説明

Fターム[4K029BC03]の内容

物理蒸着 (93,067) | 被膜の性質 (4,709) | 導電性 (673)

Fターム[4K029BC03]の下位に属するFターム

超電導 (89)

Fターム[4K029BC03]に分類される特許

1 - 20 / 584



【課題】アルカリ金属又はアルカリ土類金属を含む材料の薄膜を成膜する際において、生産性を低下させず且つ安全にメンテナンスを行うことができる成膜装置及び成膜方法を提供する。
【解決手段】処理室と、処理室内を真空にする真空排気手段と、処理室内に設けられ、成膜材料を放出するための手段と、成膜材料を放出するための手段に対向して設けられた基板支持手段と、一方の面が処理室の内壁と対向し、且つ熱伝導性を有する領域であり、他方の面が熱伝導性を有する領域に接して設けられた酸化物を含む領域である、防着板と、を備えている成膜装置である。そして、当該成膜装置を用いた成膜方法である。 (もっと読む)


【課題】接続孔部分における電気的特性のばらつきを低減することにより、半導体装置の信頼性および製造歩留まりを向上させることのできる技術を提供する。
【解決手段】成膜装置のドライクリーニング処理用のチャンバ57に備わるウエハステージ57a上に半導体ウエハSWを置いた後、還元ガスを供給して半導体ウエハSWの主面上をドライクリーニング処理し、続いて180℃に維持されたシャワーヘッド57cにより半導体ウエハSWを100から150℃の第1の温度で熱処理する。次いで半導体ウエハSWをチャンバ57から熱処理用のチャンバへ真空搬送した後、そのチャンバ57において150から400℃の第2の温度で半導体ウエハSWを熱処理することにより、半導体ウエハSWの主面上に残留する生成物を除去する。 (もっと読む)


【課題】成膜マスク装置の各ガイドピン、ガイド孔に蒸着粒子が付着しないような手段を得る。
【解決手段】成膜マスク装置Aは、表裏両面に被成膜基板10を保持する複数の第2のガイドピン13b、及びマスク板20の位置決め用の第1のガイドピン13aを有する保持基板13と、各被成膜基板10を間に挟んで保持基板13の表裏両面に添設されるマスク板20と、遮蔽カバー11、15と、を備えた成膜マスク装置である。蔽カバー11、15は、各第1、及び第2のガイドピン13a、13bに対して蒸着粒子の付着を防止する第1、及び第2の凹部11a、11bを備えている。 (もっと読む)


【課題】ITO膜と引き回し配線との密着性に優れた透明導電フィルムを提供する。信頼性の高いタッチパネルを提供する。
【解決手段】透明導電膜(II)4と直接接続する金属配線(III)5を有するフィルムであって、前記金属配線(III)5が、金属配線5中の金属全体を100重量%としたとき、Niを30重量%以上、80重量%未満、Cuを20〜50重量%含む透明導電フィルム1。前記透明導電膜(II)4が結晶性ITOにより形成されていることが好ましい。 (もっと読む)


【課題】 高密度および高強度を有し、窒化チタン系の膜を成膜可能なスパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】 窒化チタン粉と酸化チタン粉とを焼結したスパッタリングターゲットであって、N:30〜43at%、O:9〜27at%を含有し、残部がTiおよび不可避不純物からなる成分組成を有し、O/Ti原子比が2未満の酸化チタンを含む焼結体からなり、該焼結体の密度が4.4g/cm以上である。また、このスパッタリングターゲットの製造方法は、窒化チタン粉と酸化チタン粉とを混合して混合粉末を作製する工程と、該混合粉末を真空中でホットプレスにて焼結する工程とを有し、前記酸化チタン粉の少なくとも一部をO/Ti原子比が2未満の酸化チタン粉とし、この酸化チタン粉を窒化チタン粉と混合する。 (もっと読む)


【課題】成膜速度の面内均一性を確保しながら、成膜効率を向上させ、ターゲットの使用効率を向上させること。
【解決手段】真空容器2内に載置されたウエハ10に対向するようにターゲット31を配置し、このターゲット31の背面側にマグネット配列体5を設ける。このマグネット配列体5は、マグネット61,62がマトリックス状に配列された内側マグネット群54と、この内側マグネット群54の周囲に設けられ、電子の飛び出しを阻止するリターン用のマグネット53とを備えている。これによりターゲット31の直下にカスプ磁界による電子のドリフトに基づいて高密度のプラズマが発生し、またエロージョンの面内均一性が高くなる。このためターゲット31とウエハ10とを接近させてスパッタを行うことができ、成膜速度の面内均一性を確保しながら、成膜効率を向上させることができる上、ターゲットの使用効率が高くなる。 (もっと読む)


