【課題】拡散プラズマにより陽極内壁に付着、堆積した堆積物が剥落して陰極と陽極間を短絡することを防止することができる陽極壁多分割型プラズマ発生装置及びそれを用いたプラズマ処理装置を提供することである。
【解決手段】陰極２と陽極３の間で発生したプラズマＰが陰極２より前方に向けて放出され、拡散する際、拡散物質４１が電極筒体内壁に再結晶化して付着、堆積して、カーボンフレーク４０として剥落する。電極筒体内壁を縦横の溝３７、３８によってマトリクス状に多分割されている。多数の突部３５の堆積物分離作用により、拡散プラズマが陽極３に付着、堆積しても、堆積物が微細化され、大型乃至長尺状の堆積物が生じない。小片の突部３９から微細片としてのカーボンフレーク４０が剥落して、堆積物が剥落して陰極２と陽極３に跨って架橋することがなく、両極間の短絡現象の発生を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】ＤＬＣ並みの潤滑特性を有し且つ高硬度、高耐熱性の硬質皮膜を被覆した多層皮膜被覆部材およびその製造方法を提供する。
【解決手段】
基材表面に組成が異なる硬質皮膜を２層以上被覆した多層皮膜被覆部材であって、硬質皮膜１の組成は、ＳｉａＢｕＣｖＮｗＯｚで表され、該硬質皮膜１の下部層である該硬質皮膜２の組成は、金属成分がＡｌ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｎｂ、Ｗ、Ｓｉ、Ｖ、Ｚｒ、およびＭｏから選択される２種以上と、非金属成分がＮとＢ、Ｃ、Ｏ、およびＳから選択される少なくとも１種を有し、該硬質皮膜１はラマン分光分析において１３００から１６００ｃｍ^−１の間に検出される最大強度のピーク強度Ｉｘを有し、１９００から２２００ｃｍ^−１の間に検出される最大強度のピーク強度Ｉｙを有し、３．２≦Ｉｘ／Ｉｙ≦８．０であることを特徴とする多層皮膜被覆部材である。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理装置におけるドロップレット捕獲用の環状リブ上に形成されたプラズマ流由来の堆積物が、プラズマ発生部へ落下して短絡を起こすことを防止する。
【解決手段】ドロップレット捕集用の環状リブ４０を複数のリブ片に分割することにより、プラズマ流の物質の凝集により前記環状リブ上に形成する堆積物９０の、形成当初からの細分化が達成される。この堆積物の細分化により、この堆積物が破片９１としてプラズマ発生部１０に落下する際に、この破片が陰極１１と前記プラズマ発生部の壁面１３の間に設けられる溝部１４に入り込み、前記陰極と前記壁面の電気短絡が防止される。 （もっと読む）

【課題】 切刃に断続的に衝撃がかかる切削条件においても被覆層のチッピングや剥離を抑制できる切削工具を提供する。
【解決手段】 基体の表面が被覆層で被覆され、すくい面と逃げ面との交差稜線部を切刃とする切削工具であって、前記逃げ面における前記基体の表面に深さ０．５μｍ以内の窒素、炭素、硼素、珪素およびチタンの群から選ばれる１種以上の元素が多い基体表面冨化領域１１が存在し、すくい面における前記基体の表面には前記基体表面冨化領域が存在しないとともに、前記逃げ面における前記被覆層の厚みが前記すくい面における前記被覆層の厚みよりも１．２〜３倍厚いスローアウェイチップ１である。 （もっと読む）

【課題】プラズマ電流が真空容器内のグランド電位のものに流れる現象を抑制し、安定して成膜を行うことのできる成膜装置を提供する。
【解決手段】プラズマガンのプラズマ室1は、成膜室10に連結され、連結部側から順に、陽極4、中間電極3および陰極2が配置されている。陽極4と成膜室10との間には、グランド電位のグリッド5が備えられている。これにより、プラズマ電流の一部は、グランド電位のグリッド5に流れるため、成膜室内のグランド電位の物体にプラズマ電流が流れるのを防止することができる。 （もっと読む）

