【課題】より短時間で低コストな状態で、所望とする組成のＮｂドープ酸化チタン膜が形成できるようにする。
【解決手段】透明なガラスから構成された基板１０１を用意し、次に、金属Ｔｉからなる第１ターゲットを用いた酸素ガスによる反応性スパッタと、五酸化ニオブ（Ｎｂ₂Ｏ₅）からなる第２ターゲットを用いたスパッタとを同時おこなうことで、基板１０１の上にニオブがドープされた酸化チタンからなる透明導電膜１０２を形成する。 （もっと読む）

【課題】リーク電流が少なく、且つ駆動による圧電定数の劣化が少ない圧電薄膜素子及び圧電薄膜デバイスを提供する。
【解決手段】基板１上に、下部電極２と、組成式（Ｋ_１−ｘＮａ_ｘ）ＮｂＯ_３で表されるアルカリニオブ酸化物系ペロブスカイト構造の圧電薄膜３と、上部電極４とを有する圧電薄膜素子において、（Ｋ_１−ｘＮａ_ｘ）ＮｂＯ_３で表される前記圧電薄膜３の組成比ｘが０.４≦ｘ≦０.７の範囲であり、Ｘ線回折測定での（００１）面のロッキングカーブの半値幅が０.５°以上２.５°以下の範囲である。 （もっと読む）

【課題】 変位量の低下を抑制した強誘電体薄膜を形成することができる強誘電体薄膜形
成用組成物、液体噴射ヘッドの製造方法、及びアクチュエーター装置の製造方法を提供す
る。
【解決手段】 ＡＢＯ_３の化学式を有するペロブスカイト構造の強誘電体薄膜をゾル−ゲ
ル法により形成するための強誘電体薄膜形成用組成物であって、強誘電体薄膜を構成する
有機金属化合物と、水とを少なくとも含むゾルからなり、前記ゾルは、Ｂサイトを構成し
得る金属の総量をＸｍｏｌ／ｋｇとし、未反応水分量をＹｍｏｌ／ｋｇとしたとき、２Ｘ
＜Ｙ＜５Ｘを満たすようにする。 （もっと読む）

【課題】膜表面に発現した光触媒作用を速やかに消失させることができる光触媒性薄膜を表層に有する太陽電池モジュール用カバーを提供する。
【解決手段】太陽電池カバー１００は、透光性基板１０２と、発熱層としての透明導電膜１０４と、光触媒性薄膜１０６とを積層して構成され、光触媒性薄膜１０６は、成膜プロセス領域で、チタンで構成されたターゲットをスパッタし、膜原料物質を付着させるスパッタ工程と、反応プロセス領域で、少なくとも反応性ガスのプラズマを膜原料物質に接触させ第１の薄膜を生成する反応工程と、成膜プロセス領域と反応プロセス領域の間で第１の薄膜が形成された基板を移動させ、スパッタ工程及び反応工程を複数回繰り返し第２の薄膜を形成する薄膜堆積工程と、第２の薄膜に対し、不活性ガスを反応性ガスの導入流量と少なくとも同一流量で積極的に混合した混合ガスのプラズマを接触させるプラズマ後処理工程によって形成される。 （もっと読む）

【課題】基板との剥離および電流リークが起こりにくい非鉛の大面積圧電体薄膜を有する圧電体薄膜付き基板を作製する。
【解決手段】基板上に下部電極を形成する工程と、上記下部電極上に組成式（Ｋ_１−ｘＮａ_ｘ）ＮｂＯ_３で表されるアルカリニオブ酸化物系ペロブスカイト構造の圧電体薄膜を形成する工程を備え、上記圧電体薄膜を形成する工程は、ＡｒおよびＯ_２雰囲気下で行われるスパッタ法により、チャンバー内ガス圧力を０．３以上１．８Ｐａ以下、かつＯ_２／Ａｒガス混合比を０．００２以上、かつ酸素分圧を３．０×１０^−３Ｐａ以上として成膜する。 （もっと読む）

【課題】水と反応すると危険な成膜原料で薄膜を形成する際、安全に成膜を実施できる成膜装置、および成膜方法を提供する。
【解決手段】成膜対象である基材９を内部に収納する真空チャンバー２と、真空チャンバー２内で基材９を保持するホルダー４と、ホルダー４に対向する位置に設けられる蒸発源３と、ホルダー４内に冷媒を循環させる循環機構４０とを備える成膜装置１である。そして、この成膜装置１においてホルダー４内に循環される冷媒を非水系冷媒とする。このような構成とすることで、ホルダー４に保持される基材９を冷却しつつ、蒸発源３で蒸発させた成膜原料を基材９の表面に成膜することができ、その成膜の際に安全性を確保することができる。 （もっと読む）

