【課題】インジウム−錫ロウ材からインジウムターゲットへの錫の拡散が良好に抑制された、使用効率が良好な積層構造体及びその製造方法を提供する。
【解決手段】バッキングプレート、インジウム−錫ロウ材、及び、インジウムターゲットがこの順で積層され、インジウムターゲットのインジウム−錫ロウ材側表面から２．５〜３．０ｍｍの厚み範囲における錫濃度が、５ｗｔｐｐｍ以下である積層構造体。 （もっと読む）

【課題】溶媒性ハードコーティングにおける設備、クリーンルーム環境等の不利点を克服する。
【解決手段】ハードコートフィルムであって、透明なポリマーフィルム基板２と、前記フィルム基板の表面上に形成される有機接着層４であって、約0.025μmから約20.0μmの範囲の厚さを有する接着層と、前記接着層の表面上に形成される有機ハードコート層６であって、約0.025μmから約20.0μmの範囲の厚さを有する有機ハードコート層と、を備えるハードコートフィルム。 （もっと読む）

【課題】膜特性の均一性に優れた透明導電膜作製用のＺｎＯ焼結体の製造方法を提供する。
【解決手段】ＺｎＯ焼結体は、ＺｎＯ粉末とＢ_２Ｏ_３粉末とを混合、焼成及び粉砕してＺｎ_４Ｂ_６Ｏ_１３粉末を得る工程と、平均粒径が０．５〜１μｍのＺｎＯ粉末と平均粒径が０．２〜０．５μｍのＺｎ_４Ｂ_６Ｏ_１３粉末とを混合、成形、焼成してＺｎＯ焼結体を得る工程とを含む方法により製造される。 （もっと読む）

【課題】固体潤滑剤からなる潤滑部品が取り付けられた保持器を備えた玉軸受として、機械的強度が十分であるとともに、寸法が大きい玉軸受や、ボール間隔が狭いアンギュラ玉軸受に適用しても、良好な潤滑性能が得られるものを提供する。
【解決手段】保持器４の柱部分４２の、内輪１および外輪２からボール３へ伝えられる力の合力の作用線Ｌに沿った位置に、対をなす凹部４３を形成し、この凹部４３に円柱状の固体潤滑剤からなる潤滑部品５１、５２を嵌める。この玉軸受は、回転時に、潤滑部品５１、５２をなす固体潤滑剤が、内輪軌道面１１および外輪軌道面２１とボール３の表面に効率的に移行する。 （もっと読む）

【課題】 耐湿性や耐酸化性を改善し、さらに低抵抗な主導電層であるＣｕと積層した際に、加熱工程を経ても低い電気抵抗値を維持できる、Ｍｏ合金からなら被覆層を用いた電子部品用積層配線膜および被覆層を形成するためのスパッタリングターゲット材を提供する。
【解決手段】 基板上に金属膜を形成した電子部品用積層配線膜において、Ｃｕを主成分とする主導電層と該導電層の一方の面および／または他方の面を覆う被覆層からなり、該被覆層は原子比における組成式がＭｏ_{１００−ｘ−ｙ}−Ｎｉ_ｘ−Ｔｉ_ｙ、１０≦ｘ≦５０、３≦ｙ≦３０、ｘ＋ｙ≦５３で表され、残部が不可避的不純物からなる電子部品用積層配線膜。 （もっと読む）

【課題】成膜用ワークの形状、構造に拘わらず、成膜室に搬入すると、直ちに成膜動作に入ることができる成膜方法を提供する。
【解決手段】成膜用ワーク（Ｗ）を射出成形するときに、該成膜用ワークを成膜室（１１）内に搬入して成膜台（１２）に載置すると、その成膜面あるいは成膜部（Ａ’、Ｂ’、Ｃ’）がターゲット材料（１４）と対面する所定姿勢に保持するアシスト部材（１、２）を成膜用ワーク（Ｗ）と一体的に成形し、これを成膜室（１１）に搬入して成膜する。 （もっと読む）

【課題】チタンまたはチタン合金製の摺動部品の表面に設けられるＤＬＣ膜の密着性を向上させ、優れた耐衝撃性を実現する。
【解決手段】本発明による内燃機関用摺動部品は、チタンまたはチタン合金から形成された部品本体１ａと、部品本体１ａの表面に形成された表面硬化層１ｂと、表面硬化層１ｂ上に設けられたダイヤモンドライクカーボン膜３と、表面硬化層１ｂとダイヤモンドライクカーボン膜３との間に設けられたチタン層２とを有する。表面硬化層１ｂは、チタン酸化物層である。 （もっと読む）

