【課題】 膜の良好な平坦性および耐紫外線性を有すると共に酸化による反射率の低下を防ぐことができる光記録媒体の反射膜形成用銀合金スパッタリングターゲットおよびこのターゲットを用いて成膜した光記録媒体の反射膜を提供する。
【解決手段】 反射膜形成用銀合金スパッタリングターゲットが、Ｉｎ：０．５〜１０質量％およびＺｎ：０．５〜１０質量％を含有し、残部がＡｇおよび不可避不純物からなる組成の銀合金からなる。または、Ｉｎ：０．５〜１０質量％、Ｚｎ：０．５〜１０質量％およびＣｕ：０．５〜２質量％を含有し、残部がＡｇおよび不可避不純物からなる組成の銀合金からなる。 （もっと読む）

【課題】カルーセルが大型である場合にも、成膜される薄膜の厚みや膜質がばらつきにくいスパッタリング成膜装置のカルーセル及びそれを備えるスパッタリング成膜装置を提供する。
【解決手段】カルーセルは、カルーセルの回転軸を中心として回転するホルダ３０を備える。ホルダ３０は、取付部３２と押さえ部材３３とを備える。取付部３２は、開口部３１とフランジ部とを有する。開口部３１には、スパッタリング成膜される被成膜部材４が挿入される。フランジ部は、開口部３１の内壁から内側に向かって突出している。フランジ部は、開口部３１に挿入される被成膜部材４に当接する。押さえ部材３３は、開口部３１に、開口部３１の軸方向に変位可能に挿入されている。押さえ部材３３は、ホルダ３０と共に回転することにより、遠心力によりフランジ部に対して被成膜部材４を径方向外側に向けて押圧する。 （もっと読む）

【課題】 規則化温度の低い膜を成膜することができると共にパーティクルの発生が抑制可能な磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供すること。
【解決手段】 磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットが、一般式：｛（Ｆｅ_ｘＰｔ_{１００−ｘ}）_{（１００−ｙ）}Ｉｎ_ｙ｝_{（１００−ｚ）}Ｃ_ｚ、原子比により３０≦ｘ≦８０、１≦ｙ≦２０、３≦ｚ≦６５で表される組成を有した焼結体からなる。また、このスパッタリングターゲットの製造方法は、ＩｎＰｔ合金粉と、ＦｅＰｔ合金粉と、Ｐｔ粉と、グラファイト粉またはカーボンブラック粉と、の混合粉末を、真空または不活性ガス雰囲気中でホットプレスする工程を有している。 （もっと読む）

【課題】大型ターゲット等の製造コストの低減を図った上で、ターゲットに起因するパーティクルの発生を抑制したスパッタリングターゲットの製造方法を提供する。
【解決手段】スパッタリングターゲット１の製造方法は、基体２と金属原料粒子とを準備する工程と、基体２にコールドスプレー法を適用して金属原料粒子を高速で吹付け、基体２上に金属粒子４の堆積膜からなるターゲット層３を形成する工程とを具備する。ターゲット層３のＸ線回折チャートにおける第１ピークと第２ピークとの比率をＰ１、金属原料粒子のＸ線回折チャートにおける第１ピークと第２ピークとの比率をＰ２としたとき、Ｐ１とＰ２との差が１０％以内となるように、金属原料粒子を基体２に吹付ける。 （もっと読む）

【課題】繰り返しスパッタリング成膜を行った場合であっても、成膜される薄膜に構造欠陥が生じ難いスパッタリング成膜装置及びそれを用いた薄膜の製造方法を提供する。
【解決手段】スパッタリング成膜装置１は、チャンバ１０ｂと、ホルダ１１と、加熱装置とを備えている。ホルダ１１は、チャンバ１０ｂ内に配されている。ホルダ１１には、被成膜部材が取り付けられる。加熱装置は、ホルダ１１を加熱する。加熱装置は、遠赤外線をホルダ１１に照射する遠赤外線ヒーター２０と、近赤外線をホルダ１１に照射する近赤外線ヒーター２１とを有する。 （もっと読む）

【課題】反射膜の膜厚が約２５ｎｍ以下に薄く調整されていても、光情報記録媒体での反射率やジッター値などの初期特性に優れていることは勿論のこと、高温高湿下で長期間保管した場合であってもこれらの特性が劣化することがなく、耐久性に優れた光情報記録媒体用反射膜を提供する。
【解決手段】本発明の光情報記録媒体用反射膜は、Ｓｉを０．５〜１０％、および／またはＧｅを０．５〜１０％と、高融点金属元素を０．２〜１．０％含むＡｌ基合金からなる。上記反射膜の膜厚は２５ｎｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】金属箔と金属箔上に配置される抵抗層との間の剥離を回避し充分なピール強度を有した電気抵抗層付き金属箔及びその製造方法を提供する。
【解決手段】金属箔の表面にベンゾトリアゾール処理を施したのち、その金属箔表面上に電気抵抗層を形成する。電気抵抗層は、アルミニウム、ニッケル、クロム、銅、鉄、インジウム、亜鉛、タンタル、スズ、バナジウム、タングステン、ジルコニウム、モリブデン及びこれらの合金からなる群の中から選択された金属から形成される。また、電気抵抗層付き金属箔は別の一実施形態において、金属箔上に配置された熱可塑性樹脂層を更に備える。 （もっと読む）