【課題】可撓性及び耐薬品性を具備して、フレキシブルディスプレイ装置に好適な透明導電膜を提案する。
【解決手段】可撓性の基板２上に設ける透明導電膜３であって、前記基板側に設けた非結晶性の第１透明導電層３−１と、該第１透明導電層上に設けた結晶性の第２透明導電層３−２とを含んで形成してある。第１透明導電層３−１はＳｎＯ_２含有割合が１０質量％以上のＩＴＯ層（インジウムスズ酸化物の透明膜）またはＩＺＯ層（インジウム亜鉛酸化物の透明膜）であり、第２透明導電層３−２はＳｎＯ_２含有割合が１質量％以上１０質量％未満のＩＴＯ層とするのが望ましい。 （もっと読む）

【課題】 スパッタ法やレーザアブレーション法では基板の加熱処理なしでは得られない固有保磁力の高い膜磁石を、基板を加熱処理することなく得られる製造方法を提供するものである。
【解決手段】 磁石材料を含む電極と導電性の基板との間に所定の間隔を設け、電極と基板との間に電圧を印加してアーク放電を発生させることにより磁石材料を基板の表面に付着させて、内部に平均粒径が２０ｎｍ以上で５００ｎｍ以下の強磁性結晶相が分散した膜磁石を製造する製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】可撓性及び耐薬品性を具備して、フレキシブルディスプレイ装置に好適な透明導電膜を提案する。
【解決手段】可撓性の基板２上に設ける透明導電膜３であって、前記基板側に設けた結晶性の第１透明導電層３−１と、該第１透明導電層上に設けた非結晶性の第２透明導電層３−２とを含んで形成してある。前記第１透明導電層はＳｎＯ_２含有割合が１質量％以上１０質量％未満のＩＴＯ層であり、前記第２透明導電層はＳｎＯ_２含有割合が１０質量％以上のＩＴＯ層（インジウムスズ酸化物の透明膜）またはＩＺＯ層（インジウム亜鉛酸化物の透明膜）とするのが望ましい。 （もっと読む）

【課題】生体分子の微量検出に表面プラズモン共鳴が利用されている。この測定には、プリズムに金属膜を成膜した、いわゆるクレッチマン配置を用いている。このプリズムとして、基材上に密着性の良い金属膜を直接設ける製造方法及びその製造方法によって作製される素子を提供する。
【解決手段】基材２０上に遷移金属又はその合金からなる薄膜が形成された素子の製造方法において、成膜前に基材２０の成膜面を、成膜する金属のイオン雰囲気に晒す工程を有するものとする。 （もっと読む）

【課題】高硬度を維持しつつ残留圧縮応力の低減化を図り、２層構造を有する硬質皮膜層１、２の密着強度を改善して硬質皮膜被覆切削工具の長寿命化を図る。
【解決手段】
超硬合金を基材とする切削工具に硬質皮膜を被覆した硬質皮膜被覆切削工具において、表面側に硬質皮膜層１、基材側に硬質皮膜層２が被覆され、硬質皮膜層１は（Ａｌ_ａＣｒ_１−ａ）Ｎ_ｘ、但し、０．５≦ａ≦０．７５、０．９≦ｘ≦１．１であり、硬質皮膜層２は（Ｔｉ_ｂＡｌ_１−ｂ）Ｎ_ｙ、但し、０．４≦ｂ≦０．６、０．９≦ｙ≦１．１であり、Ｘ線回折における硬質皮膜層１の（１１１）面の格子定数をａ１（ｎｍ）、硬質皮膜層２の（１１１）面の格子定数をａ２（ｎｍ）としたとき、１．００５≦ａ２／ａ１≦１．０２５であることを特徴とする硬質皮膜被覆切削工具である。 （もっと読む）

