【課題】ＩＣのシールド用メッキ膜を製造する設備及びＩＣの金属シールド膜層を提供する。
【解決手段】ベース３１は、チャンバー３１１を有している。ワーク支持具３２は、チャンバー３１１に内設されており、かつ複数の回転軸と回転自在に接続され、各回転軸は、少なくとも一つのジグを有し、そのジグでは、少なくとも一つのＩＣを取付ける。各中周波マグネトロンターゲット３３及び各多重アークイオンターゲット３４は、それぞれチャンバー３１１に内設され、中周波マグネトロンターゲット３３及び多重アークイオンターゲット３４が、金属材料をＩＣ上にスパッターリングを行うように用いられることによって、ＩＣの表面に少なくとも一つの金属シールド膜層が形成される。 （もっと読む）

【課題】アスペクト比の異なる複数の開口下部に接続される配線に対して最適な処理を施すことができるようにする。
【解決手段】半導体装置の製造方法において、第１の半導体基板と第２の半導体基板が接合された半導体基板の第１の開口の下部配線と、貫通接続孔と異なるアスペクト比の第２の開口の下部配線に対して、バリアメタル膜の成膜と、スパッタガスによる物理エッチングを同時に行うアンカー処理工程が含まれる。本技術は、例えば、固体撮像装置などの半導体装置に適用できる。 （もっと読む）

【課題】成膜速度の面内均一性を確保しながら、成膜速度を高め、ターゲットの使用効率を向上したマグネトロンスパッタ装置を提供する。
【解決手段】ターゲット３１の背面側に設けられたマグネット配列体５は、両端が互に異極である棒状マグネットが網の目状に配置されると共に、網の目の交点にて、棒状マグネットの端面に囲まれる領域には透磁性のコア部材を設けるように構成されている。棒状マグネットの両端の極からの磁束がコア部材を通して出ていくため、隣接する棒状マグネット同士の磁束の反発が抑えられて磁束線の歪みが抑制され、水平磁場が広い範囲で形成される。このため、高密度のプラズマが広範囲に均一に形成され、成膜速度の面内均一性を確保しながら、速い成膜速度が得られる。また、ターゲット３１のエロージョンの面内均一性が良好であり、エロージョンが均一性を持って進行するため、ターゲット３１の使用効率が高くなる。 （もっと読む）

【課題】緻密な薄膜の成膜を可能にして、薄膜の耐チッピング性を向上させることができるアークイオンプレーティング装置を提供する。
【解決手段】アークイオンプレーティング装置１は、蒸発源５が載置される陰極の背面中央に設けられる中央磁石１５と、ワーク３の背面に設けられる補助磁石１７とを備え、中央磁石１５と補助磁石１７とは、異なる極を対向させて配置され、ワーク３の成膜面の磁束密度が１ｍＴ以上１４ｍＴ以下となるように設定されている。 （もっと読む）

【課題】ＤＬＣ皮膜などのカーボン皮膜の表面の欠陥が少なく、母材とカーボン皮膜との密着性が良好で、相手攻撃性が低く、摩擦係数が低い硬質皮膜被覆部材およびその製造方法を提供する。
【解決手段】クロムターゲットを使用する処理装置の真空処理室内においてアルゴンガスと窒素ガスを含む雰囲気中でスパッタリングすることによって母材上に厚さ１〜３０μｍの窒素含有クロム皮膜を形成した後、カーボンターゲットを使用する処理装置の真空処理室内にアルゴンガスと窒素ガスを導入して、アルゴンガスと窒素ガスの全圧に対する窒素ガスの分圧の比が０．２３以上、好ましくは０．３７以上の雰囲気中において、バイアス電圧−２５０Ｖ以下、好ましくは−２８０Ｖ以下でスパッタリングして、窒素含有クロム皮膜上にカーボン皮膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】金属またはセラミック材料の基材（ワークピース）上に少なくとも実質的に水素フリーのｔａ−Ｃ層を製造する装置が提供される。
【解決手段】装置１０は、ａ）不活性ガス供給源および真空ポンプに接続可能な真空チャンバ１４と、ｂ）真空チャンバ内へ挿入されるまたは挿入可能な、複数の基材（ワークピース）１２のための支持装置と、ｃ）炭素材料の供給源として機能し、マグネトロンを形成するための関連する磁石配置を有する黒鉛陰極１６と、ｄ）支持装置上の基材に負のバイアス電圧を印加するバイアス電源３２と、ｅ）黒鉛陰極および関連する陽極に接続可能な、陰極のための陰極電源１８と、を備えており、陰極電源１８は、（好ましくはプログラム可能な）時間間隔で離間された高電力パルス列を伝達するように設計され、各高電力パルス列は、自由選択では増大位相の後に、黒鉛陰極に供給されるように適合された高周波数のＤＣパルスの列から成る。 （もっと読む）