【課題】 耐湿性や耐酸化性を改善し、さらに、低抵抗な主導電層であるＡｌと積層した際に、加熱工程を経ても低い電気抵抗値を維持できる、Ｍｏ合金からなる被覆層を用いた電子部品用積層配線膜および被覆層を形成するためのスパッタリングターゲット材を提供する。
【解決手段】 基板上に金属膜を形成した電子部品用積層配線膜において、Ａｌを主成分とする主導電層と該主導電層の一方の面および／または他方の面を覆う被覆層からなり、該被覆層は原子比における組成式がＭｏ_{１００−ｘ−ｙ}−Ｎｉ_ｘ−Ｔｉ_ｙ、１０≦ｘ≦３０、３≦ｙ≦２０で表され、残部が不可避的不純物からなる電子部品用積層配線膜。 （もっと読む）

【課題】金属層と、金属層上に形成された窒化金属層とからなるバリアメタル層を形成する際に、金属層の抵抗値が高められることを抑えつつ、窒化金属層を形成することのできるバリメタル層の形成方法、及びバリアメタル層の形成装置を提供する。
【解決手段】マルチチャンバ装置１０は、Ｔｉ層を形成する金属層形成チャンバ１３と、Ｔｉ層上に、該Ｔｉ層を構成するＴｉＣｌ_４と、ＮＨ^＊とを用いてＴｉＮ層を形成する窒化金属層形成チャンバ１４とを備えている。窒化金属層形成チャンバ１４では、ＴｉＮ層が形成される前に、Ｔｉ層の表面が窒化される。 （もっと読む）

【課題】静電チャックの基板吸着面にパーティクルが付着することを抑制できるようにした多元スパッタリング装置を提供する。
【解決手段】本発明の多元スパッタリング装置ＳＭは、真空チャンバ１と、この真空チャンバの底部に配置され、上面に基板Ｗを吸着する静電チャック３を有するステージ２と、この真空チャンバの上部に、静電チャックで吸着された基板に対してスパッタ粒子を斜入射させるように配置された少なくとも２個のスパッタリングカソードＣと、各スパッタリングカソードと基板との間を選択的に遮蔽する遮蔽手段４とを備える。静電チャックの上面が露出している場合に、当該静電チャックの上面を選択的に覆う保護板５を更に備える。 （もっと読む）

【課題】円筒型スパッタリングターゲット材の外周面側から内周面側までのスパッタ速度の均一化を図る。
【解決手段】純度３Ｎ以上の無酸素銅から形成され、円筒形状を有する円筒型スパッタリングターゲット材２０であって、外周面２１側から内周面２２側へ向けて硬さが次第に増加するとともに、外周面２１側から内周面２２側へ向けて（１１１）面の配向率が次第に増加する。 （もっと読む）

【課題】ターゲットに局所的な侵食が発生することが抑制できてターゲットの利用効率を高めることができるマグネトロンスパッタカソードを提供する。
【解決手段】マグネトロンスパッタカソードは、立体形状の輪郭を有するターゲット１ａと、トンネル状の磁場を形成する磁石ユニット２ａとを備える。このターゲットの表面の一部をスパッタリングにより侵食されるスパッタ面１２ａ、１２ｃとし、前記磁場の垂直成分がゼロとなる位置を通る線が、スパッタ面を跨いでターゲットの周囲を周回するように磁石ユニットが構成される。 （もっと読む）

【課題】幅広の金属基板上に中間層が形成された幅広の金属基材であっても、金属基板と中間層の熱収縮差による反りの発生を抑制することができ、その後の酸化物超電導層形成工程、安定化層形成工程、薄膜超電導線材細線化工程における不良の発生が抑制できる薄膜超電導線材用金属基材、その製造方法および薄膜超電導線材の製造方法を提供する。
【解決手段】金属基板の表面に配向性のセラミックス層を有し、金属基板の裏面に非配向性のセラミックス層を有している薄膜超電導線材用金属基材であって、金属基板を成膜装置内で加熱して金属基板の表面に配向性のセラミックス層を形成する工程と、金属基板を成膜装置内で加熱して金属基板の裏面に非配向性のセラミックス層を形成する工程と、これらの工程の間に介在して、配向性のセラミックス層または非配向性のセラミックス層が形成された金属基板を成膜装置から取り出して冷却する工程とにより製造される。 （もっと読む）

【解決課題】 真空コーティング装置およびナノ・コンポジット被膜を堆積する方法を提供すること。
【解決手段】 真空チャンバ（３１）と、少なくとも１対の対向カソード（１および４）と、この対向カソードにＡＣ電圧を供給してこれをデュアル・マグネトロン・スパッタリング・モードで動作させる電源（８）とを備え、ＰＶＤコーティングのための少なくとも１のさらなるカソードが真空チャンバ内に提供された真空コーティング装置および方法は、少なくとも１のさらなるカソード（６および／または７）がマグネトロン・カソードとされ、マグネトロン・カソードまたはアーク・カソードに接続可能なパルス化電源またはＤＣ電源の形態としてさらなる電源（４２，４４）が提供されている。 （もっと読む）