【課題】既知のＮＴＯ膜より低抵抗な透明伝導膜の製造方法および透明電動膜素材を提供すること。
【解決手段】ガラス基板等に導電性透明酸化亜鉛膜とＮＴＯ膜とをこの順に形成したのちにアニール処理することを特徴とする透明導電膜の作成方法である。導電性透明酸化亜鉛は、ＧＺＯとすることができる。 （もっと読む）

【課題】相対密度の高く、抵抗値のバラツキが小さいＣｕＧａＮａ系スパッタリング用ターゲット及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の一実施形態に係るＣｕＧａＮａ系スパッタリング用ターゲットの製造方法は、ＣｕＧａ合金粉末と１５０μｍ以下の平均粒度を有するＮａ₂ＣＯ₃粉末との混合粉末を作製し、上記混合粉末を加圧焼結する。ＣｕＧａ合金粉末に添加されるＮａ原料としてＮａ₂ＣＯ₃粉末を採用し、そのＮａ₂ＣＯ₃粉末の平均粒度を１５０μｍ以下に制限することで、焼結体の相対密度を例えば９８％以上に高めることができるとともに、抵抗値のバラツキを例えば±６％以下に抑えることができる。 （もっと読む）

【課題】成膜用マスクを用いて被成膜物に成膜した後に成膜用マスクを取り外す際に、被成膜物から成膜された膜が剥がれることを防ぎ、所定の形状の膜を被成膜物に形成することができる膜形成方法を提供する
【解決手段】一方の主面から他方の主面まで貫通し、かつ、一方の主面側の開口部の大きさが他方の主面側の開口部の大きさより大きくなっている成膜用空間を有する成膜用マスクの一方の主面を、被成膜物に接触させて前記成膜用マスクを配置するマスク配置工程と、前記成膜用マスクの他方の主面側から前記成膜用空間内を向く向きに膜を成膜する成膜工程と、前記成膜された前記被成膜物から前記成膜用マスクを取り外すマスク取り外し工程と、を備えていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】銅めっき工程の電極に用いるＣｕ堆積膜による貫通孔開口の閉塞状態を適切に制御できる成膜装置を提供する。
【解決手段】成膜装置１００は、貫通孔が形成された基板３４Ｂおよび銅放出源３５Ｂを格納する真空チャンバ３０と、真空チャンバ３０内を所定の真空度に減圧する真空ポンプ３６と、基板３４Ｂに印加する電力を発生する電源８０と、基板３４Ｂおよび銅放出源３５Ｂ間の距離の設定に用いる駆動機構と、を備える。銅放出源３５Ｂから放出された銅材料を基板３４Ｂの一方の主面に堆積させ、主面における貫通孔の開口を銅材料からなる堆積膜によって閉塞させるとき、堆積膜による開口の閉塞状態が、上記距離および上記電力に基づいて調整される。 （もっと読む）

【課題】スパッタリングターゲットの成分をその中により均一に分布させることに加えて、スパッタリング時のアーク放電効果及び不要な粒子の形成を減少させたＣｏＣｒＰｔに基づく合金スパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】コバルト（Ｃｏ）、クロム（Ｃｒ）、白金（Ｐｔ）、酸化コバルト、及び非磁性酸化物組成物を含有し、スパッタリングターゲットに形成されるＣｒ_２Ｏ_３及びＣｏ（Ｃｒ）−Ｘ−Ｏのセラミック相の長さが、それぞれ３μｍ未満である（「Ｘ」は、非磁性酸化物の金属元素を表す）ＣｏＣｒＰｔに基づく合金スパッタリングターゲットとする。 （もっと読む）

【課題】相対密度の高く、抵抗値のバラツキが小さいＣｕＧａＮａ系スパッタリング用ターゲット及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の一実施形態に係るＣｕＧａＮａ系スパッタリング用ターゲットの製造方法は、ＣｕＧａ合金粉末と１００μｍ以下の平均粒度を有するＮａＣｌ粉末との混合粉末を作製し、上記混合粉末を加圧焼結する。ＣｕＧａ合金粉末に添加されるＮａ原料としてＮａＣｌ粉末を採用し、そのＮａＣｌ粉末の平均粒度を１００μｍ以下に制限することで、焼結体の相対密度を例えば９７％以上に高めることができるとともに、抵抗値のバラツキを例えば±１０％以下に抑えることができる。 （もっと読む）

