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【課題】 ターゲットの大型化に伴い、ターゲットに大電力が投入されてもスプラッシュを抑制することができると共に、耐食性および耐熱性に優れ、低電気抵抗の膜を形成可能な導電性膜形成用銀合金スパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供すること。
【解決手段】 導電性膜形成用銀合金スパッタリングターゲットが、In:0.1〜1.5質量%を含有し、さらにCu,Mgの内の1種または2種を合計で0.1〜1.0質量%を含有し、残部がAgおよび不可避不純物からなる成分組成を有した銀合金で構成され、銀合金の結晶粒の平均粒径が120〜250μmであり、結晶粒の粒径のばらつきが、平均粒径の20%以下である。 (もっと読む)


【課題】
本発明は、材料の損出の少なくできる、あるいは安定した蒸着の妨げとなる内圧の変化を防ぐ蒸発源を提供することである。また、前記蒸発源に適した有機ELデバイス製造装置及び有機ELデバイス製造方法を提供することである。
【解決手段】
本発明は、内部に蒸着材料を内在する坩堝と、前記蒸着材料を加熱し蒸発・昇華させる加熱手段と、前記蒸発・昇華した前記蒸着材料を噴射する蒸着物噴射口をライン状に複数並ぶ蒸着物噴射口部を有する蒸発源において、前記蒸着物噴射口部を複数設け、各前記蒸着物噴射口部毎に開閉する開閉手段を有することを第1の特徴とする。また、本発明は、複数ある前記蒸着物噴射口部のうち少なくとも一つの前記蒸着物噴射口部を開き、そのときに他の前記蒸着物噴射口部の全ての前記蒸着物噴射口部を閉じるように前記開閉手段を制御する制御手段を有することを第2の特徴とする。 (もっと読む)


【課題】 積層数が少なくてもガスバリア性に優れ、かつ、高い透明性を有する透明ガスバリアフィルムおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】 樹脂基板上にガスバリア性を有する透明ガスバリア層が形成された透明ガスバリアフィルムであって、前記透明ガスバリア層が、第1の無機層と第2の無機層とを積層した積層体であり、前記第1の無機層が、金属および半金属から選択される少なくとも1種と、窒素とを含む層であり、前記第2の無機層が、炭化金属および炭化半金属から選択される少なくとも1種の炭化物を含むターゲットを用いたスパッタリング法により形成され、かつ、金属および半金属の少なくとも一方と、炭素と、水素とを含む層であることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】簡便な工程でありながら、1バッチで粉体に対してクラスタを均一に堆積させることが可能な粉体に対するクラスタ堆積方法を提供すること。
【解決手段】ターゲット材料からクラスタCを生成する工程と、
クラスタCの中から質量フィルタによりクラスタサイズを基準として堆積用のクラスタを選別する工程と、
担体粒子Pからなる粉体と液体との混合物を真空中に噴出させる工程と、
真空中に噴出された前記混合物中の担体粒子Pに、前記堆積用のクラスタを接触させることにより、担体粒子Pの表面上にクラスタCを堆積させる工程と、
を含むことを特徴とする粉体に対するクラスタ堆積方法。 (もっと読む)


【課題】 積層数が少なくてもガスバリア性に優れ、かつ、高い透明性を有する透明ガスバリアフィルムおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】 樹脂基板上にガスバリア性を有する透明ガスバリア層が形成された透明ガスバリアフィルムであって、前記透明ガスバリア層が、亜酸化物無機層と炭素含有無機層とを含む積層体であり、前記樹脂基板上に、前記亜酸化物無機層と前記炭素含有無機層とがこの順に積層されており、前記炭素含有無機層が、炭化金属および炭化半金属から選択される少なくとも1種の炭化物を含むターゲットを用いたスパッタリング法により形成され、かつ、金属および半金属の少なくとも一方と、炭素と、窒素とを含む層であることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】ステンレス鋼板の表面に微細な粗面化テクスチャーを均一に形成させる技術であって、特に薄膜Si太陽電池の基板に好適な技術を提供する。
【解決手段】フェライト系ステンレス鋼板を、pHが11.0以上の水溶液中で−0.5〜−2.2Vvs.SCEの電位で陰極電解することにより、不動態皮膜の膜厚を4.0nm以下とする工程(陰極電解工程)、
前記陰極電解工程を終えた鋼板を、FeCl3濃度2〜50質量%、HCl濃度0.1〜20質量%の塩化第二鉄+塩酸混合水溶液中に浸漬することにより表面にピットを発生させ、表面に占めるピット発生部分の投影面積の割合(ピット占有面積率)を40%以上、かつ平均面粗さSPaを0.05〜0.30μm未満とする工程(エッチング工程)、
を有する微細粗面化ステンレス鋼板の製造法。 (もっと読む)


