【課題】 基体の急速加熱、ＣｄＳの成膜、ＣｄＴｅの成膜、ＣｄＣｌ_２処理お よびオーム接点形成を含むすべての工程を中程度の圧力で単独の真空境界内で実施する、ＣｄＴｅ光起電力モジュールを大規模インラインで製造するための装置およびプロセスを提供する。
【解決手段】 金属塩をＣｄＴｅ層上へ昇華することによってｐ＋オーム接点領域を形成する。低コスト噴霧プロセスによって背面電極を形成し、マスクを介して行なう研磨ブラスチングか機械的ブラッシングによってモジュールをスクライビングする。真空処理装置によって、基体および膜の加熱、蒸気漏出を極力抑制した、基体および膜の蒸気への暴露、基体上への薄膜の成膜、および薄膜の基体からの剥離が容易になる。基体搬送装置により、薄膜成膜時に基体を真空に出入りさせるのが容易になり、基体搬送装置自体に被覆が生じるのを防止する。 （もっと読む）

【課題】蒸発源で形成した超微粒子を効率的にノズルへと搬送することができる構造物形成装置を提供する。
【解決手段】金属材料またはセラミックス材料を含む蒸発源となるターゲット１０７と、前記ターゲット表面から放出粒子を放出させるためのレーザー光線１１２と、前記放出粒子にガスを導入するためのガス噴射手段と、前記ターゲットの前記表面近傍において、前記放出粒子と前記ガスとを混合し冷却して混合相を形成するナノ粒子発生室１０３と、室内を大気圧未満に減圧するための減圧手段１１７と、構造物形成用の基板１１５が配置される成膜室１０５と、前記混合相を前記基板に向けて噴射するノズル１０と、を備え、前記ナノ粒子発生室１０３と前記成膜室１０５との圧力差により、前記ナノ粒子を前記ノズル１０より前記基板１１５に向けて高速で噴射して前記基板１１５上に構造物を形成する構造物形成装置。 （もっと読む）

【課題】 有機発光装置などの薄膜をマスク蒸着で形成するにあたって、大判の膜厚を均一に保ちながら、画素のパターニングが精度良くできる蒸着装置を提供する。
【解決手段】 大判の膜厚を均一にするために、材料の蒸気を放出する放出口を複数備えた蒸着装置を用いる。この際、蒸着源からの輻射熱を受けて、基板およびマスクが熱膨張により伸びてアライメント位置からずれることを防ぐため、遮熱部材を配置する。このとき、遮熱部材が材料の流れを阻害しないよう、遮熱部材の開口が対応する放出口が熱膨張により水平方向に変動する範囲を含むよう設定する。 （もっと読む）

【課題】有機ＥＬ装置の有機発光層をマスク蒸着法で形成する際に、蒸着マスクに含まれるパターン形成層の厚さが厚い場合、蒸着マスクの影となる領域の蒸着層厚が薄くなり、均一な発光が得られなくなる。パターン形成層を薄くすると、パターン形成層の製造工程に含まれるパターン形成層の剥離工程で受ける応力により、蒸着マスクが破壊されてしまうという課題がある。
【解決手段】基板の表面側にＤＬＣを用いたエッチングマスク層４０２を形成して後、スパッタ法とフォトリソグラフ・エッチングを用いてめっき用の下地層４０４を形成し、めっき法を用いてＮｉとＣｏの合金を含むパターン形成層４０５を形成する。この製造工程を用いることでパターン形成層の製造工程中に、パターン形成層の剥離工程を行う必要がなくなるため、数μｍ程度の厚さを有するパターン形成層４０５を形成することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】マスク蒸着を行うと、蒸着マスクと接触する位置に配置されている有機機能層や共通電極層が蒸着マスクと接触した時に有機機能層や共通電極層に切り立った形状の浮きが発生する。この上に窒化酸化シリコン層を用いた封止層を形成すると、応力がここに集中し、封止層に亀裂が入るため水分や酸素が浸入し、腐蝕が生じるという課題がある。
【解決手段】隔壁１０６上に突起部１０９を配置する。切り立った形状は突起部１０９上に選択的に発生する。この領域上にアルミニウムを用いた緩衝層１１０Ａを配置する。アルミニウムは塑性変形能が高いため損傷が伝播されず、緩衝層１１０Ａに加えられた応力を緩衝層１１０Ａの変形吸収により緩和できるため、損傷の伝播による封止層１１２への破断が抑制される。 （もっと読む）

本発明は蒸着物質供給装置およびこれを備えた基板処理装置に係り、さらに詳しくは、有機物質が大容量で充填されて変質なしに保管されると共に、所望の量だけ有機物質を気化させて基板に供給することのできる蒸着物質供給装置およびこれを備えた基板処理装置に関する。
本発明に係る蒸着物質供給装置は、内部に原料物質が充填される貯留空間および原料物質が気化される気化空間が連通状に形成される坩堝と、前記坩堝に充填された原料物質を貯留空間から気化空間に連続的に又は周期的に搬送する搬送ユニットと、前記坩堝に形成される気化空間の外側に配設されて原料物質を気化させる熱を供給する発熱ユニットと、を備える。また、本発明に係る蒸着物質供給装置は、前記坩堝に形成される貯留空間の外側に配設されて前記貯留空間に貯留された原料物質の熱変質を防止する冷却ユニットをさらに備える。 （もっと読む）