【課題】複数の蒸発源用磁場印加機構による磁場の相互干渉を抑制することができる真空成膜装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る真空成膜装置は、成膜チャンバーと、成膜チャンバー内に設けられるスパッタリング蒸発源用磁場印加機構１ａ、及び同一の成膜チャンバー内に設けられるアーク蒸発源用磁場印加機構と、これらのうちどちらかの蒸発源用磁場印加機構、好ましくはスパッタリング蒸発源用磁場印加機構１ａの一部又は全部を覆うように設けられる磁場遮蔽部２１，２２とを有することを特徴とする。また、磁場遮蔽部２１，２２の開閉部２１ｂ，２２ｂの一部（閉じた状態でターゲット材１２と対向する部分）を非磁性体２１ａ，２２ａで構成することが好ましい。 （もっと読む）

【課題】酸素欠陥が少なく、圧電特性に優れた圧電体膜を形成する。
【解決手段】一般式(Ｎａ_ｘＫ_ｙＬｉ_ｚ)ＮｂＯ_３ (０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦０．２、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１)で表されるペロブスカイト構造のアルカリニオブ酸化物からなる
圧電体膜であって、前記アルカリニオブ酸化物は、擬立方晶、正方晶、斜方晶、単斜晶、菱面体晶、またはそれらが共存した結晶構造を有しており、前記アルカリニオブ酸化物のＫ原子周囲の結合状態において、Ｋ−Ｏ結合とＫ−Ｍｅｔａｌ結合との合計を１００％としたとき、前記Ｋ−Ｏ結合の割合が４６．５％以上、前記Ｋ−Ｍｅｔａｌ結合の割合が５３．５％以下の圧電体膜である。 （もっと読む）

【課題】大面積樹脂フィルム上への連続的かつ均一な窒化チタン膜の工業的な成膜を可能とする。
【解決手段】平均粒径が０．４〜１．５μｍのＴｉＮ粉末を用い、分散剤を、ＴｉＮ粉末１００質量部に対して０．５〜２．０質量部添加し、湿式粉砕し、噴霧乾燥し、９８〜２９４ＭＰａの圧力で成形し、大気圧還元性雰囲気で４００〜１０００℃で還元処理した後、大気圧窒素雰囲気中で、１８００〜２１００℃の温度で焼成し、加工し、一般式：ＴｉＮ_xにおいて０．８≦ｘ≦１．０、相対密度：９３〜１００％、平均空孔径が０．１〜１．５μｍの窒化チタンスパッタリングターゲットを得る。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の製造工程を精度良く監視する。
【解決手段】第３のセンサの出力波形は、センサのダイナミックレンジに相当する波形Ａ１がレシピに従った処理によって形成される。この後、レシピに従って基板に処理が行われ、処理を起因する波形Ａ２が形成される。波形Ａ２は、ノイズレベルの信号である。第３のセンサの出力波形を正規化処理すると、ノイズレベルの信号が増幅されることが防止される。第１のセンサ、第２のセンサ、及び第３のセンサの出力波形をそれぞれ正規化処理したデータを用いて多変量解析することで、半導体製造装置の運転状態を監視する。 （もっと読む）

【課題】タッチパネル用構造体として適用された際に透明導電膜の存在に起因して表示装置の視野が妨害される弊害を解消した透明導電膜構造体とその製法等を提供する。
【解決手段】透明基板とこの基板上に設けられた回路パターン形状を有する透明導電膜とで構成される透明導電膜構造体であって、透明導電膜の外縁近傍領域に、透明導電膜を貫通すると共に上記外縁と平行に設けられた複数のスリット群と非スリット群とで構成された屈折率緩衝部を有し、この屈折率緩衝部はその幅方向に亘って上記外縁と平行でかつ幅寸法が互いに同一の単位領域により区画されており、屈折率緩衝部における単位領域の屈折率が、透明基板と略同一の屈折率を有する最外側の単位領域から透明導電膜と略同一の屈折率を有する最内側の単位領域に向かって連続的に変化していることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高コストのインジウムの含有量を抑制しつつ、キャリアが高濃度、安定に存在し、赤外光透過率が低い透明導電膜を提供する。
【解決手段】少なくともインジウム、錫及び亜鉛を含有し、Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｚｎ）で表わされる原子比が０．２５〜０．６であり、Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｚｎ）で表わされる原子比が０．１５〜０．３であり、かつＺｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｚｎ）で表わされる原子比が０．１５〜０．５であり、可視領域の光線透過率が７０％以上であり、赤外領域の光線透過率が６５％以下である透明導電膜。 （もっと読む）

【課題】ＴＦＴ液晶パネルなどに使用される大型の基板に対してスパッタリング工程で配線を作成する際に、高電力を印加した際も使用中の異常放電の頻度を減少し、スプラッシュ等の発生を抑制する、スパッタリングターゲット用銅材料を提供する。
【解決手段】純度９９．９９％以上の純銅からなり、ターゲット内部のボイドおよび介在物欠陥の平均サイズが３０μｍ以下であり、且つ、欠陥の数が、スパッタリングに供する面の単位面積辺り、１０個／ｍ^２であることを特徴とする、スパッタリングターゲット用銅材料。 （もっと読む）