【課題】Ga濃度が高いにもかかわらず、加工処理を容易に行うことができるCu−Ga合金材およびその製造方法を提供する。
【解決手段】Cu−Ga合金材の製造方法は、銅(Cu)及びガリウム(Ga)を溶解し、Cu−Ga合金を鋳造する溶解鋳造工程と、溶解鋳造工程で得られたCu−Ga合金を相変態温度の直下の温度に昇温させる昇温工程と、昇温工程がなされたCu−Ga合金を、所定の時間、昇温させた温度から所定の範囲内の温度に保持する温度保持工程と、温度保持工程がなされたCu−Ga合金を冷却する冷却工程と、を含む。 (もっと読む)


【課題】薄膜材料の利用効率が高く、かつ大面積の基板に均一な厚みの薄膜を成膜できる真空蒸着装置及び薄膜の形成方法を提供する。
【解決手段】
薄膜材料の蒸気を生成する蒸発源31〜36と、成膜対象物51が配置される真空槽11と、真空槽11内を真空排気する真空排気装置12と、蒸発源31〜36から蒸気が供給され、真空槽11内に蒸気を放出させる放出装置21とを有し、放出装置21を移動させながら成膜対象物51に蒸気を到達させ、成膜対象物51の表面に薄膜を形成する真空蒸着装置10aであって、蒸発源31〜36を放出装置21と一緒に移動させる移動装置15を有する真空蒸着装置10aである。 (もっと読む)


【課題】簡単な構成で蒸着物質の収率を向上できる蒸着装置を提供すること。
【解決手段】
プラスチックレンズ上に蒸着物質を蒸着する蒸着装置であって、上面に開口した凹部912を備える筐体と、凹部912に設けられた蒸着源92と、筐体の上面911A,913Aに接触するとともに、スライド可能に取り付けられ、かつ蒸着源92を覆う補正板93とを、備え、筐体は、蒸着源92とともに補正板93を加熱するハロゲンランプ94を内部に設けられたことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】湿った環境で安定で且つ高い誘電定数及び高い破壊強さを有するポリマー材料を含む構造体の提供。
【解決手段】フィルム40及びフィルム40を含む物品60であり、フィルム40は第1の層42、第2の層44及び第3の層46を含む。第1の層42はポリマー誘電材料を含む。第2の層44は第1の層42の少なくとも1つの表面48、50上に配置され、無機酸化物誘電材料を含む。第3の層46は第1の層42又は第2の層44上に配置され、窒化物又はオキシ窒化物材料を含む。 (もっと読む)


【課題】製膜処理のタクトタイムが短い場合であっても、アンロード室で基板の温度分布が少ない状態とし、基板のそり変形や破損を抑制することができる基板冷却方法、基板冷却装置および製膜装置を提供することを目的とする。
【解決手段】減圧環境下において高温条件で表面に製膜処理が施された基板7を、減圧環境下でアンロード室に受け入れて、基板7の少なくとも一方の面側から、基板7の中央部に冷媒を噴き付けて基板7の冷却を行う第1基板冷却工程と、該第1基板冷却工程を経た基板7をアンロード室から搬出した後に、基板7の一方の面の反対側から、第1基板冷却工程で冷媒を噴き付けた領域の縁から所定距離内側に冷媒を噴き付けて、あるいは、第1基板冷却工程で冷媒を噴き付けた領域の縁から所定距離外側に冷媒を噴き付けて基板の冷却を行いながら基板の面内温度分布を補正する第2基板冷却工程と、を備える基板冷却方法。 (もっと読む)


【課題】膜厚の面内ばらつきを抑制でき、圧電特性に優れ、高品質な圧電膜付き基板、圧電膜付き基板の製造方法、及び成膜装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る圧電膜付き基板10は、平面視にて円形を有し、直径が4インチ以上の基板3と、前記基板3上に設けられた下地層と、前記下地層上に設けられたニオブ酸化物系ペロブスカイト構造を有する圧電材料を用いて構成される圧電膜1とを備え、前記圧電膜1が、0.3μm以上10μm以下の厚さを有し、前記圧電膜1の面内における前記圧電膜1の膜厚の標準偏差と前記膜厚の平均値とが、標準偏差/平均値≦0.03の関係式を満たす。 (もっと読む)


【課題】金属化フィルムの破損することなく製造する。
【解決手段】帯状のプラスチックのフィルム12と、帯状の支持板16を貼り合わせ、貼り合わせた状態で、差圧シール機構30を介し、蒸着室36に導入する。蒸着室36内でフィルム12に金属膜を蒸着し、金属膜が蒸着された金属化フィルム44と支持板16が貼り付けられた状態で、差圧シール機構30を介し、蒸着室36から排出する。その後、支持板16を金属化フィルムから剥離する。 (もっと読む)


【課題】PZT圧電体層をアーク放電イオンプレーティング(ADRIP)法によって形成する前に真空雰囲気下でウェハを加熱した場合、PZT圧電体層の絶縁破壊電圧が小さく、この結果、印加電圧を大きくできず、圧電アクチュエータの信頼性が低かった。
【解決手段】単結晶シリコン基板を熱酸化して酸化シリコン層を形成し、酸化シリコン層上にスパッタリング法によってTi密着層を形成し、引き続いて、Ti密着層上にスパッタリング法によってPt下部電極層を形成する。次に、ADRIP装置において、ADRIP本処理の前処理として酸素雰囲気において約500℃までウェハを加熱する。引き続き、同一ADRIP装置において、Pb蒸発源のPb蒸発量、Zr蒸発源のZr蒸発量及びTi蒸発源のTi蒸発量を制御してPbZrxTi1-xO3の組成比Pb/(Zr+Ti)が1.2以下となるようにする。最後に、PZT圧電体層上にスパッタリング法によってPt上部電極層を形成する。 (もっと読む)