【課題】苛酷な使用環境下で使用される切削工具や金型等において、ＳｉＣ皮膜の耐剥離性を大幅に改善することにより、工具の耐久性が改善することができる被覆工具およびその製造方法を提供する。
【解決手段】工具の基材表面に中間皮膜を介して硬質皮膜を被覆した被覆工具であって、該硬質皮膜は、原子比でＳｉよりもＣが多く、組織に立方晶の結晶構造相を含むＳｉＣ皮膜であり、
前記中間皮膜は、ＡｌｘＭｙからなる窒化物または炭窒化物（但し、ｘ、ｙは原子比を示し、ｘ＋ｙ＝１００、かつ、ｘ＞０、かつ、ｙ≧０、Ｍは周期律表の４ａ族元素、５ａ族元素、６ａ族元素、Ｂ、Ｓｉ、Ｙから選択される１種または２種以上）であり、
前記中間皮膜の硬質皮膜側は、六方晶が主体の結晶構造である耐剥離性に優れる被覆工具である。 （もっと読む）

【課題】 硬質皮膜を被覆することで優れた耐食性を有する、プラスチックやゴム等の成型部品に最適な被覆物品の製造方法および被覆物品を提供する。
【解決手段】 物品の基材表面に物理蒸着法によって硬質皮膜を被覆した被覆物品の製造方法であって、前記硬質皮膜は、第１のクロム系硬質皮膜とその直上の第２のクロム系硬質皮膜の少なくとも２層以上からなり、
前記第２のクロム系硬質皮膜の被覆前に、前記第１のクロム系硬質皮膜の表面を研磨し、前記第２のクロム系硬質皮膜の被覆期間中に、前記基材に印加する負圧のバイアス電圧を変化させる耐食性に優れた被覆物品の製造方法である。
第２のクロム系硬質皮膜の被覆期間中に、前記基材に印加する負圧のバイアス電圧を初期と終盤で異ならせることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】耐欠損性、耐摩耗性にすぐれた表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】工具基体の表面に、物理蒸着法によって硬質被覆層を被覆形成し、硬質被覆層は組成式：（Ｔｉ_{１−ｘ−ｙ}Ａｌ_ｘＹ_ｙ）（Ｎ_１−ｚＣ_ｚ）で表される平均層厚０．５〜８．０μｍの複合炭窒化物層（または、複合窒化物層）を含み、複合炭窒化物層は、構成元素のうち９０原子％以上が金属元素である平均断面長径０．０５〜０．５μｍの金属粒子を含有し、金属粒子は複合炭窒化物層中に３〜１８％の縦断面面積比率で分散分布し、金属粒子のうち構成元素に５０原子％以上のＡｌを含み、かつ縦断面形状のアスペクト比が２．０以上かつ長径が工具基体表面となす鋭角が４５°以下である粒子の縦断面面積比率をＡ％、それ以外の粒子の縦断面面積比率をＢ％としたとき、０．３≦Ａ／（Ａ＋Ｂ）である表面被覆切削工具によって、前記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】成膜速度の面内均一性を確保しながら、成膜効率を向上させ、ターゲットの使用効率を向上させること。
【解決手段】真空容器２内に載置されたウエハ１０に対向するようにターゲット３１を配置し、このターゲット３１の背面側にマグネット配列体５を設ける。このマグネット配列体５は、マグネット６１，６２がマトリックス状に配列された内側マグネット群５４と、この内側マグネット群５４の周囲に設けられ、電子の飛び出しを阻止するリターン用のマグネット５３とを備えている。これによりターゲット３１の直下にカスプ磁界による電子のドリフトに基づいて高密度のプラズマが発生し、またエロージョンの面内均一性が高くなる。このためターゲット３１とウエハ１０とを接近させてスパッタを行うことができ、成膜速度の面内均一性を確保しながら、成膜効率を向上させることができる上、ターゲットの使用効率が高くなる。 （もっと読む）

