【課題】非鉛系の圧電性薄膜を用いて、高性能かつ高信頼の圧電性薄膜デバイスを提供する。
【解決手段】基板１と、接着層２と、下部電極３と、配向制御層である下地層６と、スパッタリング法によって成膜された（Ｎａ_xＫ_yＬｉ_z）ＮｂＯ₃（０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１，０≦ｚ≦０．２、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）で表されるペロブスカイト型酸化物を主相とする圧電性薄膜４と上部電極５を有し、圧電性薄膜４の内部応力の絶対値が１．６ＧＰａ以下である。 （もっと読む）

【課題】高品質のリチウム金属薄膜および無機固体電解質薄膜を製造することのできる方法を提供する。
【解決手段】リチウム金属薄膜または無機固体電解質薄膜積を製造する方法が提供され、該方法は、薄膜製造工程においてアルカリ金属または無機固体電解質もしくはその原料と接触する雰囲気の露点を−４０℃以下とすることを特徴とする。露点が−４０℃以下の環境において、薄膜作製のための原料や基材あるいは製造した薄膜を取り扱えば、リチウム金属や硫化物系の無機固体電解質の劣化を効果的に防止できる。 （もっと読む）

【課題】タッチパネルに用いた際のペン摺動耐久性に優れると供に、平面性に優れたタッチパネルを製造することが出来る透明導電性フィルムを提供する。
【解決手段】透明プラスチックフィルム基材上の少なくとも一方の面に酸化インジウムを主成分とした透明導電膜が積層された透明導電性フィルムであって、透明導電性フィルムの少なくとも一方向の１２０℃６０分における収縮率が０．２０〜０．７０％であり、１２０℃６０分熱処理後の透明導電膜の酸化インジウムの平均結晶粒径が３０〜１０００ｎｍで、かつ、透明導電膜の結晶質部に対する非晶質部の比が０．００〜０．５０であり、ことを特徴とする透明導電性フィルムでタッチパネルを作製し、熱処理で平面性を向上させる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、前記真空を破壊し前記のノズル及び周辺のクリーニング頻度を少なくし、稼働率の高いまたは均一な成膜ができる成膜装置及び成膜方法を提供するものである。
【解決手段】本発明は、蒸発源の内部に有する蒸発材料を蒸発(昇華)させ、前記蒸発源の複数のノズルから噴出させて基板に蒸着する前記蒸発源を移動させる蒸発源移動手段を具備する真空蒸着チャンバを有する成膜装置において、前記真空蒸着チャンバは、前記ノズルまたはノズル付近に析出した析出蒸発材料を除去するクリーニング部を具備するノズルクリーニング手段を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】圧電素子において、発信能および受信能が共に優れ、圧電アクチュエータ、センサ、更に、超音波センサ、発電素子として好適なものとする。
【解決手段】圧電素子１は、圧電性を有する圧電体１３と、圧電体１３に対して所定方向に電界を印加する１対の電極１２、１４とを備え、圧電体１３の圧電歪定数ｄ_３３（ｐｍ／Ｖ）と比誘電率ε_３３とが下記式（１）及び（２）を満足するものである。
１００＜ε_３３＜１５００ ・・・（１）、
ｄ_３３（ｐｍ／Ｖ）＞１２√ε_３３ ・・・（２） （もっと読む）

【課題】指向性よくスパッタリング粒子が基板上に到達して成膜ができるスパッタリング装置および液晶装置の製造装置を提供する。
【解決手段】基板Ｗを保持し搬送可能な基板ホルダー６を有する成膜室２と、成膜室２に連通し第１ターゲット５ａと第２ターゲット５ｂとが平行に対向して配置された一対のターゲットを有するスパッタリング粒子放出部３と、基板ホルダー６とスパッタリング粒子放出部３との間に配置された制御板３１ａ〜３１ｅを有する制御板ユニット３０と、を備え、スパッタリング粒子放出部３の一対のターゲットが基板ホルダー６の搬送経路に対して斜めに傾いた状態で配置され、一対のターゲットからプラズマによりスパッタリング粒子５Ｐを生じさせて、搬送される基板ホルダー６に向けてスパッタリング粒子５Ｐを放出させ、制御板３１ａ〜３１ｅは一対のターゲットと平行に配置され、スパッタリング粒子５Ｐを選択的に通過させる。 （もっと読む）

【課題】レーザーエッチングが容易であり、且つ、高い発電効率を有する光電変換装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板１上に、２つの光電変換層３と、裏面電極層４とを形成する工程を含む光電変換装置１００の製造方法であって、前記裏面電極層形成工程が裏面透明電極層形成工程と、Ｃｕ薄膜形成工程とを備え、前記Ｃｕ薄膜形成工程が、順に排気工程と製膜工程とを含み、前記排気工程の到達圧力が、２×１０^−４Ｐａ以下であって、前記製膜工程の温度が、１２０℃以上２４０℃以下であることを含む光電変換装置１００の製造方法。 （もっと読む）

