【課題】薄膜材料を昇温させるのにかかる時間を短縮でき、かつ膜厚の均一性がよい放出装置と薄膜形成装置を提供する。
【解決手段】
熱伝導性の材料からなる容器本体１３と、容器本体１３に形成された複数の収容孔と、各収容孔の内部にそれぞれ配置され、薄膜材料４が収容される蒸発容器６と、蒸発容器６を加熱する加熱装置７とを有し、加熱装置７は、蒸発容器６の外周側面と収容孔の内周側面との間に位置し、蒸発容器６の外周側面を取り囲んで配置され、蒸発容器６に薄膜材料４が収容された状態で、加熱装置７が蒸発容器６を加熱すると、各蒸発容器６に収容された薄膜材料４から蒸気が発生し、各蒸発容器６の開口から放出される。複数の蒸発容器６を個別に加熱するので、薄膜材料４を速やかに昇温することができる。容器本体１３の熱伝導により、複数の蒸発容器６の温度差は小さくなり、放出される蒸気の量が均一になる。 （もっと読む）

【課題】少なくとも一方の面に複数の凹凸部を有する長尺シートを用いた場合、凹凸部の一部に蒸着材料を選択的に蒸着することが可能な蒸着装置を提供する。
【解決手段】少なくとも一方の面に複数の凹凸部を有する長尺シートＷ１に、一方の面が鉛直方向を含む縦平面に沿い、かつ、搬送方向が縦平面内における水平方向に沿う状態で斜方蒸着を行う斜方蒸着装置であって、一方の面が縦平面以外の平面に沿う、又は、搬送方向が縦平面内における水平方向以外の方向に沿う長尺シートＷ１を、一方の面が縦平面に沿い、かつ、搬送方向が縦平面内における水平方向に沿うようにする第１搬送方向変更部２０と、第１搬送方向変更部２０の後段に配置され、凹凸部の一部に蒸着材料を斜方蒸着する斜方蒸着部４０とを備える斜方蒸着装置１。 （もっと読む）

【課題】 成膜したフッ素含有樹脂からなる有機層と無機層との密着性が高い成膜方法及び成膜装置を提供する。
【解決手段】 成膜方法は、被処理基板２に成膜された無機物からなる無機層３上にフッ素含有樹脂からなる有機層を形成する成膜方法であって、無機層を形成する際に、反応性ガスとして水蒸気を用いた反応性スパッタリングを行って被処理基板上に無機層を形成し、次いで無機層上に有機層を形成する。成膜装置は、この成膜方法を実施できる。 （もっと読む）

【課題】蒸発源での原料モノマーの蒸発レートを、低コストに且つ面倒な作業を付加することなしに、予め定められた一定の量に確実に制御し得るモノマー蒸発量制御装置を提供する。
【解決手段】原料モノマー２９ａ，２９ｂの蒸発時に、ヒータ３０の出力をヒータ出力測定手段３８にて測定する一方、目標温度変更信号出力手段３２において、ヒータ出力測定器３８による測定値とヒータ３０の出力の目標値との差を演算すると共に、該差に基づいて、ヒータ３０にて加熱される原料モノマー２９ａ，２９ｂの目標温度を上昇又は低下させる目標温度変更信号を、該差がゼロとなるまで、目標温度変更信号出力手段３２から温度調節手段３６に出力するように構成した。 （もっと読む）

【課題】蒸着材料の利用効率の高い成膜装置を提供する。
【解決手段】
真空槽１１と、真空槽１１内に配置され、内部に蒸着材料の蒸気が配置される中空の放出容器１６ａと、真空槽１１内に配置され、基板５を保持する基板保持部１４と、先端の開口１７が基板５表面に向けられて放出容器１６ａに設けられ、内部が放出容器１６ａの内部空間と連通する複数の中空の筒１５とを有し、各筒１５の開口１７の法線１８は基板５表面と交差され、放出容器１６ａ内の蒸気は各筒１５の開口１７から放出され、基板５表面に到達して薄膜が形成される成膜装置１０であって、筒１５には、先端が基板５表面と対面する範囲の外側に配置された筒が含まれる。先端が基板５表面と対面する範囲の外側に配置された筒１５の開口１７の法線も基板５表面と交差され、開口１７から放出された蒸気のうち基板５表面に到達する蒸気の割合が従来より高い。 （もっと読む）

