【課題】酸化亜鉛に代表される酸化物半導体膜を用いて薄膜トランジスタを形成すること
で、作製プロセスを複雑化することなく、尚かつコストを抑えることができる半導体装置
及びその作製方法を提供することを目的とする。
【解決手段】基板上にゲート電極を形成し、ゲート電極を覆ってゲート絶縁膜を形成し、
ゲート絶縁膜上に酸化物半導体膜を形成し、酸化物半導体膜上に第１の導電膜及び第２の
導電膜を形成する半導体装置であって、酸化物半導体膜は、チャネル形成領域において少
なくとも結晶化した領域を有する。 （もっと読む）

【課題】真性に近い単結晶ＧaＮ膜を有し、かつこの膜をｎ形又はｐ形に選択的にドープした半導体デバイスを提供する。
【解決手段】次の要素を有する半導体デバイス：基板であって、この基板は、（１００）シリコン、（１１１）シリコン、（０００１）サファイア、（１１−２０）サファイア、（１−１０２）サファイア、（１１１）ヒ化ガリウム、（１００）ヒ化ガリウム、酸化マグネシウム、酸化亜鉛、および炭化シリコンからなる群から選択される物質からなる；約２００Å〜約５００Åの厚さを有する非単結晶バッファ層であって、このバッファ層は前記基板の上に成長した第一の物質を含み、この第一の物質は窒化ガリウムを含む；および前記バッファ層の上に成長した第一の成長層であって、この第一の成長層は窒化ガリウムと第一のドープ物質を含む。 （もっと読む）

【課題】酸化亜鉛に代表される酸化物半導体膜を用いて薄膜トランジスタを形成すること
で、作製プロセスを複雑化することなく、尚かつコストを抑えることができる半導体装置
及びその作製方法を提供することを目的とする。
【解決手段】基板上にゲート電極を形成し、ゲート電極を覆ってゲート絶縁膜を形成し、
ゲート絶縁膜上に酸化物半導体膜を形成し、酸化物半導体膜上に第１の導電膜及び第２の
導電膜を形成する半導体装置であって、酸化物半導体膜は、チャネル形成領域において少
なくとも結晶化した領域を有する。 （もっと読む）

【課題】蒸発した材料の堆積の均一性、特にインジェクターの軸に沿っての均一性を改善することにある。
【解決手段】 本発明は、真空蒸着システムのためのインジェクターに関し、該インジェクターは、真空蒸発源からの蒸発した材料を受けるのに適したインジェクション・ダクト、および蒸発した材料を真空蒸着室内に放射するための複数のノズルを備えたディフューザーを備えており、各ノズルは、前記インジェクション・ダクトを前記蒸着室に連結するのに適したチャンネルを備えている。本発明によれば、前記ディフューザーは、空間的に変化があるノズル配置を有している。本発明はまた、インジェクターを較正する方法、インジェクターのディフューザーを製造する方法に関する。 （もっと読む）

【課題】クリーニングガスとしてフッ素系ガスを使用することにより、処理容器自体や被処理体を保持する保持手段にダメージを与えることなく不要な高分子薄膜のみを選択的に且つ効率的に除去することが可能な成膜装置を提供する。
【解決手段】被処理体Ｗの表面に高分子薄膜を形成する成膜装置において、被処理体を収容する処理容器４と、処理容器内で被処理体を保持する保持手段６と、処理容器内を真空引きする真空排気系３０と、処理容器内へ高分子薄膜の複数の原料ガスを供給するガス供給手段２０と、処理容器内へクリーニングガスとしてフッ素ガスを供給するクリーニングガス供給手段２６と、処理容器を加熱する容器加熱手段１４とを備える。これにより、処理容器内をクリーニング処理するに際して、クリーニングガスとしてフッ素系ガスを使用する。 （もっと読む）

【課題】粉末ターゲットを用いて、酸素の含有率の少ない高品質なシリコン薄膜を高速で成膜することができるスパッタリング方法及び装置を提供することを目的とする。
【解決手段】スパッタ成膜を行う前段階に、ターゲット材料８近傍に設置した高融点金属フィラメント１４を加熱することで、真空チャンバ１内に導入したガスを分解し活性種を生成する。この活性種を用いて、ターゲット材料８表面の酸化膜の還元や真空チャンバ壁及び部材についた堆積膜の除去を行うことで、スパッタ成膜中の酸素量を低減させ、高品質なシリコン薄膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】半導体材料等として有用な新規なＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物とその製造方法を提供する。
【解決手段】Ｉｎ、Ｇａ、Ｚｎを含む酸化物であって、４つの層状構造を１ユニットとする繰り返し構造を含み、前記層状構造はそれぞれＩｎ、Ｇａ、Ｚｎのうち少なくとも１つを含む酸化物からなる酸化物。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、高信頼性化する。
【解決手段】酸化物半導体膜を含むトランジスタの作製工程において、表面に概略垂直なｃ軸を有している結晶を含む酸化物半導体膜（第１の結晶性酸化物半導体膜ともいう）を形成し、該酸化物半導体膜に酸素を導入して少なくとも一部を非晶質化し酸素を過剰に含む非晶質酸化物半導体膜を形成する。該非晶質酸化物半導体膜上に酸化アルミニウム膜を形成した後、加熱処理を行い該非晶質酸化物半導体膜の少なくとも一部を結晶化させて、表面に概略垂直なｃ軸を有している結晶を含む酸化物半導体膜（第２の結晶性酸化物半導体膜ともいう）を形成する。 （もっと読む）

