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【課題】高速蒸着と、坩堝内の材料に照射された後の反射電子や軌道をそれた電子による成膜部へのダメージを抑制する。
【解決手段】加速した電子を照射し加熱して蒸発させた材料5を、形成した磁場により電子を遮蔽しつつ基板フィルム2の表面に付着させて薄膜を形成する電子ビーム蒸着装置である。前記磁場を、複数の磁石10によって基板フィルム面に沿って形成させると共に、基板フィルム2を複数に配置した磁石10の一方側から他方側に向けた移動が可能なように構成する。
【効果】成膜範囲を広くした場合にも各々の磁石の磁場強度を低減でき、磁石と電子ビーム源間の距離を短くできるので、高速蒸着と、坩堝内の材料に照射された後の反射電子や、軌道をそれた電子による成膜部へのダメージ抑制を共に達成することができる。 (もっと読む)


【課題】冷却性能に優れたスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】ターゲット電極と、基板Wを載置することが可能な載置部と当該載置部に載置される基板との間に空間を形成する凹部を有する基板保持台107と、前記凹部内に冷却ガスを供給する供給源と、前記基板保持台との間に押し付け力を発生させて、前記基板を前記基板保持台に固定する保持部材と、前記基板保持台に接続される冷凍機108と、前記基板保持台を冷凍機と共に回転させる回転駆動手段と、を備える。 (もっと読む)


【課題】蒸着工程中に基板と薄膜蒸着装置との精密なアラインが可能である薄膜蒸着装置及びこれを利用した有機発光表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】蒸着源110の一側に配され、第1方向Yに沿って複数個の蒸着源ノズル121が形成された蒸着源ノズル部120と、蒸着源ノズル部120と対向し第2方向Xに沿って複数個のパターニング・スリット151が形成されるパターニング・スリットシート150と、を具備し、該基板が、第1方向Yに沿って移動しつつ蒸着が行われ、該パターニング・スリットシート150は、第1アラインマーク152及び第2アラインマーク153を含み、該基板は、第1アラインパターン502及び第2アラインパターン503を含み、これらを撮影する第1カメラアセンブリ161及び第2カメラアセンブリ162と、をさらに具備する薄膜蒸着装置。 (もっと読む)


【課題】比較的簡単な構造で、被蒸着物の装着位置による膜厚差を低減することができる蒸着治具及びこれを備えた蒸着装置等を提供すること。
【解決手段】可動ホルダ34が、基板ホルダ31の外周側において、装着された基板20を周方向に所定の角度に傾斜させているため、平板では球面から距離が離れやすい外周側であっても基板ホルダ31内の基板20に設けられた被蒸着物DSに略均一な膜厚で蒸着することができる。また、可動ホルダ34によって基板20を傾斜させる構造であるため、簡単な構造とすることができる。 (もっと読む)


【課題】一度に多数の基板に蒸着膜を形成する場合においても、個々の基板に蒸着斑が生じず、安定した反射特性を有する基板を製造できる蒸着装置を提供する。
【解決手段】複数の基板6を支持する基板支持部材2と、基板支持部材2に支持された基板6の被蒸着面上に所望の蒸着材料を飛散させる蒸着源4であって、各基板6の被蒸着面の周縁に対する蒸着源4からの角度が、被蒸着面全周に渡ってほぼ同一となるように配置された蒸着源4を有して構成される。各基板6の被蒸着面の周縁に対する蒸着源4からの角度が、被蒸着面全周に渡ってほぼ同一とされるため、蒸着源4から飛散する蒸着材料の蒸着角が、各基板6の被蒸着面周縁において同一となる。このため、各基板6の周縁において、均質に蒸着材料が被着し、均一な膜厚の蒸着膜が成膜される。 (もっと読む)


【課題】コリメーター交換に伴うメンテナンス時間減少や生産効率の向上が可能な機能を備えたスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】スパッタリング装置において、スパッタチャンバーと搬送チャンバーにおのおのコリメーターを設置する場所を備えてチャンバー間でコリメーターを移動可能とする。コリメーターの移動には試料搬送に用いる搬送機器を利用する。コリメーション方式と通常スパッタリング方式の成膜が単一チャンバーでも共用可能なスパッタリング装置とすることでメンテナンスの減少や生産性向上が可能となる。またシャッター板の設置も可能である。 (もっと読む)


【課題】チャンバ内のヒータ等の加熱機構がクリーニング処理によって生じる劣化や腐食を、クリーニング時における温度制御を要することなく行い、温度制御に伴う操作時間を不要とし、真空成膜装置の稼働率の低下を抑制する。
【解決手段】真空成膜装置において、クリーニング時において加熱機構の外周を不活性ガスで覆うことによって、反応性に高いクリーニングプラズマあるプラズマによって発生するラジカルが加熱機構に接触しないようにし、これによってクリーニング処理により劣化や腐食を防ぐ。保護機構は、ヒータの周囲空間に不活性ガスを導入する不活性ガス導入機構を備え、クリーニング時に不活性ガスを導入して加熱機構をクリーニングガスプラズマ又はラジカルから空間的に分離してヒータを保護する。 (もっと読む)


