【課題】本発明は、ドロップレットが少なく、表面凹凸の少ない膜を基材上に形成する技術の提供を目的とする。
【解決手段】本発明は、ターゲットから構成粒子を叩き出し若しくは蒸発させるパルス状レーザー光を出射するアブレーション用第１のレーザー光源と、第１のレーザー光源がターゲットの表面にレーザー光を集光照射した領域とその領域周辺をスポット加熱する連続波レーザー光を出射する第２のレーザー光源とを処理容器の外部に備えた成膜装置を用い、第２のレーザー光源からターゲットの表面に処理容器に設けた照射窓を介し連続波レーザー光を集光照射してアブーション領域とその周辺領域のターゲット表面の温度を上昇させ、第１のレーザー光源からアブレーション領域に処理容器に設けた照射窓を介しパルス状のレーザー光を集光照射して基材上に成膜することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】結晶配向性が良好なＣｅＯ_２のキャップ層を備えた酸化物超電導導体用基材を低コストで製造できる製造方法、及びこれを用いて製造された酸化物超電導導体用基材並びに酸化物超電導導体の提供。
【解決手段】本発明の酸化物超電導導体用基材の製造方法は、ＹＡＧレーザ光の第３高調波（波長３５５ｎｍ）、第４高調波（波長２６６ｎｍ）、第５高調波（波長２１３ｎｍ）のいずれかを、ターゲット上でのエネルギー密度が６Ｊ／ｃｍ^２以上となるように該ターゲット上に照射して、このターゲットの構成粒子を叩き出し若しくは蒸発させ、前記構成粒子を基材の上方に形成された中間層の表面上に堆積させて、該中間層上にＣｅＯ_２のキャップ層を形成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】幅広の金属基板上に中間層が形成された幅広の金属基材であっても、金属基板と中間層の熱収縮差による反りの発生を抑制することができ、その後の酸化物超電導層形成工程、安定化層形成工程、薄膜超電導線材細線化工程における不良の発生が抑制できる薄膜超電導線材用金属基材、その製造方法および薄膜超電導線材の製造方法を提供する。
【解決手段】金属基板の表面に配向性のセラミックス層を有し、金属基板の裏面に非配向性のセラミックス層を有している薄膜超電導線材用金属基材であって、金属基板を成膜装置内で加熱して金属基板の表面に配向性のセラミックス層を形成する工程と、金属基板を成膜装置内で加熱して金属基板の裏面に非配向性のセラミックス層を形成する工程と、これらの工程の間に介在して、配向性のセラミックス層または非配向性のセラミックス層が形成された金属基板を成膜装置から取り出して冷却する工程とにより製造される。 （もっと読む）

【課題】製造過程での薄膜特性の劣化を抑制することができる真空成膜装置用ケース付きリール、真空成膜装置及び薄膜積層体の製造方法を提供する。
【解決手段】長尺状の基材１４が巻回されるリール本体１８と、リール本体１８を収納するケース３２と、ケース３２に設けられ、ケース３２内に基材１４との非反応性ガスを導入可能なガス導入口３６と、ケース３２に設けられ、基材１４がケース３２の内部と外部との間で出し入れされる基材出入口３８と、リール本体１８に一体回転可能に設けられ、基材１４上に薄膜を成膜する真空成膜装置に取り付け可能な被取付回転機構６０と、を備える。 （もっと読む）

