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Fターム[4K029BD00]の内容

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【課題】作製時の技術閾値が低く、アンテナの電波特性を良好に保ちつつ、耐環境性能にも優れる平面アンテナ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の平面アンテナは、誘電体で構成される基板1と、基板1上に形成された所定のパターンと、上記所定のパターン以外の基板1の表面を被覆する導体膜2と、保護膜6とを備える平面アンテナ100であって、上記所定のパターンは、放射用スロットパターン3を含み、放射用スロットパターン3は、基板1の一方の主面に形成され、保護膜6は、放射用スロットパターン3、放射用スロットパターン3が形成された基板1の一方の主面を被覆する導体膜2、及び基板1の側面を被覆する導体膜2のそれぞれの上に形成されており、保護膜6は、膜厚が1〜200nmである。また、本発明の平面アンテナの製造方法は、スパッタリング法で導体膜2を形成する工程と、スパッタリング法で保護膜6を形成する工程とを含む。 (もっと読む)


【課題】異常放電の発生を良好に抑制することの可能なインジウムターゲット及びその製造方法を提供する。
【解決手段】インジウムターゲットは、ターゲット表面の算術平均粗さ(Ra)が1.6μm以下である。 (もっと読む)


【課題】 低抵抗で高透過性の透明導電膜積層体及びその製造方法、並びに薄膜太陽電池及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 透明導電膜(I)上に、透明導電膜(II)が積層された透明導電膜積層体において、透明導電膜(I)は、アルミニウム及びガリウムから選ばれる1種以上の添加元素を含み、添加元素の含有量が、−2.18×[Al]+1.74≦[Ga]≦−1.92×[Al]+6.10で示される範囲内である。透明導電膜(II)は、アルミニウム及びガリウムから選ばれる1種以上の添加元素を含み、添加元素の含有量が、−[Al]+0.30≦[Ga]≦−2.68×[Al]+1.74で示される範囲内である。但し、[Al]は、Al/(Zn+Al)の原子数比(%)で表したアルミニウム含有量であり、一方、[Ga]は、Ga/(Zn+Ga)の原子数比(%)で表したガリウム含有量である。 (もっと読む)


【課題】 本発明は、EL材料の利用効率を高め、且つ、EL層成膜の均一性やスループ
ットの優れた成膜装置の一つである蒸着装置及び蒸着方法を提供するものである。
【解決手段】
本発明は、蒸着室内において、蒸着材料が封入された容器を複数個設置した細長い矩形形
状の蒸着源ホルダ17に設け、基板13に対してあるピッチで移動しながら蒸着を行うこ
とを特徴とする。また、基板の一辺に対して矩形形状の蒸着ホルダの長手方向を斜めにし
たまま移動させてもよい。また、TFT作製時におけるレーザー光の走査方向に対して、
蒸着時における蒸着ホルダの移動方向を異ならせることが好ましい。 (もっと読む)


【課題】高い圧電性能と良好な表面モフォロジを有する圧電体膜とその製造方法、圧電素子および液体吐出装置を提供する。
【解決手段】下記式(P)で表されるペロブスカイト型酸化物からなり、0.090≦b≦0.25を満たし、Bサイト中のNb比率が、0.13≦a×(1−b)を満たすことを特徴とする圧電体膜とその製造方法である。また、この圧電体膜を用いた圧電素子および液体吐出装置である。
Pb1+δ(ZrTi1−a(MgNb1−b ・・・(P)
(なお、δ=0、z=3が望ましいが、ペロブスカイト構造をとり得る範囲内で変更可能である。また、Pbに変えてペロブスカイト構造をとり得る範囲の量で他のAサイト元素に置換することも可能である。) (もっと読む)


【課題】プレス成形において、曇りのない光学素子を得ることができ、歩留まりの向上、生産性の向上に寄与する光学素子の成形方法を提供する。
【解決手段】光学素子の成形面とされた一対の上型2及び下型3の成形面に、耐熱性及び易酸化性を有する保護膜6が形成された光学素子用成形型に、ビスマス系のガラス素材を収容し、光学素子用成形型を加熱してガラス素材を軟化させる加熱工程と、軟化したガラス素材を、プレス手段を用いて光学素子用成形型により加圧して光学素子形状を付与するプレス工程と、プレス工程後、光学素子用成形型を冷却し、光学素子形状を付与したガラス素材を固化させる冷却工程と、を有する光学素子の成形方法。 (もっと読む)


【課題】圧電体薄膜を短時間で微細加工することができるとともに、選択的に加工を停止させることができる圧電体薄膜ウェハの製造方法、圧電体薄膜素子、及び圧電体薄膜デバイスを提供する。
【解決手段】基板2上に圧電体薄膜4を備えた圧電体薄膜ウェハ1は、Arを含むガスを用いてイオンエッチングを行う第1の加工工程と、反応性ガスとArとを混合した混合エッチングガスを用いて反応性イオンエッチングを行う第2の加工工程とにより製造される。圧電体薄膜4だけを短時間でエッチングすることが可能である。 (もっと読む)


