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【課題】ターゲットに含まれる強磁性金属元素の含有量を減少させずに、マグネトロンスパッタリング時の漏洩磁束量を従来よりも増加させることができるマグネトロンスパッタリング用ターゲットを提供する。
【解決手段】強磁性金属元素を有するマグネトロンスパッタリング用ターゲット10であって、前記強磁性金属元素を含む磁性相12と、前記強磁性金属元素を含み、かつ、構成元素またはその含有割合の異なる複数の非磁性相14、16と、酸化物相18とを有しており、前記複数の非磁性相のうちの少なくとも1つの非磁性相14は、磁性相12よりも細かく酸化物相18と分散し合っている。 (もっと読む)


【課題】スパッタリング中にターゲットからの粒子の落下を効果的に減少させることができる、CoベースのまたはFeベースの磁気記録媒体の下層材料のためのターゲットを提供する。
【解決手段】立方結晶構造を有するマグネシウム一酸化物ベースの(MgOベースの)複合物からなるターゲットであって、MgOベースの複合物が、MgOおよび単数または複数の酸化物を備える、CoベースのまたはFeベースの磁気記録媒体の下層材料のためのターゲット。 (もっと読む)


【課題】より高い特性を有する膜体を形成する。
【解決手段】被膜部材10の製造方法は、スパッタリングターゲット部材を用い、スパッタリング処理によって被処理部材11に膜体12を形成する形成工程、を含むものである。この形成工程では、1又は複数のスパッタリングターゲット部材を用い、Mg、Al、O及びNの元素を含む膜体12を被処理部材11の表面に形成する処理を行う。ここで、スパッタリングターゲット部材は、Mg、Al、O及びNの全てが含まれていれば、どのような形態でも構わず、スパッタリングターゲット部材を1種用いるものとしてもよいし、スパッタリングターゲット部材を複数種用いるものとしてもよい。被処理部材11に形成された膜体12には、Mg、Al、O及びNが含まれている。 (もっと読む)


【課題】コンパクトで使い勝手が良く、イニシャルコストもランニングコストも安い真空成膜装置を提供する。
【解決手段】成膜チャンバ(2)内に、ワークホルダ(10)と、マグネトロン電極(15)とを設ける。マグネトロン電極(15)には、第1のターゲット材料(16)を設け、これに重ね合わせるように第2のターゲット材料(17)を設ける。第2のターゲット材料(17、17)は第1のターゲット材料(16)をカバーする位置と、開放する位置の2位置を採ることができるようにする。ワークホルダ(10)と、第1、2のターゲット材料(16、17)との間には、直流電圧と高周波電圧とが選択可能に印加されるようにする。 (もっと読む)


【課題】 本発明により、室温で低いBsを示すとともに、高温においてBsの低下幅が小さい垂直磁気記録媒体用軟磁性合金およびこの合金の薄膜を作製するためのスパッタリングターゲット材を提供できる。
【解決手段】 at%で、Ti,Zr,Hf,V,Nb,Ta,Cr,Mo,W,Mn,Ni,Cu,Al,B,C,Si,P,Zn,Ga,Ge,Snを1種以上、残部Co、Feおよび不可避的不純物からなり、下記の式(1)〜(3)を全て満たすことを特徴とした垂直磁気記録媒体における軟磁性薄膜層用合金およびスパッタリングターゲット材。(1)0≦Fe%/(Fe%+Co%)≦0.5
(2)5≦Ti%+Zr%+Hf%+V%+Nb%+Ta%+B%/2
(3)0.3≦0.813×Fe%/(Fe%+Co%)−0.062×TNM+1.751≦1.2 (もっと読む)


【課題】 本発明により室温でのBsに対する高温でのBsの低下幅が小さい垂直磁気記録媒体用軟磁性合金、およびこの合金の薄膜を作製するためのスパッタリングターゲット材を提供する。
【解決手段】 at%で、原子番号が57〜71のランタノイドに属する元素を1種以上と、Y,Ti,Zr,Hf,V,Nb,Ta,Bの1種もしくは2種以上または/およびC,Al,Si,P,Cr,Mn,Ni,Cu,Zn,Ga,Ge,Mo,Sn,Wの1種もしくは2種以上を含み、残部Co,Feおよび不可避的不純物からなり、下記の式(1)〜(3)を全て満たすことを特徴とした垂直磁気記録媒体における軟磁性薄膜層に用いる合金。(1)0.5≦TLA≦15、(2)5≦TLA+TAM、(3)TLA+TAM+TNM≦30 (もっと読む)


