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【課題】成膜容器の圧力を測定するための圧力計に耐熱性を要求せず、かつ、設置面積を低減可能な成膜装置を提供する。
【解決手段】成膜容器11内に保持されている基板に原料ガスを供給することによって、基板に膜を成膜する成膜装置において、成膜容器11に原料ガスを供給する供給機構と、成膜容器11からガスを排気する排気機構25と、成膜容器11から排気機構25にガスが流れる排気流路55の途中に設けられており、原料ガスを含む生成物を析出させることによって、原料ガスを捕捉するトラップ部30と、成膜容器11とトラップ部30との間で排気流路55に合流するように接続されており、排気流路55にパージガスを供給するパージガス供給部50と、パージガス供給部50から排気流路55にパージガスが流れるパージガス供給流路52の途中に設けられた圧力計51とを有する。 (もっと読む)


【課題】表示装置用酸化物半導体膜の製造に好適に用いられる酸化物焼結体であって、高い導電性と相対密度を兼ね備えており、高いキャリア移動度を有する酸化物半導体膜を成膜可能な酸化物焼結体を提供する。
【解決手段】本発明の酸化物焼結体は、酸化亜鉛と、酸化スズと、酸化インジウムの各粉末を混合および焼結して得られる酸化物焼結体であって、
前記酸化物焼結体をX線回折したとき、Zn2SnO4相を主相とし、ビックスバイト型結晶構造であるZnXSnXInYm相(X、Y、mは任意の整数)を有すると共に、前記酸化物焼結体に含まれる金属元素の含有量(原子%)をそれぞれ、[Zn]、[Sn]、[In]としたとき、[Zn]+[Sn]+[In]に対する[In]の比、[Zn]+[Sn]に対する[Zn]の比、[Sn]の比は、それぞれ下式を満足するものである。
[In]/([Zn]+[Sn]+[In])=0.01〜0.25未満
[Zn]/([Zn]+[Sn])=0.50〜0.80
[Sn]/([Zn]+[Sn])=0.20〜0.50 (もっと読む)


【課題】均一な面内膜厚を有した薄膜を堆積させるとともに、使用効率の良いスパッタができるスパッタリング用ターゲットを提供すること。
【解決手段】実施形態のスパッタリング用ターゲットは、薄膜形成に用いられるターゲット原子を含んで構成されている。また、スパッタリング用ターゲットは、前記ターゲット原子がスパッタされるスパッタ面側の表面にスパッタ面の中心からの距離に応じた同心円状の厚みを持たせることによって前記スパッタ面が湾曲させられるとともに、湾曲させられた前記スパッタ面の表面に複数の凹凸形状部が形成されている。そして、前記凹凸形状部は、前記スパッタ面の凹部位置から所定の角度で斜め方向に叩き出されたターゲット原子を前記凹凸形状部の側壁に衝突させることで、前記斜め方向に叩き出されたターゲット原子が前記スパッタ面から放出されることを防いでいる。 (もっと読む)


【課題】半導体素子の作成時における粒子の飛散および不純物の混入を安定して抑制することができ、高い曲げ強度を有するイオン注入装置用カーボン部材を、簡便かつ低コストに製造することができる方法を提供する。
【解決手段】モザイク状コークスを65〜100質量%含む炭素材料を黒鉛化してなる、灰分含有量が1000質量ppm以下で平均粒子径が5〜100μmである黒鉛粉末100質量部に対し、灰分が0.5質量%以下であるフェノール樹脂の分散液を、固形分換算で20〜100質量部混合し、乾燥、粉砕して成形粉を作製した後、該成形粉を嵩密度が1.2〜1.75g/cmである成形体が得られように圧力を調節しつつ熱圧成形し、次いで、得られた成形体を不活性雰囲気中で焼成して黒鉛化処理し、ハロゲン含有ガス中で高純度化処理して灰分を20質量ppm以下にすることを特徴とするイオン注入装置用部材の製造方法である。 (もっと読む)


【課題】高速動作可能な半導体装置を提供する。また、短チャネル効果による電気特性の変動が生じにくい半導体装置を提供する。
【解決手段】トランジスタの半導体層に結晶性を有する酸化物半導体を用い、該半導体層にチャネル形成領域とソース領域とドレイン領域を形成する。ソース領域及びドレイン領域は、ゲート電極をマスクとして、半導体層に第15族元素のうち一種類または複数種類の元素を添加する自己整合プロセスにより形成する。ソース領域及びドレイン領域に、ウルツ鉱型の結晶構造を付与することができる。 (もっと読む)


【課題】短時間で薄膜を積層させる場合であっても、スループットを損なうことなく効率的に上記積層を実現可能なスパッタリング装置、及び電子デバイスの製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の一実施形態に係るスパッタリング装置は、回転可能な基板ホルダー103と、基板ホルダー130に対して斜めに配置されたターゲットホルダー107a〜107dと、ターゲットホルダーと基板ホルダーの間に設けられ、回転軸Xに対して2回対称に配置された2個の孔を有する第1シャッター115および第2シャッター116とを備える。ターゲットホルダー107a、107cは、回転軸Xに対して2回対称な位置に配置される第1群のターゲットホルダーであり、ターゲットホルダー107b、107dは、第1群のターゲットホルダー同士の間に回転軸Xに対して2回対称に配置される第2群のターゲットホルダーである。 (もっと読む)