【課題】磁性材料を含むマスクを基板を介して磁気吸引することにより前記マスクと前記基板を保持するキャリヤの状態をより確実に制御する。
【解決手段】基板保持装置５００は、キャリヤ４１０と、前記キャリヤ４１０を制御する制御部４２０とを備える。前記キャリヤ４１０は、永電磁石１０１と第１接点１２０ａとを含む。前記永電磁石１０１の極性可変磁石の極性を制御することによって、前記マスク２００および前記基板３００を保持する第１状態と、保持しない第２状態とのいずれかに設定される。前記制御部４２０は、前記第１接点１２０ａと前記第１接点１２０ａに接触して永電磁石１０１のコイルに電流を供給するための第２接点１２１ａとの接触状態を検知する検知部と、前記第１接点１２０ａと前記第２接点１２１ａとを介して前記コイルに電流を供給する電流供給部１５１とを含む。 （もっと読む）

【課題】膜厚が均一で付着強度の高いアナターゼ型酸化チタン薄膜を提供する。
【解決手段】成膜対象物１１表面にスパッタリングによりルチル型酸化チタン薄膜１２’を形成し、この表面にレーザー光線８８を照射すると、ルチル型酸化チタン薄膜１２’はルチル型からアナターゼ型に変換されるので、光触媒活性の高い、アナターゼ型酸化チタン薄膜１３を得ることができる。また、反射手段８５と配置手段５２を移動させ、ルチル型酸化チタン薄膜１２’表面のレーザー光線８８の照射位置を移動させると、ルチル型酸化チタン薄膜１２’全体をアナターゼ型に変換することができる。 （もっと読む）

一つの例の実施形態において、半導体性のカルコゲニドのフィルムを堆積させるためのスパッターのターゲットの構造は、記載される。スパッターのターゲットは、少なくともおおよそ２Ｎ７のカルコゲニドの合金の純度、個々に酸素（Ｏ）、窒素（Ｎ）、及び水素（Ｈ）について５００ｐｐｍと比べてより少ない気体の不純物、並びに、５００ｐｐｍと比べてより少ない炭素（Ｃ）の不純物を有する少なくとも一つのカルコゲニドの合金を備えるターゲットの本体を含む。特定の実施形態において、少なくとも一つのカルコゲニドの合金のカルコゲニドは、ターゲットの本体の組成物の少なくとも２０原子パーセントを備えると共に、カルコゲニドの合金は、カルコゲニドの合金についての理論的な密度の少なくとも９５％の密度を有する。
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本発明は、反転して増大する有機感光性光電子デバイスに関する。本発明の反転型有機感光性光電子デバイスは、反射電極、前記反射電極の上の有機ドナー−アクセプターヘテロ接合、および前記ドナー−アクセプターヘテロ接合上の透明電極を含む。 （もっと読む）

【課題】Ａｇ膜の凝集が生じ難い照明用、ミラー用またはディスプレイパネル用の反射体を提供する。
【解決手段】本発明に係る照明用、ミラー用またはディスプレイパネル用の反射体は、基板の一方の面に純ＡｇまたはＡｇ基合金の反射膜を有する反射体であって、上記基板は、ＪＩＳ Ｋ７２０９（Ａ法）に基づき、２３℃の純水に２４時間浸漬したときの吸水率が０．１％未満の樹脂で構成されている。 （もっと読む）

【要 約】
【課題】圧電体から成る基板の真空処理方法を提供する。
【解決手段】圧電体から成る処理基板１５を本プロセスであるプラズマ処理時に真空処理装置１内で吸着装置３０が吸着する前に、前プロセスとして処理プラズマの下で処理基板１５の表面の帯電電圧の極性と大きさを測定する。本プロセスの時に、前プロセスで測定した処理基板１５表面の電圧が１ｋＶ以上の場合、電極１１１、１１２にゼロＶを印加し、１ｋＶ未満の場合、電極１１１、１１２に、前プロセスで測定した処理基板１５表面の帯電電圧の極性と逆の極性の電圧を印加して処理基板１５を吸着する。処理基板１５が吸着装置３０の表面よりも大きい場合、裏面全体に金属薄膜を成膜し、熱伝導により降温させる。また、処理基板１５外側の上方に保護リング１８を配置して、プラズマから処理基板１５への熱の流入を防ぎ、処理基板１５の割れを防止する。 （もっと読む）

分散した金属原子を含む酸化セリウムの膜を形成するために、酸化セリウム及び金属物質は、共に、アルゴン大気下で少なくとも一つのターゲットから基板にスパッタされることを特徴とし、酸化セリウム及び、金、白金、パラジウム、スズ、ルテニウムまたはニッケルからなる群より選出される金属を有する酸化触媒を、酸化セリウム及び金属をターゲットから基板までスパッタリングすることによって、調製する方法。特定のＡｕ−ＣｅＯ_２及びＰｔ−ＣｅＯ_２触媒はこの方法を使用することにより調製される。 （もっと読む）