【課題】磁気トンネル接合素子のMR比を向上させることが可能なスパッタリングターゲット、及びそれを用いた磁気メモリの製造方法を提供する。
【解決手段】MgOを主成分とし、厚さが3mm以下であるターゲット本体10を備えることを特徴とするスパッタリングターゲット、及びそれを用いた、MR比を向上させることができる磁気メモリの製造方法である。 (もっと読む)


【課題】処理対象物の表面に凹凸が生じることを防止できる生産性のよいイオン注入法を提供する。
【解決手段】本発明は、X(式中、X及びYのいずれか一方を水素原子とし、いずれか他方を質量数が11〜40の原子とし、水素原子の数を1〜6、他方の原子の数を1〜2とする)で表される分子の中から選択される少なくとも1種を含む処理ガスを用い、この処理ガスを減圧下で導入してプラズマを形成し、プラズマ中で電離したイオンを引き出し、引き出したイオンを加速して処理対象物W内に注入するイオン注入法であって、処理ガスの分圧、イオンの注入エネルギ及びイオンの注入ドーズ量の少なくとも1つを制御して、処理対象物W表面に堆積する活性種の堆積速度よりも、加速したイオンによる活性種のエッチング速度を遅くする。 (もっと読む)


【課題】 低保磁力を有する垂直磁気記録媒体における軟磁性薄膜層用合金、およびこの合金の薄膜を作製するためのスパッタリングターゲット材を提供する。
【解決手段】 Ti,Zr,Hf,Nb,Ta,Bを1種以上、W,Snの1種または2種を含み、残部CoおよびFeからなり、下記(1)〜(4)を満たすことを特徴とする、垂直磁気記録媒体における軟磁性薄膜層用合金。at.%で、
(1)6≦Ti%+Zr%+Hf%+Nb%+Ta%+B%/2≦24
(2)Zr%+Hf%≦14
(3)3≦W%+Sn%≦19
(4)0.20≦Fe%/(Fe%+Co%)≦0.90 (もっと読む)


【課題】ヘッドスペーシングの拡大、および磁性層の磁気異方性の低下を抑制することができる垂直磁気記録媒体の製造方法の提供。
【解決手段】(1)規則合金を構成する金属および炭素を含むターゲットを用いるスパッタ法によって、非磁性基板上に、規則合金の結晶粒子および炭素からなる粒界層を含む磁気記録層と、磁気記録層上に存在し、炭素からなる保護層前駆体とを形成する工程と、(2)保護層前駆体に、炭化水素系ガスに対するプラズマ放電により生成した炭化水素系イオンを照射して、保護層前駆体を保護層に変化させる工程とを含み、炭化水素系イオンは保護層前駆体に到達する際に300eV以上のエネルギーを有することを特徴とする方法。 (もっと読む)


【課題】 規則化温度の低い膜を成膜することができると共にパーティクルの発生が抑制可能な磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供すること。
【解決手段】 磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットが、一般式:{(FePt100−x(100−y)In(100−z)、原子比により30≦x≦80、1≦y≦20、3≦z≦65で表される組成を有した焼結体からなる。また、このスパッタリングターゲットの製造方法は、InPt合金粉と、FePt合金粉と、Pt粉と、グラファイト粉またはカーボンブラック粉と、の混合粉末を、真空または不活性ガス雰囲気中でホットプレスする工程を有している。 (もっと読む)


【課題】 磁気記録媒体等に用いられる軟磁性膜形成用のFe−Co―Ta系スパッタリングターゲット材において、スパッタリング時に発生するパーティクルを極力抑止することが可能なスパッタリングターゲット材を提供する。
【解決手段】 Fe−Ta粉末とCo−Ta粉末と純Ta粉末とを混合して混合粉末を得る工程と、前記混合粉末を焼結温度1100〜1400℃、圧力125〜200MPaで1〜10時間の加圧焼結をする工程とを有するFe−Co−Ta系スパッタリングターゲット材の製造方法。 (もっと読む)


【課題】スパッタリングターゲットの成分をその中により均一に分布させることに加えて、スパッタリング時のアーク放電効果及び不要な粒子の形成を減少させたCoCrPtに基づく合金スパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】コバルト(Co)、クロム(Cr)、白金(Pt)、酸化コバルト、及び非磁性酸化物組成物を含有し、スパッタリングターゲットに形成されるCr及びCo(Cr)−X−Oのセラミック相の長さが、それぞれ3μm未満である(「X」は、非磁性酸化物の金属元素を表す)CoCrPtに基づく合金スパッタリングターゲットとする。 (もっと読む)


【課題】一定の加速電圧で処理対象物の厚さ方向全長に亘って均一なイオン濃度分布を得ることができる生産性のよいイオン注入法を提供する。
【解決手段】本発明は、減圧下で所定の処理ガスを導入してプラズマを形成し、このプラズマ中のイオンを引き出し、引き出したイオンを加速して処理対象物W内に注入するイオン注入法であって、処理ガスとして、X(式中、X及びYを互いに異なる元素であって、その質量数が1、5〜40の原子とし、m=1〜4、n=1〜10とする)で表される分子の中から選択されるものを用いる。 (もっと読む)


