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Fターム[4K029CA05]の内容

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【課題】耐摩耗性に優れ、苛酷な使用環境でも硼化物皮膜が剥離しないよう、高い密着強度を有した状態で被覆した被覆工具およびその製造方法を提供する。
【解決手段】工具の基材表面に中間皮膜を介して硬質皮膜を被覆した被覆工具であって、前記硬質皮膜は、Al、Si、Cr、W、Ti、Nb、Zrから選択される1種以上の元素の硼化物であって、六方晶の結晶構造であり、前記中間皮膜は、AlxMyからなる窒化物又は炭窒化物(但し、x、yは原子比を示し、x+y=100、かつ、40≦x≦95、かつ、5≦y≦60、MはTi、Cr、V、Nbから選択される1種以上)であり、前記基材側が立方晶の結晶構造、前記硬質皮膜側が六方晶の結晶構造である耐摩耗性に優れる被覆工具。硬質皮膜は、Tiの硼化物であることが好ましい。中間皮膜は、基材側から硬質皮膜側に向けてAlの含有量が増加することが好ましい。 (もっと読む)


【課題】チャンバ内壁を保護するシールドの交換頻度を低下させ、半導体製造工程におけるスループットの向上および製造コストの低下を実現することができる成膜装置およびシールド部材を提供する。
【解決手段】本実施形態による成膜装置は、基板を真空雰囲気中に収容するチャンバと、基板に材料を成膜する際に前記チャンバの内壁を保護し、チャンバから着脱可能なシールド部材とを備えている。シールド部材は、チャンバの内壁の保護にまだ使用されていていない使用前シールドを筒状に巻いた使用前ロールと、使用前ロールと連続して繋がっており、チャンバの内壁の保護にすでに使用された使用後シールドを筒状に巻くことが可能な使用後ロールとを含む。ガイド部は、シールド部材をチャンバの内壁において支持する。 (もっと読む)


【課題】 割れや、バッキングプレートやバッキングチューブに対する剥がれが生じ難いスパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供すること。
【解決手段】 本発明のスパッタリングターゲットの製造方法は、CuGa合金粉末とCu粉末との混合粉末を、金属基体上に溶射してスパッタリングターゲットを形成する工程を有する。これによって作製されたターゲットは、互いに不定形なCuGa合金相と純Cu相とが、相互に食い込み合った組織を有している。 (もっと読む)


【課題】外部電極の電気的特性及び部品本体への密着力の双方が良好であり且つ小型化に適したチップ状電子部品を提供する。
【解決手段】内部電極11が埋設された部品本体10と該部品本体10の外面に形成された外部電極20とを備えたチップ状電子部品1において、外部電極20は、少なくとも部品本体10に接する部位において物理的蒸着法で形成されてなり且つ第1の電極材料23と第2の電極材料24とが混合された混合層21を含み、該混合層21は部品本体から離れるにしたがって第1の電極材料23に対する第2の電極材料24の混合率が漸小している。 (もっと読む)


【課題】 機械加工性に優れ、主としてCu,Gaを含有する化合物膜が成膜可能なスパッタリングターゲット及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】 本発明のスパッタリングターゲットは、Ga:20〜40at%、Sb:0.1〜3at%、残部がCu及び不可避不純物からなる成分組成を有する。このスパッタリングターゲットの製造方法は、少なくともCu,GaおよびSbの各元素を単体またはこれらのうち2種以上の元素を含む合金として粉末とした原料粉末を作製する工程と、前記原料粉末を真空、不活性雰囲気、または還元性雰囲気で熱間加工する工程を有し、前記原料粉末に含まれるGaがCuGa合金またはGaSb合金として含有されていることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】潤滑油を用いた湿式条件下で低摩擦かつ高耐摩耗性を示す摺動部材を提供する。
【解決手段】本発明の摺動部材は、潤滑油の存在下で摺動される摺動面をもつ基材と、該摺動面の少なくとも一部に固定した皮膜と、を備え、
前記皮膜は、炭素(C)、チタン(Ti)およびホウ素(B)を含み、非晶質炭素を主成分として含む第一層と、CおよびTiを主成分として含む第二層と、を繰り返し交互に積層してなり、硬さが18GPa以上である。 (もっと読む)