【課題】450〜600℃程度の高温下に曝されてもヒロックが発生せず高温耐熱性に優れており、配線構造全体の電気抵抗(配線抵抗)も低く抑えられており、更にフッ酸耐性にも優れた表示装置用配線構造を提供する。
【解決手段】本発明の表示装置用配線構造は、基板側から順に、Ta、Nb、Re、Zr、W、Mo、V、Hf、Ti、CrおよびPtよりなる群(X群)から選択される少なくとも一種の元素と、希土類元素の少なくとも一種とを含むAl合金の第1層と;Ti、Mo、Al、Ta、Nb、Re、Zr、W、V、Hf、およびCrよりなる群(Y群)から選択される少なくとも一種の元素の窒化物、またはAl合金の窒化物の第2層と、が積層された表層構造を有する。 (もっと読む)


【課題】 膜剥離の問題を改善し、さらに低い電気抵抗値を維持できる、MoTiターゲット材およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明は、Tiを20〜80原子%含有し残部がMoおよび不可避的不純物からなる組成を有し、前記不可避的不純物の一である水素が10質量ppm以下であるMoTiターゲット材である。また、本発明のMoTiターゲット材は、MoTi焼結体を100Pa未満の圧力、800℃以上、0.5時間以上の条件で熱処理する工程とで得られる。 (もっと読む)


【課題】酸化物半導体層を用いた半導体素子であって、Vthの変化が抑制された、特性の安定化した半導体素子を提供する。
【解決手段】In(インジウム)およびO(酸素)を含む酸化物半導体層と、Si(珪素)、F(フッ素)およびN(窒素)を含む絶縁層と、を有する半導体素子である。 (もっと読む)


【課題】薄膜均一性および高い生産性を維持しつつ、低抵抗の良質なW膜の成膜を可能とするマグネトロンスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】ターゲットと交差する方向に磁化された2つの磁石部材を、ターゲット側に向く磁極が互いに逆向きとなるようにして隣接配置したマグネットピース22を複数備えた磁石ユニットを設けたマグネトロンスパッタリング装置とし、磁石ユニットによって作り出されるターゲット表面の水平磁束密度を高くすることによって、ターゲットへ加速されるArイオンのイオンエネルギーを小さくする。すなわち、ターゲット表面の水平磁束密度を高くするとターゲット表面で生成されるプラズマ密度が増加し、同一のDC電力を投入した場合に、プラズマ密度が増加した分だけプラズマインピーダンスが低下してターゲット電圧が低下し、W膜に取り込まれる反射Arの含有量を小さくすることによりW膜の低抵抗化を実現する。 (もっと読む)


【課題】 低抵抗かつ高反射率の特性と共に表面粗さが小さく、高い耐硫化性及び耐塩化性を兼ね備えた導電性膜およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】 導電性膜が、InおよびSnのうち1種または2種を合計で:0.1〜1.5原子%、Sb:0.1〜1.5原子%を含有し、さらにGa,Mgの内の1種または2種を合計で0.5〜3原子%を含有し、残部がAgおよび不可避不純物からなる成分組成を有した銀合金で構成されている。この導電性膜は、表面に有機EL素子の透明導電膜が積層され、さらにその上に有機EL層を含む電界発光層が積層される有機EL素子用の反射電極膜として好適である。 (もっと読む)


【課題】スパッタリング法により、被処理基板の一面に形成されたチタンナイトライド膜上にタングステンシリサイド膜を形成する際に、タングステンシリサイド膜に含ませるシリコン原子の割合を微細制御することを可能にする、デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】被処理基板の一面103aに、チタンナイトライド膜109、タングステンシリサイド膜110、タングステン膜111の順に堆積してなるデバイスの製造方法であって、タングステンシリサイド膜110をスパッタリング法により形成する際に、タングステン原子からなるターゲット102と、シリコン原子を含むプロセスガスを少なくとも用いる。 (もっと読む)


【課題】高いバリア性を有するCu−Mn合金膜を形成する。
【解決手段】半導体素子の配線の形成に用いられるCu−Mn合金スパッタリングターゲット材10であって、濃度が8原子%以上30原子%以下のMnと、不可避的不純物とを含むCu−Mn合金からなり、Cu−Mn合金の平均結晶粒径が10μm以上50μm以下である。 (もっと読む)


