プラズマプロセスチェンバーにおいてウェーハレベルアークを検出するための方法と装置。方法は、例えば、プラズマプロセスチェンバーに供給された信号の波形を監視することと、波形中の特徴を検出することと、特徴を検出したことに応答して、波形が特徴の後で安定化したかどうかを決定することと、波形が安定化したことに応答して、特徴が双方向波形異常の一部であるかまたは一方向波形遷移であるかを決定することと、特徴が双方向波形異常の一部であることの指標かまたは特徴が一方向波形遷移であることの指標のどちらかを、コンピューター読み取り可能な媒体に記録することと、を含む。
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【課題】配線のエレクトロマイグレーション耐性を向上させる。
【解決手段】Ａｌ配線４０を形成する際、バリアメタル４１上に、Ａｌ粒子４０ａが第１の平均粒径となるように第１の条件で第１のＡｌ膜を形成し、次いで、第１の平均粒径より小さい第２の平均粒径となるように第２の条件で第２のＡｌ膜を形成する。その後、第２のＡｌ膜上にバリアメタル４２を形成し、形成後、バリアメタル４１，４２および第１，第２のＡｌ膜を配線パターンに加工する。
【選択図】図９
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【課題】低温での熱処理を適用した場合でも十分に低い電気抵抗率を示すと共に、直接接続された透明画素電極とのコンタクト抵抗が十分に低減され、かつ耐食性に優れた表示装置用Ａｌ合金膜を提供する。
【解決手段】表示装置の基板上で、透明導電膜と直接接続されるＡｌ合金膜であって、該Ａｌ合金膜は、Ｃｏを０．０５〜０．５原子％、およびＧｅを０．２〜１．０原子％含み、かつＡｌ合金膜中のＣｏ量とＧｅ量が下記式（１）を満たすことを特徴とする表示装置用Ａｌ合金膜。
［Ｇｅ］≧−０．２５×［Ｃｏ］＋０．２ …（１）
（式（１）中、［Ｇｅ］はＡｌ合金膜中のＧｅ量（原子％）、［Ｃｏ］はＡｌ合金膜中のＣｏ量（原子％）を示す） （もっと読む）

【課題】コンタクトホールやスルーホール、配線溝等の内壁面に対して、膜厚や膜質などの点で高い膜性能を確保した成膜を行い得るパルス状直流スパッタ成膜方法及びこの方法のための成膜装置を提供する。
【解決手段】ターゲット６に対してパルス状の直流電力を印加するスパッタ成膜方法において、あらかじめ、化合物種たる反応ガスを導入可能とすると共に前記パルス状直流電力の平均電力を一定に保ったまま該パルス状電力のデューティ比を可変とし、前記反応ガスを所定流量で導入した状態で、前記デューティ比を変化させて、基板７に形成される金属化合物薄膜の組成比を異ならせる。 （もっと読む）

【要 約】
【課題】酸素含有量が均一なバリア膜を形成する。
【解決手段】本発明のターゲット１１１は酸素と銅とを含有している。当該ターゲット１１１をスパッタリングして形成されるバリア膜２５は、原子組成がターゲット１１１と略等しくなるので、バリア膜２５中の酸素含有量を厳密に制御することが可能であり、しかも、バリア膜２５中の酸素の面内分布が均一になる。酸素と銅を含有するバリア膜２５はシリコン層やガラス基板への密着性が高い上に、シリコン層へ銅が拡散しないから、薄膜トランジスタ２０の、ガラス基板やシリコン層に密着する電極に適している。 （もっと読む）