【課題】酸化物超電導層が超電導状態から常電導状態へと遷移（クエンチ）しようとした場合に、酸化物超電導層の電流を基材に転流させることができ、酸化物超電導層の上方に形成される安定化層の薄膜化が可能な酸化物超電導導体の提供。
【解決手段】本発明の酸化物超電導導体１０は、金属製の基材１と、基材１上に設けられた単層または複数層からなる中間層２と、中間層２上に設けられた酸化物超電導層３と、を備え、中間層２を構成する全ての層２１、２２が、電気伝導性の酸化物よりなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】従来に比べ高いＩｃを有する酸化物超電導薄膜線材とその製造方法を提供する。
【解決手段】配向金属基板上に、中間層、酸化物超電導層が順に積層されている酸化物超電導薄膜線材であって、中間層が、少なくとも、配向金属基板上にＲＦスパッタリング法を用いて形成されたＣｅＯ_２層と、ＣｅＯ_２層上に電子ビーム蒸着法を用いて形成されたＹ_２Ｏ_３層とを有している酸化物超電導薄膜線材。配向金属基板上に、中間層、酸化物超電導層が順に積層されている酸化物超電導薄膜線材の製造方法であって、中間層の形成工程が、少なくとも、配向金属基板上にＲＦスパッタリング法を用いてＣｅＯ_２層を形成するＣｅＯ_２層形成工程と、ＣｅＯ_２層上電子ビーム蒸着法を用いてＹ_２Ｏ_３層を形成するＹ_２Ｏ_３層形成工程とを備えている酸化物超電導薄膜線材の製造方法。 （もっと読む）

【課題】電気めっきによって銅安定化層を形成する際、局所的な銀保護層の剥がれの発生を抑制することができ、安定した超電導特性の酸化物超電導薄膜線材を提供する。
【解決手段】金属基板上に、中間層、酸化物超電導層、銀保護層、銅安定化層が積層されている酸化物超電薄膜線材の製造方法であって、幅広の金属基板上に、中間層、酸化物超電導層、第１銀保護層を順に形成して複合線材を製造する複合線材製造工程と、複合線材を酸素雰囲気下で加熱処理して、前記酸化物超電導層に酸素を導入する酸素導入工程と、
複合線材を所定の幅に切断して細線加工する細線加工工程と、細線加工された複合線材の周囲に、蒸着法を用いて第２銀保護層を形成する第２銀保護層形成工程と、第２銀保護層が形成された複合線材の周囲に、電気めっき法により銅安定化層を形成する銅安定化層形成工程とが設けられている酸化物超電導薄膜線材の製造方法。 （もっと読む）

【課題】本発明は、結晶配向性に優れたペロブスカイト構造の中間薄膜を備えた酸化物超電導導体の提供を目的とする。
【解決手段】本発明は、基材と、該基材上に直接あるいは下地層を介し積層された中間薄膜と酸化物超電導層とを具備する酸化物超電導導体であって、前記中間薄膜が、粒子堆積により基材上にあるいは基材上に下地層を介し中間薄膜を形成する際、基材上方の成膜面に対し斜め方向からアシストイオンビームを照射しつつ成膜するイオンビームアシスト成膜法により形成されたペロブスカイト型酸化物の中間薄膜であって、該中間薄膜を構成する複数の結晶の結晶軸のうち２軸が配向され、これら結晶の配向度を示す正極点図において４回対称性を示す中間薄膜であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】スパッタ粒子の無駄を抑え、有効に使用できるイオンビームスパッタ用ターゲット、該ターゲットを用いた酸化物超電導導体用基材の製造方法および酸化物超電導線材の製造方法の提供。
【解決手段】本発明のイオンビームスパッタ用ターゲットは、イオンビームをターゲットに照射し、該ターゲットから叩き出されたスパッタ粒子を基材上に堆積させて、該基材上に成膜するイオンビームスパッタ法に用いられるターゲットであって、中央板部３と、この中央板部３に隣接して配置された側板部１、２を備え、側板部１、２は、中央板部３のイオンビームが照射される面３Ａの内側向きに傾斜されてなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】膜表面における不純物としてのフッ素化合物の発生を抑制しながら、簡易な方法で、希土類元素、フッ素、鉄、ヒ素、及び酸素からなる超伝導体を含む超伝導薄膜を形成することができる超伝導薄膜の製造方法を提供する。
【解決手段】基体上に、分子線エピタキシー法により、少なくとも希土類元素の固体原料及び希土類三フッ化物の固体原料を用い、希土類元素、フッ素、鉄、ヒ素、及び酸素からなる超伝導体を含む超伝導薄膜を形成する工程を有する超伝導薄膜の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】
２軸方向にテクスチャを有するバッファ膜を備えた超電導体物品およびその製造方法を提供する。
【解決手段】
超電導体物品は、基板と、前記基板上に配置され、かつ単軸結晶テクスチャを有する第１のバッファ膜であって、前記単軸結晶テクスチャは、前記第１のバッファ膜の面内に延びる第１の結晶方向に沿ったテクスチャであり、前記第１のバッファ膜の面外に延びる第２の方向に有意のテクスチャを有さないことを特徴とする前記第１のバッファ膜と、 前記第１のバッファ膜上に配置されていて、２軸方向の結晶テクスチャを有する第２のバッファ膜であって、前記２軸方向の一方の結晶方向は前記第１の結晶方向に沿って配向される前記第２のバッファ膜と、前記第２のバッファ膜上に配置されている超電導体層とを有する。 （もっと読む）