【課題】電気めっきによって銅安定化層を形成する際、局所的な銀保護層の剥がれの発生を抑制することができ、安定した超電導特性の酸化物超電導薄膜線材を提供する。
【解決手段】金属基板上に、中間層、酸化物超電導層、銀保護層、銅安定化層が積層されている酸化物超電薄膜線材の製造方法であって、幅広の金属基板上に、中間層、酸化物超電導層、第1銀保護層を順に形成して複合線材を製造する複合線材製造工程と、複合線材を酸素雰囲気下で加熱処理して、前記酸化物超電導層に酸素を導入する酸素導入工程と、
複合線材を所定の幅に切断して細線加工する細線加工工程と、細線加工された複合線材の周囲に、蒸着法を用いて第2銀保護層を形成する第2銀保護層形成工程と、第2銀保護層が形成された複合線材の周囲に、電気めっき法により銅安定化層を形成する銅安定化層形成工程とが設けられている酸化物超電導薄膜線材の製造方法。 (もっと読む)


【課題】ダイヤモンドライクカーボン膜を備えた摺動部材において、せん断に対するダイヤモンドライクカーボン膜の密着性(耐引っ掻き性)を向上することで摺動部材の耐摩耗性の向上および長寿命化が可能な摺動部材を提供する。
【解決手段】基材の上に、第一層を含むDLC膜を配置した摺動部材であって、前記基材が、V,Cr,Nb,Mo,Ta,Wから選ばれる少なくとも1種を含む合金鋼であり、前記第一層がV,Cr,Nb,Mo,Ta,Wから選ばれる少なくとも1種を含み、前記基材から第一層に向けて同一の結晶構造が連続することを特徴とする摺動部材。 (もっと読む)


【課題】スパッタ時の異常放電や形成する膜中のパーティクルの発生を良好に抑制することが可能な新規なインジウムターゲット及びその製造方法を提供する。
【解決手段】インジウムターゲットは、粒径が0.5〜20μmの介在物を1500個/g以下含む。 (もっと読む)


【課題】光記録媒体保護膜形成用として、割れやInの溶出がなく製造工程を簡素化でき、高密度が得られる酸化物スパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】酸化物スパッタリングターゲットが、ZrO,InおよびZnOを含有し、ZrO相の周囲がInとZnとの酸化物からなる複合酸化物相を含む相で囲まれた組織を有する。さらに、不可避不純物を除いた全金属成分量に対する原子比で、Zr:A%,InおよびZn:残とされており、これらの成分組成が、0<A≦47.6、0.22≦In(原子比)/Zn(原子比)≦4.68、の関係を満たすことが好ましい。 (もっと読む)


【課題】Al系のターゲットにおいて、より優れた耐食性を示す高いCrの含有量とした場合であっても、ターゲットの成形時に割れが発生することなく、また、スパッタ時においても割れが発生することがないスパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】原子%で、Si:5〜20%、Cr:5.5〜25%を含有し、残部:Alおよび不可避不純物からなる組成の素地中に絶対最大長:0.1〜50μmの範囲内にあるAlリッチの粒子が分散していることにより、前記課題を解決したものである。 (もっと読む)


【課題】装置自体の大型化を招来することなく、一度に載置するワーク数を増加させられるようにする。
【解決手段】本発明は、ターゲット20,21による蒸着位置を含む一定の公転経路上に沿って、複数のワークPそれぞれを自転させながら移動させる蒸着装置用ワーク移動機構Bにおいて、上記隣り合うワークP,Pどうしを、これらの自転領域を重なり合わせ、かつ、互いに干渉しない姿勢に保持しているとともに、それら隣り合うワークP,Pを互いに逆回転させながら公転経路上を移動させる。 (もっと読む)


【課題】スパッタリングターゲットを用いたときの成膜速度(スパッタレート)が高められ、好ましくはスプラッシュの発生を防止できるAl基合金スパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】本発明のAl基合金スパッタリングターゲットは、Taを含有するものである。好ましくは、AlおよびTaを含むAl−Ta系金属間化合物の平均粒子直径は0.005μm以上1.0μm以下で、且つ、Al−Ta系金属間化合物の平均粒子間距離は0.01μm以上10.0μm以下を満足するものである。 (もっと読む)


【課題】インジウムターゲット内における不要な不純物の含有が良好に抑制された積層構造体及びその製造方法を提供する。
【解決手段】積層構造体は、バッキングプレート、バッキングプレート上に形成された、インジウムと金属Mとの合金からなるロウ材、及び、ロウ材上に形成されたインジウムターゲットを備え、金属Mが、亜鉛、銀、及び、ビスマスから選択された1種以上である。 (もっと読む)