【課題】Gaを含まないIn−Zn−Oの酸化物半導体を備えた薄膜トランジスタのスイッチング特性およびストレス耐性が良好であり、特に正バイアスストレス印加前後のしきい値電圧変化量が小さく安定性に優れた薄膜トランジスタ半導体層用酸化物を提供する。
【解決手段】Inと;Znと;Al、Si、Ta、Ti、La、Mg、およびNbよりなる群から選択される少なくとも一種の元素(X群元素)と、を含む薄膜トランジスタの半導体層用酸化物である。 (もっと読む)


【課題】酸化物半導体膜をチャネル形成領域に用いたトランジスタにおいて、短チャネル効果による電気特性の変動を抑制し、微細化した半導体装置を提供する。また、オン電流を向上させた半導体装置を提供する。
【解決手段】非晶質領域である一対の第2の酸化物半導体領域と、一対の第2の酸化物半導体領域に挟まれた第1の酸化物半導体領域と、を有する酸化物半導体膜と、ゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜を介して第1の酸化物半導体領域上に設けられるゲート電極と、を有する半導体装置において、第2の酸化物半導体領域には、水素または希ガスのいずれかの元素が添加されている。 (もっと読む)


【課題】基板の表面における酸二無水物及びジアミンのそれぞれのガスの供給量の変動を防止し、酸二無水物とジアミンとの重合反応により成膜されるポリイミド膜を連続して安定に成膜できる成膜装置を提供する。
【解決手段】内部の圧力が圧力調整可能に設けられており、固体状態の第1の原料を気化させ、気化した第1の原料ガスを基板に供給するための第1の気化器21と、内部の圧力が圧力調整可能に設けられており、液体状態の第2の原料を気化させ、気化した第2の原料ガスを基板に供給するための第2の気化器41と、第1の気化器21の内部の圧力と第2の気化器41の内部の圧力とを調整することによって、第1の原料ガスの供給量と第2の原料ガスの供給量との比が一定になるように、第1の気化器21及び第2の気化器41を制御する制御部60とを有する。 (もっと読む)


【課題】原料ガスの供給量の変動を防止し、原料ガスの重合反応により成膜されるポリイミド膜を連続して安定に成膜できる成膜装置を提供する。
【解決手段】基板にポリイミド膜を成膜する成膜装置において、第1の原料ガスを基板に供給するための第1の気化器21と、第2の原料ガスを基板に供給するための第2の気化器41と、第1の気化器の内部の圧力を測定するための第1の圧力計側部M1と、第2の気化器の内部の圧力を測定するための第2の圧力計側部M11と、第1の圧力計側部M1により測定した第1のデータに基づいて第1の原料ガスの供給量を算出し、第2の圧力計側部M11により測定した第2のデータに基づいて第2の原料ガスの供給量を算出し、算出した第1の原料ガスの供給量と算出した第2の原料ガスの供給量とがそれぞれ一定になるように、第1の気化器21及び第2の気化器41を制御する制御部60とを有する。 (もっと読む)


【課題】炭化珪素の半導体層の表面に発生するステップバンチングを抑制する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、炭化珪素のエピタキシャル層14にドーパントを導入するドーパント導入工程と、PLD、FCVA法又はECRスパッタ法を利用してエピタキシャル層14の表面にカーボン膜24を形成するカーボン膜形成工程と、カーボン膜24が残存した状態でエピタキシャル層14をアニール処理するアニール処理工程とを備える。 (もっと読む)


【課題】高アスペクト比を有しながら内径が均一なパターンを形成することが可能なプラズマエッチング方法及びプラズマエッチング装置を提供すること。
【解決手段】本発明に係るプラズマエッチング方法は、表面にマスクパターンが形成された基板Wを真空槽21内に配置し、真空槽21内に導入したガスのプラズマを発生させ、基板Wに高周波電場を印加しながらプラズマを用いて基板Wをエッチングし、基板Wに対するエッチングの進行に応じて高周波電場の周波数を変化させる。これにより、エッチングの指向性(等方的か異方的か)を変化させることが可能となる。エッチングが等方的となる周波数とエッチングが異方的となる周波数を切り替えることにより、パターンの拡張と縮小を抑え、内径が均一なパターンを形成することが可能となる。 (もっと読む)


【課題】酸窒化物膜を作製する成膜技術を提供する。また、その酸窒化物膜を用いて信頼性の高い半導体素子を作製する。
【解決手段】窒化インジウム、窒化ガリウム、窒化亜鉛の少なくとも1つを原料の一とし、これと、酸化インジウム、酸化ガリウム、酸化亜鉛の少なくとも1つと混合して窒素雰囲気中で焼結したインジウムとガリウムと亜鉛を有する酸窒化物よりなるスパッタリングターゲットを用いて酸窒化物膜を作製することにより、必要な濃度の窒素を含んだ酸窒化物膜が得られる。得られた酸窒化物膜はトランジスタのゲートやソース電極、ドレイン電極等に用いることができる。 (もっと読む)


