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Fターム[4K029CA03]の内容

物理蒸着 (93,067) | 被覆処理方法 (12,489) | イオンプレーティング、イオンビーム蒸着 (1,603)

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【課題】被成膜物の表面近傍での磁場の拡散を抑制し被成膜物の表面近傍に所定の磁場を確保し、表面近傍に到達するプラズマ粒子量を増加させることによって成膜速度を向上させる成膜装置を提供する。
【解決手段】成膜チャンバの側面に一組以上のプラズマ進行管が接続されており、該プラズマ進行管の進行方向に対し被成膜物が垂直に配置されており、プラズマ源より発生したプラズマ粒子が被成膜物の表面に照射されることによって被成膜物の表面に薄膜が形成される。前記プラズマ進行管は、接続されている成膜チャンバより内部に配置されている被成膜物に向かって延出する内部プラズマ導出管に連接され、当該内部プラズマ導出管の外周に内部プラズマ制御用コイルが配置されている。 (もっと読む)


【課題】金属元素を含有したダイヤモンドライクカーボン膜を安定して且つ低コストで成膜できる導電性基材の製造方法及び製造装置を提供する。
【解決手段】プラズマ化した昇華ガス25を金属元素を含有する蒸着原料に照射して該蒸着原料をイオン化し、且つ、前記プラズマ化した昇華ガスに炭化水素ガス36を接触させて該炭化水素ガスをイオン化する同時イオン化工程と、前記同時イオン化工程でイオン化した前記蒸着原料イオンと前記炭化水素ガスイオンとを基材上に同時に堆積させて、前記金属元素を含有するダイヤモンドライクカーボン膜を成膜する成膜工程と、を有する方法とする。同時イオン化工程において、炭化水素ガスのイオン化を、プラズマ化した昇華ガスを蒸着原料に照射する昇華ガス流路で行う。 (もっと読む)


工具または摩耗部品は、基材を覆って形成されたコーティングを有する。このコーティングは、2つの硬質層の間に可塑性微小層を位置させた少なくとも1つの連続体を含むけれども、このコーティングは、可塑性微小層を硬質層と共に交互に重ねることによって作り出されるこのような連続体をいくつか有することができる。種々の硬質層は相互に組成を異ならせることができ、可塑性微小層もそうすることができる。随意的な接合層を基材と連続体との間に設けることができ、最も外側の硬質層を覆う表面層を任意で設けることができる。種々の層を物理的気相蒸着により単一のチャンバー内で堆積させることができる。
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【課題】プラズマ式の蒸着法により蒸着膜を成膜する際、特に蒸着材の昇華が始まる初期段階において、従来よりも低エネルギーでの成膜を実現し得る蒸着材の製造方法及び該方法により製造された蒸着材を提供する。
【解決手段】蒸着材10の表面に突起11を1又は2以上形成する第5工程を含み、突起11の蒸着材10表面から最大高さが1〜5mmであって、突起11の蒸着材10表面から突出する部分の最大幅が1〜5mmであることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】高さ寸法が比較的高くかつ相対密度が抑制された酸化亜鉛系酸化物ペレットを歩留まりよく量産可能な製造方法を提供する。
【解決手段】原料粉を湿式混合かつ噴霧乾燥して第一造粒粉を製造する第一工程、第一造粒粉を仮焼して仮焼粉を製造する第二工程、仮焼粉と未仮焼原料粉を湿式混合かつ噴霧乾燥して第二造粒粉を製造する第三工程、第二造粒粉を加圧して圧粉体を製造する第四工程、圧粉体を破砕して成形体用粉末を製造する第五工程、成形体用粉末を加圧成形して成形体を製造する第六工程、成形体を焼成して酸化亜鉛系酸化物ペレットを製造する方法であって、第四工程の第二造粒粉に対する加圧条件を50MPa以上150MPa以下に設定して第五工程で製造される成形体用粉末の嵩密度が1.4g/cm3以上2.0g/cm3以下となるようにし、第六工程の成形体用粉末に対する加圧条件が100MPa以上200MPa以下とすることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】接合時の変形に追従して被膜の断裂や密着性の悪化などが生じず、耐電位差腐食性に優れた金属被膜がコーティングされたセルフピアスリベットおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】鉄またはその合金を母材とし、その表面に柱状結晶組織の金属被膜を有する。またその製造方法は、鉄またはその合金によって形成された母材の表面に、雰囲気圧力0.1〜3.0Pa、平均成膜速度0.01〜10μm/分で、金属蒸着被膜を形成する。 (もっと読む)