【課題】優れた耐候性及び耐摩耗性、耐擦傷性を有し、しかもシンプルで且つ低コストな工程によって量産可能な自動車用樹脂ガラスを提供する。
【解決手段】透明な樹脂基板１２の少なくとも一方の面上に積層形成されたハードコート層１４を、真空蒸着重合によって形成された有機高分子薄膜１６を含んで構成した。 （もっと読む）

【課題】基板の表面にテクスチャが形成される場合でも、透明導電膜など、当該表面に形成される膜厚をより均一にすることができる成膜方法、及び太陽電池の製造方法を提供する。
【解決手段】幾何学的な凹凸が形成された基板２００に蒸着源２０から供給される蒸着材料２５を蒸着させ、基板２００の表面に透明導導電膜を形成する。蒸着源２０の直上寄りに位置する基板２００の端部２００ａと蒸着材料供給部２１との距離ｄ１、及び基板２００の端部２００ｂと蒸着材料供給部２１との距離ｄ２が略同一となるように、基板２００を傾斜させた状態に位置させる。 （もっと読む）

【課題】有機発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】第１電極、有機膜及び第２電極を順次に含む有機発光部が形成された基板と、基板及び第２電極を覆うパッシベーション膜とを含む有機発光素子、及びその製造方法である。 （もっと読む）

【課題】基板をセットする際に、基板の下辺が下辺支持部材に不適当に接触する事態を防止すると共に、搬送時に生じる振動による衝撃を確実に軽減することにより、基板の破損を可及的に低減し得る基板フォルダを提供する。
【解決手段】基板搬送装置でガラス基板を搬送するに際して、ガラス基板２の下辺を下辺支持部材４で支持した状態で前記基板を縦姿勢で保持する基板フォルダ１であって、下辺支持部材４が、ガラス基板２の下辺が載置されるし平面を有する載置部７と、該載置部７を下方から支持し且つ載置部７に載置されるガラス基板２の重量で弾性変形可能な弾性変形部８とを備えている。 （もっと読む）

【課題】相対密度が高く、抵抗が低く、均一で、良好な酸化物半導体や透明導電膜等の酸化物薄膜を作製しうるスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】下記に示す酸化物Ａと、ビックスバイト型の結晶構造を有する酸化インジウム（Ｉｎ_２Ｏ_３）と、を含有するスパッタリングターゲット。
酸化物Ａ：インジウム元素（Ｉｎ）、ガリウム元素（Ｇａ）、及び亜鉛元素（Ｚｎ）を含み、Ｘ線回折測定（Ｃｕｋα線）により、入射角（２θ）が、７．０°〜８．４°、３０．６°〜３２．０°、３３．８°〜３５．８°、５３．５°〜５６．５°及び５６．５°〜５９．５°の各位置に回折ピークが観測される酸化物。 （もっと読む）

【課題】欠陥の少ないかつ結晶粒サイズを制御した低コストでスパッタリング時のスプラッシュ等の不具合の発生のないアルミニウム製のスパッタリングターゲット材を提供する。また、このようなスパッタリングターゲット材用アルミニウム材を、既存の設備を使用して大規模サイズの一枚物として製造できるスパッタリングターゲット材用アルミニウム材の製造方法、及びスパッタリングターゲット材用アルミニウム材を提供する。
【解決手段】Fe、Siをそれぞれ0.001〜0.01質量％、Cuを0.0001〜0.01質量％含有するアルミニウム鋳造インゴットを熱間加工するに際し、熱間加工の中の少なくとも1回の加工を、加工率（R）が温度（T）の関数としてR（％）≧−0.1×T＋80（300℃≦T≦500℃）で示される条件で行うことによりスパッタリングターゲット材用アルミニウム材を製造する。 （もっと読む）

【課題】高い光電変換効率の太陽電池、光センサーや撮像素子等の光電変換装置を提供すること。
【解決手段】高周波成分をカットした直流電力印加の下でのＣｕ（Ｃｕ-Ｇａ）ターゲットへのＤＣ印加と導電性基板への高周波印加とによりＣｕ（Ｃｕ-Ｇａ）膜を成膜し、該Ｃｕ（Ｃｕ-Ｇａ）膜上に、高周波成分をカットした直流電力印加の下でのＩｎターゲットへのＤＣ印加と導電性基板への高周波印加とによりＩｎ膜をＣｕ（Ｃｕ-Ｇａ）膜上に積層成膜する工程を有する光電変換装置の製法。 （もっと読む）