【課題】同一の成膜材料を用いて繰り返し成膜を行った場合でも、各対象物における成膜速度を均一化することのできる成膜装置を提供する。
【解決手段】ターゲット１０１の表面に対向するように配置され、基板１００を設置する基板ホルダ６と、基板１００上の成膜環境を測定可能なセンサ部８とを備え、対象物ホルダ６は、ターゲット１０１に対して移動可能に構成されるとともに、基板ホルダ６の移動量及び移動方向と、センサ部８の移動量及び移動方向とが同一に設定されていることを特徴とする。 （もっと読む）

本発明は、化学組成Ｃ_ａＳｉ_ｂＢ_ｄＮ_ｅＯ_ｇＨ_ｌＭｅ_ｍ（Ｍｅは、Ａｌ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｙ、Ｓｃ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｐｒ、Ｍｇ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｍｎからなる群の少なくとも１つの金属であり、ａ＋ｂ＋ｄ＋ｅ＋ｇ＋ｌ＋ｍ＝１である）を有する保護コーティングに関する。本発明によれば、０．４５≦ａ≦０．９８、０．０１≦ｂ≦０．４０、０．０１≦ｄ≦０．３０、０≦ｅ≦０．３５、０≦ｇ≦０．２０、０≦ｌ≦０．３５、０≦ｍ≦０．２０の条件が満たされる。本発明は、また、保護コーティングを有するコーティング部材、並びに部材のための保護コーティング、特に多層膜を製造するための方法に関する。
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【課題】新規な炭素膜製造装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の炭素膜製造装置は、供給ガスに電子ビームを照射し、プラズマを発生させる電子ビーム発生装置７と、炭素源を収容し、炭素源を加熱して気化させる炭素源容器４と、炭素膜を堆積させる基板３を有する。ここで、供給ガスは、アルゴンガスであることが好ましい。また、電子ビーム発生装置７の電子通過量は10〜100Aの範囲内にあることが好ましい。また、炭素源は、フラーレンC₆₀、フラーレンC₇₀、その他ナノメートルスケールのカーボン粒子であることが好ましい。また、基板３の広さは1〜100cm² の範囲内にあることが好ましい。また、基板３のバイアス電圧は-500〜0Vの範囲内にあることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】被膜形成物および被膜形成物の製造方法を提供する。
【解決手段】金属元素および半金属元素から選択された１以上の元素と、第１元素と、第２元素とを含む化合物被膜を、成膜室に配置された基板の表面に形成することにより、被膜形成物を製造する方法であって、前記第１元素を含む第１ガスおよび前記第２元素を含む第２ガスから選択された１以上のガスを前記成膜室に供給し、前記１以上の元素を含む粒子を、前記ガスの中を通過させて前記基板に照射する段階と、前記成膜室における前記第１ガスと前記第２ガスの分圧比を変化させる段階と、を備えた被膜形成物の製造方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】高い生産性を保ちながら品質の高い膜を基材上に形成することができるイオンプレーティング方法および装置、およびイオンプレーティングによるガスバリア膜形成方法を提供する。
【解決手段】真空チャンバ１２内に設置された被イオンプレーティング用基材１３に対して蒸着材料２０を蒸着するイオンプレーティング装置１０は、蒸着材料２０を収納するるつぼ１９と、真空チャンバ１２内に昇華ガス２５を導入するガス導入部２４と、昇華ガス２５をプラズマ化させる圧力勾配型のプラズマガン１１と、プラズマ化された昇華ガス２５がるつぼ１９に収納された蒸着材料２０に照射されるよう磁場を発生させる磁場機構５とを備えている。このうちプラズマガン１１はガス導入部２４に設けられており、磁場機構５はプラズマガン１１と真空チャンバ１２との間に設けられている。また、昇華ガス２５は、キセノンガス２６とアルゴンガス２７とを含んでいる。 （もっと読む）