【課題】例えば、スパッタリング法を用いて薄膜を形成する際の生産性を向上させる。
【解決手段】形成すべき一方の薄膜が、Ａｌ／Ｎｄ薄膜である場合には、出力パワーは、５．０〜３０．０Ｗ／ｃｍ□に設定され、チャンバ内の圧力は、０．１〜１．０Ｐａに設定される（スパッタ条件Ａ）。続く、スパッタ条件Ａ下で薄膜を形成する際、Ａｒガスのプラズマ及びＡｌイオンが第１ターゲット部材（９１）及び第２ターゲット部材（９２）の両方に衝突し、Ａｌ原子及びＮｄ原子の夫々がターゲット（３）から叩き出され、基板に付着する。これにより、基板にＡｌ／Ｎｄ合金からなる薄膜が形成される。一方、形成すべき一方の薄膜が、Ａｌ薄膜である場合には、出力パワーは、２．０〜５．０Ｗ／ｃｍ□に設定され、チャンバ内の圧力は、１．０〜２．０Ｐａに設定される（スパッタ条件Ｂ）。 （もっと読む）

【課題】装置の高いスループットを維持しつつ、バリアメタルの酸化工程の追加や異なる種類のシード層の積層、バリア層の積層等を行い配線の信頼性を向上させる。
【解決手段】薄膜の合金シード層を成長させるチャンバー、または、薄膜のバリアメタルを成長させるチャンバーのうち、最も短いタクト時間のチャンバー数を最も少なくして、あるいは、統一して１台の装置で専用に用い、タクト時間の長い工程のチャンバーを２または、３チャンバー以上にすることにより、薄膜工程のチャンバー間バラツキを無くして、装置のスループットを向上させる。 （もっと読む）

【課題】端部同士が接続された複数の薄膜パターンを形成した際、その上方に大きな段差を発生させることのない固体装置、有機ＥＬ装置、およびそれらの製造方法を提供すること。
【解決手段】トップエミッションタイプの有機ＥＬ装置１００の補助配線層８４を形成するにあたっては、第１マスク蒸着工程において、補助配線層８４を形成するための第１薄膜パターン８４ａを形成した後、第２マスク蒸着工程において、補助配線層８４を形成するための第２薄膜パターン８４ｂを端部８４１ａ、８４１ｂ同士が平面視で重なるように蒸着し、第１薄膜パターン８４ａと第２薄膜パターン８４ｂとが繋げる。第１薄膜パターン８４ａおよび第２薄膜パターン８４ｂは、端部８４１ａに向けて膜厚が漸減しているため、端部８４１ａ、８４１ｂ同士の重なり部分８４ｅに大きな段差が発生しない。 （もっと読む）

【課題】スパッタリング時の窒化反応に依存せずに、ターゲットそのものが、バリア膜と同一成分となるように、かつ半導体デバイスの反応を効果的に防止でき、さらに、スパッタリング時にパーティクルの発生のない、例えばバリア膜用として、最適なスパッタリングターゲット、同ターゲットの製造方法及び同バリア膜を備えた半導体デバイスを提供する。
【解決手段】ＴａｘＳｉｙＢｚ（６５≦ｘ≦７５、１５≦ｙ≦２５、５≦ｚ≦１５）の組成を有するＴａ、Ｔａ珪化物、Ｔａホウ化物からなる焼結体スパッタリングターゲット、及びＴａ粉、Ｔａ珪化物粉及びＴａホウ化物粉を、ＴａｘＳｉｙＢｚ（６５≦ｘ≦７５、１５≦ｙ≦２５、５≦ｚ≦１５）の配合比となるように混合し、これを１０〜５０ＭＰａの加圧力、１７００〜２０００°Ｃでホットプレスにより焼結することを特徴とするスパッタリングターゲットの製造方法。 （もっと読む）