【課題】金属カルコゲナイド膜の積層体を有する相変化メモリにおいて、読み書き動作の速度を高めることのできる相変化メモリの形成装置、及び相変化メモリの形成方法を提供する。
【解決手段】ＧｅＴｅ膜とＳｂＴｅ膜とを基板上にて交互に積層することによって相変化メモリを形成する際に、処理基板Ｓの温度を２５０℃以上３５０℃以下の所定温度に維持する。加えて、互いに異なる組成を有する二つのターゲットであるＧｅＴｅターゲット２２ａとＳｂ_２Ｔｅ_３ターゲット２２ｂの各々を互いに異なるタイミングでアルゴンガスによりスパッタする。このとき、互いに異なる組成を有した二つ以上の金属カルコゲナイド膜であるＧｅＴｅ膜とＳｂ_２Ｔｅ_３膜とを毎秒３ｎｍ以上１０ｎｍ以下の速度で前記基板上に積層する。 （もっと読む）

【課題】導電性が高くＩＩＩ族窒化物結晶との接合強度が高いとともに光透過性が高い複合体を提供する。
【解決手段】本複合体１００は、ＩＩＩ族窒化物結晶１１０とＩＩＩ族窒化物結晶１１０上に配置された酸化物膜１２０とを含み、酸化物膜１２０はドーパントの濃度が互いに異なる第１領域１２１と第２領域１２２とを含み、第２領域１２２は第１領域１２１に比べてドーパントの濃度が高い。 （もっと読む）

【課題】近赤外線から遠赤外線までの広帯域における赤外線遮断機能を有する低コストの赤外線光学フィルタを提供する。
【解決手段】８００ｎｍ〜２００００ｎｍの波長域の赤外線を制御する赤外線光学フィルタであって、半導体基板１と、当該半導体基板１の一表面側に形成された広帯域遮断フィルタ部２と、当該半導体基板２の他表面側に形成された狭帯域透過フィルタ部３とを備えている。広帯域遮断フィルタ部２は、屈折率が異なる複数種類の薄膜２ａ，２ｂが積層された多層膜からなり、当該複数種類の薄膜２ａ，２ｂのうち１種類の薄膜２ａが遠赤外線を吸収する遠赤外線吸収材料（Ａｌ_２Ｏ_３、Ｔａ_２Ｏ_５、ＳｉＯ_２の群から選択される酸化物もしくはＳｉ_３Ｎ_４からなる窒化物）により形成され、残りの１種類の薄膜２ｂが上記遠赤外線吸収材料よりも屈折率の高い高屈折率材料であるＳｉにより形成されている。半導体基板１は、Ｓｉ基板である。 （もっと読む）

【課題】相変化膜の組成が変わることを抑えつつ、基板の凹部に対する相変化膜の埋め込み性を高めることのできる相変化メモリの形成方法、及び相変化メモリの形成装置を提供する。
【解決手段】相変化メモリの形成に際し、金属カルコゲナイドターゲットをスパッタして絶縁膜２３の上面２３ｓ及びホール２３ｈ内に相変化膜２４を形成する。次いで、相変化膜２４を覆うキャップ膜２５を形成する。更に、相変化膜２４を加熱して、相変化膜２４によってホール２３ｈを埋め込むリフローを行う。キャップ膜２５は、絶縁膜２３よりも相変化膜２４に対する濡れ性が低い材料で形成される。 （もっと読む）

【課題】スパッタチャンバ内を汚染することなく、バリアメタルを形成することができる成膜装置を提供すること。
【解決手段】実施形態の成膜装置は、第１のプロセスチャンバと、第２のプロセスチャンバと、第３のプロセスチャンバと、を備えている。そして、第１のプロセスチャンバは、スパッタ処理を行うことにより、基板上に第１のバリアメタルを成膜する。また、前記第２のプロセスチャンバは、前記第１のバリアメタルが成膜された前記基板上に第１のガスを導入することにより、前記第１のバリアメタルの上層部を前記第１のガスによって表面処理し、これにより前記第１のバリアメタル上に第２のバリアメタルを形成する。さらに、前記第３のプロセスチャンバは、前記第２のバリアメタルが形成された前記基板にスパッタ処理を行うことにより、前記第２のバリアメタル上に第３のバリアメタルを成膜する。 （もっと読む）

【課題】水素フリーで緻密で硬質なダイヤモンドライクカーボン膜を容易に形成することができる炭素薄膜成膜法を提供する。
【解決手段】この炭素被膜成膜方法は、マグネトロンスパッタ法により試料基板電極上に配置された試料基板表面に炭素被膜を堆積させる炭素被膜成膜装置を用い、炭素ターゲット基板電極と試料電極に対し、下記１〜４の条件でそれぞれ電圧を印加させることを特徴とする。
１．ターゲット基板電極に印加する電圧が負のパルス電圧であって、かつ、そのパルス電圧時間比が４０％以下であること。
２．ターゲット基板電極に印加するパルス電圧のパルス時間が２０μｓ〜２００μｓであること。
３．試料基板電極に印加する電圧が負のパルス電圧であって、かつ、そのパルス電圧時間比が５０％以下であること。
４．試料基板電極に印加する負パルス電圧の大きさが−２０Ｖ〜−２００Ｖであること。 （もっと読む）