【課題】近赤外線から遠赤外線までの広帯域における赤外線遮断機能を有する低コストの赤外線光学フィルタを提供する。
【解決手段】８００ｎｍ〜２００００ｎｍの波長域の赤外線を制御する赤外線光学フィルタであって、半導体基板１と、当該半導体基板１の一表面側に形成された広帯域遮断フィルタ部２と、当該半導体基板２の他表面側に形成された狭帯域透過フィルタ部３とを備えている。広帯域遮断フィルタ部２は、屈折率が異なる複数種類の薄膜２ａ，２ｂが積層された多層膜からなり、当該複数種類の薄膜２ａ，２ｂのうち１種類の薄膜２ａが遠赤外線を吸収する遠赤外線吸収材料（Ａｌ_２Ｏ_３、Ｔａ_２Ｏ_５、ＳｉＯ_２の群から選択される酸化物もしくはＳｉ_３Ｎ_４からなる窒化物）により形成され、残りの１種類の薄膜２ｂが上記遠赤外線吸収材料よりも屈折率の高い高屈折率材料であるＳｉにより形成されている。半導体基板１は、Ｓｉ基板である。 （もっと読む）

【課題】良好な結晶を安定して成長させることができる分子線結晶成長装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】原料を放出する開口１１ａを有する坩堝１１と、坩堝１１の外周及び開口１１ａの縁を覆う遮蔽部材１８と、遮蔽部材１８を冷却する冷却部材２１と、坩堝１１に対向するように基板を保持する基板保持部材と、が設けられている。遮蔽部材１８には、鉛直上方から坩堝１１を覆う被覆部１９が設けられている。 （もっと読む）

【課題】
２軸方向にテクスチャを有するバッファ膜を備えた超電導体物品およびその製造方法を提供する。
【解決手段】
超電導体物品は、基板と、前記基板上に配置され、かつ単軸結晶テクスチャを有する第１のバッファ膜であって、前記単軸結晶テクスチャは、前記第１のバッファ膜の面内に延びる第１の結晶方向に沿ったテクスチャであり、前記第１のバッファ膜の面外に延びる第２の方向に有意のテクスチャを有さないことを特徴とする前記第１のバッファ膜と、 前記第１のバッファ膜上に配置されていて、２軸方向の結晶テクスチャを有する第２のバッファ膜であって、前記２軸方向の一方の結晶方向は前記第１の結晶方向に沿って配向される前記第２のバッファ膜と、前記第２のバッファ膜上に配置されている超電導体層とを有する。 （もっと読む）

【課題】 真性に近い単結晶ＧaＮ膜を有し、かつこの膜をｎ形又はｐ形に選択的にドープした半導体デバイスを提供する。
【解決手段】 次の要素を有する半導体デバイス：基板であって、この基板は、（１００）シリコン、（１１１）シリコン、（０００１）サファイア、（１１−２０）サファイア、（１−１０２）サファイア、（１１１）ヒ化ガリウム、（１００）ヒ化ガリウム、酸化マグネシウム、酸化亜鉛、および炭化シリコンからなる群から選択される物質からなる；約２００Å〜約５００Åの厚さを有する非単結晶バッファ層であって、このバッファ層は前記基板の上に成長した第一の物質を含み、この第一の物質は窒化ガリウムを含む；および前記バッファ層の上に成長した第一の成長層であって、この第一の成長層は窒化ガリウムと第一のドープ物質を含む。 （もっと読む）

【課題】有機発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】第１電極、有機膜及び第２電極を順次に含む有機発光部が形成された基板と、基板及び第２電極を覆うパッシベーション膜とを含む有機発光素子、及びその製造方法である。 （もっと読む）

【課題】密着性および耐摩耗性の両面に優れ、かつ、表面平滑性の高いＤＬＣ膜およびその成膜方法を提供する。
【解決手段】基材２の表面に形成された中間層３と表面層４とからなり、表面層４の最表面に有する高さ０．１μｍ以上の突起が測定長さ２０ｍｍの計測で１ｍｍ当り１．５個未満である硬質膜１の成膜方法であって、該成膜方法は、基材２上に金属系材料を主体とする中間層３を形成する中間層形成工程と、中間層３の上にＤＬＣを主体とする表面層４を形成する表面層形成工程とを有し、両工程において、スパッタリングガスとしてＡｒガスを用いたＵＢＭＳ装置を使用し、上記表面層形成工程は、上記装置内の真空度：０．２〜０．８Ｐａ、基材２に印加するバイアス電圧：７０〜２５０Ｖである条件下で、ターゲットから生じる炭素原子を、中間層３上に堆積させて表面層４を形成する工程である。 （もっと読む）