【課題】薄膜全体の光学特性を確実に向上させる。
【解決手段】2層以上の層を積層した光学的な薄膜を形成するための薄膜形成方法が開示されている。当該方法では、形成しようとする薄膜の設計条件を設定する工程S1と、前記設計条件に基づき、仮薄膜を形成する工程S2と、前記設計条件中の設計値と前記仮薄膜の実測値との間で光学特性のズレを算出する工程S3と、前記光学特性のズレ量に基づき、前記仮薄膜の各層のうち、前記光学特性のズレに大きな影響を及ぼす層又はその組合せを特定し、特定した層の前記設計条件を変更する工程S5,S6と、変更後の前記設計条件に基づき、本薄膜を形成する工程S9と、を備える。 (もっと読む)


【課題】真空装置における配線作業の作業効率を向上可能な技術を提供する。
【解決手段】本発明は、真空装置の配線に用いるコネクタユニット1であって、当該真空装置本体2に着脱自在に装着可能な配線用基盤3と、配線用基盤3上に、装置側端子台4、第1の外部装置側端子台5A、第2の外部装置側端子台5Bが設けられている。装置側端子台4、第1の外部装置側端子台5A、第2の外部装置側端子台5Bは、複数の端子部41、51、54を有し、当該端子部41、51、54と電気的に接続され且つコネクタ付きケーブルと接続可能なコネクタ接続部を有する。装置側端子台4、第1の外部装置側端子台5A、第2の外部装置側端子台5Bは、それぞれ着脱自在の端子間ケーブル45によって端子部41、51、54同士が電気的に接続可能に構成されている。 (もっと読む)


【課題】良好な特性の多結晶シリコン膜を短時間に形成できる多結晶シリコン膜の形成方法、形成装置及びそれにより形成された多結晶シリコン膜が形成された基板を提供する。
【解決手段】シリコン蒸発源15の加熱によりシリコン微粒子を生成し、次に、シリコン微粒子を移送し、超音速フリージェットJの気流に乗せて真空チャンバー30中に噴出して、真空チャンバー30中に配置された基板33上に物理蒸着させ、シリコン微粒子からなる多結晶シリコン膜を形成する。 (もっと読む)


【課題】パーティクルの発生や機構部寿命低下を生じさせることなく、動作時間を目標時間に納めることが可能なゲートバルブ装置を提供すること。
【解決手段】真空処理室10の側壁に設けられた、ガラス基板Gの搬入出用の搬入出口10aを開閉するためのゲートバルブ装置30は、搬入出口10aを開閉する弁体33と、弁体33を駆動させるエアシリンダ36と、弁体33の位置に応じて弁体33の移動速度を異ならせるように弁体33の駆動を制御するエア駆動回路60とを具備する。 (もっと読む)


【課題】許容可能なコーティング速度を有し、有機材料層の上、例えば、OLED層の上に、損傷のない又は損傷の少ないスパッタコーティングを与える装置及び方法を提供する。
【解決手段】コーティングチャンバと、有機材料層が堆積した基板110a,110bと、該コーティングチャンバに配置された少なくとも1つの回転可能なカソードユニットであって、少なくとも1つの回転可能なターゲット102と、該ターゲット102の少なくとも1つの表面部分の上に配置された少なくとも1つのプラズマ閉じ込めゾーンを生成するための磁石アセンブリ104とを含むユニットと、スパッタ粒子を散乱する散乱ゾーンと、ある比率の該スパッタされた粒子が、該基板表面に移動するのを選択的に防ぐ手段とを含む。 (もっと読む)


【課題】チャンバ内を大気圧に復帰させるまでの時間を短縮できる真空成膜装置を提供する。
【解決手段】その内部で成膜を行うためのチャンバ10と、該チャンバ10の内部を排気する排気装置18と、加圧ドライエアを供給するドライエア供給源20と、前記チャンバ10と前記ドライエア供給源20とを接続するドライエア供給配管30と、該ドライエア供給配管30に設けられた空気導入バルブ50と、該空気導入バルブ50が設けられた位置よりも上流のドライエア供給配管30に設けられた、該ドライエア供給配管30を連通及び非連通にする連通/非連通バルブ40と、を備える。 (もっと読む)


【課題】簡素な構成で効果的にチャンバを冷却する。
【解決手段】内部にてプラズマが発生させられるチャンバ20が備えられ、略密閉型のシールド40は所定の隙間を隔ててチャンバ20を外側から囲む。シールド40の内側と外側とを連通させる開口部41,41,41・・・がシールド40に形成される。さらに、シロッコファン50が備えられ、シロッコファン50がシールド40の内側から吸気し、シールド40の外側に排気する。 (もっと読む)