【課題】スカンジウムを含有する窒化アルミニウム薄膜を備えた圧電体薄膜において、スカンジウムの含有率が３５〜４０原子％の範囲であっても、スカンジウムを含有させない場合と比較して圧電応答性が低下しない圧電体薄膜の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係るスカンジウムを含有する窒化アルミニウム薄膜を備えた圧電体薄膜の製造方法は、少なくとも窒素ガスを含む雰囲気下において、アルミニウムとスカンジウムとでスパッタリングするスパッタリング工程を含む。本発明に係る製造方法におけるスパッタリング工程では、基板温度を５〜４５０℃の範囲で、スカンジウムの含有率が０．５〜５０原子％の範囲となるようにスパッタリングする。 （もっと読む）

【課題】消費電力を低減させ且つ誤動作を抑制した不揮発性半導体記憶装置を提供する。
【解決手段】可変抵抗層６３は、炭素Ｃ、及び元素群Ａから選ばれる少なくともいずれか１種類以上の元素を含む第１化合物６３１と、化合物群Ｇ２から選ばれる少なくともいずれか１種類以上の第２化合物６３２とを含む混合体にて構成されている。可変抵抗層６３中での第１化合物６３１の濃度は、３０ｖｏｌ．％以上であり且つ７０ｖｏｌ．％以下である。元素群Ｇ１は、水素、ボロン、窒素、シリコン、及びチタンを含む。化合物群Ｇ２は、酸化シリコン、酸窒化シリコン、窒化シリコン、窒化炭素、窒化ホウ素、窒化アルミニウム、アルミニウム酸化物、炭化珪素を含む。 （もっと読む）

【課題】 絶縁基板との接着性及びエッチング性の両方に優れ、ファインピッチ化に適し、製造効率の良好なプリント配線板用銅箔を提供する。
【解決手段】 銅箔基材と、該銅箔基材表面の少なくとも一部を被覆する被覆層とを備えたプリント配線板用銅箔であって、該被覆層は、銅箔基材表面から順に積層した、ＮｉとＣｒとを含むＮｉ−Ｃｒ合金層及びＣｒ層で構成され、Ｃｒの合計付着量が１８〜２５０μｇ／ｄｍ²、Ｎｉの付着量が１８〜４５０μｇ／ｄｍ²であるプリント配線板用銅箔 （もっと読む）

【課題】 絶縁基板との接着性及びエッチング性の両方に優れ、ファインピッチ化に適し、磁性が抑制され、且つ、環境への負荷が抑制されたプリント配線板用銅箔を提供する。
【解決手段】 銅箔基材と、該銅箔基材表面の少なくとも一部を被覆する被覆層とを備えたプリント配線板用銅箔であって、該被覆層は銅箔基材表面から順に積層したＣｕ−Ｚｎ合金層又はＺｎ層、及び、Ｃｒ層で構成され、該被覆層には、Ｚｎが１５〜７５０μｇ／ｄｍ²、Ｃｒが１８〜１８０μｇ／ｄｍ²の被覆量で存在するプリント配線板用銅箔 （もっと読む）

【課題】超電導層の安定化と交流損失の低減が可能で、且つ簡便に製造できる超電導線材の提供。
【解決手段】金属基材１１の表面１１ｃ側に金属酸化物からなる中間層１２、超電導層１３及び第一の金属安定化層１４がこの順に積層され、中間層１２に達して第一の金属安定化層１４及び超電導層１３を幅方向に分割する第一の溝１８及び第二の溝１９が、第一の金属安定化層１４及び超電導層１３に、長手方向に沿って一体に形成され、金属基材１１の裏面１１ｄ側に第二の金属安定化層１６が積層され、第二の金属安定化層１６が、超電導層１３と電気的に接続されていることを特徴とする超電導線材１。 （もっと読む）

【課題】可撓性及び耐薬品性を具備して、フレキシブルディスプレイ装置に好適な透明導電膜を提案する。
【解決手段】可撓性の基板２上に設ける透明導電膜３であって、前記基板側に設けた非結晶性の第１透明導電層３−１と、該第１透明導電層上に設けた結晶性の第２透明導電層３−２とを含んで形成してある。第１透明導電層３−１はＳｎＯ_２含有割合が１０質量％以上のＩＴＯ層（インジウムスズ酸化物の透明膜）またはＩＺＯ層（インジウム亜鉛酸化物の透明膜）であり、第２透明導電層３−２はＳｎＯ_２含有割合が１質量％以上１０質量％未満のＩＴＯ層とするのが望ましい。 （もっと読む）

