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Fターム[4K029CA08]の内容

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Fターム[4K029CA08]に分類される特許

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【課題】 酸素、水蒸気およびアウトガスを透過しにくいガスバリア性に優れたフィルム部材、およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 フィルム部材は、樹脂フィルムからなる基材と、該基材の表裏少なくとも一方側に配置される酸窒化アルミニウム(AlON)膜と、を有し、該酸窒化アルミニウム膜の組成は、Al:39〜55at%、O:7〜60at%、N:1〜50at%である。当該フィルム部材の製造方法は、スパッタ成膜装置1のチャンバー8内に、基材20をアルミニウム製のターゲット30に対向するように配置し、チャンバー8内を所定の真空度に保持する減圧工程と、チャンバー8内に、窒素を含む原料ガスとキャリアガスとを導入し、所定の真空度で、チャンバー8内の窒素ガス圧に対する酸素ガス圧の比率が20%以下の雰囲気において、基材20の成膜面に酸窒化アルミニウム膜を形成する成膜工程と、を有する。 (もっと読む)


【課題】酸化物超電導層が超電導状態から常電導状態へと遷移(クエンチ)しようとした場合に、酸化物超電導層の電流を基材に転流させることができ、酸化物超電導層の上方に形成される安定化層の薄膜化が可能な酸化物超電導導体の提供。
【解決手段】本発明の酸化物超電導導体10は、金属製の基材1と、基材1上に設けられた単層または複数層からなる中間層2と、中間層2上に設けられた酸化物超電導層3と、を備え、中間層2を構成する全ての層21、22が、電気伝導性の酸化物よりなることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】ターゲット横方向に飛び出したスパッタ粒子が、プラズマ範囲外のターゲット外周部に堆積することを防止する。
【解決手段】このスパッタ装置100は、基板ホルダ400、ターゲット保持部材220、プラズマ700を発生させる電源(不図示)、イオン照射部300と、を備える。電源(不図示)は、基板10とターゲット200に高電圧を印加することで、基板10とターゲット200との間にプラズマ700を発生させる。また、イオン照射部300は、プラズマ700と異なるイオン源320から発生したイオンをターゲット200の外周部に対して照射する。 (もっと読む)


【課題】本発明は、高い硬度及び優れた耐摩耗性を有する被覆部材及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明に係る硬質塗層を有する被覆部材は、硬質基材を備えている。前記被覆部材は、前記硬質基材に形成された結合層と、前記結合層に形成された中間層と、前記中間層に形成された硬質層と、を備えている。又、本発明は、硬質塗層を有する被覆部材の製造方法にも関している。 (もっと読む)


【課題】本発明は、結晶配向性に優れたペロブスカイト構造の中間薄膜を備えた酸化物超電導導体の提供を目的とする。
【解決手段】本発明は、基材と、該基材上に直接あるいは下地層を介し積層された中間薄膜と酸化物超電導層とを具備する酸化物超電導導体であって、前記中間薄膜が、粒子堆積により基材上にあるいは基材上に下地層を介し中間薄膜を形成する際、基材上方の成膜面に対し斜め方向からアシストイオンビームを照射しつつ成膜するイオンビームアシスト成膜法により形成されたペロブスカイト型酸化物の中間薄膜であって、該中間薄膜を構成する複数の結晶の結晶軸のうち2軸が配向され、これら結晶の配向度を示す正極点図において4回対称性を示す中間薄膜であることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】スパッタ粒子の無駄を抑え、有効に使用できるイオンビームスパッタ用ターゲット、該ターゲットを用いた酸化物超電導導体用基材の製造方法および酸化物超電導線材の製造方法の提供。
【解決手段】本発明のイオンビームスパッタ用ターゲットは、イオンビームをターゲットに照射し、該ターゲットから叩き出されたスパッタ粒子を基材上に堆積させて、該基材上に成膜するイオンビームスパッタ法に用いられるターゲットであって、中央板部3と、この中央板部3に隣接して配置された側板部1、2を備え、側板部1、2は、中央板部3のイオンビームが照射される面3Aの内側向きに傾斜されてなることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】垂直配向型及び平行配向型以外の配向を有するウルツ鉱圧電体薄膜であって、その配向により従来にない特性が得られるウルツ鉱圧電体薄膜を提供する。
【解決手段】ウルツ鉱型の結晶構造を有する材料から成る薄膜であって、該薄膜に対する法線とc軸が成す角である傾斜角が、縦波に関する圧電定数e33がゼロになる臨界傾斜角よりも大きく、且つ90°未満であることを特徴とする。この薄膜は、垂直配向のウルツ鉱型結晶薄膜とは逆位相の縦波振動が生じるという、従来にない特性を有する薄膜共振子に用いることができる。この薄膜は、ウルツ鉱型の結晶構造を有する材料Mを基板Sの表面に堆積させつつ、基板Sの表面に対して10°を超え40°以下の角度αで入射するようにイオンビームIBを照射することにより製造することができる。 (もっと読む)