【課題】耐欠損性、耐摩耗性にすぐれた表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】工具基体の表面に、物理蒸着法によって硬質被覆層を被覆形成した表面被覆切削工具において、硬質被覆層は、組成式：（Ｔｉ_{１−ｘ−ｙ}Ａｌ_ｘＺｒ_ｙ）（Ｎ_１−ｚＣ_ｚ）で表される平均層厚０．５〜８．０μｍの複合炭窒化物層あるいは複合窒化物層を少なくとも含み、複合炭窒化物層または複合窒化物層は、構成元素のうち９０原子％以上が金属元素である平均断面長径０．０５〜０．５μｍの金属粒子を含有し、金属粒子は硬質被覆層中に３〜１８％の縦断面面積比率で分散分布し、金属粒子のうち構成元素に５０原子％以上のＡｌを含み、かつ縦断面形状のアスペクト比が２．０以上かつ長径が工具基体表面となす鋭角が４５°以下である粒子の縦断面面積比率をＡ％、それ以外の粒子の縦断面面積比率をＢ％としたとき、０．３≦Ａ／（Ａ＋Ｂ）であることによって、前記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】高い耐摩耗性を有するとともに、耐剥離性に優れ、長期にわたり剥離を防止できる硬質膜、および、該硬質膜が形成された硬質膜形成体を提供する。
【解決手段】基材２の表面２ａ上に直接成膜されるＣｒとＷＣとを主体とする第１混合層１ａと、第１混合層１ａの上に成膜されるＷＣとＤＬＣとを主体とする第２混合層１ｂと、第２混合層１ｂの上に成膜されるＤＬＣを主体とする表面層１ｃとからなる構造の硬質膜１であり、第１混合層１ａは、基材側から第２混合層側へ向けて連続的または段階的に、Ｃｒの含有率が小さくなり、ＷＣの含有率が高くなる層であり、第２混合層１ｂは、第１混合層側から表面層側へ向けて連続的または段階的に、ＷＣの含有率が小さくなり、ＤＬＣの含有率が高くなる層であり、第２混合層１ｂにおける水素含有量が１０〜４５原子％である。 （もっと読む）

【課題】改善されたアーク蒸着プロセスよって良好な性質を有する酸化硬質皮膜を経済的に析出させて提供する。
【解決手段】 本発明は、機能膜（３２）として加工物（３０）上でアーク−ＰＶＤ法によって析出される硬質材料膜において、この膜が本質的に、周期系の亜族ＩＶ、Ｖ、ＶＩの遷移金属およびＡｌ、Ｓｉ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｙの金属（Ｍｅ）の少なくとも１つからなる電気的に絶縁する酸化物として形成され、かつ前記機能膜（３２）が希ガスおよびハロゲンを含有しない硬質材料膜に関する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、所定の超硬合金を基材とした光学素子用成形型について、より寿命の長い離型膜をその成形面に形成可能とした光学素子用成形型及びその製造方法を提供する。
【解決手段】タングステンカーバイドを主成分とする超硬合金（バインダレス超硬合金を除く）からなる基材２の成形面に、ダイヤモンドライクカーボンからなる離型膜４を形成した光学素子用成形型であって、基材２と離型膜４との間に、立方晶からなる結晶構造を有し、その表面粗さＲａが０．５ｎｍ以下であるタングステンカーバイド膜３を介在させた光学素子成形用成形型１。 （もっと読む）

【課題】微細な溝部の内部に隙間無く導電材料を埋め込み、導電性に優れた配線を得ることが可能な半導体装置の製造方法および半導体装置を提供する。
【解決手段】バリア層（バリアメタル）１３を覆うようにライナー層１４が形成されている。ライナー層１４は、Ｎｉ（ニッケル）から構成される。ライナー層１４は、このライナー層１４の内側に形成されるＣｕ（銅）からなる導電体１５に対する濡れ性を高め、かつ、溝部１２の内側の平滑性を高める。 （もっと読む）

【課題】 被処理物の表面へのイオンの入射量を安定化させる。
【解決手段】 本発明に係るイオンプレーティング装置１０によれば、熱電子放射フィラメント３６から放射された熱電子がイオン化電極３８に向かって加速される。そして、この熱電子が蒸発源１６からの被膜材料２２の蒸発粒子と非弾性衝突することにより、当該蒸発粒子がイオン化される。さらに、このイオン化された蒸発粒子が被処理物としての基板２６の表面に入射されることにより、当該基板２６の表面に被膜が生成される。ここで、イオン化電極３８に流れる電流Ｉｄは、イオンの生成量に相関する。このイオン化電極電流Ｉｄが一定になるように、熱電子放射フィラメント３６からの熱電子の放射量が制御される。このような制御が成されることで、イオンの生成量が安定化され、ひいては基板２６の表面へのイオンの入射量が安定化される。 （もっと読む）