【課題】良好な膜質及び特性の薄膜を、良好な生産性で成膜可能な成膜装置および成膜方法の提供。
【解決手段】本発明の成膜装置１は、レーザー光Ｌによってターゲット７から叩き出され若しくは蒸発した構成粒子を基材２５の表面上に堆積させ、基材２５上に薄膜を形成する装置であって、送出装置１３と巻取装置１４との間に長手方向に沿って移動する基材２５を保持する基材ホルダ１２を配置し、基材ホルダ１２に接した状態にある基材２５の表面と対向するようにターゲット７を配置するとともに、ターゲット６と基材ホルダ１２の間に、基材２５とヒーター８との距離ＳＨ＝０．５５ＴＳ〜０．８５ＴＳ、基材ホルダ１２の中心線とヒーター８との最短距離ＰＨ＝０．３５ＴＳ〜０．５５ＴＳを満たすようにヒーター８を配置したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、イオンビームアシストデポジション法による結晶配向の対称性が制御された岩塩構造の中間層の成膜方法の提供、すなわち、４回対称の岩塩構造の中間層と３回対称の岩塩構造の中間層を選択的に作り分けることのできる成膜方法を提供することを第１の目的とする。また、本発明は、４回対称の岩塩構造の中間層を用いた酸化物超電導導体及び３回対称の岩塩構造の中間層を用いた酸化物超電導導体を提供することを第２の目的とする。
【解決手段】本発明の成膜方法は、イオンビームアシストデポジション法により、金属基材の上方に岩塩構造の中間層を成膜する方法であって、成膜時の水蒸気圧を制御することにより前記中間層の結晶配向の対称性を３回対称又は４回対称に制御することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】正確に膜厚を制御した最小構成元素数の銅酸化物高温超伝導体ＲＥ₂ＣｕＯ₄（ＲＥは希土類元素）の単結晶薄膜をより大きな面積に形成できるようにする。
【解決手段】形成対象の化合物ＲＥ₂ＣｕＯ₄と、面内および面間の少なくとも１つの格子定数が±１％の範囲で一致する単結晶から構成された単結晶基板１０１の上に、希土類元素ＲＥと銅と酸素とを含んで構成された前駆体薄膜１０２を、蒸着法により形成する。蒸着における希土類元素ＲＥおよび銅の供給量を制御することなどにより、形成される前駆体薄膜１０２における希土類元素ＲＥおよび銅の組成比を、化学式ＲＥ₂ＣｕＯ₄の化学量論組成にする。この後、高温、低酸素分圧雰囲気下での固相エピタキシーと低温還元により酸素の組成も化学量論組成に合わせて超伝導化した単結晶薄膜を作製する。 （もっと読む）