【課題】長尺樹脂フィルムの取り付けおよび取り出しを効率よく行えるロール・トゥ・ロール方式真空両面成膜装置を提供する。
【解決手段】巻出しロール室内の巻出しロールから巻き出された長尺樹脂フィルムをロール・トゥ・ロール方式により搬送し、巻取りロール室内の巻取りロールに巻き取ると共に、成膜室の長尺樹脂フィルムの搬送路上の前記成膜室には、真空成膜手段に対向しかつ内部に冷媒が循環する2つ以上のキャンロールを備えるロール・トゥ・ロール方式真空両面成膜装置が、前記巻出し室と前記巻取り室が、前記成膜室の一方の側の外壁にのみ配されることと、且つ成膜室の鉛直方向では前記巻出し室が前記巻取り室の上若しくは下に配されていることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】安定した膜質で薄膜を形成し得るバイアススパッタリング方法及びそれを利用した弾性波装置の製造方法を提供する。
【解決手段】供給された電力の総和である積算電力の異なる複数種類のターゲット12a〜12cを用いてバイアススパッタリングすることにより薄膜を形成する。 (もっと読む)


【課題】 処理装置等に用いるキャンロールにおいて、その外周面と長尺樹脂フィルム基板との間に形成されるギャップ部にガスを導入する際に、ギャップ部のギャップ間隔をほぼ一定にして、フィルムのシワ発生を防止することができるキャンロールを提供する。
【解決手段】 周方向に沿って略均等な間隔をあけ且つ全周に亘り回転軸方向に沿って配設された複数のガス導入路11を有し、各ガス導入路11はキャンロール10の回転軸方向に沿って略均等な間隔で外周面10a側に開口する複数のガス放出孔12を有すると共に、外径が回転軸方向の中央部で最も長く且つ中央部から両端部に向けて次第に短くなるクラウン形状の外周面10aを備えている。 (もっと読む)


【課題】帯状の基板を搬送しつつ連続的に基板表面の酸化処理と薄膜形成を行なうにあたって、差圧構造を設けることなく、単一の真空容器内で両処理を安定して実施できる生産性に優れた薄膜製造装置及び薄膜製造方法を提供する。
【解決手段】真空中で、帯状の基板の表面上に、薄膜を形成する薄膜製造装置が、基板4を搬送する搬送機構と、搬送機構によって保持されている基板の表面上に、第一薄膜形成領域15a内で薄膜を形成するための薄膜形成手段であって、第一薄膜形成領域と対向して配置され蒸着原料を収容する蒸着源3aを含む薄膜形成手段と、基板の搬送経路において第一薄膜形成領域15aより前に配置され、基板の表面に向けてオゾン含有ガスを供給する第一ガスノズル17aと、搬送機構と、薄膜形成手段と、第一ガスノズルとを収容する真空容器と、を有する。 (もっと読む)


【課題】通過型であるインライン型のスパッタリング等の真空処理装置において、連続する基板に成膜する際に隣り合う基板間(先行する基板とその後方の基板の間)の距離はコンダクタンスに影響し、処理チャンバ内のガス圧に影響するため、隣り合う基板間の距離が均一になるような機構を具備し、その制御を可能にする真空処理装置を提供することにある。
【解決手段】真空処理装置は、減圧が可能な処理チャンバと、処理チャンバ内に設けられ複数の基板を搬送させる搬送手段と、処理チャンバ内で基板を処理するためのガスを導入するガス導入手段と、搬送手段上に載置された基板を処理するための基板処理手段と、複数の基板のうち、隣り合った基板の基板間隔を検知する検知手段と、検知手段で検知した基板間隔に基づいて、ガス導入手段によって導入するガスの導入量を制御する制御手段と、を有することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】光学的検知装置の測定光路の光路長を十分に確保することで、材料ガス濃度の測定を高精度で行うことが可能であり、さらにバックグラウンド測定を簡易に実施することができ、かつ材料ガスが複数種のガスの混合ガスである場合に各材料ガスの個別の濃度を測定することが可能となる成膜装置を提供する。
【解決手段】基板に薄膜を成膜させる成膜装置であって、キャリアガスおよび材料ガスを供給する減圧自在な1または複数の材料供給部と、前記基板の上面に材料ガスを噴射させる蒸着ヘッドと、を備え、前記材料供給部と前記蒸着ヘッドは、複数の異なる供給路を介して連通し、前記複数の供給路の1つには材料ガス濃度を測定する光学的検知装置の測定光路が設けられている、成膜装置が提供される。 (もっと読む)


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