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Fターム[4K029DA03]の内容

物理蒸着 (93,067) | 処理装置一般 (2,443) | 槽内観察装置 (331)

Fターム[4K029DA03]に分類される特許

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【課題】蒸着重合膜を連続形成しつつ、蒸着重合膜の組成や膜厚の変化を把握できる蒸着重合膜形成装置を提供する。
【解決手段】赤外光源88と分光手段と検出器90と光学系92とを有する反射型赤外分光光度計86を設置すると共に、分光手段により分光された赤外光を蒸着重合膜上に集光させる集光鏡124と、蒸着重合膜上の集光点での反射光を更に反射させて、検出器90に導く反射鏡126,122,118とを、光学系92に設け、更に、集光鏡124を、基材フィルムの移送に伴って、蒸着重合膜上での赤外光の集光点の位置を基材フィルムの長さ方向に変化させ得る位置に配置して構成した。 (もっと読む)


【課題】蒸発材料の、蒸着対象物に対向する対向面内で、蒸発流密度の分布を均一にすることができる真空蒸着装置、これに用いられる電子銃及びその蒸着方法を提供すること。
【解決手段】真空蒸着装置100では、メインコントローラ14及び/または電子銃ドライバ59により、電子ビームBが、蒸発材料10の上面10aの外形にしたがって揺動するように、揺動コイル62が制御される。これにより、電子ビームが、その上面10a全体に均一に入射される。したがって、蒸発材料10の上面10aからの蒸発流分布(蒸発流密度)を均一にすることができる。その結果、成膜レートの安定化を図ることができ、基板Wに形成される蒸着膜の膜厚分布を均一にすることができる。 (もっと読む)


【課題】連続的に多数の基板を成膜するのに適した基板搬送機構を真空槽内部に備えた下方蒸着装置を提供する。
【解決手段】本発明の蒸着装置は、真空槽、真空槽内で基板を格納位置と成膜位置の間で移動させる搬送機構、及び真空槽内に配置され成膜位置の上方から蒸着材料を蒸発させる蒸発源を備え、搬送機構は、開口部を有し水平方向に延在する中空体からなる水平経路、水平経路内で、格納位置と開口部の直下である方向転換位置との間で基板を移動させる水平搬送手段、及び基板を方向転換位置と成膜位置の間で移動させる昇降可能な基板ステージを備える。 (もっと読む)


【課題】
本発明の課題は、坩堝の冷却時において、リフレクターなどの追加部材なしに、坩堝の蒸着出口部や坩堝内壁に材料が付着することを防止できる、或いは、坩堝の冷却時において、坩堝の蒸着出口部や坩堝内壁に材料が付着する事を防ぎ、冷却時間を短縮できる蒸着装置又は蒸着装置の運転方法を提供することにある。
【解決手段】
本発明は、蒸着源内の坩堝に存在する蒸着材料を加熱して蒸発し基板に蒸着し、真空蒸着チャンバ内を開く際には前記坩堝冷却する蒸着装置又は蒸着装置の運転方法において、前記冷却は、単位時間当たりに、前記蒸着物出口から出る前記蒸着材料の量が予め定めた量になるように蒸発レート制御する。 (もっと読む)


【課題】溶融した蒸着材料をリザーバ等に溜めておくことなく下方蒸着を行う蒸着装置を提供する。
【解決手段】蒸着装置は、真空槽10、真空槽内部に配置され基板1を載置する基板ステージ24、真空槽内部で前記基板ステージよりも上方に配置され下面31aに加熱面を有する抵抗加熱ボード31、及び真空槽内部に配置され抵抗加熱ボードの下面加熱面に線蒸着材3の先端を接触させる線蒸着材供給部40を備える。 (もっと読む)


【課題】蒸着材料を問わず、蒸発した蒸着材料により検出を妨げられずに、均一な厚さの膜を長時間成膜できる真空蒸着装置を提供することを目的とする。
【解決手段】真空蒸着装置1は、蒸着材容器2と、蒸着材料を蒸発させる蒸発手段と、倒れ角が異なる位置で成膜速度を観察する複数の成膜速度モニタ3,4と、1の成膜速度モニタ3の成膜速度を予め定められた設定値と比較し、設定値に対する観察した成膜速度の変動が所定の範囲内となるよう蒸発手段の出力を制御する成膜速度制御部と、材料供給部5と、蒸発手段により蒸発させた蒸着材料の蒸気量分布を、複数の成膜速度モニタ3,4で観察した成膜速度を用いて演算する蒸気量分布演算部と、演算した蒸気量分布を予め定められた蒸気量分布の設定値と比較し、蒸気量分布の設定値に対する演算した蒸気量分布の変動が所定の範囲内となるよう蒸着材料の供給量及び供給タイミングを制御する材料供給制御部とを備える。 (もっと読む)