【課題】迅速に成膜速度を算出し、被処理基板へ供給する有機材料ガスの濃度を略一定にして良質な膜を効率良く形成することができ、保守管理も容易である成膜装置、成膜速度算出方法、成膜方法、有機発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】成膜装置１のプロセスコントローラ１１は、イオンゲージ１０に搬送ガスのみを通流させた場合の（Ｉｉ／Ｉｅ）₀ と、有機材料及び搬送ガスを通流させた場合の（Ｉｉ／Ｉｅ）との差と、成膜速度Ｄ／Ｒとの関係を示す成膜速度検量線を作成する。プロセスコントローラ１１は成膜時に（Ｉｉ／Ｉｅ）を算出し、前記成膜速度検量線を用いてＤ／Ｒを求め、求めたＤ／Ｒに基づいてマスフローコントローラ５を制御し、搬送ガスの流量を制御して、成膜処理を行う。 （もっと読む）

【課題】長時間にわたって樹脂膜を成膜する場合においても、加熱部材の表面に付着・堆積する残渣の発生量を抑制すること。
【解決手段】基材上に樹脂膜を成膜する際に、加熱された加熱部材１０の表面に、液状の樹脂原料３０を供給することにより、液状の樹脂原料３０を気化させる気化工程を、少なくとも実施し、かつ、加熱部材１０が、金属製の加熱部材本体１２と、加熱部材本体１２の表面の少なくとも一部を覆う撥油性の層１４とを有する成膜方法。 （もっと読む）

【課題】真性に近い単結晶ＧaＮ膜を有し、かつこの膜をｎ形又はｐ形に選択的にドープした半導体デバイスを提供する。
【解決手段】次の要素を有する半導体デバイス：基板であって、この基板は、（１００）シリコン、（１１１）シリコン、（０００１）サファイア、（１１−２０）サファイア、（１−１０２）サファイア、（１１１）ヒ化ガリウム、（１００）ヒ化ガリウム、酸化マグネシウム、酸化亜鉛、および炭化シリコンからなる群から選択される物質からなる；約２００Å〜約５００Åの厚さを有する非単結晶バッファ層であって、このバッファ層は前記基板の上に成長した第一の物質を含み、この第一の物質は窒化ガリウムを含む；および前記バッファ層の上に成長した第一の成長層であって、この第一の成長層は窒化ガリウムと第一のドープ物質を含む。 （もっと読む）

【課題】蒸着材料の無駄な使用を防止し、基板表面に質の良い薄膜を形成する。
【解決手段】蒸着装置は、基板６を保持するホルダ１３と複数の容器１とエネルギー発生手段５と移動機構２と重量測定機構４とを備えている。複数の容器１は、基板６の表面に形成する薄膜の原料である蒸着材料を収容する。エネルギー発生手段５は、ホルダ１３に対して位置決めされており、容器１に収容された蒸着材料を気化させるエネルギーを発する。移動機構２は、複数の容器１から選択した一の容器１を、エネルギー発生手段５から発せられたエネルギーを付与できる蒸着ポジションへ移動させる。重量測定機構４は、容器１内の蒸着材料の重量を測定する。 （もっと読む）

【課題】蒸着膜の膜厚の精度が向上する蒸着膜形成体の製造方法を提供する。
【解決手段】蒸着装置及び被蒸着物が準備される。蒸着装置は、真空槽及び蒸着源を備える。蒸着源は、真空槽内に設置され、蒸着材料を蒸発させる。蒸着装置及び被蒸着物が準備された後に、真空槽内に被蒸着物が収容される。真空槽内に被蒸着物が収容された後に、真空槽内からの排気が開始され、真空槽内が減圧状態にされる。真空槽内が減圧状態にされた後に、蒸着源からの蒸着材料の蒸発が開始させられ、蒸着材料からなる蒸着膜が被蒸着物に形成される。蒸着源からの蒸着材料の蒸発が開始させられた後に、蒸着源からの蒸着材料の蒸発が終了させられる。同時に、真空槽内からの排気が終了させられ、真空槽内へ気体が導入され、減圧状態が解消される。 （もっと読む）