【課題】成膜時にスプラッシュの発生を抑えてガスバリア性に優れた蒸着膜の形成が可能な蒸着材として、また、初期効率を高く維持できるリチウムイオン二次電池用負極活物質として好適なSiOxを提供する。
【解決手段】昇温脱離ガス分析において、200〜800℃の温度範囲で検出されるH2Oガス発生量が680ppm以下であることを特徴とするSiOx。H2Oガス発生量は420ppm以下であることが望ましい。また、X線回折により得られたグラフにおいて、2θ=28°付近に発生するSiピーク点におけるピーク強度P1と、ピーク点前後の平均勾配から想定したピーク点におけるベース強度P2が、(P1−P2)/P2≦0.2を満足することが望ましい。 (もっと読む)


【課題】厚膜化した2層以上の硬質皮膜における圧縮応力の低減と密着性を確保しつつ、耐摩耗性に優れた硬質皮膜被覆工具を提供する。
【解決手段】超硬合金を基体に圧縮応力を有する硬質皮膜を3〜20μmの膜厚で被覆した硬質皮膜被覆工具において、第1硬質皮膜及び第2硬質皮膜が被覆され、第1硬質皮膜は、(AlCr1−a−bSi、a及びbは原子%、c及びdは原子比を表し、50≦a≦70、0≦b<15及び0.85≦c/d≦1.25であり、第2硬質皮膜は、(Ti1−eSi、eは原子%、f及びgは原子比を表し、1≦e≦20及び0.85≦f/g≦1.25であり、第1硬質皮膜と該第2硬質皮膜のX線回折における(200)面の面間隔(nm)を夫々、d1及びd2とした時に、0.965≦d1/d2≦0.990であることを特徴とする硬質皮膜被覆工具である。 (もっと読む)


【課題】鉄砒素系超伝導体の高品質な超伝導薄膜を備えた超伝導体構造、その製造方法、及び電子素子を提供すること。
【解決手段】基板と、前記基板上に形成され、III-V族半導体から成るバッファ層と、前記バッファ層上に形成され、下記式(1)で表される組成を有する超伝導薄膜と、を含み、前記超伝導薄膜におけるAs−As間隔は、前記III-V族半導体におけるV族原子間距離の約1倍であることを特徴とする超伝導体構造。式(1)LnFeAsO1-pq(式(1)において、Lnは1種以上のランタノイド元素であり、0<p<1、0≦q<1) (もっと読む)


【課題】ダイシングによりコーティング層が剥離することを防止できる光学素子の製造方法を提供する。
【解決手段】基材11上にコーティング層16が形成された光学素子の製造方法において、親基材1の裏面にダイシングシート2を貼着し、前記親基材1の表面側をダイシングして複数の前記基材11に分割するダイシング工程と、前記ダイシング工程を行なった後、前記ダイシングシート2に貼着された複数の前記基材11の表面に前記コーティング層15を成膜する成膜工程と、前記コーティング層15が成膜された複数の前記基材11を、前記ダイシングシート2から剥離するピックアップ工程とを備えること構成とする。 (もっと読む)


【課題】結晶性の高い半導体層を有する半導体基板、半導体基板の製造方法、半導体成長用基板、半導体成長用基板の製造方法、半導体素子、発光素子、表示パネル、電子素子、太陽電池素子及び電子機器を提供する。
【解決手段】芳香族系テトラカルボン酸と芳香族系テトラアミンを縮合して得られる複素環状高分子からなるグラファイト層2と、当該グラファイト層2の表面上に設けられ、当該グラファイト層2の表面を成長面とする半導体層4とを備えた半導体基板1。前記グラファイト層は結晶性に優れているため、グラファイト層の表面を成長面とする半導体層についても、結晶性に優れたものが得られる。これにより、結晶性に優れた半導体層を有する半導体基板1を得ることができる。 (もっと読む)


本発明は、物理蒸着技術によって金属基材上に貴金属の層を連続蒸着することによる電解用途用の金属電極の製造法に関する。 (もっと読む)


【課題】半導体デバイスとして問題なく動作させるために、少なくとも機能的な働きを行うZnO系半導体層にアルカリ金属が達するのを防止することができるZnO系基板及びZnO系半導体素子を提供する。
【解決手段】
ZnO系基板中に存在するアルカリ金属の濃度が1×1014cm−3以下に形成されているので、このZnO系基板上に結晶成長されるZnO系半導体に対してアルカリ金属の偏析を防止することができる。また、基板中のリチウム濃度が1×1014cm−3を越えるZnO系基板であっても、その上に形成するZnO膜の膜厚を50nm以上にすることで、このZnO膜よりも後に形成されるZnO系半導体層へのアルカリ金属の偏析を防止することができる。 (もっと読む)