【課題】 飽和磁束密度、非晶質性および耐候性に優れた垂直磁気記録媒体用軟磁性合金において、マグネトロンスパッタ時に効率良く使用できるターゲット材を提供する。
【解決手段】 Zr、Hf、Nb、TaおよびBの2種以上を含有し、残部CoおよびFe、ならびに不可避的不純物よりなり、下記式1および式2を満足し、相対密度99%以上であることを特徴とする垂直磁気記録媒体における軟磁性膜層用合金ターゲット材。
0.60≦Fe/(Fe+Co)≦0.65(at.%比) … (1)
5at%≦(Zr+Hf+Nb+Ta)+B/2≦10at% … (2)
ただし、B:7%以下とする。 (もっと読む)


【課題】 規則化温度の低い膜を成膜することができると共にパーティクルの発生が抑制可能な磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供すること。
【解決手段】 磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットが、一般式:{(FePt100−x(100−y)(100−z)、ここでAがSbおよびSnの少なくとも一方からなる金属であり、原子比により30≦x≦80、1≦y≦20、3≦z≦65で表される組成を有した焼結体からなる。また、このスパッタリングターゲットの製造方法は、SbPt合金粉およびSnPt合金粉の少なくとも一方と、FePt合金粉と、Pt粉と、グラファイト粉またはカーボンブラック粉と、の混合粉末を、真空または不活性ガス雰囲気中でホットプレスする工程を有している。 (もっと読む)


【課題】 飽和磁束密度、非晶質性および耐候性に優れた垂直磁気記録媒体用軟磁性合金においてマグネトロンスパッタ時に効率良く使用できる高PTF値ターゲット材を提供する。
【解決手段】 Zr、Hf、Nb、TaおよびBの1種または2種以上を含有し、残部CoおよびFe、ならびに不可避的不純物よりなり、下記式1および式2を満足し、相対密度99%以上であることを特徴とする垂直磁気記録媒体における軟磁性膜層用合金ターゲット材。
0.20≦Fe/(Fe+Co)≦0.50(at.%比) … (1)
5at%≦(Zr+Hf+Nb+Ta)+B/2≦10at% … (2)
ただし、B:7%以下とする。 (もっと読む)


【課題】 高い温度域でも結晶膜化を抑制可能な垂直磁気記録媒体等に用いられるFe−Co系合金軟磁性膜およびそのFe−Co系合金軟磁性膜形成用粉末焼結スパッタリングターゲット材を提供する。
【解決手段】 原子比における組成式が((Fe−Co100−X100−Y−Ni100−a−b−M−B、10≦X≦70、0≦Y≦25、7≦a、1≦b≦5、13≦a+b≦25で表され、前記組成式のM元素がNbおよび/またはTaからなる粉末焼結ターゲット材をスパッタリングして、膜厚20〜300nmに成膜されてなる垂直磁気記録媒体用Fe−Co系合金軟磁性膜である。 (もっと読む)


【課題】複数のターゲットを用いることなく、炭素含有量の多いFePtC系薄膜を単独で形成できるFePt−C系スパッタリングターゲット及びその製造方法を提供する。
【解決手段】Fe、PtおよびCを含有するFePt−C系スパッタリングターゲットであって、Ptを40〜60at%含有して残部がFeおよび不可避的不純物からなるFePt系合金相と、C相とが互いに分散した構造を有するようにし、ターゲット全体に対するCの含有量を21〜70at%にする。
また、Ptを40〜60at%含有して残部がFeおよび不可避的不純物からなるFePt系合金粉末にC粉末を添加し、酸素の存在する雰囲気下で混合して混合粉末を作製した後、作製した該混合粉末を加圧下で加熱して成形する。 (もっと読む)


【課題】酸素等の不純物の量の少ないPd合金系スパッタリングターゲット及びその製造方法を提供する。
【解決手段】Pdを主要成分として含有するPd合金系スパッタリングターゲットであって、V、Nb、Taのうちの少なくとも1種以上を合計で1〜60at%含有し、残部がPdおよび不可避的不純物からなり、ターゲット全体に対する酸素含有量を2000質量ppm以下にする。
また、V、Nb、Taのうちの少なくとも1種以上を合計で1〜60at%含有し、残部がPdおよび不可避的不純物からなるPd合金粉末をアトマイズ法で作製し、作製した該Pd合金粉末を加圧下で加熱して成形してPd合金系スパッタリングターゲットを製造する。 (もっと読む)


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