【課題】金属箔と金属箔上に配置される抵抗層との間の剥離を回避し充分なピール強度を有した電気抵抗層付き金属箔及びその製造方法を提供する。
【解決手段】金属箔の表面にベンゾトリアゾール処理を施したのち、その金属箔表面上に電気抵抗層を形成する。電気抵抗層は、アルミニウム、ニッケル、クロム、銅、鉄、インジウム、亜鉛、タンタル、スズ、バナジウム、タングステン、ジルコニウム、モリブデン及びこれらの合金からなる群の中から選択された金属から形成される。また、電気抵抗層付き金属箔は別の一実施形態において、金属箔上に配置された熱可塑性樹脂層を更に備える。 （もっと読む）

【課題】高いシート抵抗値を実現でき、抵抗素子作製時の製造工程による抵抗値の変動の影響が小さい電気抵抗層付き金属箔の製造方法を提供する。
【解決手段】光学的方法で測定した十点平均粗さが４．０〜６．０μｍに調整した表面を有する金属箔上に、ニッケル、クロム、シリコンを含むスパッタリングターゲットを用いて、雰囲気気体として酸素を付与しながら気相成長法により電気抵抗層を形成させる工程を含む電気抵抗層付き金属箔の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】抵抗素子の電気的特性を安定的に得ることができ、金属箔と金属箔上に配置される電気抵抗層との間の剥離を抑制可能で、且つ高いシート抵抗値を実現可能な電気抵抗層付き金属箔の製造方法を提供する。
【解決手段】光学的方法で測定した十点平均粗さＲｚが１μｍ以下であり、イオンビーム強度が０．７０〜２．１０ｓｅｃ・Ｗ／ｃｍ²のイオンビーム照射により処理された表面を有する金属箔上に、ニッケル、クロム、シリコンを含むスパッタリングターゲットを用いて、雰囲気気体として酸素を付与しながら気相成長法により電気抵抗層を形成させる工程を含む電気抵抗層付き金属箔の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】温度の変化に対して、電気抵抗の変化が小さい内蔵抵抗体を提供する。
【解決手段】金属箔上に、該金属箔より電気抵抗率の高い膜を有する電気抵抗膜付金属箔であって、該電気抵抗膜は、ＣｒＳｉＯ又はＮｉＣｒＳｉＯからなる酸化物系抵抗膜と温度変化に対して電気抵抗の変化が少ない金属Ｃｒ膜との多層構造を有する。金属箔の上に設ける電気抵抗体を多層構造とし、抵抗が比較的高い状態でも温度特性が良い。 （もっと読む）

【課題】スパッタ装置におけるアノード消失を防止する。
【解決手段】処理室２内でターゲットのスパッタリングによって基板１５上に電気的に絶縁物である薄膜を形成するためのスパッタ装置において、処理室２内に、薄膜の原料となるターゲット１０ａ、１０ｂとアノード板２０、２２、２４を備え、ターゲット１０ａ、１０ｂとアノード板２０、２２、２４との間に電圧を印加する電源部１２を備え、アノード板２０、２２、２４の少なくとも一部の表面に、大きさ０．５ｍｍ〜１０ｍｍ、深さ１ｍｍ〜５０ｍｍの穴３０を複数形成することで、スパッタリング中にアノードに電気的な絶縁物が堆積してアノードの導電性を損なうのを防止し、長期に亘って良好なスパッタリングを行うことを可能にする。 （もっと読む）

【課題】電極と抵抗変化層の界面に小さな突起を形成することなく、低電圧での初期化が可能な不揮発性記憶素子を提供する。
【解決手段】下部電極１０５と上部電極１０７との間に介在され、両電極間に与えられる電気的信号に基づいて可逆的に抵抗値が変化する抵抗変化層１１６を備える。抵抗変化層１１６は、第１の抵抗変化層１１６１と第２の抵抗変化層１１６２との少なくとも２層から構成され、第１の抵抗変化層１１６１は第１の遷移金属酸化物１１６ｂから構成され、第２の抵抗変化層１１６２は、第２の遷移金属酸化物１１６ａと第３の遷移金属酸化物１１６ｃとから構成され、第２の遷移金属酸化物１１６ａの酸素不足度は第１の遷移金属酸化物１１６ｂの酸素不足度及び第３の遷移金属酸化物１１６ｃの酸素不足度のいずれよりも高く、第２の遷移金属酸化物１１６ａ及び第３の遷移金属酸化物１１６ｃは、第１の抵抗変化層１１６１と接している。 （もっと読む）

【課題】表面延設方向における電気絶縁性を示す絶縁物品およびその製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁物品は、電気絶縁性をもつ材料で形成された基部２と、基部２の表面の上に積層されクロムを母材とすると共に網目状クラックが形成された金属光沢をもち且つ網目状クラックにより膜延設方向における電気絶縁性が高められたクロム膜３とを有する。網目状クラックによりクロム膜３の膜延設方向（Ａ１方向）における電気絶縁性が高められている。 （もっと読む）