【課題】同一の成膜材料を用いて繰り返し成膜を行った場合でも、各対象物における成膜速度を均一化することのできる成膜装置を提供する。
【解決手段】ターゲット１０１の表面に対向するように配置され、基板１００を設置する基板ホルダ６と、基板１００上の成膜環境を測定可能なセンサ部８とを備え、対象物ホルダ６は、ターゲット１０１に対して移動可能に構成されるとともに、基板ホルダ６の移動量及び移動方向と、センサ部８の移動量及び移動方向とが同一に設定されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＺｎＯ系半導体層の表面平坦性低下は抑制しつつ、成長速度の向上が図られたＺｎＯ系半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】ＺｎＯ系半導体素子の製造方法は、基板を準備する工程と、無電極放電管３ａと５ａにＯとＮを含むガスを導入し、放電して第１のビームを発生させる工程と、成長温度を６００℃以上として、基板の上方に、Ｚｎソースガン２から、少なくともＺｎを供給するとともに、無電極放電管３ａと５ａから第１のビームを供給して、ｎ型ＺｎＯ系半導体層を成長させる工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】窒化炭素被膜の初期摩擦係数の低減を含む初期馴染み性を向上させることができる摺動部材およびその製造方法を提供する。
【解決手段】基材Ｗの表面に、窒化炭素被膜ＣＮを成膜する工程と、前記窒化炭素被膜ＣＮの表面に紫外線を照射する工程と、を含み、紫外線を照射することにより、表面層は、紫外線照射を行っていない窒化炭素のその他部分に比べて、グラファイト構造をより多く含んでいるので、摺動部材の初期馴染み性を向上させることができる。また、表面層のみをグラファイト化するので、窒化炭素被膜ＣＮそのものの強度は確保される。 （もっと読む）

【課題】膜厚が薄い場合や導入物質の濃度が低い場合であっても、導入物質を導入することのできる基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板１上に薄膜２を形成する工程と、薄膜２に、導入物質のガスクラスターをイオン化して加速したガスクラスターイオンビーム３を照射して薄膜中２に導入物質を導入する工程とを具備し、基板１上に導入物質が導入された薄膜２を形成する。 （もっと読む）

【課題】外光の反射による影響を低減して投射光をコントラストのより改善された画像品質の安定した投影ができるスクリーンを提供するとともに、当該スクリーンを比較的省スペースで簡易に製造できるスクリーンの製造方法及びスクリーンの製造装置を提供すること。
【解決手段】スクリーンの製造装置１００において、スクリーン基板１は、ホルダＨＤにより内壁面１３０ａに沿って所定の位置で固定される。蒸発源装置１２０により成膜物質Ｗを加熱して、蒸発させる。チャンバ１３０内は、所望の真空状態となっているため、成膜物質Ｗの射出軌道ＥＶは、蒸発源装置１２０から放射状に射出するものとなり、スクリーン基板１上に堆積する。これにより、スクリーン基板１上に成膜物質Ｗによる反射膜が形成され、スクリーンが製造される。 （もっと読む）

【課題】透明蒸着用ポリエステルフイルムは、薄い蒸着膜厚さで高いガスバリア性能及び防湿性能を安定して付与し格段に向上させる透明蒸着用ポリエステルフイルム及びその透明蒸着ポリエステルフイルムを提供。
【解決手段】透明蒸着用ポリエステルフイルムは、少なくともＡ層とＢ層の２層を有してなる２軸配向ポリエステルフイルムであり、Ａ層とＢ層がそれぞれ最表層に位置し、かつＡ層側に金属または金属酸化物を用いてなる透明蒸着層が積層される態様で用いられるポリエステルフィルムであって、Ａ層表面（表面Ａ）の中心線面粗さ（ＳＲａ）が１０ｎｍ以下、表面Ａの中心線面粗さＳＲａが表面Ｂの中心線面粗さＳＲａよりも小さく、かつ表面Ａの山数ＳＰｃが表面Ｂの山数ＳＰｃよりも小さい、厚さ５〜２５μｍの透明蒸着用ポリエステルフイルムである。 （もっと読む）

【課題】有機層を用いることなく、耐熱性を向上させた反射防止膜を有するプラスチックレンズおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】プラスチックレンズ基材の表面に直接または他の層を介して多層反射防止膜を有するプラスチックレンズ。前記多層反射防止膜は、金属元素が同一であり、かつ酸素含有量が異なる少なくとも２つの金属酸化物層を隣接して有する複合層を含む。上記のプラスチックレンズの製造方法。前記複合層を構成する各金属酸化物層は、同一の蒸発源を用い、かつ隣接する層同士は、反応性酸素ガス分圧が異なる条件下で蒸着することで形成されることを含む。 （もっと読む）

