【課題】低コストかつ省スペースにエネルギ線硬化樹脂層を形成し、硬化させることができる成膜装置及び成膜方法を提供する。
【解決手段】成膜装置１は、チャンバ１０と、ステージ１５と、ガス供給部１３と、照射源１４とを具備する。ステージ１５は、チャンバ１０の内部に配置され、基板Ｗを支持するための支持面１５１ａを有する。ガス供給部１３は、チャンバ１０の内部に配置され、支持面１５１ａに向けてエネルギ線硬化樹脂を含む原料ガスを供給する。照射源１４は、チャンバ１０の内部に支持面１５１ａに対向して配置され、エネルギ線硬化樹脂を硬化させるためのエネルギ線を支持面１５１ａに向けて照射する。 （もっと読む）

【課題】金属カルコゲナイドを含む均一且つ良好な化合物半導体を製造する。
【解決手段】カルコゲン元素を含む化合物半導体の薄膜が製造される際に、該化合物半導体に含まれるカルコゲン元素以外の金属元素を少なくとも含む皮膜が一主面に配されている１以上の基板が準備され、該１以上の基板が加熱炉内の基板配置領域に配置される。そして、該加熱炉内において、該１以上の基板の一主面および端面のうちの少なくとも一方の面に対向する位置にカルコゲン元素が付着している付着部が配置されている状態で、非酸化性の気体の流れが発生されながら、該１以上の基板が加熱されることによって、該１以上の基板の一主面に化合物半導体の薄膜が形成される。 （もっと読む）

【課題】排気手段への成膜材料の混入を抑制し、排気手段の性能の低下を回避することが可能な成膜装置を提供する。
【解決手段】排気手段に通じる排気口１２３ｂに成膜材料を捕捉する捕捉手段１０を備える構成とする。捕捉手段によって成膜材料を捕捉して、成膜材料の排気手段への進入を抑制する。これにより、排気手段の性能の低下を防止する。また、排気手段の交換、清掃などのメンテナンス周期を延長することが可能であるため、運転停止期間を削減して、成膜装置の生産能力を向上させることもできる。 （もっと読む）

【課題】 スパッタリングを用いて安全・安価な方法で、可視領域において低吸収なフッ化膜を作成する方法を提供すること。
【解決手段】 本願発明は、金属ターゲットと反応性ガスを含む混合ガスを用いて、反応性スパッタにより基板上にフッ化膜を形成するフッ化膜形成方法において、前記混合ガスはＯ_２ガス及び前記反応性ガスを含み、前記反応性ガスはフルオロカーボン系ガスであることを特徴とするフッ化膜形成方法である。 （もっと読む）

【課題】ターゲットの動きおよびＰＶＤプロセスで起こる擦れを減少させるターゲット構造物および方法を提供する。
【解決手段】ターゲット構造物であって、ターゲット構造物の前面に配置されたスパッタ面を含むスパッタ領域と、スパッタ領域に対して横方向外方に向かい、かつ、スパッタ領域から前記構造物の外縁まで延びる前面を有するフランジ領域２２と、フランジ領域２２の前面の少なくとも一部を覆う保護層５０とを備える。保護層５０が約０．００２５４ｃｍ（０．００１インチ）から約０．２５４ｃｍ（０．１インチ）の厚さであり、保護層５０はフランジ領域２２の前面に較べて低摩擦係数を有する。 （もっと読む）

【課題】開角の大きな複数の光学素子成形用型に対して、成形用型の周辺部において、離型不良、融着不良、成膜剥れ不良が発生のない、ガラスプレス用テトラヘドラルアモルファスカーボン膜成膜方法を提供する。
【解決手段】成形面が凸状の型母材３の内部に磁石４を配置し、前記各型母材３の外側にはリング状磁石５を配置し、複数の型母材３を同心円状に配置した状態で、前記磁石４とリング状磁石５により形成される磁場が、前記型母材３の頂点部の法線方向の磁束密度が最も高くし、前記各型母材３に電圧を印加しながら、フィルタードカソ−ディックバキュームアーク法によって、前記型母材３の成形面にテトラヘドラルアモルファスカーボン膜を成膜する。 （もっと読む）

【課題】搬送中の長尺基材表面に薄膜を生成する反応性スパッタリング装置において、ターゲット汚れを抑制し、成膜速度や膜質の均一性を長時間保てる反応性スパッタリング装置および方法を提供する。
【解決手段】メインロール６とマグネトロン電極８間の成膜空間を挟んで長尺基材５の搬送方向の上流側および下流側に、長尺基材の幅方向に延在する少なくとも１枚ずつの側壁９ａ，９ｂを設け、いずれか一方の側壁にガス排気口１１を備え、他方の側壁には長尺基材の幅方向に一列に並んだ複数のガス供給孔が形成するガス供給孔列１０ａ，１０ｂを２列以上備え、ガス供給孔列のうちターゲット表面に最も近い一列は、ターゲット表面近傍に非反応性ガスを供給し、その他のガス供給孔列からは反応性ガスを供給する。 （もっと読む）

