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Fターム[4K029BD02]の内容

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Fターム[4K029BD02]に分類される特許

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【課題】ウエットエッチング性に優れた特性を有する新規な金属配線膜を提供すること。
【解決手段】表示装置またはタッチパネルセンサーの配線用Ti合金膜に用いられる配線膜であって、合金成分としてX群元素(Xは、希土類元素、Ge、Si、Sn、Hf、Zr、Mg、Ca、Sr、Al、Zn、Mn、Co、Fe、及びNiよりなる群から選択される少なくとも一種の元素)を3〜50原子%、および/または酸素を0.2〜3.0質量%を含み、残部Tiおよび不可避不純物からなることに要旨を有する表示装置の配線用Ti合金膜。 (もっと読む)


【課題】材料ワイヤが空中で溶解して発生する飛沫を排除でき、しかも材料蒸発領域が縮小しない蒸着用ボートを提供することを目的とする。
【解決手段】プール2の一端3aの近傍の材料供給部9aがこの材料供給部の他端3bの側に接続された材料蒸発部10よりも低温になるように、プール2の材料蒸発部10の裏面に、断面積が均一な平坦部14と、平坦部14と材料供給部9aとを接続する勾配部15aを設け、勾配部15aを、一端3aから他端3bに向かう方向に断面積が大きくなるよう形成して温度分布を形成している。 (もっと読む)


【課題】反応性スパッタリングにより所定の薄膜を形成する際に、処理基板全面に亘って膜厚分布や比抵抗値などの膜質を略均一にできるようにスパッタリング装置を構成する。
【解決手段】同数のターゲット31a乃至31hが等間隔で並設された複数のスパッタ室11a、11bの間で、各ターゲットに対向した位置に処理基板Sを搬送し、この処理基板が存するスパッタ室内の各ターゲットに電力投入して各ターゲットをスパッタリングし、処理基板表面に同一または異なる薄膜を積層する。その際、相互に連続するスパッタ室の間で処理基板表面のうち各ターゲット相互の間の領域と対向する箇所がずれるように処理基板の停止位置を変える。 (もっと読む)


【課題】搬送中に基板がホルダから外れることを防止することができる真空蒸着装置を提供する。
【解決手段】ホルダ103aは、基板20を保持する一方面S1と、一方面S1と反対の他方面S2とを有する。またホルダ103aには、平面視において基板20の一部と重複する領域において開口部OPが設けられている。蒸着源120はホルダ103aの一方面S1に対向している。ヒータはホルダの他方面S2に対向している。固定具60は、ホルダの一方面S1上に固定され、一方面S1との間で基板20を挟むことによって基板20を固定している。 (もっと読む)


【課題】薄い基材上に厚いアルミニウムを被着させても基材が撓むことのない被着方法を提供する。
【解決手段】基材を静電チャック上に配置し、静電チャックにバイアスを印加しない状態でアルミニウムの第1層を被着させ、次に静電チャックにバイアスを印加して基材を支持体に密着し、そして第1層より厚いアルミニウムの第2層を22℃未満の基材温度で第1層に連続して被着させる。 (もっと読む)


【課題】微細なトレンチまたはホール等の凹部にボイドを発生させずに確実にCuを埋め込むことができ、かつ低抵抗のCu配線を形成すること。
【解決手段】ウエハWに形成されたトレンチ203を有する層間絶縁膜202において、トレンチ203の表面にバリア膜204を形成する工程と、バリア膜204の上にRu膜205を形成する工程と、Ru膜205の上に、加熱しつつ、PVDによりCuがマイグレーションするようにCu膜206を形成してトレンチ203を埋める工程とを有する。 (もっと読む)


【課題】ワークピースの配置場所を画成する蒸着装置において長期の高出力作動が可能となるシールド組立体を提供する。
【解決手段】複合シールド組立体10は、ワークピースの配置場所の周囲に置かれる第1シールド要素13と、第1シールド要素13の周りに延在して第1シールド要素13を保持する第2シールド要素14であって、第1シールド要素13の熱伝導率が当該第2シールド要素14の熱伝導率よりも大きく、第1シールド要素13及び当該第2シールド要素14が、熱的接触を密接にするように配置される、第2シールド要素14とを含む。 (もっと読む)


