【課題】耐摩耗性、ガスシール性および油かき性を同時に満たすことが可能であり、かつその摺動面に形成された硬質皮膜自体が剥離することのないピストンリングを提供すること。
【解決手段】外周面に凹部が形成された母材と、前記凹部に設けられる硬質皮膜と、からなるピストンリングにおいて、前記ピストンリングの径方向に垂直な断面において、前記凹部を、母材の上下面のいずれか一方から他方に向かって、ピストンリング外周面に平行に延びる第１の面と、前記第１の面の一端からピストンリング外周面に向かって延びる第２の面と、から構成し、前記凹部に硬質皮膜を設けることで、ピストンリング外周面を、硬質皮膜が形成されている部分と母材が露出している部分とが存在し、前記凹部を形成する第２の面とピストンリング外周面とは１０〜３０°の角度をもって接しているようにする。 （もっと読む）

【課題】例えば幅広ビーム源への使用に好適な、実用性に優れるラインプラズマ発生装置を提供する。
【解決手段】ラインプラズマ発生装置１０は、長手方向にマイクロ波を伝搬するための導波管１４と、長手方向に沿って配設され、導波管１４にプラズマを閉じ込めるための長手方向に交差する磁場を発生させるための磁石１６と、を備える。導波管１４は、側壁２４から管内に突き出して長手方向に延びるリッジ部２６を備え、リッジ部２６は側壁２４の外表面に長手方向に延びる凹部２８を形成してもよい。磁石１６は、凹部２８に配設されていてもよい。 （もっと読む）

【課題】真空状態の容器内で蒸発源を放電させて処理物の表面に薄膜を生成する際の成膜効率を簡易な構成で向上させることの可能な、成膜装置及び成膜方法を提供する。
【解決手段】成膜装置は、真空状態の容器２１内で蒸発源を放電させることにより、容器２１内の処理物Ｗの表面を、蒸発源から放出されて電荷を帯びた膜材粒子で被覆し、処理物Ｗの表面に薄膜を生成するものであって、筒状の容器２１は、蒸発源に用いられる素材で形成される。 （もっと読む）

【課題】複数の蒸発源用磁場印加機構による磁場の相互干渉を抑制することができる真空成膜装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る真空成膜装置は、成膜チャンバーと、成膜チャンバー内に設けられるスパッタリング蒸発源用磁場印加機構１ａ、及び同一の成膜チャンバー内に設けられるアーク蒸発源用磁場印加機構と、これらのうちどちらかの蒸発源用磁場印加機構、好ましくはスパッタリング蒸発源用磁場印加機構１ａの一部又は全部を覆うように設けられる磁場遮蔽部２１，２２とを有することを特徴とする。また、磁場遮蔽部２１，２２の開閉部２１ｂ，２２ｂの一部（閉じた状態でターゲット材１２と対向する部分）を非磁性体２１ａ，２２ａで構成することが好ましい。 （もっと読む）

【課題】ＩＴＯ膜に迫る高い導電率の膜を高速成膜することができる。
【解決手段】透明導電膜を成膜するために用いられるＺｎＯ蒸着材において、ＺｎＯを主成分としたペレットからなり、ペレットがＣｅとＡｌの双方の元素を含み、ＣｅがＡｌよりも含有割合が高く、Ｃｅの含有割合が０．１質量％を越え１４．９質量％以下、Ａｌの含有割合が０．１質量％以上１０質量％以下の範囲内であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】より高いガスバリア性を有し、かつ耐食性にも優れたガスバリア性フィルムを提供する。
【解決手段】基材２と、基材２上に設けられたガスバリア層３とを有し、前記ガスバリア層３が、無機酸化物、無機窒化物、無機炭化物、無機酸化炭化物、無機窒化炭化物、無機酸化窒化物及び無機酸化窒化炭化物から選ばれる少なくとも１種の無機化合物と、モリブデンと、モリブデン以外の耐食性金属とを含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ピンチングにより高エネルギーのプラズマ・電子ビームを発生できるプラズマ・電子ビーム発生装置、薄膜製造装置及び薄膜の製造方法を提供する。
【解決手段】薄膜製造装置は、パルス生成器２でパルストリガーが付与される予備室１と、予備室１の下流域に取り付けられ、かつ高電圧が印加され、真空下及び減圧下でプラズマを発生させる中空カソード４と、中空カソードから延びるキャピラリー状放電管３と、前記電圧を印加する印加手段６と、前記放電管３を収容する真空チャンバー７と、真空手段８と、放電管３からのプラズマ・電子ビームが照射されるターゲット９と、ターゲットの構成元素を蒸着させるための基板１０とを備えている。さらに、前記放電管３をアノードと同電位に接地するためのアース手段１１を備え、前記放電管３は、比誘電率が３．５以上を越え、二次電子放電係数γが１以上であり、かつ沿面放電によりプラズマを発生可能な材料で形成されている。この装置は、基板に硬質炭素膜などを形成するのに有用である。 （もっと読む）