【課題】サセプタに付着する膜の密着性を上げることで、発塵を防ぐ表面処理方法を提供する。
【解決手段】表面処理方法は、ＳｉＯ₂あるいはＳｉＣを用いて、ＳｉＯ₂を主成分とするサセプタの表面をブラスト処理する工程（Ｈ）と、そのサセプタ表面をエッチングする工程（Ｉ）とを備える。サセプタは、サセプタ本体と、サセプタ本体の上に設けられ、基板よりも一回り小さいサイズで形成され、サセプタの一部分として、基板を下から支える段差部とを備え、マスキングする工程において、段差部がマスキングされ、基板の端部とサセプタ本体との間の導通が防止され得ることが望ましい。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い基板の成膜方法、および圧電振動子の製造方法を提供する。
【解決手段】圧電振動子の製造方法であって、少なくとも、圧電基板の被成膜領域を所定範囲で分割した開口を有するマスクに圧電基板を保持する工程と、蒸着法またはスパッタリング法により前記開口を通して前記圧電基板表面に薄膜を形成する工程と、前記薄膜上にレジスト膜を形成し、該レジスト膜を圧電振動子の形状にパターニングする工程と、圧電振動子の形状にパターニングされた前記レジスト膜をマスクとして露出した薄膜を除去する工程と、前記薄膜をマスクとして前記圧電基板をエッチングする工程と、を有する圧電振動子の製造方法とする。 （もっと読む）

【課題】同一の成形用金型を用いて多数の成形樹脂を製造することが可能な生産性に優れた成形樹脂の製造方法、及び同一のスタンパを用いて、多数の光情報記録媒体を製造することができる生産性に優れた光情報記録媒体の製造方法を提供する。
【解決手段】光硬化性転写シートの光硬化性転写層を、記録ピット及び／又はグルーブとしての微細凹凸に沿って反射層が設けられた基板の該反射層上に載置し、これらを押圧する工程、光硬化性転写層の他方の表面に、記録ピット及び／又はグルーブとしての微細凹凸表面に光触媒物質の薄層が形成されたスタンパを載置し、これらを押圧する工程及び該スタンパを有する光硬化性転写層を紫外線照射により硬化させ、次いでスタンパを除去することにより、光硬化性転写層の表面に微細凹凸を設ける工程を含む光情報記録媒体の製造方法、これに使用されるスタンパ表面に光触媒物質の薄層が形成された成形金型を用いる成型方法。 （もっと読む）

【課題】 インライン方式でも使用することができ、更に、熱伝導ガスを用いずに比較的小さい押し付け力、例えば、基板の自重程度の押し付け力で基板と基台間の接触熱抵抗を下げること。
【解決手段】 基板保持装置は、基台と、基台の第一の面に載置される粘着性のある熱伝導シートと、熱伝導シートのプラズマに晒される部分を覆うフィルムと、熱伝導シートの基台と反対側の面に配置された基板を熱伝導シートに押し付ける機構と有する。 （もっと読む）

【課題】従来よりも高いＭＲ比を持った磁気抵抗素子の製造方法を提供する。
【解決手段】基板の上に、スパッタリング法を用いて、磁化固定層、磁化自由層及びトンネルバリア層を成膜する工程において、磁化固定層成膜工程は、Ｃｏ原子、Ｆｅ原子及びＢ原子を含有する第１ターゲットと、Ｃｏ原子及びＦｅ原子を含有し、該第１ターゲット中のＢ原子含有量と相違する含有量の第２ターゲットと、を用いたコ−スパッタリング法により、Ｃｏ原子、Ｆｅ原子及びＢ原子を含有する強磁性体層を成膜する
ことを特徴とする磁気抵抗素子の製造法。 （もっと読む）

【課題】真空成膜用マスク治具を、表面が侵食されにくく、かつ変形もせず、クリーニングによって繰り返し使用可能なものとする。
【解決手段】被成膜物質に対して真空成膜する際に成膜面の前面に配置される真空成膜用マスク治具であって、この真空成膜用マスク治具がＦｅ₃Ｏ₄主体の鉄系酸化物被膜で覆われたフェライト系ステンレスからなり、このフェライト系ステンレスがその標準含有元素であるＣｒよりも強還元性元素である３族元素、４族元素、５族元素、Ａｌ、Ｓｉ、Ｐのうち少なくとも１つを０．１ｍｏｌ％以上含むものとする。 （もっと読む）

【課題】真空成膜用マスク治具を、表面が侵食されにくく、かつ変形もせず、クリーニングによって繰り返し使用可能なものとする。
【解決手段】被成膜物質に対して真空成膜する際に成膜面の前面に配置される真空成膜用マスク治具であって、この真空成膜用マスク治具がＦｅ₃Ｏ₄主体の鉄系酸化物被膜で覆われたフェライト系ステンレスからなるものとする。 （もっと読む）