【課題】省電力化かつ高速での書き込み処理が可能なメモリの多値化に適した半導体装置およびベリファイ処理を提供する。
【解決手段】半導体装置に用いるメモリセルを、酸化物半導体を用いたトランジスタと酸化物半導体以外の材料を用いたトランジスタをそれぞれ有する構成とし、書き込み回路を用いてデータバッファのデータをメモリセルに書き込む前に、予め各々のメモリセルの有するしきい値ばらつきを調べ、データバッファのデータに対して当該しきい値ばらつきを補正したデータが各々のメモリセルに書き込む。 （もっと読む）

【課題】被処理体の所定領域に注入された、Ｎ型領域を形成する元素のイオンを、アニール処理の前後において被処理体の内部に維持し、所望のキャリア濃度のＮ型領域を形成することを可能とする、半導体デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】減圧雰囲気とした真空チャンバ内に、シリコンからなる被処理体１０１を配して、該真空チャンバ内に導入した、Ｎ型領域１０６Ｎを形成する元素Ｘを含むガスをプラズマ励起し、励起された該元素Ｘのイオンを、被処理体１０１の所定領域に注入する前工程と、該元素Ｘが注入された被処理体１０１をアニール処理する後工程と、を含み、該前工程と該後工程との間に、該真空チャンバ内に導入した酸素元素を含むガスをプラズマ励起し、励起された該酸素元素のラジカルに、該被処理体１０１の所定領域を曝露する工程を、さらに備えてなることを特徴とする半導体デバイスの製造方法。 （もっと読む）

【課題】トランジスタ特性（移動度、オフ電流、閾値電圧）及び信頼性（閾値電圧シフト、耐湿性）が良好で、ディスプレイパネルに適した電界効果型トランジスタを提供すること。
【解決手段】基板上に、少なくともゲート電極と、ゲート絶縁膜と、半導体層と、半導体層の保護層と、ソース電極と、ドレイン電極とを有し、ソース電極とドレイン電極が、半導体層を介して接続してあり、ゲート電極と半導体層の間にゲート絶縁膜があり、半導体層の少なくとも一面側に保護層を有し、半導体層が、Ｉｎ原子、Ｓｎ原子及びＺｎ原子を含む酸化物であり、かつ、Ｚｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｚｎ）で表される原子組成比率が２５原子％以上７５原子％以下であり、Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｚｎ）で表される原子組成比率が５０原子％未満であることを特徴とする電界効果型トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】有機ＥＬディスプレイや液晶ディスプレイなどの表示装置において、保護膜等の形成時に酸化処理層を必要とせずに、薄膜トランジスタの電気特性を安定させることが可能である酸化物半導体層を提供する。
【解決手段】基板上に少なくとも、基板側から順に、酸化物半導体層と、ソース・ドレイン電極と、保護膜とを備えた薄膜トランジスタ構造であって、前記酸化物半導体層は、金属元素全体に占めるＺｎの含有量が５０原子％以上であり、ソース・ドレイン電極および保護膜側に形成される第１酸化物半導体層と、Ｉｎ、Ｇａ、およびＺｎよりなる群から選択される少なくとも１種の元素と、Ｓｎとを含み、基板側に形成される第２酸化物半導体層との積層体であり、かつ、前記第１酸化物半導体層と、前記ソース・ドレイン電極および保護膜とが、直接接触していることを特徴とする薄膜トランジスタ構造。 （もっと読む）

【課題】超臨界流体により所望の有機薄膜を形成し得る成膜装置及び成膜方法を提案する。
【解決手段】成膜装置１では、ノズル36の先端開口部36aを基板31の表面近傍に配置し、超臨界流体と基板31との温度差により発生させた過飽和のアントラセンが粉体化する前に基板31の表面に到達させるようにしたことにより、アントラセンが粉体化することなく過飽和状態のアントラセンを基板31の表面にて析出させ堆積させることができ、かくして、超臨界流体により所望の有機薄膜60を形成し得る。 （もっと読む）