【課題】ハロゲン元素を含む原料を供給するＭＢＥ法又はＭＯＣＶＤ法により、基板がエッチングされることなく、また、基板の種類に依存せず、薄膜を基板上に成長させることができる薄膜の製造方法を提供すること。
【解決手段】ハロゲン元素を含む原料を供給するＭＢＥ法又はＭＯＣＶＤ法により、薄膜を基板上に成長させる薄膜製造方法であって、前記薄膜を成長させるとき、前記薄膜を構成する原料とともに、Ｇａ、Ｂ、Ａｌ、Ｉｎ、Ｔｌ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、及びＩから成る群から選ばれる１種以上を供給することを特徴とする薄膜製造方法。 （もっと読む）

【課題】本発明は、酸化物超電導層の下地として、拡散防止層を厚く成膜することなく元素拡散を効果的に抑制することができる技術の提供を目的とする。また、本発明は、拡散防止層を厚く成膜することなく元素拡散を効果的に抑制することができるため、基材表面の平坦性を損なうことなく、拡散防止機能を備えるバッファー層を形成することができる技術の提供を目的とする。
【解決手段】本発明の酸化物超電導導体用基材Ａは、クロムを含む金属基材２０と、前記クロムを含む金属基材２０内表面側に形成された厚さ５〜１０００ｎｍの酸化クロム層２５と、イオンビームアシスト成膜法により成膜された中間層２３とをこの順に備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】チャンバ内のプラズマ状態が変化することを抑制して、テープ状の配向金属基板上に、長時間、安定した特性のセラミックス層を形成することができ、より長尺の酸化物超電導薄膜線材を製造することが可能な技術を提供する。
【解決手段】第１の巻出しリールから巻出されて第１の巻取りリールに送られるテープ状の配向金属基板をスパッタ装置内に搬送すると共に、第２の巻出しリールから巻出されて第２の巻取りリールに送られるアノード用金属テープをスパッタ装置内に搬送し、スパッタ装置内で、配向金属基板にセラミックス層を形成する酸化物超電導薄膜線材のセラミックス層形成方法。 （もっと読む）

【課題】印加される磁場の方向や膜の部位によらずに、量子化磁束の動きが効果的に抑制された酸化物超電導膜の製造方法の提供。
【解決手段】レーザー蒸着法で酸化物超電導膜を製造する方法であって、エネルギー密度が異なる複数種のレーザー光を、ターゲットに同時又は交互に照射することで、基材上に常電導体を含む酸化物超電導膜を形成する工程を有することを特徴とする酸化物超電導膜の製造方法。 （もっと読む）

【課題】印加される磁場の方向や膜の部位によらずに、量子化磁束の動きが効果的に抑制された酸化物超電導膜及びその製造方法を提供する。
【解決手段】レーザー蒸着法で酸化物超電導膜を製造する方法であって、エキシマレーザー光１８ａ及びＹＡＧレーザー光１８ｂを同時にターゲット１５に照射することで、基材１２上に常電導部分となる不純物の比率を０．３〜６質量％含む酸化物超電導膜を形成する工程を有することを特徴とする酸化物超電導膜の製造方法。 （もっと読む）

【課題】イオンビームアシストスパッタ法により４回対称ＭｇＯ膜と３回対称ＭｇＯ膜を選択的に作り分けることのできる成膜方法を提供することを第１の目的とする。また、４回対称ＭｇＯ膜を用いた酸化物超電導導体及び３回対称ＭｇＯ膜を用いた酸化物超電導導体を提供することを第２の目的とする。
【解決手段】イオンビームアシストスパッタ法により金属基材上にＭｇＯ膜を成膜する方法において、背圧を０．００１Ｐａ未満として成膜することにより４回対称ＭｇＯ膜を成膜することができ、背圧を０．００１Ｐａ以上として成膜することにより３回対称ＭｇＯ膜を成膜することができる。 （もっと読む）