【課題】基板上に粒径均一、分布一様に磁性金属触媒微粒子を高再現性で析出生成させる。
【解決手段】本製造方法は、両性である非磁性金属からなる母材を基板上に形成するステップと、炭素含有ガスに反応するものでアルカリに非可溶の磁性金属を上記母材上に形成するステップと、熱処理により上記母材中に上記磁性金属を凝集させて少なくとも基板と母材との界面に磁性金属触媒微粒子を析出するステップと、アルカリにより上記母材を除去して上記基板上に磁性金属触媒微粒子を露出させるステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】優れたエッチング加工性を有することで下部材料及びその他物質の侵食を発生させず、且つ残渣などの諸問題を生じさせない透明伝導膜とこれを形成することができるスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】本発明は、酸化インジウム（Ｉｎ_２Ｏ_３）、酸化錫（ＳｎＯ_２）及びガリウムを含み、錫原子の含有率が、インジウム原子及び錫原子の合計に対して５ないし１５原子％であり、ガリウム原子の含有率が、インジウム原子、錫原子及びガリウム原子の合計に対して０．５ないし７原子％であることを特徴とする酸化インジウム錫スパッタリングターゲットを提供する。 （もっと読む）

【課題】 特に水蒸気透過量を従来技術のものと比較して少なくでき、電子デバイスのバリア層として最適なガスバリア層構造体を提供する。
【解決手段】 電子デバイス構造にてガスバリア性能を発揮する本発明のガスバリア層構造体６は、不動態化金属の層６１と、この不動態化金属の酸化物層６２とを順次積層して構成される。不動態化金属は、Ａｌ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｚｒ及びＴａの中から選択されたもの、または、これらの二種以上の合金である。 （もっと読む）

【課題】発電要素を構成する構成層が剥離したり、構成層にクラックが生じたりすることを抑制できる非水電解質電池用発電要素及びその製造方法、それを用いた非水電解質電池を提供する。
【解決手段】非水電解質電池用発電要素10は、基材Sの上に、正極層1と負極層2、及びこれら両層の間に介在される固体電解質層3を有する。そして、基材Sの両面にそれぞれ、基材S側から正極層1、固体電解質層3及び負極層2が順に積層され一体化された構造である。これら各層は気相法により形成され、基材Sは正極層1の集電体としての機能を有する材料（例えばステンレス）で構成されている。 （もっと読む）

【解決手段】走査型電子顕微鏡を用いて倍率１０００倍で観察して得られた組織画像の中から任意に２０μｍ×２０μｍの領域を３０個選択し、波長分散型電子線マイクロアナライザーにて各領域におけるＩｎおよびＳｎの質量組成（質量％）を分析し、Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ）比を求め、この比から換算して得られた３０個のＳｎＯ₂組成の平均である平均
組成ｘと、前記３０個のＳｎＯ₂組成の標準偏差σとが、２≦ｘ／σ≦６の関係を満足す
ることを特徴とするＩＴＯスパッタリングターゲット。
【効果】本発明のＩＴＯスパッタリングターゲットは、圧縮強さが大きく、高パワーを負荷してスパッタリングを行っても割れが発生することが少なく、アーキングおよびノジュールの発生も抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】圧電特性及び駆動耐久性の良好な鉛含有ペロブスカイト型酸化物からなる圧電体膜を簡易な方法により成膜する。
【解決手段】本発明の鉛含有ペロブスカイト型酸化物からなる圧電体膜の成膜方法は、スパッタリング法による成膜において、成膜途中で、前記基板の電位を第1の基板電位Ｖｓｕｂ１から、前記圧電体膜の鉛組成を所望の組成とするように第２の基板電位Ｖｓｕｂ２に変更する。 （もっと読む）

【課題】
本発明は高精彩に成膜できるまたは生産性あるいは稼働率の高い有機ＥＬデバイス製造装置または有機ＥＬデバイス製造方法あるいは成膜装置または成膜方法を提供することである。
【解決手段】
本発明は、真空蒸着チャンバの壁に設けられた真空隔離手段から前記マスクを搬出し、前記真空隔離手段を共有するマスク洗浄チャンバで前記基板に付着した前記蒸着材料の堆積物にレーザ光を照射し前記マスクをドライ洗浄し、洗浄後前記マスクを真空隔離手段を介して前記真空蒸着チャンバに戻し、前記蒸着を行なうことを特徴とする。 （もっと読む）