【課題】有機ＥＬディスプレイや液晶ディスプレイなどの表示装置において、保護膜等の形成時に酸化処理層を必要とせずに、薄膜トランジスタの電気特性を安定させることが可能である酸化物半導体層を提供する。
【解決手段】基板上に少なくとも、基板側から順に、酸化物半導体層と、ソース・ドレイン電極と、保護膜とを備えた薄膜トランジスタ構造であって、前記酸化物半導体層は、金属元素全体に占めるＺｎの含有量が５０原子％以上であり、ソース・ドレイン電極および保護膜側に形成される第１酸化物半導体層と、Ｉｎ、Ｇａ、およびＺｎよりなる群から選択される少なくとも１種の元素を含み、基板側に形成される第２酸化物半導体層との積層体であり、かつ、前記第１酸化物半導体層と、前記ソース・ドレイン電極および保護膜とが、直接接触していることを特徴とする薄膜トランジスタ構造。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体層を備えた配線構造のスイッチング特性およびストレス耐性が良好であり、特にストレス印加前後のしきい値電圧変化量が小さく安定性に優れた配線構造を提供する。
【解決手段】本発明の配線構造は、基板上に少なくとも、ゲート絶縁膜、及び酸化物半導体層を有し、前記酸化物半導体層は、Ｉｎ、Ｇａ、ＺｎおよびＳｎよりなる群から選択される少なくとも一種の元素（Ｚ群元素）から構成される第１の酸化物半導体層、並びに、Ｉｎ、Ｇａ、ＺｎおよびＳｎよりなる群から選択される少なくとも一種の元素（Ｘ群元素）と、Ａｌ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｇｅ、ＷおよびＮｉよりなる群から選択される少なくとも一種の元素（Ｙ群元素）を含む第２の酸化物半導体層を有する積層体であると共に、前記第２の酸化物半導体層は、前記第１の酸化物半導体層と前記ゲート絶縁膜との間に形成されている。 （もっと読む）

【課題】チャンバ内壁を保護するシールドの交換頻度を低下させ、半導体製造工程におけるスループットの向上および製造コストの低下を実現することができる成膜装置およびシールド部材を提供する。
【解決手段】本実施形態による成膜装置は、基板を真空雰囲気中に収容するチャンバと、基板に材料を成膜する際に前記チャンバの内壁を保護し、チャンバから着脱可能なシールド部材とを備えている。シールド部材は、チャンバの内壁の保護にまだ使用されていていない使用前シールドを筒状に巻いた使用前ロールと、使用前ロールと連続して繋がっており、チャンバの内壁の保護にすでに使用された使用後シールドを筒状に巻くことが可能な使用後ロールとを含む。ガイド部は、シールド部材をチャンバの内壁において支持する。 （もっと読む）

【課題】電流量の減少や断線などの問題を抑制した状態で、電界効果トランジスタをより微細化できるようにする。
【解決手段】基板１０１の上に形成されたグラフェンからなるフィン状のチャンネル領域１０２と、ゲート電極１０４およびゲート電極１０４を挟んでチャンネル領域１０２に接続されたソース電極１０５およびドレイン電極１０６とを備える。例えば、チャンネル領域１０２は、グラフェンが１層から４層程度積層されたものである。図１に示す例では、ゲート電極１０４は、チャンネル領域１０２にゲート絶縁層１０３を介して形成されている。 （もっと読む）

【課題】低温成膜可能な酸化物で半導体膜を形成した逆スタガ型薄膜トランジスタであって、半導体膜上に形成した保護膜の紫外線等に対する耐光性と耐環境安定性を向上させてなる薄膜トランジスタ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板１上にパターン形成されたゲート電極２と、ゲート電極２を覆うゲート絶縁膜３と、ゲート絶縁膜３上にパターン形成された酸化物半導体膜４と、酸化物半導体膜４上にパターン形成されたソース電極６Ｓ及びドレイン電極６Ｄと、ソース電極６Ｓ及びドレイン電極６Ｄ間に露出する酸化物半導体膜４を少なくとも覆う保護膜７とを有するボトムゲートトップコンタクト構造の薄膜トランジスタ１０であって、保護膜７を、酸化物半導体材料で形成する。このとき、酸化物半導体膜４及び保護膜７が、ＩｎＭＺｎＯ（ＭはＧａ，Ａｌ，Ｆｅのうち少なくとも１種）を含むアモルファス酸化物である酸化物半導体材料からなることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】有機半導体真空蒸着膜の形成に当たり、蒸着膜を高結晶化させるための新規かつ有効な手段を提供する。
【解決手段】有機半導体の蒸着膜を構成すべき有機半導体分子を基板に真空蒸着させるに当たり、室温における蒸気圧が１Pa以下であるが有機半導体分子よりも高い蒸気圧を示し、真空蒸着条件下において蒸発又は昇華すると共に加熱された基板上において揮発性を示す不活性分子を共蒸発物として用いる真空蒸着成膜方法。 （もっと読む）

【課題】主材料のみからなる薄膜と該主材料に１％以下（ｐｐｍオーダー）の副材料を添加した薄膜、およびそれらの多層や積層膜を制御性よく高品質かつ安全・安価に提供することを目的としたスパッタリング装置、スパッタリング方法および該薄膜を用いて作成された電子デバイスを提供すること。
【解決手段】形成する薄膜の主材料ターゲット１ｉを有する複数のマグネトロンスパッタリングカソード３ｍの間に、添加材料となる成分を含む副材料からなる副材料ターゲット１ｐ，１ｎを有するコンベンショナルスパッタリングカソード３ｃを配置し、マグネトロンスパッタリングカソード３ｍおよびコンベンショナルスパッタリングカソード３ｃに投入するスパッタリング電力を独立に制御することを特徴とする。 （もっと読む）