【課題】マグネトロンスパッタ法により酸化物薄膜を製造する場合であって、高い2軸配向性を有する膜を形成することができる酸化物薄膜の製造方法を提供する。
【解決手段】成膜面DAに対して斜め方向からイオンビーム106を照射しながら、マグネトロンスパッタ法により、スパッタエネルギー密度9.5W/cm以上20W/cm以下、ターゲット103と成膜面DAとの距離TS80mm以上100mm以下、雰囲気ガスの圧力50mPa以上700mPa以下の条件で金属のターゲット103からの蒸着粒子を成膜面DAに堆積させて酸化物薄膜を形成する酸化物薄膜の製造方法。 (もっと読む)


【課題】基板上に中間層の1層としてCr膜を有する超電導線材用基材の製造効率を高めることを目的とする。
【解決手段】基板10上に中間層20を形成する中間層形成工程を有し、且つ中間層形成工程として、成膜面に対して斜め方向からイオンビームを照射しながら蒸着源からの蒸着粒子を前記成膜面に堆積させて膜を形成するスパッタリング法にてCr膜22を形成するCr膜形成工程と、その他の層(例えばベッド層24、2軸配向層26、キャップ層28等)を形成する工程と、を有する超電導線材用基材の製造方法である。 (もっと読む)


【課題】本発明は、イオンビームアシストデポジション法による結晶配向の対称性が制御された岩塩構造の中間層の成膜方法の提供、すなわち、4回対称の岩塩構造の中間層と3回対称の岩塩構造の中間層を選択的に作り分けることのできる成膜方法を提供することを第1の目的とする。また、本発明は、4回対称の岩塩構造の中間層を用いた酸化物超電導導体及び3回対称の岩塩構造の中間層を用いた酸化物超電導導体を提供することを第2の目的とする。
【解決手段】本発明の成膜方法は、イオンビームアシストデポジション法により、金属基材の上方に岩塩構造の中間層を成膜する方法であって、成膜時の水蒸気圧を制御することにより前記中間層の結晶配向の対称性を3回対称又は4回対称に制御することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】誘電体膜を成膜する際に、基板の被成膜面にイオンビームを照射して、被成膜面に形成された膜の反応性を促進させることで、光透過率が高く、かつ、表面平滑性の高い成膜装置を提供する。
【解決手段】成膜手段、反応手段30及びイオンガン11を稼働させながら、基板4を成膜手段と反応手段とイオンガンに対向するように移動させ、成膜手段による成膜、反応手段による反応及びイオンガンによるイオンビーム照射を繰り返し行い、薄膜と反応ガスとの反応の促進及び薄膜の一部エッチングにより積層した薄膜を形成する。 (もっと読む)


【課題】従来技術の欠点を回避するべき、表面および表面近傍の固体領域のポリマー化合物である基体材料と他の材料との間の確り接合した複合体の提供。
【解決手段】表面および表面近傍の固体領域に僅かな活性表面エネルギーのポリマー化合物を有する基体材料と他の材料との接合複合体において、接合される物質1,4相互の間に、ナノ組織化されたナノ複合材料5を有する変移領域が、該変移領域が20nm〜20μmの層厚を有しそして専らナノ複合材料5で形成されており、該ナノ複合体は基体材料1と他の材料4で構成されそして基体材料1と他の材料4との割合が基体材料1の直ぐ近くの専ら基体材料から他の材料4の直ぐ近くの専ら他の材料に亙って変化するように形成されており、その結果基体材料1が他の材料4中でナノ組織化されて変移することを特徴とする、上記接合複合体によって解決される。 (もっと読む)


【課題】本発明は、酸化物超電導層の下地として、拡散防止層を厚く成膜することなく元素拡散を効果的に抑制することができる技術の提供を目的とする。また、本発明は、拡散防止層を厚く成膜することなく元素拡散を効果的に抑制することができるため、基材表面の平坦性を損なうことなく、拡散防止機能を備えるバッファー層を形成することができる技術の提供を目的とする。
【解決手段】本発明の酸化物超電導導体用基材Aは、クロムを含む金属基材20と、前記クロムを含む金属基材20内表面側に形成された厚さ5〜1000nmの酸化クロム層25と、イオンビームアシスト成膜法により成膜された中間層23とをこの順に備えることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】ガラス・タイプの透明基板をコートするのに用いることができる新しい薄膜材料、新しい堆積・プロセスおよび新しい装置を提供する。
【解決手段】少なくとも一つの薄い誘電体層がコートされた基板(1)、例えばガラス基板。誘電体層はカソード・スパッタリングによって、例えば、磁界によってたすけられる、好ましくは酸素および/または窒素の存在下で反応性であるカソード・スパッタリングによって、イオン源(4)からの少なくとも一つのイオンビーム(3)への曝露と、堆積される。イオンビームに曝露された誘電体層が結晶化することもできる。 (もっと読む)