【課題】蒸着工程中に基板と薄膜蒸着装置との精密なアラインが可能である薄膜蒸着装置及びこれを利用した有機発光表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】蒸着源110の一側に配され、第1方向Yに沿って複数個の蒸着源ノズル121が形成された蒸着源ノズル部120と、蒸着源ノズル部120と対向し第2方向Xに沿って複数個のパターニング・スリット151が形成されるパターニング・スリットシート150と、を具備し、該基板が、第1方向Yに沿って移動しつつ蒸着が行われ、該パターニング・スリットシート150は、第1アラインマーク152及び第2アラインマーク153を含み、該基板は、第1アラインパターン502及び第2アラインパターン503を含み、これらを撮影する第1カメラアセンブリ161及び第2カメラアセンブリ162と、をさらに具備する薄膜蒸着装置。 (もっと読む)


【課題】蒸着時の蒸着対象物の温度を正確かつ精密に取得することのできる蒸着温度計測装置、及びこれを用いた蒸着装置を提供することを目的とする。
【解決手段】受熱量に応じた検出信号を出力する温感素子と、温感素子からの出力信号を記録する記憶部と、を含む電子温度センサと、蒸着面に貫通孔の設けられた基板と、を備え、基板の貫通孔内に電子温度センサを配設した蒸着温度計測装置とする。また、この蒸着温度計測装置をコートドームに配設した蒸着装置とする。 (もっと読む)


【課題】膜厚モニターの示す蒸着材料の蒸着レート指示値から算出される蒸着膜厚と、基板上への蒸着膜厚との差異を小さくする真空蒸着方法を提供する。
【解決手段】蒸着材料21の蒸気を発生させる蒸着源20と、蒸着材料21の蒸着レートをモニターして蒸着源20の制御を行う膜厚センサーと、を有し、前記膜厚センサーが、少なくとも第1の膜厚センサー31と、第2の膜厚センサー32と、からなる真空蒸着装置1を用いて、被蒸着部材(基板50)に蒸着材料21の蒸着膜を形成する真空蒸着方法であって、第1の膜厚センサー31による蒸着源20の制御中において第2の膜厚センサー32に蒸着膜を付着させた後に、第1の膜厚センサー31から第2の膜厚センサー32に切り替えて蒸着源20の制御を行うことを特徴とする、真空蒸着方法。 (もっと読む)


【課題】結晶性に優れたIII族窒化物の受光層を形成することのできる半導体積層構造、及びこれを用いた紫外線センサーを提供する。
【解決手段】所定の基材3上において、III族窒化物下地層4と、少なくともGaを含むIII族窒化物層5とを順次に積層し、その上にInおよびAl、あるいは一方を含むIII族窒化物からなるAlyInxGa1-x-yN受光層6を設けた半導体積層構造1、及びこれを用いて表面にショットキー電極7s、およびオーミック電極7oを形成させて紫外線センサー2を作製する。 (もっと読む)


【課題】少ない担持量でかつ同等の性能が得られ、付着した白金が殆ど離脱することがない燃料電池用電極を製造することができる燃料電池用電極製造装置およびその方法を提供する。
【解決手段】真空チャンバ2と、蒸着材料11の金属からなるカソード電極、トリガ電極13、アノード電極23、トリガ電源31、およびアークプラズマ発生用の並列に設けられたアーク電源32とコンデンサ33を備えた同軸型真空アーク蒸発源5と、前記同軸型真空アーク蒸発源5と対向して配置され、被蒸着体7である粉体状担体を収容する容器73と、前記容器73内で前記粉体状担体を攪拌する攪拌手段3と、前記攪拌手段3による攪拌過程で生じた前記粉体状担体の塊を粉砕するために、前記容器内の底面を叩く粉砕手段85とを有し、前記粉体状担体に前記金属を蒸着させて燃料電池用電極を製造する燃料電池用電極製造装置1及びその方法。 (もっと読む)


【課題】膜中の鉛量を低減することで、高湿中の駆動耐久性を得ることができる圧電体膜、圧電素子および液体吐出装置を提供する。
【解決手段】多数の柱状結晶からなる柱状結晶構造を有し、下記式(P)で表されるペロブスカイト型酸化物を主成分とすることを特徴とする圧電体膜。
Pb[(ZrTi1−c1−d]O・・・(P)
(式中Pb、AはAサイト元素であり、Zr、TiおよびBはBサイト元素である。a:鉛量、b:Aサイトドープ量、c:Zr/Ti比、d:Bサイトドープ量、e:酸素量であり、a<1、a+b>1、0<d<bである。e=3が標準であるが、ペロブスカイト構造を取り得る範囲内で基準値からずれてもよい。) (もっと読む)


