【課題】スパッタ成膜時に発生するノジュールを抑制し、酸化物半導体膜を安定かつ再現性よく得ることができるスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】Ｉｎ元素、Ｃｕ元素及びＧａ元素をＣｕ／（Ｃｕ＋Ｉｎ＋Ｇａ）＝０．００１〜０．０９及びＧａ／（Ｃｕ＋Ｉｎ＋Ｇａ）＝０．００１〜０．９０の原子比で含む金属酸化物焼結体からなるスパッタリングターゲット。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、高信頼性化することを目的の一とする。
【解決手段】トランジスタのチャネル形成領域となる酸化物半導体膜を、２００℃を超える温度のスパッタリング法で形成することにより、昇温脱離分析において、前記酸化物半導体膜から脱離する水分子の数を０．５個／ｎｍ^３以下とすることができる。酸化物半導体を用いたトランジスタにとって電気的特性の変動要因となる水素、水、水酸基または水素化物などの水素原子を含む物質が、酸化物半導体膜へ混入するのを防止することにより、酸化物半導体膜を高純度化および電気的にｉ型（真性）化することができる。 （もっと読む）

【課題】強誘電体キャパシタにおける強誘電体層の結晶配向度を向上する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本実施形態の半導体装置の製造方法は、下部電極層４１上にバッファ層４４を形成する工程と、バッファ層４４に対して、１００体積％の濃度よりも低い酸素濃度の雰囲気下で且つ第１の温度で第１の熱処理を行った後、第１の温度よりも高い第２の温度で第２の熱処理を行う工程と、バッファ層４４上に誘電体層４２を形成する工程と、誘電体層４２上に上部電極層４３を形成する工程と、誘電体層４２を熱処理して結晶化する工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】結晶性の高い単結晶ダイヤモンドをヘテロエピタキシャル成長させることができ、しかも安価で大面積なダイヤモンドを成長させることができるダイヤモンド成長用基材、及び安価に大面積高結晶性単結晶ダイヤモンドを製造する方法を提供する。
【解決手段】単結晶ダイヤモンドを成長させるための基材１０，１０’であって、少なくとも、種基材１１、１１’と、該種基材１１、１１’の前記単結晶ダイヤモンドを成長させる側にヘテロエピタキシャル成長させたイリジウム膜、白金膜、ロジウム膜のいずれか１２からなり、前記種基材１１，１１’は、グラファイト１１’か、またはベース基材１１ａ上にグラファイト層１１ｂが形成されたものである単結晶ダイヤモンド成長用の基材。 （もっと読む）

【課題】 坩堝の側面に原料融液が這い上がった状態で成膜を行うと、形成された薄膜の厚さの均一性が低下してしまう。
【解決手段】 チャンバ内に基板ホルダが配置されている。坩堝の内部に蒸発源が収容される。坩堝の開口部が、基板ホルダに保持された基板に向けられている。第１の加熱装置が坩堝を加熱する。測定装置が、坩堝の深さの１／２の深さよりも浅い位置の、坩堝の温度に依存する物理量を測定する。回転機構が坩堝を回転させる。制御装置が、測定装置による測定結果に基づいて、回転機構を制御する。 （もっと読む）

【課題】ＴＦＴの活性層等に適用できる新規な非晶質酸化物を提供する。
【解決手段】非晶質酸化物が所定の材料を含み、電子キャリア濃度が１０¹⁸／cm³未満であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】貫通らせん転位密度の小さい炭化珪素単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】炭化珪素単結晶ウエハに新たな炭化珪素単結晶層を形成する工程において、ｃ軸方向に貫通する転位３を、基底面（０００１）に沿った第１方向の欠陥に変換させ、第１方向に交差し、かつ基底面（０００１）に沿った第２方向に欠陥の伝播方向を制御することで、単結晶基板中に含まれる貫通らせん転位３を基底面内欠陥４に構造転換し、基底面内欠陥４を結晶の外部に排出させ、元の炭化珪素単結晶基板よりも貫通らせん転位密度の小さい炭化珪素単結晶層。 （もっと読む）

【課題】膜質の良い絶縁膜を成膜する。
【解決手段】本発明の成膜装置１は電離装置２５を有している。電離装置２５は反応ガスの経路の途中に設けられており、反応ガスは経路を流れる途中で電離装置２５で電離され、成膜室２内部に電離された反応ガスが導入される。電離された反応ガスを成膜室２内部に導入しながら、ターゲット６をスパッタリングすれば、スパッタ粒子と反応ガスとが反応して、基板１１表面に反応物の膜が形成される。反応ガスを電離してからスパッタを行うと、反応ガスを電離させない場合に比べて、成膜速度が速く、かつ、膜質の良い膜が得られる。 （もっと読む）