【課題】成膜容器の圧力を測定するための圧力計に耐熱性を要求せず、かつ、設置面積を低減可能な成膜装置を提供する。
【解決手段】成膜容器１１内に保持されている基板に原料ガスを供給することによって、基板に膜を成膜する成膜装置において、成膜容器１１に原料ガスを供給する供給機構と、成膜容器１１からガスを排気する排気機構２５と、成膜容器１１から排気機構２５にガスが流れる排気流路５５の途中に設けられており、原料ガスを含む生成物を析出させることによって、原料ガスを捕捉するトラップ部３０と、成膜容器１１とトラップ部３０との間で排気流路５５に合流するように接続されており、排気流路５５にパージガスを供給するパージガス供給部５０と、パージガス供給部５０から排気流路５５にパージガスが流れるパージガス供給流路５２の途中に設けられた圧力計５１とを有する。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体膜をチャネル形成領域に用いたトランジスタにおいて、短チャネル効果による電気特性の変動を抑制し、微細化した半導体装置を提供する。また、オン電流を向上させた半導体装置を提供する。
【解決手段】非晶質領域である一対の第２の酸化物半導体領域と、一対の第２の酸化物半導体領域に挟まれた第１の酸化物半導体領域と、を有する酸化物半導体膜と、ゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜を介して第１の酸化物半導体領域上に設けられるゲート電極と、を有する半導体装置において、第２の酸化物半導体領域には、水素または希ガスのいずれかの元素が添加されている。 （もっと読む）

【課題】加熱に起因したリブの熱膨張によるリークを防止することが可能な真空チャンバを提供する。
【解決手段】互いに対向する内壁面である第１壁面と第２壁面とを有する筐体２０と、第１壁面を内壁面とする壁面を扉取付壁面とし、この扉取付壁面に設けられた開口部１８をシール部材２６を介して密閉する扉１２と、筐体２０の内部に配置された加熱機構２４と、第１及び第２壁面の間で、大気圧状態において、一端が第１壁面と離間し、他端が第２壁面に固定されたリブ２２とを備える。この真空チャンバは、扉１２が開口部１８を密閉することにより、筐体２０の内部が真空排気可能となる。 （もっと読む）

【課題】スループットの向上及び低コスト化を図ることができるロードチャンバを提供する。
【解決手段】サブチャンバ４２を有するロードチャンバＬＬ１は、サブチャンバ４２内を上下方向に移動し、基板カセット５Ｌが載置される基板カセットベース４７が上昇位置にあるときには基板カセットベース４７を隔壁としてサブチャンバ４２内の上部に気密な空間を形成でき、基板カセットベース４７が下降位置にあるときには基板カセット５Ｌから搬送装置に基板を移載できる。サブチャンバ４２内に補充された基板を搬送装置側に排出するためのＧＶを必要としないため部品点数を削減できるとともに、基板カセット５Ｌへの基板１３の補充のときに排気とベントが必要な空間が限定されるためスループットを向上できる。 （もっと読む）

【課題】極高真空領域まで真空排気される真空容器のシール材としてエラストマー素材のシール材を使用することができる真空容器を提供する。
【解決手段】２分割される真空容器１２の合せ面にシール材２０を有して気密に保持される真空容器１２であって、合せ面の真空容器の内側にラビリンス形成装置を備え、ラビリンス形成装置２２は、凹部２３が形成された凹部材２３と、凹部２３ａの内面と僅かな隙間を有して配置される凸部２５を有する凸部材２５ａと、凹部材２３ａに凸部材２５ａを近づける方向に動作させる上下動機構２８とを有する。 （もっと読む）

【課題】高品質の金属化フィルムを低コストに製造し得る、小型且つ簡略な構造の金属化フィルムの製造装置を提供する。
【解決手段】真空槽２６内に、巻出し機３８にてロール４２から巻き出された誘電体フィルム１２を巻き掛ける、冷却手段４６を内蔵した第一の回転ドラム４４を設置した。また、真空槽２６内の第一の回転ドラム４４の周囲に、第一の分割マスク部形成手段５２と第一の端部マスク部形成手段５４と第一の金属蒸着電極形成手段５６とを周方向に並べて設置した。それにより、第一の回転ドラム４４に巻き掛けられた誘電体フィルム１２に対して、分割マスク部及び端部マスク部と、複数の分割電極部及び複数のヒューズ部からなる分割パターンを有する金属蒸着電極とを、順次形成し得るように構成した。 （もっと読む）

【課題】所定量の成膜材料を供給しながら蒸発できる成膜装置及び成膜方法を提供する。
【解決手段】
真空槽１１内を真空排気し、放出容器１６に接続された気化容器２１を成膜材料の蒸発温度以上で、かつ成膜材料を含有する液体材料の溶媒の蒸発温度以上に加熱し、気化容器２１内に液体材料を所定量噴出させ、成膜材料を気化容器２１内に配置された気化部材２２に付着させ、次いで気化容器２１内から溶媒の蒸気を排出した後、気化部材２２を成膜材料の蒸発温度以上に加熱して、気化部材２２に付着した成膜材料を蒸発させ、成膜材料の蒸気を放出容器１６に流入させ、放出容器１６の孔１７から成膜材料の蒸気を放出させ、真空槽１１内に配置された基板１５に到達させる。 （もっと読む）

