【課題】蒸着重合膜を連続形成しつつ、蒸着重合膜の組成や膜厚の変化を把握できる蒸着重合膜形成装置を提供する。
【解決手段】赤外光源８８と分光手段と検出器９０と光学系９２とを有する反射型赤外分光光度計８６を設置すると共に、分光手段により分光された赤外光を蒸着重合膜上に集光させる集光鏡１２４と、蒸着重合膜上の集光点での反射光を更に反射させて、検出器９０に導く反射鏡１２６，１２２，１１８とを、光学系９２に設け、更に、集光鏡１２４を、基材フィルムの移送に伴って、蒸着重合膜上での赤外光の集光点の位置を基材フィルムの長さ方向に変化させ得る位置に配置して構成した。 （もっと読む）

【課題】薄膜リチウム二次電池を小型の装置で簡易に真空一貫で製造する技術を提供する。
【解決手段】本発明の薄膜リチウム二次電池製造装置１は、真空槽２内に、回転駆動軸３を中心として旋回させて基板１０を搬送する基板搬送機構３０を有し、回転駆動軸３の周囲に、仕込取出室４と、第１〜第３のスパッタリング室５〜７と、負極層形成室８と、保護層形成室９とが設けられている。第１のスパッタリング室５においては、集電体層と保護層を形成する。第２のスパッタリング室６においては、ＬｉＣｏＯ₂からなる正極層を形成する。第３のスパッタリング室７においては、ＬｉＰＯＮからなる固体電解質層を形成する。各室の開口部４ａ、５ａ〜７ａ、８ａ、９ａは、基板搬送機構３０の保持部３２が通過する領域と対向する位置に配置される。各室の開口部４ａ、５ａ〜７ａ、８ａ、９ａは、基板１０を装着した状態で蓋機構によって塞がれる。 （もっと読む）

【課題】封止膜の形成工程以後に処理対象物が１００℃以上に加熱されても、封止膜の表面にしわ（膜異常）が発生しない封止膜形成方法とリチウム二次電池の製造方法を提供する。
【解決手段】
１，３−ビス（イソシアナートメチル）シクロヘキサンと４，４’−メチレンビス（シクロヘキシルイソシアナート）のいずれか一方又は両方からなるイソシアナート材料と、４，４−メチレンビス（シクロヘキシルアミン）と１，３−ビス（アミノメチル）シクロヘキサンのいずれか一方又は両方からなるアミン材料とを別々に加熱して蒸気を発生させ、蒸気を処理対象物の表面に一緒に到達させてポリ尿素膜１６ａ₂を形成し、アルミナのターゲットをスパッタして、アルミナの粒子をポリ尿素膜１６ａ₂が表面に露出する処理対象物の表面に到達させて、ポリ尿素膜１６ａ₂の表面にアルミナ膜１６ｃ₂を形成する。 （もっと読む）

【課題】蒸発源での原料モノマーの蒸発レートを、低コストに且つ面倒な作業を付加することなしに、予め定められた一定の量に確実に制御し得るモノマー蒸発量制御装置を提供する。
【解決手段】原料モノマー２９ａ，２９ｂの蒸発時に、ヒータ３０の出力をヒータ出力測定手段３８にて測定する一方、目標温度変更信号出力手段３２において、ヒータ出力測定器３８による測定値とヒータ３０の出力の目標値との差を演算すると共に、該差に基づいて、ヒータ３０にて加熱される原料モノマー２９ａ，２９ｂの目標温度を上昇又は低下させる目標温度変更信号を、該差がゼロとなるまで、目標温度変更信号出力手段３２から温度調節手段３６に出力するように構成した。 （もっと読む）

【課題】本件発明の課題は、プラスチック光学部品の表面に対する密着性に優れ、広い波長領域の光に対して優れた反射防止性能を有するプラスチック光学部品の反射防止膜及びプラスチック光学部品の反射防止膜の製造方法を提供することである。
【解決手段】上記課題を解決するため、反射防止膜を、プラスチック光学部品基材上に設けられ、有機系ケイ素化合物を用いて形成された応力緩和層と、当該応力緩和層上に、高屈折率層と、有機系ケイ素化合物を用いて形成される低屈折率層とを当該順序で積層した二層を一組の反射防止ペア層として、当該反射防止ペア層を少なくとも二組積層した構造を有する反射防止構造体とを備える構成とする。 （もっと読む）