【課題】生産性を高めることができるとともに均一な蒸着膜を形成することができる真空蒸着装置および真空蒸着方法を提供する。
【解決手段】フィルムＦを外周に沿わせて連続的に送る冷却ドラム２１を備え、このフィルムＦの外周側に、有機材料を加熱して蒸発させるとともに放出させて当該フィルムＦに負圧下で蒸着させる蒸発源３１を４基配置した真空蒸着装置１であって、上記蒸発源３１のうち、第１蒸発源３１Ａおよび第２蒸発源３１Ｂは、同一の有機材料を蒸着させるものであり、上記第１蒸発源３１Ａは蒸発させた有機材料の放出量を調整し得るバルブ駆動部３３を有せず、第２蒸発源３１Ｂは当該バルブ駆動部３３を有するものであり、上記第１蒸発源３１Ａおよび第２蒸発源３１Ｂ以外の他の蒸発源３１Ｃ，３１Ｄは、上記バルブ駆動部３３を有するものである。 （もっと読む）

【課題】静電容量バラツキの少ない大容量電極箔を形成する事を目的とする。
【解決手段】この目的を達成するため本発明の蒸着用ボート１３は、凹溝１７が、少なくとも蒸着材料が供給される供給用凹溝１９Ａと、この供給用凹溝１９Ａと連通する蒸発用凹溝２０と、この蒸発用凹溝２０と連通する拡散用凹溝１９Ｂとで構成され、表面に供給用凹溝１９Ａおよび拡散用凹溝１９Ｂが形成された領域のそれぞれの基体１８の抵抗値に対する、表面に蒸発用凹溝２０が形成された領域の基体１８の抵抗値の比は、蒸着材料の沸点を蒸着材料の融点で除した値以上であるものとした。これにより本発明は、供給用凹溝１９Ａ近傍の温度を下げ、供給用凹溝１９Ａ近傍における蒸着材料の溶融や酸化を抑制し、蒸発量を安定化させる。また凹溝１７の端部にまで均一に蒸着材料を行き渡らせることが出来る。そしてその結果、均一な粗膜層７を形成できる。 （もっと読む）

【課題】蒸発した材料の堆積の均一性、特にインジェクターの軸に沿っての均一性を改善することにある。
【解決手段】 本発明は、真空蒸着システムのためのインジェクターに関し、該インジェクターは、真空蒸発源からの蒸発した材料を受けるのに適したインジェクション・ダクト、および蒸発した材料を真空蒸着室内に放射するための複数のノズルを備えたディフューザーを備えており、各ノズルは、前記インジェクション・ダクトを前記蒸着室に連結するのに適したチャンネルを備えている。本発明によれば、前記ディフューザーは、空間的に変化があるノズル配置を有している。本発明はまた、インジェクターを較正する方法、インジェクターのディフューザーを製造する方法に関する。 （もっと読む）

【課題】冷却ハースに収納するハースライナーのセット位置の位置ズレ、および傾きを抑制できる保持治具を提供する。
【解決手段】図１に示すように、蒸着材を収納するハースライナー１０と、ハースライナー１０を保持するための凹部が設けられた冷却ハース６０と、ハースライナー１０を冷却ハース６０に固定するためのハースライナー保持治具３０と、を備え、ハースライナー保持治具３０は、冷却ハース６０の底部に設置されている。 （もっと読む）

【課題】基板に蒸着される膜の膜厚均一性を向上させることができる成膜装置を提供する。
【解決手段】成膜装置１０は、基板Ｓを収容する処理チャンバ１２と、基板Ｓを保持するステージ１４と、蒸着材料を含むガスＧを基板Ｓに噴き付ける複数のノズル１６ｃを有する蒸着ヘッド１８ｃとを備える。ノズル１６ｃはＹ方向に沿って配列される。成膜装置１０は、ノズル１６ｃに対して相対的に基板ＳがＹ方向と交差するＸ方向に沿って移動するように、蒸着ヘッド１８ｃ及びステージ１４の少なくとも一方を駆動する駆動装置２２と、Ｙ方向に沿った基板Ｓの側面ＳａとＸ方向に沿った基板Ｓの側面Ｓｂとを覆う枠Ｆとを備える。 （もっと読む）