【課題】安全に製造することが可能なIn−Se合金粉末、In−Se合金焼結体、Ga−Se合金粉末、Ga−Se合金焼結体、In−Ga−Se合金粉末、In−Ga−Se合金焼結体、Cu−In−Ga−Se合金粉末及びCu−In−Ga−Se合金焼結体の製造方法を提供すること
【解決手段】本発明のIn−Se合金粉末の製造方法は、In粉末とSe粉末を混合してIn及びSe混合粉末を作製する。In及びSe混合粉末は、In及びSeの融点以上に加熱された加熱部に逐次的に投入される。
In及びSe混合粉末は、加熱部に逐次的に投入されるため、その部分に含まれるInとSeの合金化反応により発生した熱は次のIn及びSe混合粉末が投入されるまでに放熱される。したがって、InとSeの合金化反応に伴なう熱が爆発的に発生することが防止され、安全にIn−Se合金粉末を製造することが可能となる。 (もっと読む)


【課題】電磁波(フォトン)と表面プラズモンおよび表面マグノンとの間でのエネルギ交換を効率よく、かつ高い頻度で行うことができ、表面プラズモン共振や表面マグノン共振によって吸収、蓄積されるフォトンのエネルギを多くすることができるナノドットを有する構造体を提供する。
【解決手段】支持体10と、支持体10の上に形成された、複数の導電性セラミクスの単結晶22が集合してなる導電性セラミクス層20とを有し、導電性セラミクス層20の表面には、導電性セラミクスの単結晶22の一部からなり、高さ方向に直交する断面の面積が底部から頂部に向かってしだいに減少する形状を有するナノドット24が複数形成された、ナノドットを有する構造体1。 (もっと読む)


【課題】成膜面にダメージを与えることなく、効率よく酸化物透明導電膜を成膜し、かつ装置コストを抑制する。
【解決手段】単一のスパッタ装置1を用いて成膜用基板S上に酸化物透明導電膜を成膜する方法であって、成膜中におけるスパッタ装置1の投入電力を一定とし、成膜時の圧力(P)、およびターゲットTと成膜用基板Sとの距離(dTS)の積(P×dTS)で表される成膜パラメータを、酸化物透明導電膜の成膜開始時に60Pa・mm以上とし、酸化物透明導電膜の成膜途中に、成膜パラメータが60Pa・mmよりも小さくなるように、成膜時圧力および/または距離を変化させる。 (もっと読む)


【課題】コンデンサの容量低下を抑制することを目的とする。
【解決手段】この目的を達成するため本発明は、アルミニウムを主成分とする基材18の表面に亜鉛または亜鉛合金からなる下地層23を形成する工程と、この下地層23の表面に、蒸着によってアルミニウムを主成分とする微粒子20を複数積み重ね、粗膜層19を形成する工程と、を少なくとも備えたものとした。これにより本発明は、基材18表面の酸化を抑制するとともに、基材18と粗膜層19との密着性を高め、コンデンサ6の容量低下を抑制できる。 (もっと読む)


【課題】成膜時にスプラッシュ発生の抑制が可能であり、成膜装置の供給口での詰まりが発生しにくい酸化マグネシウム焼結体、及び、これを用いたPDPの保護膜用蒸着材、並びに、前記焼結体の製造方法を提供する。
【解決手段】酸化マグネシウムと、マグネシウム以外の周期表第2A族元素の酸化物3〜50質量%と、必要によりアルミニウム、イットリウム、セリウム、ジルコニウム、スカンジウム、及びクロムからなる群より選ばれる一種類又は二種類以上の元素を1000ppm以下を含む酸化マグネシウム焼結体であって、その形状が、円板状、楕円板状、多角形板状若しくは半月板状であるか、又は、立方体若しくは直方体の頂点に丸みを持たせた形状である酸化マグネシウム焼結体。 (もっと読む)


【課題】比較的簡単な構造で、被蒸着物の装着位置による膜厚差を低減することができる蒸着治具及びこれを備えた蒸着装置等を提供すること。
【解決手段】可動ホルダ34が、基板ホルダ31の外周側において、装着された基板20を周方向に所定の角度に傾斜させているため、平板では球面から距離が離れやすい外周側であっても基板ホルダ31内の基板20に設けられた被蒸着物DSに略均一な膜厚で蒸着することができる。また、可動ホルダ34によって基板20を傾斜させる構造であるため、簡単な構造とすることができる。 (もっと読む)


【課題】高品質なCu−Ga合金粉末を容易に製造することができるCu−Ga合金粉末の製造方法及びCu−Ga合金粉末、並びにCu−Ga合金スパッタリングターゲットの製造方法及びCu−Ga合金スパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】Cu粉末とGaとが質量比で85:15〜55:45の割合で配合された混合粉末を、不活性雰囲気中で30〜700℃の温度で攪拌して合金化することにより、Cu−Ga合金粉末を得る。また、このCu−Ga合金粉末を成型し、焼結することにより、Cu−Ga合金スパッタリングターゲットを得る。 (もっと読む)


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