【課題】クリーニングガスとしてフッ素系ガスを使用することにより、処理容器自体や被処理体を保持する保持手段にダメージを与えることなく不要な高分子薄膜のみを選択的に且つ効率的に除去することが可能な成膜装置を提供する。
【解決手段】被処理体Ｗの表面に高分子薄膜を形成する成膜装置において、被処理体を収容する処理容器４と、処理容器内で被処理体を保持する保持手段６と、処理容器内を真空引きする真空排気系３０と、処理容器内へ高分子薄膜の複数の原料ガスを供給するガス供給手段２０と、処理容器内へクリーニングガスとしてフッ素ガスを供給するクリーニングガス供給手段２６と、処理容器を加熱する容器加熱手段１４とを備える。これにより、処理容器内をクリーニング処理するに際して、クリーニングガスとしてフッ素系ガスを使用する。 （もっと読む）

【課題】ポリイミドの炭化を防止でき、成膜容器内にパーティクルが残ることなくポリイミドを除去することができるクリーニング方法を提供する。
【解決手段】酸二無水物よりなる第１の原料を気化させた第１の原料ガスと、ジアミンよりなる第２の原料を気化させた第２の原料ガスとを成膜容器６０内に供給することによって、成膜容器６０内に搬入している基板にポリイミド膜を成膜する成膜装置１０におけるクリーニング方法であって、成膜容器６０内を酸素雰囲気にした状態で、成膜容器６０を加熱機構６２により３６０〜５４０℃の温度に加熱することによって、成膜容器６０内に残留しているポリイミドを酸化して除去する。 （もっと読む）

【課題】成膜されたポリイミド膜の膜質を向上させるとともに、単位時間当たりに成膜処理される基板の枚数を増やすことができる成膜装置を提供する。
【解決手段】基板にポリイミド膜を成膜する成膜装置において、成膜容器６０内に搬入されている基板を加熱する加熱機構６２と、成膜容器６０内に密着促進剤を気化させた密着促進剤ガスを供給する密着促進剤供給機構８０と、加熱機構６２と密着促進剤供給機構８０とを制御する制御部１００とを有する。制御部１００は、基板を成膜容器６０内に搬入した後、加熱機構６２により、基板の温度を、基板にポリイミド膜を成膜するときの所定温度まで上昇させる間に、密着促進剤供給機構８０により密着促進剤ガスを成膜容器６０内に供給し、基板の表面を密着促進剤ガスにより処理するように、制御する。 （もっと読む）

【課題】基板の表面にビアが形成された基板を密着促進剤により処理するときに、ビアの底に液溜まりを形成せずに表面処理できる表面処理方法及び成膜方法を提供する。
【解決手段】処理容器２０内に搬入されており、表面に穴部が形成されている基板の表面を、密着促進剤を気化させた密着促進剤ガスにより処理する表面処理方法において、基板を加熱するとともに、処理容器２０内に密着促進剤ガスと水蒸気とを供給し、供給された密着促進剤ガスと、加熱されている基板とを、水分を含む雰囲気中で反応させることによって、基板の表面を処理する表面処理工程を有する。 （もっと読む）

【課題】表面処理された基板上に膜を成膜する際に膜が変質せず、表面処理の際にパーティクルが発生せず、また、予め基板表面の終端状態を調整するための工程数を削減できる表面処理方法及び成膜方法を提供する。
【解決手段】処理容器６０内に搬入されている基板の表面を、密着促進剤を気化させた密着促進剤ガスにより処理する表面処理方法において、基板を加熱するとともに、処理容器６０内に密着促進剤ガスを供給し、供給された密着促進剤ガスと、加熱されている基板とを、水分を含まない雰囲気中で反応させることによって、基板の表面を処理する表面処理工程を有する。 （もっと読む）

【課題】一定の組成及び膜厚を有する蒸着重合膜が膜状基材上に積層形成された積層構造体を安定的に製造することができる装置を提供する。
【解決手段】真空チャンバ２４内に設置された回転ドラム３５の外周面上に膜状基材１５を供給する膜状基材供給手段４６を設ける一方、真空チャンバ２４内で回転ドラム３５の外周面に向かって開口する吹出口６６を有すると共に、成膜室を内部に備えた複数の吹出口部材６４を、真空チャンバ２４内の回転ドラム３５の周囲に、その周方向に並べて配置し、更に、それら複数の吹出口部材６４の成膜室内に、複数種類のモノマー蒸気を供給して、それら複数種類のモノマー蒸気を各吹出口部材６４の吹出口６６から吹き出させるモノマー蒸気供給手段８４ａ，８４ｂを少なくとも一つ設けて、構成した。 （もっと読む）