【課題】 耐湿性や耐酸化性を改善し、さらに、低抵抗な主導電層であるAlと積層した際に、加熱工程を経ても低い電気抵抗値を維持できる、Mo合金からなる被覆層を用いた電子部品用積層配線膜および被覆層を形成するためのスパッタリングターゲット材を提供する。
【解決手段】 基板上に金属膜を形成した電子部品用積層配線膜において、Alを主成分とする主導電層と該主導電層の一方の面および/または他方の面を覆う被覆層からなり、該被覆層は原子比における組成式がMo100−x−y−Ni−Ti、10≦x≦30、3≦y≦20で表され、残部が不可避的不純物からなる電子部品用積層配線膜。 (もっと読む)


【課題】ホモエピタキシャル成長法を用いて伝導特性に優れたβ−Ga単結晶膜を形成することができるβ−Ga単結晶膜の製造方法を提供する。
【解決手段】分子線エピタキシー法により、Snを添加しながらβ−Ga結晶をβ−Ga基板2上、又は前記β−Ga基板上に形成されたβ−Ga系結晶層上にホモエピタキシャル成長させ、Sn添加β−Ga結晶膜を形成する工程と、第1の不活性雰囲気中で前記Sn添加β−Ga結晶膜に第1のアニール処理を施す工程とを含む方法により、Sn添加β−Ga単結晶膜を製造する。 (もっと読む)


【課題】蒸着装置及び薄膜製造方法を提供する。
【解決手段】大型基板の場合にも、均一な薄膜を形成し、基板のサイズが変更される場合にも、装備の変更なしに容易に適用するためのものであって、直線動するように備えられた第1蒸着源と、第1蒸着源から離隔され、第1蒸着源と同時及び同一方向に直線動するように備えられた第2蒸着源と、第1蒸着源及び第2蒸着源と被蒸着体との間に位置し、第1蒸着源及び第2蒸着源と同時及び同一方向に直線動するように備えられた補正部材とを含み、補正部材は、第1蒸着源に対応する位置に備えられた第1補正板及び第2蒸着源に対応する位置に備えられた第2補正板を備える蒸着装置である。 (もっと読む)


【課題】所望の表面組成を有する酸化物導電性薄膜の処理方法、並びに該酸化物導電性薄膜の処理方法を用いて製造した電子デバイス、液滴吐出ヘッド及び液滴吐出装置を提供する。
【解決手段】一般式ABOで示されるABO型酸化物導電性薄膜を少なくとも水を含む液体で処理し、ABO型酸化物導電性薄膜の表面の原子比A/Bを化学量論比に近づける。液体は少なくとも水を含むものであり、純水と有機溶剤との混合液、あるいは純水であることが好ましい。有機溶剤としては、少なくともアルコール類の1種を含むことが好ましい。 (もっと読む)


【課題】単純な装置構成を用いて適宜に加熱処理等を施すことにより、両面に真空成膜が施された積層体を効率的に製造できる成膜方法を提供すること等。
【解決手段】ロール状に巻かれた長尺の基体を第1の面を被成膜面として第1ロール室から第2ロール室へ向う方向に第1ロール室から繰り出し、繰り出された基体を脱ガスし、脱ガスされた基体の第1の面に第1成膜室において第1の膜材料を成膜し、第1の膜材料の上に第2成膜室において第2の膜材料を成膜し、膜材料が積層された基体を第2ロール室でロール状に巻取り、巻き取った基体を第1の面とは反対側の第2の面を被成膜面として方向に第1ロール室から繰り出し、上記全ての処理を繰り返す。 (もっと読む)


【課題】被処理基板に対して成膜の初期段階から持続的に除電を行なうことによって、異常放電の発生を抑制することが可能なスパッタリング装置を得る。
【解決手段】スパッタリング処理によって被処理基板100に対して導電膜103を形成するスパッタリング装置は、処理室と、金属製のローラ基部3Lおよびローラ基部3Lの全周に設けられる樹脂材3Rを含む搬送ローラ3と、樹脂材3Rの表面を被覆しつつローラ基部3Lに電気的に導通された導電部3Sと、を備え、処理室内で被処理基板100に導電膜103を形成するとき、被処理基板100は、導電部3Sに当接して搬送ローラ3に搬送され、導電部3Sを通して除電されつつスパッタリング処理される。 (もっと読む)


1 - 20 / 584