【課題】信頼性および再現性が優れるとともに、歩留まりが高く生産性が優れた薄膜トランジスタおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタの製造方法は、基板上にゲート電極を形成する工程と、ゲート電極を覆って基板上に第１の絶縁膜を形成し、第１の絶縁膜上に酸化物半導体膜を形成し、酸化物半導体膜上に第２の絶縁膜を形成して、第１の絶縁膜、酸化物半導体膜および第２の絶縁膜からなる積層体を得る工程と、積層体の第１の絶縁膜、酸化物半導体膜および第２の絶縁膜をパターニングして、それぞれゲート絶縁層、活性層およびチャネル保護層を形成する工程と、ソース電極およびドレイン電極を形成する工程とを有する。第１の絶縁膜、酸化物半導体膜および第２の絶縁膜は、大気に曝されることなく連続して形成される。 （もっと読む）

【課題】熱処理工程時の温度ムラによる特性のバラつきを抑制し、かつ、高抵抗率に制御可能とする。
【解決手段】Ｉｎ、Ｇａ及びＺｎを含有し、Ｉｎ及びＧａの合計に対するＧａのモル比率が０.５０＜Ｇａ／（Ｉｎ＋Ｇａ）の関係を満たす非晶質酸化物薄膜を基板上に成膜する成膜工程と、非晶質酸化物薄膜のＧａのモル比率が０.５０＜Ｇａ／（Ｉｎ＋Ｇａ）＜０．７５の関係を満たす場合には、成膜工程後に１００℃以上１５０℃以下又は３５０℃以上６００℃以下の温度で非晶質酸化物薄膜を熱処理し、非晶質酸化物薄膜のＧａのモル比率が０．７５≦Ｇａ／（Ｉｎ＋Ｇａ）の関係を満たす場合には、成膜工程後に１００℃以上２００℃以下又は３５０℃以上６００℃以下の温度で非晶質酸化物薄膜を熱処理する熱処理工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】スパッタリング法を用いて酸化物半導体薄膜を成膜する際に発生する異常放電を抑制し、酸化物半導体薄膜を安定且つ再現性よく得ることができる酸化物焼結体を提供する。
【解決手段】インジウム及びアルミニウムの酸化物を含有し、原子比Ａｌ／（Ａｌ＋Ｉｎ）が０．０１〜０．０８である酸化物焼結体。 （もっと読む）

【課題】簡便に界面の欠陥を低減することを可能とする。
【解決手段】大気と遮断された真空成膜室内で、基板上に酸素不定比性のある酸化物を含有する第１層を成膜する第１成膜工程と、前記第１層上に前記第１層と同一材料又は異なる材料からなる第２層を成膜する第２成膜工程と、前記第１成膜工程後前記第２成膜工程前までの間、前記第１層を、前記真空成膜室を含む大気と遮断された室内で、前記第１成膜工程における前記真空成膜室内の酸素分圧よりも高い酸素分圧下に保持する分圧制御工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】ビア深さのバラツキを抑制することができる半導体装置の構造およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、基板上に、ＳｉおよびＣを含むキャップ絶縁膜を形成する工程と、キャップ絶縁膜上に、キャップ絶縁膜と比較して、シリコン原子数に対する炭素原子数の組成比が高い、有機シリカ膜を形成する工程と、不活性ガス、Ｎを含むガス、フッ化炭素ガスおよび酸化剤ガスを含む混合ガスを用いたプラズマ処理により、有機シリカ膜に、異なる開口径を有する２以上の凹部を形成する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】プラズマ発光の変動の影響を受け難く、信号対ノイズ比が充分で、広い波長範囲での測定を可能にするプラズマエッチングまたは堆積プロセスのモニタリング方法および装置を提供する。
【解決手段】高瞬間出力パルスを提供して広いスペクトル幅を有するフラッシュランプを用いて、薄膜の厚さとエッチング速度および堆積速度とをその場モニタリングするための干渉方法および装置。フラッシュランプとウエハで反射された光を検出するために使用される分光器との間の光路は、スペクトルの紫外領域を実質的に伝達可能である。膜厚とエッチング速度および堆積速度とは、ソフトウェアアルゴリズムによって計算される。 （もっと読む）