【課題】両面フレキシブル配線基板の狭ピッチ配線が可能な、真空成膜による工程を経て製造される長尺樹脂フィルムの両面に金属膜を積層した基板の製造方法と製造装置を提供することにある。
【解決手段】長尺樹脂フィルムの両面に金属薄膜を真空成膜して長尺樹脂フィルムの両面に金属薄膜を積層させた基板の製造方法において、長尺樹脂フィルムの両面に金属薄膜を真空成膜した後に、該金属薄膜のうち少なくとも一方の金属薄膜の表面に有機物液体膜を形成し、金属薄膜積層基板を巻き取ることを特徴とする基板の成膜方法を用いる。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェーハの電気的特性を高精度かつ簡便に評価し得る手段を提供する。
【解決手段】ウエーハ面上に蒸着パターンを形成するための蒸着用マスク。少なくとも１つの貫通孔１を有する厚みが１μｍ以上５０μｍ以下のマスク層１を有し、上記マスク層１上に、該マスク層１が有する貫通孔１を塞ぐことなく磁性マスク２を有する。上記蒸着用マスクを使用する蒸着パターン作製方法。前記マスクを使用する半導体ウェーハ評価用試料の作製方法。前記方法によって半導体ウェーハ表面上に金属パターンを作製し、作製された金属パターンを介して半導体ウェーハの電気的特性を測定する半導体ウェーハの評価方法。前記評価方法を使用する半導体ウェーハの製造方法。 （もっと読む）

【課題】基板に形成されたホールの内部にスパッタリングにより成膜した貴金属膜の厚みを、ホールの両サイドで対称なものとすることができ、したがって、貴金属膜に断線等の不具合が生じる虞がなく、信頼性をより向上させることができる貴金属膜の成膜装置及び貴金属膜の成膜方法を提供する。
【解決手段】本発明の貴金属膜の成膜装置は、基板２３に形成されたホールの内部に貴金属膜をスパッタリングにより成膜する装置であり、ターゲット２４と、このターゲット２４に対向配置されるステージ２２と、ターゲット２４にスパッタリング電力Ｐ_ｔ（Ｗ）を印加する電源２６とを備え、ターゲットの直径Ｔと、ターゲット２４とステージ２２上の基板２３との距離Ｌとの比Ｌ／Ｔを、０．５以上かつ１．５以下の範囲で変更可能とした。 （もっと読む）

【課題】 基板ホルダーが移動しても、整合状態が大きく変化することなく、インピーダンスの整合状態が維持されることを課題とする。
【解決手段】上記課題を解決するため、本願に係わる基板処理装置は、処理チャンバー、前記処理チャンバー内に位置し、基板を保持するための基板ホルダー、前記基板ホルダーに高周波電力を供給するための高周波電源、前記基板ホルダーと前記高周波電源との電気的に間に位置する整合器及び前記基板ホルダーと前記整合器を一体に移動させる移動機構を有する構成とする。 （もっと読む）

【課題】微細な開口部、かつ高アスペクト比を持つトレンチ又はホール内を金属材料で埋め込む方法の提供。
【解決手段】円筒状トリガ電極１３と蒸発材料部材１２ａを有する円柱状カソード電極１２とが、円筒状絶縁碍子１５を介して同軸状に隣接して固定されて配置され、カソード電極の周りに同軸状にアノード電極１１が離間して配置されている同軸型真空アーク蒸着源１を用い、トリガ電極とカソード電極との間にトリガ放電を発生させ、カソード電極とアノード電極との間に間欠的にアーク放電を誘起させ、蒸発材料部材から生成される荷電粒子を真空チャンバー内に放出させ、トレンチ又はホール内へ金属材料を埋め込む。 （もっと読む）

【課題】スパッタリング膜の成膜レートを低下させずに、ターゲットのスパッタリング時に生じるターゲット材料の凝集を適切かつ容易に抑制できるスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】スパッタリング装置１００は、基板３４Ｂおよびターゲット３５Ｂを格納する真空成膜室３０と、カソードユニット４１を有して、カソードユニット４１およびアノードＡ間の放電により、真空成膜室３０内にプラズマ２７を形成可能なプラズマガン４０と、プラズマガン４０に電力を供給するプラズマガン電源５０と、ターゲット３５Ｂにバイアス電圧を印加するバイアス電源５２と、を備え、プラズマ２７中の荷電粒子によりスパッタリングされたターゲット３５Ｂの材料が基板３４Ｂにおいて凝集を起こさないよう、プラズマの放電電流ＩＤがプラズマガン電源５０を用いて調整され、かつ、バイアス電圧ＶＢがバイアス電源５２を用いて調整されている。 （もっと読む）