【課題】製造装置の小型化を図り、基板の汚染を防ぎ、かつ基板のシワの発生を防止可能とする薄膜積層体の製造装置を提供する。
【解決手段】フィルム基板2の表面に薄膜形成するための成膜部と、搬送されるフィルム基板を成膜部内でガイドするように、フィルム基板の成膜面2aに当接して配設される少なくとも1本のガイドロール8とを備え、ガイドロールにおける長手方向の中央部8aの直径が、その長手方向の両端部8bの直径よりも小さく形成され、ガイドロールの両端部とフィルム基板とが当接し、ガイドロールの近傍でフィルム基板の幅方向の両端部にそれぞれ当接して配設されるテンションロール9,10が、フィルム基板に前記幅方向の張力を加えるように構成されている。 (もっと読む)


本発明は、摩耗および腐食からの保護が改善された、基板上のコーティングシステムに関する。本発明に従い、基板をダイヤモンドライクカーボン(DLC)層でコーティングする。このDLC層を、DLCコーティング材料と異なる材料を用いたさらなる層でコーティングすることにより、DLC層のピンホールを閉じる。
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【課題】高品質のリチウム金属薄膜および無機固体電解質薄膜を製造することのできる方法を提供する。
【解決手段】リチウム金属薄膜または無機固体電解質薄膜積を製造する方法が提供され、該方法は、薄膜製造工程においてアルカリ金属または無機固体電解質もしくはその原料と接触する雰囲気の露点を−40℃以下とすることを特徴とする。露点が−40℃以下の環境において、薄膜作製のための原料や基材あるいは製造した薄膜を取り扱えば、リチウム金属や硫化物系の無機固体電解質の劣化を効果的に防止できる。 (もっと読む)


【課題】水流中でも安定した摺動特性を得ることができ、安価に製作することが可能な摺動構造を提供する。
【解決手段】互いに対向する各々の表面上に摺動面を有する第1の部材1と第2の部材とで構成される摺動構造において、前記第1の部材1はその表面上に複数の凹部PHが形成された摺動面を有し、前記第1の部材1の摺動面もしくは前記第2の部材の摺動面のうち少なくとも何れか一方に水潤滑性を有する被膜Mがコーティングされている摺動構造。 (もっと読む)


【課題】プラズマ処理装置および光学素子成形型の製造方法において、プラズマ放出方向を均等化しつつ、ドロップレットや飛散粒子を容易に除去することができ、表面処理の品質を向上することができるようにする。
【解決手段】ターゲット6とアノード電極とを有し、アーク放電によるプラズマ8を放出するプラズマ放出部10と、プラズマ8を偏向させて光学素子成形用型母材11の表面に輸送する偏向部13と、ターゲット6の表面から光学素子成形用型母材11に向けて直進する経路を遮蔽する遮蔽板20とを備え、アノード電極は、複数の円弧状導電体が、ターゲット6の軸方向回りに周回するように配置され、ターゲット6を挟んで光学素子成形用型母材11と反対側に円弧状導電体の各開口が配置された周回電極部と、周回電極部に電流を供給する配線部と、を備えるプラズマ処理装置1を用いる。 (もっと読む)


【課題】材料の蒸発速度とプラズマ密度を自由に設定し、成膜速度に対するガスバリア性を自由に設定出来、酸素バリア性および水蒸気バリア性に優れたガスバリア性積層体を生産する成膜装置を提供する
【解決手段】フィルム基材をロール・ツー・ロールで搬送する搬送手段と、フィルム基材へ蒸着材料を蒸着させる蒸着手段とを具備する成膜装置であって、蒸着手段が、蒸着材料を蒸発させる手段と、蒸発した蒸着材料をプラズマにより活性化させる手段とを有する。 (もっと読む)


【課題】パーティクルの数が極めて少ない良質の薄膜を形成できる成膜装置及び成膜方法を提供する。
【解決手段】プラズマ発生部10においてアーク放電にともなって発生したプラズマは、プラズマ分離部40において斜め磁場により進行方向が曲げられ、パーティクルと分離される。そして、プラズマ移送部60を介して成膜チャンバ30に入り、基板31上に膜を形成する。プラズマ移送部60は、プラズマ分離部側接続部62と、成膜チャンバ側接続部67と、それらの間のパーティクル分離部63とに分離されている。プラズマ分離部側接続部62には−5V〜−15Vの電圧が印加され、パーティクル分離部43には接地電圧又は正の電圧が印加される。プラズマ中に含まれる正の電荷を有するパーティクルは、電気的引力によりプラズマから分離され、筺体内側のフィン642等に捕捉される。 (もっと読む)


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