陰極スパッタリングによって、一定且つ特定の方向に方向性を有する層、例えば、好ましい磁化方向を有する低保磁力層または低保磁力層の支持層を基板表面(4)上に形成するために、ターゲット表面(6)から出てくる複数の微粒子の基板表面(4)の接平面上での投影が、特定の方向を取り囲む好ましい角度範囲内にある状態において、複数の微粒子が支配的に基板表面(4)に衝突することによって、コーティングプロセスが実行される。コーティングプロセスは、例えば、特定の方向に平行な基板表面(4)に対し直角に伸びる複数のプレート(9)を包含するコリメータ(8)を、基板表面(4)の前面に配置することによって達成される。ただし、コリメータ(8)を配置する代わりに、またはコリメータ(8)を配置することに加えて、ターゲット表面(6)に対する基板表面(4)の位置または動きを適切に調整するかまたは制御することも可能である。
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【課題】ラビング処理することなく、所望の品質を有する配向膜を形成できる成膜装置を提供する。
【解決手段】成膜装置は、有機材料を含むターゲット部材の表面にイオン粒子を照射して、ターゲット部材より配向膜を形成するためのスパッタ粒子を放出させるスパッタ装置と、基板の表面がターゲット部材の表面と対向しないように基板を保持する基板保持部材と、ターゲット部材からのスパッタ粒子が供給可能な位置に配置され、ターゲット部材から供給されたスパッタ粒子を基板の表面に供給するようにスパッタ粒子の進行方向を変える所定面を有する所定部材とを備えている。 (もっと読む)


【課題】簡素な構造で地震の際の被害を低減することができる縦型拡散炉の保護装置及び保護方法を提供する。
【解決手段】P波検知部51は、P波が到来するとその旨をP波解析部52に知らせる。P波解析部52は、P波検知部51からP波が到来したことを知らされると、到来したP波の波形及び振幅等からその後にS波が到来した時の、縦型拡散炉54が設置されている地域の震度を予測する。そして、予測結果が震度5以上であるか否かを判断する。この結果、震度が5以上となるという結果が得られている場合には、気圧制御部53にその旨を知らせる。気圧制御部53は、P波解析部52から震度が5以上になるという予測結果を知らされると、拡散炉内の気圧を低下させる。つまり、真空ポンプによる排気の程度を変更することなく、供給されるガスの量を減少させることにより、拡散炉内の気圧を低下させる。 (もっと読む)


【課題】 スループットを低下させることなく、所定の温度まで基板温度を低下させた状態で成膜可能な磁気記録ディスクの製造方法およびその製造装置を提供すること。
【解決手段】 垂直磁気記録方式の磁気記録ディスクの記録層16をスパッタ法により形成するにあたっては、真空チャンバー230内の成膜部100に磁気記録ディスク用基板10とターゲット110とが対向する空間150の周りを囲むように筒状の陰極シールド体160を配置しておき、陰極シールド体160の内側に冷却ガスを供給して磁気記録ディスク用基板10を冷却する強制冷却工程と、100℃以下まで冷却された磁気記録ディスク用基板10にスパッタ成膜を行うスパッタ成膜工程とを行う。強制冷却工程を行う際、磁気記録ディスク用基板10に向かう冷却ガスの流れを磁気記録ディスク用基板10に垂直な方向とする整流部材180を磁気記録ディスク用基板10に対向配置させておく。 (もっと読む)


【課題】 本発明は、新規な構造の電力導入機構を開発し、摺動部を介して電力を安定して供給できる真空処理装置を提供することを目的とする。また、長寿命の電力導入機構を備えた真空処理装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 真空室の内部に回転可能に設けられた基板ホルダと、該基板ホルダと回転軸を同じくする回転体の外周に設けられた、該回転体の回転機構と、電力導入用電源から前記回転体を介して前記基板ホルダに電力を導入する電力導入機構と、を備えた真空処理装置であって、前記電力導入機構は、前記回転体外周に取り付けられた第1の環状部材と、前記電力導入用電源と接続され、端面が前記第1の環状部材の端面と摺動するように配置された第2の環状部材と、からなることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】 低コストで信頼性の高い真空処理装置を提供する。
【解決手段】 2つの真空容器203,204の間に配置され各々を連通して一方から他方に処理対象の試料が搬送される封止されたゲート110と、このゲートの経路上に配置され第1の開口205および第2の開口206の各々に面する第1の弁体210aおよび第2の弁体210bとこれら弁体が連結されたシャフト211とを有して前記開口の各々を選択的に開閉するゲートバルブ208とを備えた真空処理装置であって、ゲートバルブ208は、211シャフトの他端側に連結されシャフトをその軸の方向に移動させる軸方向駆動部301と、シャフト211の一端側と他端側との間に配置されシャフト211の軸と交差する所定の回転軸207の周りにシャフトを回転させる回転駆動部213とを有し、シャフト211の軸方向について回転軸207と他端との間のシャフト上の部位に回転させる力が伝達される。 (もっと読む)


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