【課題】本発明は装置稼働率を低下させることなく安定したプロセス性能結果が得られるRun-to-Run制御によりプラズマ処理を行うプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】本発明はプラズマ処理を行うプラズマ処理室と、プラズマ処理室内の状態をモニタするプロセスモニタと、プラズマ処理条件を構成するパラメータを制御するアクチュエータと、プロセスモニタによりモニタされたプロセスモニタ値とプロセスモニタの目標値との偏差および予め取得された、プロセスモニタ値とパラメータである操作変数との相関関係を用いて操作変数の補正量を算出するN+1個の補正量計算ユニットと、N番目の操作変数の次に優先度の高い操作変数を追加するN個の操作変数追加ユニットとを備え、N番目の操作変数追加ユニットは、N+1番目の補正量計算ユニットにより算出された補正量をN+1番目の操作変数の補正量とすることを特徴とするプラズマ処理装置である。 (もっと読む)


【課題】長期間に亘って正常な動作を行える水晶振動式膜厚センサ装置を提供する。
【解決手段】加速した電子を照射し加熱して蒸発させた材料7を、形成した磁場により電子を遮蔽しつつ基板フィルム2の表面に付着させて薄膜を形成する際に薄膜の膜厚を求める水晶振動式膜厚センサ装置10である。膜厚センサ11と材料7間に、スリットを有する回転体12を配置する。スリットの長手方向に対して交差する方向に磁場を発生させる磁石を設ける。
【効果】水晶振動子の振動に悪影響を与える電子の膜厚センサへの入射を効果的に遮蔽することができるので、長期間に亘って正常な動作が行えるようになる。 (もっと読む)


【課題】大型の成膜対象物の表面に分布が均一な成膜を簡素な構成の装置で行うことができる技術を提供する。
【解決手段】本発明の蒸着装置1は、真空槽2と、真空槽2内に設けられ、溶融蒸発材料30を収容する細長形状の収容部12と、当該収容部12内の蒸発材料をその蒸発温度以上の温度で加熱する加熱手段13とを有する蒸発源10を有する。真空槽2内には、蒸発源10の収容部12の長手方向に対して直交する方向に基板4を搬送するための搬送経路5と、蒸発源10の収容部12の両側部に、蒸発材料31、32を移動させつつ収容部12の両端部にそれぞれ所定量の蒸発材料31、32を供給する第1及び第2の材料供給手段21、22とを有する。 (もっと読む)


【課題】プラズマを用いたスパッタ法によって、Pb、Zr、Tiを含む誘電体薄膜を成膜する場合でも、圧電特性の高い誘電体薄膜を安定して成膜する。
【解決手段】誘電体薄膜のスパッタによる成膜中に、プラズマの発光分析を行って、上記プラズマの発光スペクトルを取得する。そして、上記発光スペクトルに含まれる、Pb(406nm)のスペクトル強度IPb、Zr(468nm)のスペクトル強度IZr、Ti(453nm)のスペクトル強度ITiをそれぞれ求める。IPb/(IZr+ITi)の値をPとしたとき、0.4<P<0.7を満足するように成膜条件を制御しながら、上記誘電体薄膜を成膜する。 (もっと読む)


【課題】シャッター部を狭ピッチで並設することのできるシャッター装置を提供すること。
【解決手段】シャッター装置1は、x軸方向に往復移動可能なシャッター部3と、シャッター部3をx軸方向へ移動させる駆動部4と、シャッター部3のx軸方向への移動を案内するガイド手段7とを有する。シャッター部3は、遮蔽部31と、遮蔽部31と駆動部4とを連結する連結部32とを有する。ガイド手段7は、y軸方向に連結部32を挟んで設けられた一対の凸部751、752を有している。遮蔽部31のy軸方向の幅をL1とし、連結部32(第1連結部321)のy軸方向の幅をL2とし、凸部751、752の離間距離をL3とすると、L1>L3>L2なる関係を満足する。 (もっと読む)


【課題】アルミの這い上がりを防止して破損が起こりにくい安定な蒸発源を有する成膜装置を提供することである。さらには、基板を垂直にして横方向から蒸着する縦型蒸着に適した成膜装置を提供することである。
【解決手段】少なくとも、坩堝と、加熱部からなり、坩堝は蒸着材料に対する濡れ性の異なる材質からなる2種類の構造からなる坩堝であって、少なくとも開口部は濡れ性の小さい材料からなり、蒸着材料が供給される部分は濡れ性の大きい材料からなる蒸発源を有することを特徴とする成膜装置。 (もっと読む)