【課題】長時間連続して基材上に蒸着材料を蒸着させることができるとともに、品質の高い薄膜を基材上に形成することが可能な真空成膜装置を提供する。
【解決手段】真空成膜装置が、真空容器１０と、真空容器内に、被成膜面を下向きにして配設される基材１１と、真空容器内の基材の下方に配置され、上記被成膜面に略対向する位置に設けられる蒸着材料収納容器開口部１７２を上面に有する蒸着材料収納容器１８と、アノード電極３１を有し、真空容器内にプラズマを照射するプラズマガン３と、蒸着材料収納容器を加熱し、蒸着材料を蒸発させる加熱部４と、蒸着材料収納容器に正電位を印加する、電位印加部５と、を備える。 （もっと読む）

【課題】高い生産性で多段蒸着フィルムを製造する方法を提供する。さらに、多段蒸着フィルムの厚みの増加を小さい範囲に抑えつつ、水蒸気バリア性を大幅に高める技術を提供する。
【解決手段】アノード電極を有するプラズマガンを備えた真空成膜装置を用いて、該真空成膜装置内の蒸着材料収納容器に保持された蒸着材料を蒸発させ、基材の被成膜面に薄膜を形成する第一薄膜形成工程と、第一薄膜形成工程と同様にして、上記薄膜上にさらに薄膜を形成する第二薄膜形成工程と、を備える多段蒸着フィルムの製造方法を採用し、薄膜の形成を、蒸着材料収納容器を上記蒸着材料が蒸発する温度以上に加熱するとともに、蒸着材料収納容器に正電位を印加してプラズマガンから放出される電子を蒸着材料に照射しながら行なう。 （もっと読む）

【課題】切削性能、耐熱亀裂性、および寸法精度に優れた刃先交換型切削チップを提供する。
【解決手段】本発明の刃先交換型切削チップは、少なくとも基材を含むものであって、該基材は、８．５〜１２．５質量％の鉄系金属と、０．２８〜１．１３質量％のＴａと、不可避不純物とを含み、かつ残部がＷＣである超硬合金からなり、該超硬合金の組織中のＷＣ粒子は、０．８〜２μｍの平均粒子径であり、基材の抗磁力をＨＣ（ｋＡ／ｍ）とし、基材に含まれるＣｏの質量％をＭ_Ｃｏ（質量％）とすると、下記式（Ｉ）を満たし、かつ超硬合金の組織中にＴａを主成分とする相が析出していないことを特徴とする。
−１．２×Ｍ_Ｃｏ＋３１．７≧ＨＣ≧−１．２×Ｍ_Ｃｏ＋２７．２ ・・・（Ｉ） （もっと読む）

【課題】簡便な工程でありながら、１バッチで粉体に対してクラスタを均一に堆積させることが可能な粉体に対するクラスタ堆積方法を提供すること。
【解決手段】ターゲット材料からクラスタＣを生成する工程と、
クラスタＣの中から質量フィルタによりクラスタサイズを基準として堆積用のクラスタを選別する工程と、
担体粒子Ｐからなる粉体と液体との混合物を真空中に噴出させる工程と、
真空中に噴出された前記混合物中の担体粒子Ｐに、前記堆積用のクラスタを接触させることにより、担体粒子Ｐの表面上にクラスタＣを堆積させる工程と、
を含むことを特徴とする粉体に対するクラスタ堆積方法。 （もっと読む）

【課題】切削性能に優れ、かつ寸法精度が高い刃先交換型切削チップを提供する。
【解決手段】本発明の刃先交換型切削チップは、少なくとも基材を含むものであって、該基材は、８．５〜１２．５質量％の鉄系金属と、０．５５〜２．３質量％のＴａＣと、不可避不純物とを含み、残部がＷＣである超硬合金からなり、超硬合金の組織中のＷＣ粒子は、０．８〜３μｍの平均粒子径であり、基材の抗磁力をＨＣ（ｋＡ／ｍ）とし、飽和磁束密度を４πσ（１０^-7Ｔｍ³／ｋｇ）とし、基材に含まれるＣｏの質量％をＭ_Ｃｏ（質量％）とすると、下記式（Ｉ）を満たし、かつ超硬合金の組織中にＴａを主成分とする相が析出しており、該Ｔａを主成分とする相は、０．４〜２．４μｍの平均粒子径であることを特徴とする。
−０．７×４πσ÷Ｍ_Ｃｏ−０．９×Ｍ_Ｃｏ＋３９．１５≧ＨＣ ・・・（Ｉ） （もっと読む）