【課題】ドライコート法による成膜処理において、成膜対象である基板のセッティング性を向上させる技術を提供する。
【解決手段】成膜装置100は、基板25を保持する保持器具50と、成膜室110において、保持器具50を、取り付けられた基板25が立った状態となるように固定する基台112とを備える。保持器具50は、枠部51と、枠部51の互いに対向する長辺に沿って設けられた第1と第2の側辺支持部52,53と、枠部51の底辺に沿って設けられた底辺支持部54とを備える。第1と第2の側辺支持部52,53は、基板25の長辺の一部を収容するスリットSを有する。第1と第2の側辺支持部52,53は、基板25が水平方向へと傾くことを抑制するとともに、基板25が枠部51から離間することを抑制する。底辺支持部54は、基板25が重力方向へ脱落することを抑制する。 (もっと読む)


【課題】蛍光体や通信素子としての特性に優れたGaN薄膜を得るために、スパッタ法により、低コストで高純度かつ結晶性が良好なGaN薄膜が形成可能なスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】蛍光体用薄膜や通信素子用薄膜のGaN薄膜のスパッタ法による形成において、スパッタリングターゲットを、白色GaN原料粉末の焼結により得られ、酸素濃度が1.5%以下であり、Zn含有量が0.1%以下である白色GaN焼結体により構成する。 (もっと読む)


【課題】筒状体の内周面への成膜に適したものであって、かつγ電子によるダメージを抑制することができる成膜装置および成膜方法を提供する。
【解決手段】ターゲットホルダ9は、スパッタ膜の材料としてのターゲット8を保持するためのものであって、相対的に負電位が印加されるように構成されている。筒状体ホルダ2は、筒状体1を保持するためのものであって、相対的に正電位が印加されるように構成された導電部2bを有する。導電部2bは、筒状体1が筒状体ホルダ2に保持された状態において筒状体1の内部空間へ露出するように構成されている。 (もっと読む)


【課題】金属カルコゲナイド膜の積層体を有する相変化メモリにおいて、読み書き動作の速度を高めることのできる相変化メモリの形成装置、及び相変化メモリの形成方法を提供する。
【解決手段】スパッタ装置10は、互いに異なる組成を有したGeTeターゲット22a及びSbTeターゲット22bを有する。また、スパッタ装置10は、基板Sを加熱する加熱面を有して、基板Sを該加熱面に吸着しながら加熱する基板ステージ13と、基板ステージ13を基板Sの周方向に回転させる回転部18とを備えている。こうしたスパッタ装置10は、基板ステージ13が基板Sを吸着且つ加熱した状態で、回転部18が基板ステージ13を回転させつつ、GeTeターゲット22a及びSbTeターゲット22bの各々を互いに異なるタイミングでスパッタすることにより、互いに異なる組成を有した二つの金属カルコゲナイド膜を基板S上に積層する。 (もっと読む)


【課題】 基材表面に位置する官能基がアミド化や窒化することを防ぎつつ、また酸素結合に頼ることなく層間密着力を向上させることを可能としたガスバリアフィルムの製造方法及び係る製造方法によるガスバリアフィルムを提供する。
【解決手段】 基材となるプラスチックフィルムの表面に対し、不活性ガス導入下において、気圧1×10−1〜1×10−3Torrという環境下にて予めグロー放電によるプラズマ処理を施すプラズマ処理工程と、前記プラズマ処理工程を実施した後に、その表面にシラノール基を有する鱗片状シリカを主剤に対して添加した第1高分子樹脂層、ガスバリア層、をこの順に積層してなる備えてなる製造方法、及び該方法により得られるガスバリアフィルムとした。 (もっと読む)


【課題】 ターゲットの大型化に伴い、ターゲットに大電力が投入されてもスプラッシュを抑制することができると共に、耐食性および耐熱性に優れ、低電気抵抗の膜を形成可能な導電性膜形成用銀合金スパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供すること。
【解決手段】 導電性膜形成用銀合金スパッタリングターゲットが、Ga,Snの内の1種または2種を合計で0.1〜1.5質量%を含有し、残部がAgおよび不可避不純物からなる成分組成を有した銀合金で構成され、銀合金の結晶粒の平均粒径が120〜400μmであり、結晶粒の粒径のばらつきが、平均粒径の20%以下である。 (もっと読む)


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