【課題】２枚の基板がスペーサ部材を介して積層されてなる積層体を基板保持部との間で搬送するときに、搬送時間を短くすることができる基板搬送方法を提供する。
【解決手段】積層体を保持していないときにスペーサ部材を保持する基板保持部に対して、積層体を搬送する基板搬送方法であって、第１のフォーク５３の上方に設けられた第２のフォーク５４の一方の面５４ａ側に設けられた第１の掴み機構６１により、第１の基板を下掴みして受け取り、第２のフォーク５４を上下反転させて第１のフォーク５３に載置する第１の工程と、第２のフォーク５４の一方の面５４ａと同一面側に設けられた第２の掴み機構６２により、基板保持部に保持されているスペーサ部材を上掴みして受け取り、第１の基板上に載置する第２の工程と、第１の掴み機構６１により第２の基板を上掴みして受け取り、スペーサ部材上に載置する第３の工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】成膜容器の圧力を測定するための圧力計に耐熱性を要求せず、かつ、設置面積を低減可能な成膜装置を提供する。
【解決手段】成膜容器１１内に保持されている基板に原料ガスを供給することによって、基板に膜を成膜する成膜装置において、成膜容器１１に原料ガスを供給する供給機構と、成膜容器１１からガスを排気する排気機構２５と、成膜容器１１から排気機構２５にガスが流れる排気流路５５の途中に設けられており、原料ガスを含む生成物を析出させることによって、原料ガスを捕捉するトラップ部３０と、成膜容器１１とトラップ部３０との間で排気流路５５に合流するように接続されており、排気流路５５にパージガスを供給するパージガス供給部５０と、パージガス供給部５０から排気流路５５にパージガスが流れるパージガス供給流路５２の途中に設けられた圧力計５１とを有する。 （もっと読む）

【課題】原料ガスの供給量の変動を防止し、原料ガスの重合反応により成膜されるポリイミド膜を連続して安定に成膜できる成膜装置を提供する。
【解決手段】基板にポリイミド膜を成膜する成膜装置において、第１の原料ガスを基板に供給するための第１の気化器２１と、第２の原料ガスを基板に供給するための第２の気化器４１と、第１の気化器の内部の圧力を測定するための第１の圧力計側部Ｍ１と、第２の気化器の内部の圧力を測定するための第２の圧力計側部Ｍ１１と、第１の圧力計側部Ｍ１により測定した第１のデータに基づいて第１の原料ガスの供給量を算出し、第２の圧力計側部Ｍ１１により測定した第２のデータに基づいて第２の原料ガスの供給量を算出し、算出した第１の原料ガスの供給量と算出した第２の原料ガスの供給量とがそれぞれ一定になるように、第１の気化器２１及び第２の気化器４１を制御する制御部６０とを有する。 （もっと読む）

【課題】基板の表面における酸二無水物及びジアミンのそれぞれのガスの供給量の変動を防止し、酸二無水物とジアミンとの重合反応により成膜されるポリイミド膜を連続して安定に成膜できる成膜装置を提供する。
【解決手段】内部の圧力が圧力調整可能に設けられており、固体状態の第１の原料を気化させ、気化した第１の原料ガスを基板に供給するための第１の気化器２１と、内部の圧力が圧力調整可能に設けられており、液体状態の第２の原料を気化させ、気化した第２の原料ガスを基板に供給するための第２の気化器４１と、第１の気化器２１の内部の圧力と第２の気化器４１の内部の圧力とを調整することによって、第１の原料ガスの供給量と第２の原料ガスの供給量との比が一定になるように、第１の気化器２１及び第２の気化器４１を制御する制御部６０とを有する。 （もっと読む）

【課題】蒸着重合において、ポリイミド被膜の密着力が低くなることを防止しつつ成膜速度を大きくすることができる成膜基材の製造方法を提供すること。
【解決手段】成膜基材の製造方法は、第１工程と第２工程とを備える。第１工程では、成膜室２０内で、室内温度Ｔを予め設定される基材１０の酸化基準温度（２５０度）より低い第１温度（２２０度）に設定し、室内圧力Ｐを第１温度で原料モノマー３１，４１が気化する第１圧力（１５Ｐａ）に設定して、基材１０の表面にポリイミドの酸化防止用被膜１１ａを形成する。第２工程では、成膜室２０内で、原料モノマー３１，４１の分子数を増加して室内圧力Ｐを第１圧力より大きい第２圧力（９０Ｐａ）に設定し、室内温度Ｔを酸化基準温度より高く且つ第２圧力で各原料モノマー３１，４１が気化する第２温度（３００度）に設定して、酸化防止用被膜１１ａの表面にポリイミドの厚膜用被膜１１ｂを形成する。 （もっと読む）