【課題】スパッタリング法により、不連続被膜を形成する。
【解決手段】真空槽内で基板とターゲットとを対向させ、スパッタリング法により、前記基板上に成膜処理をする成膜方法であって、前記ターゲットの表面温度が常温よりも所定温度以上になるように制御し、前記ターゲットの表面温度を所定温度としない場合に比べ、高抵抗な被膜を前記基板上に成膜する。 （もっと読む）

【課題】スパッタ法により、ＴＦＴの活性層として好適なキャリア密度を有し、且つ、電気的ストレス、及び熱に対して安定性の良好なＩＧＺＯ系アモルファス酸化物半導体膜を製造する。
【解決手段】ＩＧＺＯ系アモルファス酸化物層を下記式（１）を満足する条件でスパッタ成膜した後に、下記式（２）を満足する条件でアニール処理することにより、ＩＧＺＯ系アモルファス酸化物からなる半導体膜を製造する。
１×１０^−５≦Ｐ（Ｐａ）≦５×１０^−４ ・・・（１）、
１００≦Ｔ（℃）≦３００ ・・・（２）
（式中、Ｐは前記スパッタ成膜における背圧，Ｔは前記アニール処理におけるアニール温度） （もっと読む）

【課題】導電体領域から絶縁体領域までの範囲内で所望の電気抵抗値有し、且つ、電気的ストレスに対して安定性の良好なＩＧＺＯ系アモルファス酸化物薄膜を製造する
【解決手段】ＩＧＺＯ系アモルファス酸化物薄膜を基板上にスパッタ成膜し、その後アニール処理してＩＧＺＯ系アモルファス酸化物薄膜を製造する方法であって、成膜装置内の水分量とアニール処理の温度の組み合わせを変化させて、導電体領域から絶縁体領域の範囲内の任意の電気抵抗値を有するアモルファス酸化物薄膜を製造する。 （もっと読む）

【課題】連続基板処理時の温度の変動による膜質変化を抑制すること。
【解決手段】本発明の一実施形態では、スパッタ空間に臨む構造部材の温度に応じて、反応性ガスの流量を調整しながら、反応性スパッタリングを行う。具体的にはシールド１２０に温度センサ１２１を設け、温度に応じた流量に調整する。これにより、シールドに付着した膜の脱ガス量が変化しても、反応性ガスの分圧を所定にできる。ＲｅＲＡＭを構成する抵抗変化層、ＰｒＣａＭｎＯ３（ＰＣＭＯ）、ＬａＳｒＭｎＯ３（ＬＳＭＯ）、ＧｄＢａＣｏｘＯｙ（ＧＢＣＯ）等のペロブスカイト材料や、ニッケル酸化物（ＮｉＯ）、バナジウム酸化物（Ｖ２Ｏ５）等の化学量論からずれた組成を有する２元系の遷移金属酸化物材料等が扱われている。 （もっと読む）

【課題】基板との剥離および電流リークが起こりにくい非鉛の大面積圧電体薄膜を有する圧電体薄膜付き基板を作製する。
【解決手段】基板上に下部電極を形成する工程と、上記下部電極上に組成式（Ｋ_１−ｘＮａ_ｘ）ＮｂＯ_３で表されるアルカリニオブ酸化物系ペロブスカイト構造の圧電体薄膜を形成する工程を備え、上記圧電体薄膜を形成する工程は、ＡｒおよびＯ_２雰囲気下で行われるスパッタ法により、チャンバー内ガス圧力を０．３以上１．８Ｐａ以下、かつＯ_２／Ａｒガス混合比を０．００２以上、かつ酸素分圧を３．０×１０^−３Ｐａ以上として成膜する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、抵抗メモリの可変抵抗層を簡単に製造することのできる抵抗メモリの可変抵抗層の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】この方法は、銅ターゲットおよびシリコン酸化物（ＳｉＯ₂）ターゲットを有するか、あるいは、銅およびシリコン酸化物から作られた複合ターゲットを有するスパッタリングチャンバー内に、基板を設置することを含む。その後、銅ターゲットおよびシリコン酸化物ターゲットを使用して同時スパッタリングプロセスを行うか、あるいは、複合ターゲットを使用してスパッタリングプロセスを行って、基板の表面に混合膜を沈積させる。混合膜は、抵抗メモリの可変抵抗層として使用され、混合膜のＣｕ／（Ｃｕ＋Ｓｉ）のモル百分率は、１〜１５％である。 （もっと読む）

【課題】相対的に低い温度の熱処理によっても、比抵抗、抵抗温度特性、高温安定性、耐塩水性のいずれにも優れた薄膜抵抗器、およびその製造のための抵抗体材料および製造方法を提供する。
【解決手段】Ｃｒ、ＡｌおよびＹから選択される１種以上の添加元素を１０〜６０質量％含有し、残部がＮｉと不可避不純物からなるＮｉ合金に、ＳｉＯ₂を主成分とし、Ｂ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｂａ、Ａｌ、Ｚｒおよびこれらの酸化物から選択される１種以上を０〜９０質量％含有するシリケート系ガラスが３〜２０質量％添加されている抵抗体材料を使用する。 （もっと読む）

