Si、Fe等を含むものでもよい。この透明導電膜が基材表面に形成された導電部材は、従来になく優れた透明性および導電性を発現する。特にTi原子比(Ti/(Ti+P))が0.5〜0.8である場合にその傾向が顕著である。本発明の透明導電膜は、従来の透明導電膜に必須であったInやNb等の希少元素を含まない。従って本発明によれば、資源的リスクがなく、低コストな透明導電膜の提供が可能となる。このような透明導電膜は、各種の薄型ディスプレイ、タッチパネル、太陽電池、バイオ刺激電極などの部材に利用可能である。 (もっと読む)


【課題】 スパッタ法により良好にNa添加されたGa添加濃度1〜40原子%のCu−Ga膜を成膜可能なスパッタリングターゲット及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】 スパッタリングターゲットのSeを除く金属成分として、Ga:1〜40at%、Na:0.05〜2at%を含有し、残部がCu及び不可避不純物からなる成分組成を有し、Naがセレン化ナトリウムの状態で含有されている。このスパッタリングターゲットを用いたスパッタ法により、発電効率の向上に有効なNaを含有したCu−Ga膜を成膜することができる。 (もっと読む)


【課題】真性に近い単結晶GaN膜を有し、かつこの膜をn形又はp形に選択的にドープした半導体デバイスを提供する。
【解決手段】次の要素を有する半導体デバイス:基板であって、この基板は、(100)シリコン、(111)シリコン、(0001)サファイア、(11−20)サファイア、(1−102)サファイア、(111)ヒ化ガリウム、(100)ヒ化ガリウム、酸化マグネシウム、酸化亜鉛、および炭化シリコンからなる群から選択される物質からなる;約200Å〜約500Åの厚さを有する非単結晶バッファ層であって、このバッファ層は前記基板の上に成長した第一の物質を含み、この第一の物質は窒化ガリウムを含む;および前記バッファ層の上に成長した第一の成長層であって、この第一の成長層は窒化ガリウムと第一のドープ物質を含む。 (もっと読む)


【課題】耐食性および導電性に優れる耐食導電性皮膜を提供する。
【解決手段】本発明の耐食導電性皮膜は、P、TiおよびOからなるアモルファス相を少なくとも一部に有してなる。この耐食導電性皮膜が基材表面に形成された耐食導電材は、従来になく優れた耐食性および導電性を発現する。特にTi原子比(Ti/Ti+P)が0.5〜0.8である場合やNが導入された場合、その耐食導電性皮膜の耐食性は、導電性を低下させることなく著しく向上する。本発明の耐食導電性皮膜は、腐食環境下で高い導電性が要求される電極等に用いられると好ましい。例えば、本発明の耐食導電性皮膜により表面が被覆された燃料電池用セパレータは、耐食性および導電性に優れて好適である。 (もっと読む)


【課題】トランジスタ特性(移動度、オフ電流、閾値電圧)及び信頼性(閾値電圧シフト、耐湿性)が良好で、ディスプレイパネルに適した電界効果型トランジスタを提供すること。
【解決手段】基板上に、少なくともゲート電極と、ゲート絶縁膜と、半導体層と、半導体層の保護層と、ソース電極と、ドレイン電極とを有し、ソース電極とドレイン電極が、半導体層を介して接続してあり、ゲート電極と半導体層の間にゲート絶縁膜があり、半導体層の少なくとも一面側に保護層を有し、半導体層が、In原子、Sn原子及びZn原子を含む酸化物であり、かつ、Zn/(In+Sn+Zn)で表される原子組成比率が25原子%以上75原子%以下であり、Sn/(In+Sn+Zn)で表される原子組成比率が50原子%未満であることを特徴とする電界効果型トランジスタ。 (もっと読む)


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