【課題】基板毎に成膜の目標膜厚を設定でき、ひいては電極線幅に対応した膜厚を形成することができる成膜システム及び成膜方法を提供する。
【解決手段】基板18上に形成された複数箇所のレジスト19を測定する測定室102と、基板18を1枚ずつ成膜して基板18上に電極21を形成する枚葉式成膜室104と、を有する成膜システム100であって、基板18上にて隣接するレジスト19のレジスト間距離またはレジスト線幅を測定する測定手段116を測定室102に有し、測定手段116によって測定したレジスト間距離またはレジスト線幅に基づいて、基板18から作製される電気素子が所定の周波数を得るための最適な電極膜厚を算出する制御手段114を有し、枚葉式成膜室104は、基板18の電極膜厚が制御手段114で算出された最適な電極膜厚となるように、基板18に電極を形成する成膜手段10を有することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】Al基合金スパッタリングターゲットやCu基合金スパッタリングターゲットを用いたときのプレスパッタリング時、及び続いて行われる基板等へのスパッタリング時の成膜速度が高められ、且つスプラッシュなどのスパッタリング不良を抑制し得る技術を提供すること。
【解決手段】Al基合金またはCu基合金スパッタリングターゲットの最表面から1mm以内の深さのスパッタリング面法線方向の結晶方位<001>±15°と、<011>±15°と、<111>±15°と、<112>±15°と、<012>±15°との合計面積率をP値としたとき、下記(1)および/または(2)の要件を満足するスパッタリングターゲット。
(1)前記P値に対する、<011>±15°の面積率PA:40%以下、
(2)前記P値に対する、<001>±15°と<111>±15°との合計面積率PB:20%以上 (もっと読む)


【課題】少ない処理室で効率よくバリア層及び埋込層を形成する小型の真空処理装置を提供する。
【解決手段】バリア層は、Ti製のターゲットと希ガスを導入してプラズマ雰囲気を形成し、ターゲットをスパッタリングして第1金属層を形成し、処理室内に酸素ガス及び窒素ガスを含むガスを導入して、第1金属層の表面およびターゲット表面を酸窒化処理する。更にターゲットをスパッタリングして酸窒化処理された表面に第2金属層を形成する。他方、埋込層は、Al含有の金属製のターゲットを用い、スパッタ粒子をプラズマ中の荷電粒子と衝突するように所定圧力に調節すると共に、当初投入したバイアス電力を、成膜中に停止し、処理室の圧力も低下させると共に、加熱手段により処理対象物Wを、処理対象物表面に付着、堆積した金属粒子が流動する温度に加熱する。 (もっと読む)


【課題】ロウ材を使用することなく、円筒形スパッタリングターゲットを製造する方法を提供する。
【解決手段】円筒形ターゲット材3の内径側に、該円筒形ターゲット材3の内径よりも小さい外径を有するバッキングチューブ2を挿入し、この状態で、たとえば棒状の芯金4を挿通して、該バッキングチューブ2を拡管することにより、ロウ材を使用することなく、該円筒形ターゲット材3を該バッキングチューブ2に接合する。円筒形ターゲット材3とバッキングチューブ2の間に、溶融および凝固した後に塑性加工された低融点金属の緩衝材を介在させてもよい。 (もっと読む)


【課題】半導体用銅合金配線自体に自己拡散抑制機能を有せしめ、活性なCuの拡散による配線周囲の汚染を効果的に防止することができ、またエレクトロマイグレーション(EM)耐性、耐食性等を向上させ、バリア層が任意に形成可能かつ容易であり、さらに半導体用銅合金配線の成膜工程の簡素化が可能である半導体用銅合金配線及び同配線を形成するためのスパッタリングターゲット並びに半導体用銅合金配線の形成方法を提供する。
【解決手段】Mn0.05〜20wt%を含有し、Be,B,Mg,Al,Si,Ca,Ba,La,Ceの総計が500wtppm以下、残部がCu及び不可避的不純物であることを特徴とするCu−Mn合金スパッタリングターゲット。 (もっと読む)


【課題】Cu配線層に含まれるCuの周囲への拡散を抑制すると共に密着性および動作特性に優れた半導体装置およびその製造方法、並びに、その半導体装置の製造に用いるスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】実施の形態に係るスパッタリングターゲットは、1.5原子%以上5.0原子%以下のMnと、(Mgの原子%)/(Mnの原子%)で示される比率が0.3以上2.1以下となるMgと、10wtppm以下のCと、2wtppm以下のOと、を含むCu合金を用いて形成される。 (もっと読む)


【課題】波状の磁気トラックを十分な磁場強度でターゲット上に出すことができる磁石ユニットを提供することを目的とする。
【解決手段】ヨーク板に直立して設けられた第1の磁石と、ヨーク板に直立して設けられ第1の磁石と反発する磁極を有する第2の磁石と、第1の磁石と第2の磁石との間に斜めに設けられ第3の磁石とを備えた第1の磁石エレメントと、ヨーク板直立して設けられた第4の磁石と、ヨーク板に直立して設けられ第4の磁石と反発する磁極を有する第5の磁石と、第4の磁石と第5の磁石の間に斜めに設けられ第6の磁石とを備えた第2の磁石エレメントとから構成され、第1の磁石エレメントと第2の磁石エレメントとを、無終端状の形状に沿って交互に配置した磁石ユニット。 (もっと読む)