【課題】安定した特性を有するヘテロ界面の形成、ひいては高い選択性を持ったＩｎＰエッチストッパー層の形成を実現するエピタキシャル成長方法を提供する。
【解決手段】分子線エピタキシャル成長法によりＩＩＩ−Ｖ族系化合物半導体のヘテロ接合を有する半導体薄膜を形成するエピタキシャル成長方法であって、少なくとも一種類以上のＩＩＩ族元素の分子線と第１のＶ族元素の分子線とを照射して第１の化合物半導体層を形成する第１の工程と、ＩＩＩ族元素の分子線と第１のＶ族元素の分子線の照射を停止し、第１のＶ族元素の供給量が第１の工程における供給量の１／１０以下となるまで成長を中断する第２の工程と、少なくとも一種類以上のＩＩＩ族元素の分子線と第２のＶ族元素の分子線とを照射して第１の化合物半導体層上に第１の化合物半導体とは異なる第２の化合物半導体層を形成する第３の工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】
真空容器内における負に印加したワークを回転させながら周囲より正イオン化した被蒸発材料を同ワークに衝突させて同被蒸発材料による被膜を形成するイオンプレーティング装置よりも、ワークの表面に形成する被膜をより滑らかなものにできるイオンプレーティング装置を提供できるようにした。
【解決手段】
真空容器内にて、負に印加した被処理物に蒸発させかつ正イオン化した被蒸発材料を衝突させて同被蒸発材料による被膜を形成するイオンプレーティング装置において、真空容器１内にセットする被処理物たるワーク２が、正イオン化した蒸発材料９が衝突する衝撃によって少なくとも前後方向に揺動するようにセットできるよう構成する。 （もっと読む）

【課題】同一の成膜材料を用いて繰り返し成膜を行った場合でも、各対象物における膜厚を均一化することのできる成膜装置を提供する。
【解決手段】ターゲット１０１を用いて基板１００の表面に成膜を行う成膜装置１は、ターゲット１０１が載置される載置面を有する材料設置部４と、基板１００を材料設置部４に載置されたターゲット１０１に対向させて支持する基板ホルダ６と、基板ホルダ６の材料設置部４に対向する面の第一の領域及び第二の領域の成膜環境を測定可能に配置されたセンサ部８と、センサ部８の測定結果に基づいて第一の領域及び第二の領域の成膜環境を比較し、両者の差が所定値以上であるときに材料設置部４と基板ホルダ６との位置関係を変化させるよう制御する制御部１０とを備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 主電極からカソードマウントへの伝熱を抑制するための伝熱抑制構造を備えた利便性に優れる圧力勾配型プラズマガンを提供すること。
【解決手段】 圧力勾配型プラズマガン１００が、主電極１７と、前記主電極をその第１の部分が少なくとも包囲して該第１の部分が前記主電極を少なくとも保護する電極保護部１８ａ，２０と、前記電極保護部の第２の部分がその主面に連結され該主面が前記第２の部分を支持することで前記第１の部分を間接的に支持することにより前記主電極を間接的に支持する電極支持部１０と、を備え、前記電極保護部の第２の部分に、前記主電極から前記電極支持部への伝熱を抑制する伝熱抑制構造２１ａ，２１ｂが設けられている。 （もっと読む）

【課題】アークをプラズマ源とし、成膜面に付着するマクロパーティクル数を低減しつつ、高い成膜レートで良質な薄膜を形成できる成膜装置及び成膜方法を提供する。
【解決手段】プラズマ発生部１０で発生しプラズマ分離部２０に進入したプラズマは、斜め磁場発生コイル２３の磁場により進行方向が曲げられ、プラズマ輸送部４０を介して成膜チャンバ５０内に入る。一方、アーク放電にともなって発生したマクロパーティクルは、磁場の影響を殆ど受けないためプラズマ分離部２０を直進してパーティクルトラップ部３０で捕捉される。プラズマ輸送部４０は、プラズマの流路に沿って相互に電気的に絶縁された２つの電場フィルタ部４０ａ，４０ｂに分割されている。プラズマ分離部２０側の電場フィルタ部４０ａには例えば−２０Ｖの電圧が印加され、成膜チャンバ５０側の電場フィルタ部４０ｂには例えば−５Ｖの電圧が印加される。 （もっと読む）