【課題】Ａｌ−Ｃｕ合金内においてＣｕ（溶質元素）を均一に分散させ、かつ、析出するＣｕの粒子をより微細にするための均質化方法を提供する。
【解決手段】Ａｌ−Ｃｕ合金に対して、２００℃以上、３５０℃以下の温度で４〜１４時間加熱した後、冷却する均質化処理を行う。Ａｌ−Ｃｕ合金からスパッタリングターゲットを製造する場合には、Ａｌ−Ｃｕ合金（スラブ）を熱処理炉に入れて、本発明に係る均質化処理を施した後、一対の圧延ローラ１０・１０を備えた圧延機を用いて当該Ａｌ−Ｃｕ合金に圧延処理（冷間圧延）を行って圧延板に加工する。次いで、当該圧延板を熱処理炉に入れて再加熱処理（焼き鈍し処理・歪み取り処理）を施して目的の圧延板を形成した後、打ち抜き加工等を施して、円盤状のスパッタリングターゲット１１…を製造する。 （もっと読む）

【課題】
永久磁石による反発磁界の幅を狭めることなく、シートプラズマの傾きを調整できるシートプラズマ成膜装置を提供する。
【解決手段】
本発明に係るシートプラズマ成膜装置１は、円柱状のプラズマＰを出射するプラズマガン２と、円柱状のプラズマＰを挟んでＮ極の磁極面が対向するように配置された一対の永久磁石７Ａ、７Ｂで構成され、円柱状のプラズマＰをシート状に変形させる永久磁石対７と、少なくとも一方の永久磁石７Ａ、７ＢのプラズマPに対向する面に配置され、かつ、一対の永久磁石７Ａ、７Ｂの対向方向（Ｙ方向）からみて円柱状のプラズマＰの中心軸Ｔに対し非対称に配置された磁性部材８と、シート状のプラズマＰを利用して成膜が行われる成膜室９と、を備えている。 （もっと読む）

複数のパルスで陽極とターゲット間に電力を印加することによってＴａＮ層（４）を被着し、ターゲットから基板（２）へ反応的にＴａをスパッタしてＴａNシード層（４）を形成する方法から成る。Ｔａ層（５）は複数のパルスにおける電力を印加すると共に、前記基板（２）を支持するペデスタルに高い周波数信号を印加することによって前記ＴａＮシード層（４）の上に被着され、前記基板（２）に隣接した自己バイアス場を生成する金属化構造体（１）を被着する方法。
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【課題】配向した窒化タンタル膜が配された電子デバイス用基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】被成膜面１ａが（１１１）配向したシリコンからなる基材１と、Ｔａからなるターゲットと、Ａｒ及びＮ２からなるプロセスガスとを用いて反応性スパッタリングを行うと、基材１の前記被成膜面１ａ上に、少なくとも（１００）配向した窒化タンタル膜が形成される。前記のことから（１００）配向した窒化タンタル膜から構成された電子デバイス用の（１１１）配向した基板１０を提案する。 （もっと読む）

【課題】良好なペロブスカイト型の強誘電体膜を形成する。
【解決手段】本発明の強誘電体メモリ素子の製造方法は、基板の上方に、酸化イリジウム層を形成する工程と、酸化イリジウム層上に、ペロブスカイト型の導電性酸化物からなり、第１電極３３ａの最上層となる酸化物電極層３３２ａを形成する工程と、酸化物電極層３３２ａ上に強誘電体膜３４ａを形成する工程と、強誘電体膜上に第２電極３５ａを形成する工程と、を有する。酸化物電極層を形成する工程は、導電性酸化物の金属成分を含有した有機金属材料と酸素とを供給しかつ化学反応させるとともに、その生成物を成膜する成膜プロセスを含む。成膜プロセスは、供給する有機金属材料を化学反応させるのに必要な量未満の酸素を供給して成膜する低酸素処理と、その後に化学反応させるのに必要な量以上の酸素を供給して成膜する高酸素処理と、を含む。 （もっと読む）