【課題】電力が供給されない状況でも記憶内容の保持が可能で、かつ、書き込み回数にも制限が無い、新たな構造の半導体装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】ワイドギャップ半導体、例えば酸化物半導体を含むメモリセルを用いて構成された半導体装置であって、メモリセルに書き込み用のトランジスタ、読み出し用のトランジスタおよび選択用のトランジスタを備えた半導体装置とする。ワイドギャップ半導体を用いることで、メモリセルを構成するトランジスタのオフ電流を十分に小さくすることができ、長期間にわたって情報を保持することが可能な半導体装置を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】還元処理を行わなくても比抵抗が低い、酸化物半導体膜形成用のターゲットを提供する。
【解決手段】Ｉｎ，Ｇａ及びＺｎを含み、周囲よりもＩｎの含有量が多い組織と、周囲よりもＧａ及びＺｎの含有量が多い組織を備えている酸化物焼結体からなるスパッタリングターゲット。 （もっと読む）

【課題】有機シロキサン系絶縁膜を用いて電気的特性に優れた半導体装置を製造する方法を提供する。
【解決手段】下層配線の上にこの順で形成された第１〜第３の絶縁膜をドライエッチングして該下層配線に至る開口部を形成し、該開口部の内面と該第３の絶縁膜の上にバリアメタル膜を形成し、該バリアメタル膜の上に該開口部を埋める導電層を形成し、該第３の絶縁膜上の該導電層と該バリアメタル膜、及び該第２、第３の絶縁膜の一部を除去し該下層配線に電気的に接続する上層配線を形成し、露出した該第２の絶縁膜と該導電層の表面を還元性プラズマ処理し、
該第２の絶縁膜は下記式で表されるアルキルアルコキシシランと非酸化性ガスとを用い、５００Ｐａ以下でプラズマＣＶＤ法により形成する
ＲｗＳｉｘＯｙ（ＯＲ´）ｚ
Ｒ及びＲ´はＣＨ_３、ｗｘｚは正の整数、ｙは０または正の整数、（ｗ／ｘ）＝２である。 （もっと読む）

【課題】高い光散乱能を達成し、製造プロセスの温度を低く抑えるために、表面テクスチャの微細構造を精密に制御した透明導電膜およびその製造方法を提供する。
【解決手段】酸化亜鉛系ターゲットを用いて、加熱した基板上にスパッタリングし、表面処理を施すことにより、ＴｉとＡｌを原子比で、０．００１≦Ｔｉ／（Ｚｎ＋Ａｌ＋Ｔｉ）≦０．０７９、かつ０．００１≦Ａｌ／（Ｚｎ＋Ａｌ＋Ｔｉ）≦０．０７９、ただし、０．０１≦（Ｔｉ＋Ａｌ）／（Ｚｎ＋Ａｌ＋Ｔｉ）≦０．０８の割合で含有し、中心線平均表面粗さが３０ｎｍ以上２００ｎｍ以下で、表面にサイズの異なる凹型レンズ状テクスチャを有し、そのテクスチャ幅の平均値が１００ｎｍ〜１０μｍである酸化亜鉛系透明導電膜を製造し、電子素子、光学素子又は太陽電池に利用する。 （もっと読む）

【課題】 ブランクマスク、フォトマスク及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 透明基板、金属膜、ハードマスク膜及びレジスト膜が順次に積層されてなるブランクマスク。ここで、金属膜及びハードマスク膜のうち少なくとも一つは、膜を構成する元素のうち少なくとも一つの元素の組成比が膜の深さ方向に連続的に変わる区間である成分変化区間を持つ。これにより、既存の深さ方向に元素の組成比が均一な薄膜と比較する時、光学密度の均一性、反射率の均一性、表面粗度、耐化学性、耐露光性などを向上させ、成長性欠陥と残留応力の問題を低減させることができる。 （もっと読む）

【課題】装置内に堆積した膜が剥離して異物として基板に付着することを防止するスパッタリング装置及びそのメンテナンス方法を得ること。
【解決手段】チャンバ４と、基板１をチャンバ４内で保持する基板保持具２と、チャンバ４内に設置されたシリコン製のターゲット３と、基板保持具２に基板１が設置された状態で、アルゴンガス７と窒素ガス９との混合ガスをチャンバ４内に導入しつつターゲット３と基板保持具２との間に電圧を印加して、基板１上に窒化シリコン膜を成膜する第１の処理と、チャンバ４内に基板１が収容されていない状態で、アルゴンガス７をチャンバ４内に導入しつつ、ターゲット３と基板保持具２との間に電圧を印加して、チャンバ４の内壁面にシリコン膜を成膜する第２の処理とを実行する制御部４０とを有する。 （もっと読む）