【課題】異なる金属間、金属と酸化物、金属と窒化物、酸化物と窒化物等、複合化する材料の組合せが自由に調整できるナノコンポジット膜および／またはナノ多層膜を成膜できる装置及び方法の提供を目的とする。
【解決手段】成膜室を隔壁で仕切ることで複数のチャンバーを形成し、且つ各チャンバーを横切るように可動する可動部を有し、各チャンバーはそれぞれ減圧排気装置、ガス導入口及び蒸気源となるターゲットの保持部を有し、可動部が各チャンバーを横切るように成膜室を複数のチャンバーに仕切ったことで可動部、隔壁及び成膜室内壁の組み合せ間に生じ得る隙間を、ガスが他のチャンバーに混入しないように、隣接チャンバー間に形成された隙間断面積Ｓを粘性流が生じない所定の大きさ以下にしたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】トラップ機能とバイパス機能とを有する小型のトラップ装置を低コストで提供する。
【解決手段】基板を処理するためのガスを導入するためのガス供給部が接続されているチャンバーと、前記チャンバー内のガスを排気するための排気部との間に設けられたトラップ装置５０であって、前記チャンバーと接続される吸入口５２と、前記排気部と接続される排出口５３と、第１の空間５７を有するバイパス部５１と、前記ガスに含まれる未反応成分を冷却して凝固させて除去する第２の空間６１を有する冷却トラップ部６０と、を有し、前記ガスは、第１の状態では前記第１の空間５７を介し流れ、第２の状態では前記第２の空間６１を介し流れるものであって、前記冷却トラップ部６０に対し第１の流路５５及び第２の流路５６を、回転部５４により相対的に移動させることにより、前記第１の状態と前記第２の状態とを切り替える。 （もっと読む）

【課題】簡易な手法を用いて短時間でチャンバ内を真空排気してから基板へのスパッタリングを行なうことができるスパッタリング方法、スパッタターゲット、スパッタリング装置およびターゲット作製方法を提供する。
【解決手段】スパッタターゲットのスパッタ面上にゲッタリング材料1Xを配置し、スパッタリング初期にゲッタリング材料1Xを放出させて、真空度を上げ、その後、スパッタリング対象部をスパッタリングすることにより、スパッタ粒子を基板上に成膜する。 （もっと読む）

【課題】成膜面にダメージを与えることなく、効率よく酸化物透明導電膜を成膜し、かつ装置コストを抑制する。
【解決手段】単一のスパッタ装置１を用いて成膜用基板Ｓ上に酸化物透明導電膜を成膜する方法であって、成膜中におけるスパッタ装置１の投入電力を一定とし、成膜時の圧力（Ｐ）、およびターゲットＴと成膜用基板Ｓとの距離（ｄ_ＴＳ）の積（Ｐ×ｄ_TS）で表される成膜パラメータを、酸化物透明導電膜の成膜開始時に６０Ｐａ・ｍｍ以上とし、酸化物透明導電膜の成膜途中に、成膜パラメータが６０Ｐａ・ｍｍよりも小さくなるように、成膜時圧力および／または距離を変化させる。 （もっと読む）

【課題】ターゲットへの再付着を低減させて、異常放電およびダストを防止すると共に、成膜速度の低下を抑制する。
【解決手段】希ガスを含むスパッタリングガスを真空チャンバ１内へ２ヶ所以上の場所から導入し、ターゲット２の周囲から導入するスパッタリングガスの分子量を、基板５１の周囲から導入するいずれのスパッタリングガスの分子量と比べて大きくすると共に、ターゲット２の周囲に、スパッタリングガスをプラズマ化する導入ガス用プラズマ源１３を設ける。このようにすることにより、分子量の大きいスパッタリングガスを優先的にイオン化することによりスパッタリング能力を高めることができる。これによりターゲット２への再付着を低減させると共に、成膜レートが低減することを抑制することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】不純物が混入しない酸化物半導体を用いた半導体素子の作製に用いる連続成膜装置を提供することを課題とする。
【解決手段】１０^−６Ｐａ以下に真空排気する手段と接続するロードロック室と、基板を加熱する第１の加熱手段が設けられた基板保持部と、少なくとも基板保持部周辺の壁面を加熱する第２の加熱手段と、スパッタリング用ターゲットを固定するターゲット保持部とが備えられ、それぞれが１０^−８Ｐａ以下に真空排気する手段と接続する複数の成膜室と、１０^−８Ｐａ以下に真空排気する手段と接続する加熱室と、ロードロック室、加熱室、及び成膜室のそれぞれとゲートバルブを介して連結され、１０^−６Ｐａ以下に真空排気する手段と接続する搬送室とを少なくとも有し、ロードロック室、加熱室、成膜室及び搬送室のそれぞれと接続する真空排気する手段は、吸着型のポンプである成膜装置を提供する。 （もっと読む）