【課題】大規模なターゲットを製造するため、相対密度が大きい圧粉体を生じるスリップキャスト成形のための型を提供する。
【解決手段】スリップキャスト成形のための型は、底面板１０、不透水性の側壁２０、および、成型スペース３０を有する。底面板１０は、水を吸収する多孔性材料でできている。不透水性の側壁２０は、底面板１０に取り付けられる。成型スペースは、底面板１０および不透水性の側壁２０によって定められる。型は、底面板１０によって水を吸収するのみである。すべてのスラリーは、乾燥の間型に連続的に注入されるよりはむしろ型に注入される大きさである。したがって、型において形成される圧粉体は均一であり、高い相対密度を有する。圧粉体は、亀裂または変形を引き起こさずに焼結されることができるので、大きいサイズのスパッタリングターゲットの製造に適している。 （もっと読む）

【課題】可撓性及び耐薬品性を具備して、フレキシブルディスプレイ装置に好適な透明導電膜を提案する。
【解決手段】可撓性の基板２上に設ける透明導電膜３であって、前記基板側に設けた結晶性の第１透明導電層３−１と、該第１透明導電層上に設けた非結晶性の第２透明導電層３−２とを含んで形成してある。前記第１透明導電層はＳｎＯ_２含有割合が１質量％以上１０質量％未満のＩＴＯ層であり、前記第２透明導電層はＳｎＯ_２含有割合が１０質量％以上のＩＴＯ層（インジウムスズ酸化物の透明膜）またはＩＺＯ層（インジウム亜鉛酸化物の透明膜）とするのが望ましい。 （もっと読む）

【課題】本発明は、レーザー蒸着する場合のターゲットの無駄を少なくして成膜コストの低減を図るとともに、成膜領域の熱分布を均等にして安定した膜質の薄膜を成膜することができるレーザー蒸着装置の提供を目的とする。
【解決手段】本発明は、レーザー光をターゲットの表面に照射し、該ターゲットから叩き出され若しくは蒸発した蒸着粒子をヒーターボックス内において巻回部材に支持された長尺基材表面に堆積させるレーザー蒸着装置であって、巻回部材間に複数列に分けて支持される長尺基材の幅方向の設置範囲に対応する幅のターゲットが設置され、該ターゲットの裏面側に該ターゲットよりも幅広のバッキングプレートが設置され、該ターゲットの幅方向両側に耐熱金属製のダミープレートが設置され、ダミープレートのバッキングプレート側に酸化物膜が形成されてなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体薄膜の酸素量を精度良く制御する。
【解決手段】大気と遮断された酸化物半導体薄膜形成室２０内で、基板３６上に、酸化物半導体の薄膜、すなわち活性層１０６を形成する薄膜形成工程と、前記薄膜形成工程の中で前記薄膜を加熱する加熱工程と、前記酸化物半導体薄膜形成室２０と接続され、前記大気と遮断された輸送室１４内で、前記基板３６上に形成した薄膜を、前記加熱工程により加熱された温度から急速冷却する冷却工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】金属からなる基材層とその表面に配置された導電性炭素層とを有する導電部材において、その優れた導電性を十分に確保しつつ、耐食性をより一層向上させうる手段を提供する。
【解決手段】本発明の導電部材の製造方法は、乾式成膜法において、金属基材上に中間層を形成する工程と、中間層上に導電性炭素層を形成する工程とを有し、中間層形成時における負のバイアス電圧を少なくとも低い値から高い値へ変化させることを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ターゲットの表面上に発生する磁場の強度を高めながら、ターゲットを適切に冷却することができ、なお且つ、ターゲットの小径化に対応可能なマグネトロンスパッタ装置を提供する。
【解決手段】被処理基板Ｗが配置される反応容器と、反応容器内を減圧排気する減圧排気手段と、被処理基板Ｗを処理する処理手段１Ａとを備え、処理手段１Ａは、被処理基板Ｗに対向してターゲットＴを保持する保持手段８と、ターゲットＴの表面上に磁場Ｍを発生させる磁気発生手段１１と、ターゲットＴを冷却する冷却手段４０とを有し、ターゲットＴの被処理基板Ｗと対向する面とは反対側に、磁気発生手段１１が配置されると共に、この磁気発生手段１１の外側に冷却手段４０が配置されている。 （もっと読む）

【課題】スパッタ成膜時に、真空槽内の圧力や電極への投入電力を変化させる必要がなく、基板上の有機薄膜などへのダメージを最小限に抑えつつ効率的な成膜を可能とする。
【解決手段】ソフト成膜時、シャッター５をターゲット８に対向して配設し、かつ基板搬送機構４により基板３をシャッター５の脇部分に搬送させ、この状態でシャッター５の脇から僅かに漏れるターゲット粒子を基板３に衝突させることによりソフト成膜を行う。ソフト成膜後、基板搬送機構４により基板３をシャッター５の背後に搬送させ、かつシャッター５を移動させて高レート成膜を行う。この状態ではターゲット電極２に対向する放電空間が基板３の下方に広がり、高エネルギー状態のターゲット粒子や反跳イオンおよびγ電子が大量に基板３に衝突することになる。 （もっと読む）