【課題】シール装置で基板や蒸着膜を傷つけることなく、高品質の蒸着膜を連続的に得られる連続真空蒸着装置を提供する。
【解決手段】基板Ｋをその長さ方向に送ることで連続的に基板Ｋを真空容器６に通過させて、真空容器６の内部で連続的に基板Ｋに蒸着を行う連続真空蒸着装置であって、基板Ｋを真空容器６の内部から外部に導く下流側開口部に、基板Ｋを通過させるとともに真空容器６の内部を気密にし得るシール装置６０が設けられ、シール装置６０が、基板Ｋの表裏面との間に隙間を有して配置されたシール部６３と、シール部６３に保持されて隙間を密封する磁性流体６９とを備える。 （もっと読む）

【課題】表面に凹凸形状が形成されている長尺シートを用いた場合に、凹凸形状のうち一部に蒸着材料を選択的に蒸着することが可能な蒸着装置を提供する。
【解決手段】表面に凹凸形状が形成されている長尺シートＷ１における凹凸形状の一部に、蒸着材料Ｍを選択的に蒸着する蒸着装置であって、長尺シートＷ１を搬送する搬送部２０と、蒸着時において蒸着材料Ｍを収容し加熱する蒸着源３０と、蒸着材料Ｍの放出方向を制限する放出方向制限部４０とを備えることを特徴とする蒸着装置１。 （もっと読む）

【課題】 表面処理中のパーティクルを計測し、パーティクルの粒度分布、荷電状態を測定し、その発生源を特定することにより、重点的・効率的なメンテナンスが可能な方法及び装置を提供する。
【解決手段】 プラズマ６を用いた真空チャンバ１内に１個以上のパーティクル計測用基材４を配置し、前記パーティクル計測用基材４にプラズマ電位より高い電位、略同一の電位、低い電位のうち少なくとも１つの電圧を前記基材４に個別に印加して所定の表面処理を実施した後前記基材に付着した前記パーティクルの粒度分布を計測し、該計測結果から所定の算出式により前記パーティクルの粒度別帯電状態の分布を算出する。 （もっと読む）

【課題】材料の損失の少なくできる又は内圧の上昇による再開放時の蒸発・昇華速度の変化や材料の変質を齎すことない或いは蒸発源の保守時間の短く、稼働率の高い有機ＥＬデバイス製造装置及び有機ＥＬデバイス製造方法を提供する。
【解決手段】真空蒸着チャンバに設けられた一つ又は２つの処理部に基板６を搬入し、蒸着物噴射口部を長手方向に複数備える蒸発源７を走査して前記基板に蒸着する有機ＥＬデバイス製造装置又はその方法において、前記２つの処理部の有するそれぞれ前記基板を保持する基板保持部９を垂直または略垂直にした状態で互いに正対させ、前記蒸着物噴射口部を回転させて、蒸着する基板を替えること、或いは前記蒸発源を前記真空蒸着チャンバに隣接して設けられた蒸発源保守交換室に移動し、前記真空蒸着チャンバの真空を蒸発源保守交換室から隔離し、前記蒸発源を保守又は新たな蒸発源と交換する。 （もっと読む）

【課題】超臨界流体により所望の有機薄膜を形成し得る成膜装置及び成膜方法を提案する。
【解決手段】成膜装置１では、ノズル36の先端開口部36aを基板31の表面近傍に配置し、超臨界流体と基板31との温度差により発生させた過飽和のアントラセンが粉体化する前に基板31の表面に到達させるようにしたことにより、アントラセンが粉体化することなく過飽和状態のアントラセンを基板31の表面にて析出させ堆積させることができ、かくして、超臨界流体により所望の有機薄膜60を形成し得る。 （もっと読む）