【課題】配線材とバリアメタル層の密着性を向上させる。
【解決手段】表面に凹部が形成された層間絶縁膜と、層間絶縁膜上に形成されたＴｉ及びＮを含み、酸素（Ｏ）及び貴金属成分を除く全成分中におけるＴｉ含有量が５０ａｔ％を超える微結晶状態の第１の層３０ｂと、第１の層３０ｂ上に形成され、層間絶縁膜に形成された凹部を埋め込むＣｕ金属層７０と、を具える半導体装置。 （もっと読む）

【課題】電波透過性および鏡面のような金属調光沢を有し、該金属調光沢が失われにくく、かつ低コストである電波透過性装飾部材および該電波透過性装飾部材を効率よく、安定的に製造できる方法を提供する。
【解決手段】基体１２と、透明有機材料層１６と、基体１２と透明有機材料層１６との間に設けられた、シリコンまたはゲルマニウムと金属との合金からなる光反射層１４とを有する電波透過性装飾部材１；光反射層１４を、シリコンまたはゲルマニウムと金属との合金からなるターゲットを用いたＤＣマグネトロンスパッタリングによって形成する製造方法。 （もっと読む）

【課題】帯電防止性および耐久性の良好な反射防止層を形成できる光学物品を提供する。
【解決手段】プラスチックレンズ基材１と、この基材１の上にハードコート層２を介して形成された透光性の反射防止層３とを有し、反射防止層３の１つの層３２の表面３３がシリサイド化されているレンズ１０を提供する。このレンズサンプルは、シート抵抗が従来のサンプルに比較し、３桁〜６桁（１０³〜１０⁶）程度小さくなり、光吸収損失の大幅な増加もなく、優れた耐薬品性および耐湿性を備えている。 （もっと読む）

【課題】抵抗率が１０ｍΩｃｍ以上である金属酸化物薄膜の製造方法を提供する。
【解決手段】抵抗率が１０ｍΩｃｍ以下である第１の金属酸化物薄膜１０１を、金属ターゲットを用いた反応性スパッタ法により形成する工程（Ａ）と、第１の金属酸化物薄膜１０１を形成後、金属酸化物薄膜の表面を酸化させることにより、第１の金属酸化物薄膜１０１上に、第２の金属酸化物薄膜１０２を形成する工程（Ｂ）と、工程（Ａ）及び工程（Ｂ）を繰り返すことで所望の膜厚を有する、第１の金属酸化物薄膜１０１と第２の金属酸化物薄膜１０２の積層膜１０３を形成する工程（Ｃ）と、積層膜１０３を熱処理することにより、抵抗率が１０ｍΩｃｍ以上である金属酸化物薄膜１０４を形成する工程（Ｄ）とを含む金属酸化物薄膜の製造方法である。 （もっと読む）

被覆工程（１１０）で、平面抵抗が＞１０Ｍオームであり、かつ平均反射率が＞５０％である金属層（１４）が基材（１２）上に施与され、それに引き続いてさらなる被覆工程（１４０）で所定の層厚を有するさらなる層（２４）が施与される、誘電性基材（１２）上に層システムを製造するための方法が企図されており、この際、さらなる層（２４）がさらなる被覆工程（１４０）で同じ層厚で基材（１２）上に施与された場合、さらなる層（２４）の平面抵抗は＜１Ｍオームであり、かつ金属層（１４）とさらなる層（２４）からの層システム（１０）の平面抵抗は＞１０Ｍオームである。本発明はさらに、被覆工程（１１０）で、平面抵抗が＞１０Ｍオームであり、かつ平均反射率が＞５０％である金属層（１４）が基材（１２）上に施与され、それに引き続いてさらなる被覆工程（１４０）で所定の層厚を有するさらなる層（２４）が施与されている層システムに関し、この際、さらなる層（２４）がさらなる被覆工程（１４０）で同じ層厚で基材（１２）上に施与された場合、さらなる層（２４）の平面抵抗は＜１Ｍオームであり、かつ金属層（１４）とさらなる層（２４）からの層システム（１０）の平面抵抗は＞１０Ｍオームである。加えて、本発明による層システムを有するケースも企図されている。
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【課題】４００℃まで加熱しても、非晶質状態を維持することができる新しい組成の透明酸化物半導体薄膜用組成物を提供する。
【解決手段】本発明による酸化物半導体薄膜用組成物は、アルミニウム含有酸化物、亜鉛含有酸化物及びスズ含有酸化物を含み、４００℃以下で非晶質状態である。前記組成物で形成された活性層を備えた電界効果トランジスタは、電気的特性の改善だけでなく、低温工程も可能であり、インジウムやガリウムのような高価の原料物質を使用しないので、経済的である。 （もっと読む）