【課題】ターゲットと基材の間の磁力を強くするとともに、ターゲット表面における磁力線の傾きを、垂直となるように又はカソード表面の外周から中心側（内側）に向かう方向となるように制御されたアーク式蒸発源を提供する。
【解決手段】アーク式蒸発源は、磁場発生機構８と外周磁石３とを備えることを特徴とする。磁場発生機構８を、ターゲット２の前方において軸心がターゲット２の前面と略垂直となる方向に沿うように配置し、且つターゲット２の前面と略垂直方向となる磁場を発生するリング状とする。外周磁石３を、リング状として、磁化方向が当該リング形状の径方向に沿っていて、ターゲット２の外周を取り囲むように、且つ概磁化方向がターゲット２の前面と平行となる方向に沿うように配置する。 （もっと読む）

【課題】 バッキングプレートからのＣｕの拡散を抑制して不純物の含有を低減可能なＩｎスパッタリングターゲットの製造方法を提供すること。
【解決手段】 ＣｕまたはＣｕ合金製のバッキングプレート１上にＮｉ膜２を成膜する工程と、加熱されたバッキングプレート１のＮｉ膜２上でＩｎ原料３を溶解し、さらに冷却して固化させることでＩｎスパッタリングターゲットを作製する工程とを有している。特に、Ｎｉ膜をイオンプレーティング法または溶射法により成膜することが好ましい。 （もっと読む）

【課題】アーク蒸発ソースに基づいた製造システムに使用することができる経済的な問題を解決する。
【解決手段】本発明は、ターゲットとして実施され、アーク蒸発ソースの一部である第１の電極を有する真空処理システム内でワークピースを表面処理する方法であって、第１の電極によって、アーク電流を用いてアークを動作させ、ターゲットから、ワークピース上に少なくとも部分的に、かつ断続的に堆積させる材料を蒸発させ、ワークピースホルダとして実施され、ワークピースと共にバイアス電極を構成する第２の電極を有し、電圧供給部によって、バイアス電極にアーク電流と整合するようにバイアス電圧を印加し、したがって本質的に、表面上に材料が正味で蓄積されない方法に関する。 （もっと読む）

【課題】ＩＴＯ代替材料としてのＺｎＯ系膜を提供するに当たり、基板加熱法によるエネルギー損失を受けることなく、結晶性が良好で低い比抵抗を有する透明導電膜の製造方法及び透明導電膜を提供すること。
【解決手段】本発明の透明導電膜の製造方法は、気相蒸着法により基板上に酸化亜鉛を含む多結晶膜を形成する多結晶膜形成工程と、前記多結晶膜に通電してジュール加熱を行うことにより前記多結晶膜を結晶成長させた透明導電膜を形成する透明導電膜形成工程と、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】良好なガスバリア性及び耐久性を示すガスバリア性フィルム、その製造方法、及びガスバリア性フィルムを用いた装置を提供する。
【解決手段】ガスバリア性フィルム１０（１０Ａ）は、基材１と、基材１上に設けられた有機層２と、有機層２上に設けられた無機層３とを有し、シリコンを有する基が共有結合をしているアクリル系樹脂が有機層２に含有され、無機層３と接する有機層２の面に上記シリコンが０．１原子％以上存在する。 （もっと読む）

【課題】断熱性能が向上され、耐熱温度の向上が図られた温度測定器、それを備えた成膜装置、それを用いた成膜基板製造方法を提供すること。
【解決手段】温度検出部１からの信号を記録する記録部２を内側容器３に収容し、その内側容器３を外側容器４〜６に収容することで断熱する構成とする。外側容器４〜６を、板厚方向に所定間隔の隙間部を有する複数の壁体により構成し、板厚方向に隣接する壁体間の熱伝導を減らす。同様に、外側容器４と内側容器３との間に隙間部を形成すると共に、内側容器３と記録部２との間に隙間部を形成する構成とする。さらに、外側容器の壁体を、内側容器の材質と比較して、熱伝導率が高く、かつ、熱容量が小さい材質によって形成する。これにより、外側容器で受けた熱を、同一壁体内に伝熱し均一化することで、局所的な高温部の発生を抑える。 （もっと読む）

【課題】耐食性及びガスバリア性を高めたガスバリア性シート及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基材２と、その基材２上に設けられたガスバリア膜３とを少なくとも有し、基材２とガスバリア膜３との間に耐食合金又は耐食合金の化合物４が存在するように構成したガスバリア性シート１により、上記課題を解決した。耐食合金が、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｖ、Ｃｕ、Ｎｂ、Ｔａ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｓｉ、Ｚｒ、及びＭｎの少なくとも１種の元素を含有することが好ましく、耐食合金又は耐食合金の化合物４が、基材２上に散布状若しくは島状又は薄膜状に存在させることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】透明性及びガスバリア性に優れた薄膜の製造方法、該薄膜の形成に好適な共蒸着用蒸着材、該方法により得られる薄膜、該薄膜を備える薄膜シート並びに積層シートを提供する。
【解決手段】本発明の薄膜の製造方法は、第１酸化物からなる昇華性蒸着材と第２酸化物からなる溶融性蒸着材を用い、真空成膜法によって同時に蒸着する共蒸着法により、基材上に第１酸化物及び第２酸化物から構成された酸化物薄膜を形成することを特徴とする。 （もっと読む）