【課題】 本発明は、各種イオンをイオン注入した後に活性化させるための熱処理を行う場合に、炭化珪素表面が荒れてしまうことを防ぐ炭化珪素半導体デバイスの作製方法を提供することを課題とする。
【解決手段】 炭化珪素単結晶基板又は炭化珪素単結晶エピタキシャル膜が成膜された基板にイオン注入する工程と、該基板上に窒素を含有した炭素膜を形成する工程と、注入イオンの活性化熱処理を行う工程とを含む炭化珪素半導体デバイスの作製方法である。 (もっと読む)


【課題】接触抵抗値を低減させて、下地膜とのオーミック接触を可能とする。
【解決手段】低抵抗の透明配線材料や透明電極材料として活用されるITO膜およびその製造方法において、ITO膜を低温度でスパッタリングして形成し、まず、非結晶体のアモルファス状態にする。次に、酸素雰囲気で熱処理(アニール処理)を行うことにより、ITO膜を結晶化すると共に、ITO膜の面指数(222)の結晶強度が面指数(400)の結晶強度よりも強くなるように結晶配向性がコントロールされる。 (もっと読む)


【課題】半導体デバイスにおける層間絶縁膜の経時変化を抑制し、デバイスの信頼性を向上する。
【解決手段】成膜終了時にモノマー分解生成物が膜表面に付着することを防ぐために気体分子のチャンバー内滞在時間を短くする。また不活性ガスのプラズマにより表面を処理することで表面に付着したモノマー分解生成物を除去する。 (もっと読む)


【課題】芳香族酸二無水物と芳香族ジアミンとの熱重合反応により成膜されるポリイミド膜の成膜速度を一定にすることができる成膜装置を提供する。
【解決手段】成膜容器60内で基板を保持する基板保持部44と、基板保持部44に保持されている基板を加熱する基板加熱部62と、成膜容器60内に設けられるとともに、第1の原料ガス及び第2の原料ガスを供給するための供給孔75が形成された、供給管73aを含み、供給孔75を介して成膜容器60内に第1の原料ガス及び第2の原料ガスを供給する供給機構70と、基板保持部44と基板加熱部62と供給機構70とを制御する制御部90とを有する。制御部90は、供給機構70により第1の原料ガス及び第2の原料ガスを供給するとともに、基板加熱部62により、基板保持部44に保持されている基板を、熱重合反応が生ずる温度範囲に加熱することによって、ポリイミド膜の成膜速度を制御する。 (もっと読む)


【課題】酸化物半導体膜をチャネルに用いたトランジスタに安定した電気的特性を付与し、信頼性の高い半導体装置を作製する。
【解決手段】加熱処理により第1の結晶構造となりうる酸化物半導体膜と、加熱処理により第2の結晶構造となりうる酸化物半導体膜を積層して形成し、その後加熱処理を行うことによって、第2の結晶構造を有する酸化物半導体膜を種として第1の結晶構造を有する酸化物半導体膜へ結晶成長する。このようにして形成した酸化物半導体膜を、トランジスタの活性層に用いる。 (もっと読む)


【課題】基板の面内における原料ガスの供給量を均一にし、成膜される膜の膜質を一定にすることができる成膜装置を提供する。
【解決手段】成膜容器60内で基板を水平面内で回転可能に保持する基板保持部44と、供給孔75が形成された供給管73aを含み、供給孔75を介して成膜容器60内に原料ガスを供給する供給機構70と、排気孔83が形成された排気管82を含み、排気孔83を介して成膜容器60内からガスを排気する排気機構80と、基板保持部44と供給機構70と排気機構80とを制御する制御部90とを有する。供給孔75と排気孔83とは、基板保持部44に保持されている基板を挟んで互いに対向するように形成されている。制御部90は、基板保持部44に保持されている基板を回転させた状態で、供給機構70により原料ガスを供給するとともに排気機構80によりガスを排気することによって、基板に膜を成膜するように制御する。 (もっと読む)


【課題】より電気伝導度の安定した酸化物半導体膜を提供することを課題の一とする。また、当該酸化物半導体膜を用いることにより、半導体装置に安定した電気的特性を付与し、信頼性の高い半導体装置を提供することを課題の一とする。
【解決手段】結晶性を有する領域を含み、当該結晶性を有する領域は、a−b面が膜表面に概略平行であり、c軸が膜表面に概略垂直である結晶よりなる酸化物半導体膜は、電気伝導度が安定しており、可視光や紫外光などの照射に対してもより電気的に安定な構造を有する。このような酸化物半導体膜をトランジスタに用いることによって、安定した電気的特性を有する、信頼性の高い半導体装置を提供することができる。 (もっと読む)


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