【課題】スパッタリング方法および装置において、低温プロセスで高品質な膜を形成するとともに、膜の性質を自由に制御可能な成膜方法を提供する。
【解決手段】スパッタリング法を用いる真空成膜装置による成膜方法であって、ターゲット材料を分解するためにスパッタリング用プラズマを用い、かつ前記スパッタリング用プラズマとは個別に制御可能な表面改質用プラズマを用いて成膜中の成膜表面にイオンを照射することを特徴とする成膜方法を用いた。 (もっと読む)


【課題】ガラス・タイプの透明基板をコートするのに用いることができる新しい薄膜材料、新しい堆積・プロセスおよび新しい装置を提供する。
【解決手段】少なくとも一つの薄い誘電体層がコートされた基板(1)、例えばガラス基板。誘電体層はカソード・スパッタリングによって、例えば、磁界によってたすけられる、好ましくは酸素および/または窒素の存在下で反応性であるカソード・スパッタリングによって、イオン源(4)からの少なくとも一つのイオンビーム(3)への曝露と、堆積される。イオンビームに曝露された誘電体層がイオン源のパラメータに基づいて調整できる屈折率を有し、前記イオン源が線状源であることができる。 (もっと読む)


【課題】本発明は、優れた超電導特性を発揮する酸化物超電導導体用基材並びにその基材を用いた酸化物超電導導体として有用な技術の提供を目的とする。
【解決手段】本発明は、基材と、その上に、イオンビームアシスト法により成膜されて結晶配向性が整えられ、4回対称性が付与されたNiOからなる中間層と、該中間層上に形成されたキャップ層とを具備してなり、該キャップ層はその上に酸化物超電導層が設けられるものであることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】高アスペクト比の孔や溝が形成された基板にスパッタにより薄膜を成膜するに際し、前記孔や溝の内部にスパッタ粒子を堆積させることができ、成膜性の向上を図ることが可能な成膜方法を提供する。
【解決手段】本発明の成膜方法は、真空容器10内に配されたターゲット13に電圧を印加し、前記ターゲットと該ターゲットに対向して配された基板2との間の空間にプラズマを生成させ、前記プラズマにより前記ターゲットから叩き出されたスパッタ粒子を前記基板上に堆積させることにより前記基板上に薄膜を形成する成膜方法において、前記ターゲットと前記基板との間に、該ターゲットから見て前記基板を遮るように、メッシュ状の中間電極18を配し、該中間電極にマイナス電位のパルス電圧を印加すること、を特徴とする。 (もっと読む)


【課題】本発明は高アスペクトのビアや凸凹形状のレンズのような3次元形状の基板に対して、小型装置にて面内の高い膜厚均一性かつ高スループットが達成できるスパッタリング装置を提供するものである。
【解決手段】真空容器と、前記真空容器内に配置されたターゲットと、前記真空容器内にガスを導入しながら排気するガス調整手段と、前記ターゲットに対向して配置され、かつ、基板を載置する回転可能な基板保持台によって構成され、スパッタガスまたは、スパッタガスと反応性ガスを導入することにより、前記ターゲットにてターゲット材料または、ターゲット材料の反応生成物を基板上に堆積することができるスパッタリング方法において、前記ターゲットを前記基板に対してずらして配置し、かつ、イオンを前記基板に対して、垂直および斜め方向から入射する複数のイオン発生機構を配置する。 (もっと読む)


【課題】ウルツ鉱型結晶の面内配向薄膜の製造において、大面積で製造することができ、且つ装置に要するコストを抑えることができる方法及び装置を提供する。
【解決手段】真空容器11内にプラズマ生成ガスを導入し、真空容器11内に配置されたウルツ鉱型結晶のターゲットTをスパッタすることによる生成されたスパッタ粒子をターゲットTに対向して真空容器11内に配置された基板ホルダ15に取り付けられた基板Sに堆積させることにより薄膜を製造する際に、基板ホルダ15と真空容器11の壁の間に高周波電圧を印加する。これにより、基板Sの表面においてプラズマシースが形成され、プラズマ生成ガスが電離して生じる陽イオンの量を増加させると共に、このプラズマシースによって陽イオンが加速され、十分なエネルギーをもって成膜中の薄膜に入射するため、ウルツ鉱型結晶の最密面が基板に平行に成長しにくくなる。その結果、全体としてウルツ鉱型結晶のc軸が面内方向に配向した面内配向薄膜を得ることができる。 (もっと読む)


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