【課題】真空チャンバ内に導入するべき導入ガスの流量値が大きくても、その流量値の近傍の狭い区間で流量を高速制御でき、例えば、真空チャンバ内のプラズマを所望の状態で保ち続けて、成膜等に最適な状態を維持することが可能なプラズマ制御装置及び流量制御装置を提供する。
【解決手段】前記真空チャンバVC内に導入される導入ガスが流れる第1流路L1上に設けられた第1バルブ11と、前記第1バルブ11を経由して前記真空チャンバVC内に導入される前記導入ガスの流量が第1流量となるように当該第1バルブ11の開度を制御する第1バルブ制御部12と、プラズマモニタ3と、前記導入ガスが流れる第2流路L2上に設けられた第2バルブ21と、前記プラズマモニタ3で測定される測定プラズマ強度と、予め設定された設定プラズマ強度との偏差に基づいて前記第2バルブ21の開度を制御する第2バルブ制御部22と、を備えた。 (もっと読む)


【課題】 被処理物の表面へのイオンの入射量を安定化させる。
【解決手段】 本発明に係るイオンプレーティング装置10によれば、熱電子放射フィラメント36から放射された熱電子がイオン化電極38に向かって加速される。そして、この熱電子が蒸発源16からの被膜材料22の蒸発粒子と非弾性衝突することにより、当該蒸発粒子がイオン化される。さらに、このイオン化された蒸発粒子が被処理物としての基板26の表面に入射されることにより、当該基板26の表面に被膜が生成される。ここで、イオン化電極38に流れる電流Idは、イオンの生成量に相関する。このイオン化電極電流Idが一定になるように、熱電子放射フィラメント36からの熱電子の放射量が制御される。このような制御が成されることで、イオンの生成量が安定化され、ひいては基板26の表面へのイオンの入射量が安定化される。 (もっと読む)


【課題】測定時のS/N比(シグナル/ノイズ比)の低下を抑制し、短時間の測定で精密な測定を行い、リアルタイム性の向上が図られるような光学的検知装置を提供する。
【解決手段】測定用の光が通過する測定光路と、前記測定光路に測定用の光を照射する光源と、前記測定光路を通過した光を受光し、吸収スペクトルの検出を行う検出器と、を有し、前記測定光路と前記光源とを連結させる第1の連結路と、前記測定光路と前記検出器とを所定の間隔でもって連結させる第2の連結路と、が設けられ、前記第1の連結路は前記測定光路と前記光源との間の空間を密閉可能な構成であり、前記第2の連結路は前記測定光路と前記検出器との間の空間を密閉可能な構成であり、前記第1の連結路及び前記第2の連結路の内部を排気する排気機構と、前記第1の連結路及び前記第2の連結路の内部に不活性ガスを供給する不活性ガス供給機構と、を備えた光学的検知装置が提供される。 (もっと読む)


【課題】真空雰囲気中で測定対象物を精度良く測定でき、光ファイバを着脱しても、測定精度に影響の無いエリプソメータを提供する。
【構成】投光部13と受光部14を筺体11の内部に配置し、発光装置12を筺体11の外部に配置し、光配線装置18によって、発光装置12と投光部13とを光接続する。投光部13は入射光を偏光して測定光を生成し、測定対象物7に照射し、反射光を受光部14によって受光して筺体11の外部に配置された分析装置15へ送光すると、分析装置15で膜厚が求められる。測定対象物7を真空雰囲気中で測定でき、光配線装置18と投光部13とを着脱しても、相対的に同じ位置で仮固定され、着脱が測定精度に影響を与えない。 (もっと読む)


【課題】 樹脂フィルムに比べて伸び難く且つ割れやすい長尺ガラスフィルムに対して熱負荷の掛かる表面処理を連続的に施す方法を提供する。
【解決手段】 巻出ロール210から連続的に引き出された長尺ガラスフィルムGを搬送経路に沿って搬送しながら順に加熱処理、表面処理および冷却処理を施す長尺ガラスフィルムGの処理方法であって、前記表面処理では長尺ガラスフィルムGの一方の面を熱媒で加熱されたキャンロール233の外周面上に接触させながら他方の面にスパッタリング等の熱負荷の掛かる処理を施し、前記搬送経路における前記表面処理と前記加熱処理との間および/または前記冷却処理の後において例えばアキュムレータロールを用いて長尺ガラスフィルムGの伸縮を調整する。 (もっと読む)


【課題】真空計への成膜材料の付着を抑制し、真空計の機能の低下を回避することが可能な成膜装置を提供すること。
【解決手段】基板に成膜材料を成膜する成膜装置において、基板が通過する真空環境を形成する真空容器123と、真空容器123内の真空度を測定する真空計1と、真空計1への付着を抑制する付着抑制手段10とを備える構成とする。このように、真空計1への成膜材料の付着を抑制する付着抑制手段10を備える構成とすることで、真空計1への成膜材料の付着を抑制し、真空計1の機能の低下を緩和することができる。 (もっと読む)


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