【課題】III族窒素化合物膜の平坦性及び成膜速度を有効に高めることができるとともに結晶性が良好である立方晶または六方晶窒素化合物半導体膜を安定して容易にかつ安価に製造することができる活性度制御式窒素化合物ＭＢＥ成膜方法及び装置を提供すること。
【解決手段】第1分子線セルから第１シャッターを介して基板への第1（III族）分子線の照射量を制御するとともに、第1シャッターの閉期間Ｔ₂、ＬＢ励起状態からＨＢ励起状態に切替えられた窒素励起セルから上記基板に向けて照射される窒素活性種のうち、生成膜の窒素化合物の化学結合に直接的に関与する励起窒素原子および基底窒素原子の照射量を制御しながら上記基板に付与されたIII族分子と共有結合させる。 （もっと読む）

【課題】蒸着（スパッタリング）金属による形成成膜の接着力が強く、形成速度の速い電子ビーム蒸着装置を提供する。
【解決手段】プラズマ電子銃から発射される電子ビームパルスは、大きい断面積であってエネルギ密度が低いと言う特徴がある。スパッタリングに利用する場合には面積の大きなターゲットを使用できることと、スパッタ粒子が微細であるという利点がある反面、ターゲットと基板は近接しなければならないと言う制約がある。そこで、基板の周囲にターゲットを配置し、プラズマ電子銃からの電子ビームをターゲットに照射してスパッタ粒子を発生させるとき、基板表面に並行する磁力線を作っておくと、電荷を持つ金属イオンの運動との相互作用（ローレンツの力）により方向が偏向させられ、基板面に誘導されて薄膜が堆積される。 （もっと読む）

【課題】放出されるプラズマ原子の純度を高め、不純物の混入を防止し、イオン濃度の制御性を良くしたラジカル発生装置を提供する。
【解決手段】放電管１０の外側周囲を高周波コイル４で巻き回されており、高周波コイル４の端子は、高周波電源９に接続されている。放電管１０は、放電室１、蓋２、ガス導入用底板３で構成されている。また、支持台８が設けられており、支持台８には支柱６が配置され、支柱６にはシャッター５が接続されている。斜線が付されている構成部品、すなわち、シャッター５、蓋２、放電室１、ガス導入用底板３については、これらのすべて、又は一部について石英等のシリコン系化合物で形成されている。 （もっと読む）

【課題】 Ｉｂ族元素とＩＩＩｂ族元素とＳｅを含むＶＩｂ族元素とからなるカルコパイライト構造の半導体薄膜半導体薄膜の製造及び光電変換素子の製造に際し、ＣＩＧＳ系薄膜等の半導体薄膜の製膜過程におけるセレン原料の浪費を防止することを課題とする。
【解決手段】 Ｉｂ族元素とＩＩＩｂ族元素とＳｅを含むＶＩｂ族元素とからなるカルコパイライト構造の半導体薄膜の製造方法であって、上記半導体薄膜は製膜過程において、プラズマによってクラッキングされてラジカル化したセレンを用いたことを特徴とする半導体薄膜の製造方法。 （もっと読む）

イオンビームエッチシステム(ＩＢＥ)などの高真空処理システムにおける基体などの被支持部材の温度の制御を向上させるための装置および方法に関する。この装置は、被支持部材(２０)を支持する支持部材(４２)から液冷式熱交換部材(４４)へ熱を伝達させる、支持部材(４２)の温度を制御するための熱電デバイス(７０)を備えている。この方法は、液冷式熱交換部材(４４)へ熱を伝達する熱電デバイス(７０)を用いて、支持部材(４２)を冷却することを含む。
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【課題】 乾燥摩擦条件下であっても、大気中において、耐摩耗性を向上させると共に摩擦係数を低減することができる摺動ユニットを提供する。
【解決手段】互いに摺動する摺動部材Ｂ，Ｄのうち、少なくとも一方の摺動面に硬質炭素被膜ｆが形成された一対の摺動部材Ｂ，Ｄと、該一対の摺動部材Ｂ，Ｄの摺動面間に電圧を印加する電圧印加手段Ｅと、を備えてなる。 （もっと読む）

【課題】 スキマーとイオン化器との間の異常放電を容易に防止することができるガスクラスターイオンビーム装置を提供する。
【解決手段】 ガスクラスターイオンビーム装置は、ノズル１からガスを導入させてガスクラスターを生成させるクラスター生成室２と、隔壁１８によってクラスター生成室２から分離され、ガスクラスターが隔壁１８に設けられたスキマー４を通して供給されるプロセス室１５とを有している。プロセス室１５には、プロセス室１５内に導入されたガスクラスターをイオン化するイオン化器５と、イオン化器５でイオン化されたガスクラスターを加速させてガスクラスターを被処理物である基板８に照射させる電極群７とが備えられている。ノズル１とスキマー４を接地電位にし、スキマー４とイオン化器５との電位差をクラスターイオンの基板８への照射エネルギーより小さくしてある。 （もっと読む）