【課題】 ガラス基板やSi系膜との密着性に優れ、SiとCuとにおける高い拡散バリア性を有し、尚且つ水素プラズマ雰囲気に曝されても膜の膨れや膜剥がれが発生し難い、下地膜等を得るためのCu合金スパッタリングターゲットおよび半導体装置のCu配線膜の製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明は、Ce酸化物を25〜53質量%含有し、残部Cuおよび不可避的不純物からなるCu合金スパッタリングターゲットである。また、本発明は、Ce酸化物を25〜53質量%含有し、残部Cuおよび不可避的不純物からなるCu合金スパッタリングターゲットをスパッタリングして下地膜を形成し、次いで該下地膜上にCu系配線膜をスパッタリングにより形成する半導体装置のCu配線膜の製造方法である。 (もっと読む)


【課題】成膜面を下にして上下を逆にして載置したウエハ上の堆積膜にクラック、バリ、剥がれの発生を防止する。
【解決手段】蒸着設備において、下から受けてウエハ2を支えて搭載するウエハ搭載用のヤトイ治具3において、ヤトイ治具3の内周側の先端部に庇状の段差部3aが平面視リング状に設けられている。リング状のヤトイ治具3の段差部3b上にはウエハ2が搭載され、さらに外周側のヤトイ治具3の段差部3c上には、その下面がウエハ2の上面にと当接してウエハ2を自重で固定するための蓋4が搭載されている。段差部3c上に搭載された蓋4の下面は、段差部3b上に搭載されたウエハ2の上面を多少押圧する段差部3b、3cの段差高さ関係を有している。 (もっと読む)


【課題】機械加工が難しい高融点金属合金、高融点金属珪化物、高融点金属炭化物、高融点金属窒化物あるいは高融点金属ホウ化物の難焼結体からなるターゲットを比較的容易に製造できるようにすると共に、ターゲット製造時及びハイパワースパッタリング時の割れの発生を効果的に抑制し、またターゲット原料のホットプレス時におけるダイスとの反応を抑制し、さらにターゲットの反りを低減できるターゲット及びその製造方法を提供する。
【解決手段】高融点金属合金、高融点金属珪化物、高融点金属炭化物、高融点金属窒化物あるいは高融点金属ホウ化物の難焼結体からなるターゲット材3とターゲット材以外の高融点金属板2,2’とが接合された構造を備えていることを特徴とする高融点金属合金、高融点金属珪化物、高融点金属炭化物、高融点金属窒化物あるいは高融点金属ホウ化物の難焼結体からなるターゲット。 (もっと読む)


【課題】複数のターゲットの同時放電による反応性スパッタリングにおいて、堆積された膜の組成をコントロールすることを目的とする。
【解決手段】各ターゲットへの反応性ガスの供給量を異ならせることで、一方のターゲットからは反応性ガスとの反応生成物がスパッタされ、他のターゲットからはターゲット材質がスパッタリングされる。これにより、堆積される膜の組成をコントロールすることが可能となる。また、一方のターゲットをポイズンモードとし、他のターゲットをメタルモードとしてスパッタリングを行うことで、反応生成物と金属からなる化合物が成膜される。 (もっと読む)


【課題】1つの真空チャンバで複数の異種の基板に膜を形成することができると共に、高品質な半導体デバイスを生産できるスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】排気系およびガス導入系と接続された真空チャンバ(107)と、真空チャンバ(107)内に設置されスパッタリング電源(312a)と接続された第1スパッタリングカソード(303a)と、真空チャンバ(107)内に設置されスパッタリング電源(312b)と接続された第2スパッタリングカソード(303b)と、基板(8)が載置される基板ホルダ(131)と、基板(8)に高周波電圧を印加して基板(8)を逆スパッタ(S12)する高周波電源(130)と、を備えたことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】 本発明は、以上の点に鑑み、異種金属からなる導電層間に介在されるような場合でも十分なバリア性能を発揮し得るバリア層を生産性よく形成することができるバリア層の形成方法を提供する。
【解決手段】 バリア層BMは、処理対象物Wを一方の導電層CL1を有するものとし、この処理対象物と、例えばTi製のターゲット2とを真空処理室1a内に配置し、真空処理室内に希ガスを導入してプラズマ雰囲気を形成し、ターゲットをスパッタリングして一方の導電層表面に第1金属層を形成し、真空処理室内に酸素ガス及び窒素ガスを含むガスを導入してプラズマ雰囲気を形成し、第1金属層の表面を酸窒化処理すると共に、ターゲットをもプラズマ雰囲気に曝して当該ターゲット表面を酸窒化し、真空処理室内に希ガスを更に導入してプラズマ雰囲気を形成し、ターゲットをスパッタリングして酸窒化処理された表面に第2金属層を形成してなる。 (もっと読む)


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