【課題】基板の面内における原料ガスの供給量を均一にし、成膜される膜の膜質を一定にすることができる成膜装置を提供する。
【解決手段】成膜容器６０内で基板を水平面内で回転可能に保持する基板保持部４４と、供給孔７５が形成された供給管７３ａを含み、供給孔７５を介して成膜容器６０内に原料ガスを供給する供給機構７０と、排気孔８３が形成された排気管８２を含み、排気孔８３を介して成膜容器６０内からガスを排気する排気機構８０と、基板保持部４４と供給機構７０と排気機構８０とを制御する制御部９０とを有する。供給孔７５と排気孔８３とは、基板保持部４４に保持されている基板を挟んで互いに対向するように形成されている。制御部９０は、基板保持部４４に保持されている基板を回転させた状態で、供給機構７０により原料ガスを供給するとともに排気機構８０によりガスを排気することによって、基板に膜を成膜するように制御する。 （もっと読む）

【課題】芳香族酸二無水物と芳香族ジアミンとの熱重合反応により成膜されるポリイミド膜の成膜速度を一定にすることができる成膜装置を提供する。
【解決手段】成膜容器６０内で基板を保持する基板保持部４４と、基板保持部４４に保持されている基板を加熱する基板加熱部６２と、成膜容器６０内に設けられるとともに、第１の原料ガス及び第２の原料ガスを供給するための供給孔７５が形成された、供給管７３ａを含み、供給孔７５を介して成膜容器６０内に第１の原料ガス及び第２の原料ガスを供給する供給機構７０と、基板保持部４４と基板加熱部６２と供給機構７０とを制御する制御部９０とを有する。制御部９０は、供給機構７０により第１の原料ガス及び第２の原料ガスを供給するとともに、基板加熱部６２により、基板保持部４４に保持されている基板を、熱重合反応が生ずる温度範囲に加熱することによって、ポリイミド膜の成膜速度を制御する。 （もっと読む）

【課題】有機ＥＬデバイスを作製する際、大型の成膜対象物の表面に分布が均一な成膜を行うことができる技術を提供する。
【解決手段】真空槽２内に設けられたプラズマＣＶＤ装置３と蒸着重合装置４とを備える。プラズマＣＶＤ装置３のプラズマ放出器１０は、原料ガス供給源３Ｂから原料ガスがそれぞれ供給され互いの雰囲気が隔離されたガス分岐ユニット６１〜６４と、ガス分岐ユニット６１〜６４において拡散された原料ガスのプラズマを形成するプラズマ形成室５１とを有する。蒸着重合装置４の蒸気放出器１１０は、原料モノマー供給源４Ｂから原料モノマーの蒸気がそれぞれ供給され互いの雰囲気が隔離された複数の蒸気分岐ユニット１０１Ａ、１０１Ｂと、蒸気分岐ユニット１０１Ａ、１０１Ｂにおいて拡散された複数の原料モノマーの蒸気を混合する蒸気混合室１５１とを有する。 （もっと読む）

【課題】トラップ機能とバイパス機能とを有する小型のトラップ装置を低コストで提供する。
【解決手段】基板を処理するためのガスを導入するためのガス供給部が接続されているチャンバーと、前記チャンバー内のガスを排気するための排気部との間に設けられたトラップ装置５０であって、前記チャンバーと接続される吸入口５２と、前記排気部と接続される排出口５３と、第１の空間５７を有するバイパス部５１と、前記ガスに含まれる未反応成分を冷却して凝固させて除去する第２の空間６１を有する冷却トラップ部６０と、を有し、前記ガスは、第１の状態では前記第１の空間５７を介し流れ、第２の状態では前記第２の空間６１を介し流れるものであって、前記冷却トラップ部６０に対し第１の流路５５及び第２の流路５６を、回転部５４により相対的に移動させることにより、前記第１の状態と前記第２の状態とを切り替える。 （もっと読む）