【課題】重合性モノマーを用いて被処理フィルムを表面処理する際に、ロール電極に付着した重合性モノマーの凝縮物又は重合物等からなる付着物を除去し、上記付着物に起因する歩留まりの低下を防止する。
【解決手段】被処理フィルム９を、フィルム表面処理装置１のロール電極１１の外周面の軸方向の端部分１１ｅより内側かつ周方向の一部分１１ａに巻き付ける。ロール電極１１を軸線回りに回転させながら、重合性モノマーを含有する反応流体を被処理フィルム９に接触させ、かつロール電極１１と対向電極１１との間の放電空間１５において被処理フィルム９にプラズマを照射する。第１洗浄ロール３０を、ロール電極１１の端部分１１ｅと内側の部分１１ｂとに跨るようにして上記フィルム巻付部分１１ａから周方向にずれた部分に接触させる。第１洗浄ロール３０の少なくとも外周部３２を絶縁性にし、かつ外周部３２の最外周部分３４を粘着性材料にて構成する。 （もっと読む）

【課題】真空成膜装置に発生するパーティクルをスパッタリングすることなく、低減するスパッタクリーニング方を提供する。
【解決手段】成膜チャンバ１０１を形成する真空容器と、前記真空容器の内部を真空排気する排気機構１０２と、前記真空容器の内部に成膜材料ターゲットを取り付けたカソードと、前記真空容器にプロセスガス１０３を導入するプロセスガス導入機構と、前記真空容器にクリーニングガス１０４を導入するクリーニングガス導入機構と、前記真空容器の内部に基板を搬送する基板搬送機構１１０を備え、前記カソードの成膜材料ターゲットを放電でスパッタし、前記基板の成膜面側にスパッタ成膜を行うスパッタ成膜装置において、クリーニング基板１１１を基板搬送機構により真空容器の内部に搬入し、前記クリーニング基板の捕捉面の逆側に磁石を配置し、前記磁石の磁力により前記真空容器内の異物をクリーニング基板の捕捉面に付着させる。 （もっと読む）

【課題】真空計への成膜材料の付着を抑制し、真空計の機能の低下を回避することが可能な成膜装置を提供すること。
【解決手段】基板に成膜材料を成膜する成膜装置において、基板が通過する真空環境を形成する真空容器１２３と、真空容器１２３内の真空度を測定する真空計１と、真空計１への付着を抑制する付着抑制手段１０とを備える構成とする。このように、真空計１への成膜材料の付着を抑制する付着抑制手段１０を備える構成とすることで、真空計１への成膜材料の付着を抑制し、真空計１の機能の低下を緩和することができる。 （もっと読む）

【課題】スパッタリングによるターゲットの消耗を抑えつつ、ターゲット表面に付着する付着物の除去を行うことが可能なロータリースパッタリングカソード、およびロータリースパッタリングカソードを備えた成膜装置を提供すること。
【解決手段】ターゲット２１の外表面に付着した付着物を加熱して昇華させて除去する除去手段５１、又は、付着物を機械的に除去する除去手段を備える構成とする。これにより、従前のような付着物除去のためのスパッタリングを不要とする。付着物を加熱して昇華させる除去手段としては、例えばフィラメント５１を用い、付着物を機械的に除去する除去手段としては、例えばブラシ５３を用いることができる。これにより、ターゲットの消耗を抑えつつ、付着物を取り除くことができる。 （もっと読む）

【課題】粉末ターゲットを用いて、酸素の含有率の少ない高品質なシリコン薄膜を高速で成膜することができるスパッタリング方法及び装置を提供することを目的とする。
【解決手段】スパッタ成膜を行う前段階に、ターゲット材料８近傍に設置した高融点金属フィラメント１４を加熱することで、真空チャンバ１内に導入したガスを分解し活性種を生成する。この活性種を用いて、ターゲット材料８表面の酸化膜の還元や真空チャンバ壁及び部材についた堆積膜の除去を行うことで、スパッタ成膜中の酸素量を低減させ、高品質なシリコン薄膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】スパッタリングによって防着板に堆積した堆積物が、膨張、収縮時の応力が加わっても剥離し難くすることで、チャンバ内のパーティクルの拡散を抑制する。
【解決手段】下部防着板１７は、ターゲットに臨む上面側１７ａが、ステージ１３に近接する位置である内周縁１７ｃから、少なくとも上部防着板の下端１６Ｅに重なる位置まで平坦面３１で構成されている。こうした平坦面３１は、例えば、水平面に対する角度θが５°〜２０°の範囲で、内周縁１７ｃからチャンバ１１の内周面（側壁）１１ａに向かって広がる傾斜面であればよい。 （もっと読む）

【課題】物理蒸着中に、凝縮した蒸気を収集するための装置および真空システムを提供する。
【解決手段】物理蒸着中に、凝縮した蒸気を収集するための装置は、真空チャンバ内の１つ以上の蒸気源に隣接して配置されるように構成された筐体を備える。この筐体は、対象物を収容するように構成された空間の体積を部分的に囲む筐体の内面を含み、この筐体は、上記１つ以上の蒸気源よりも低い温度に保たれる。上記筐体の内面は１つ以上の排水溝に結合される。 （もっと読む）

【課題】蒸発源の冷却時間を短縮する。
【解決手段】蒸着準備工程では、蒸着材料３０を収納する坩堝１３、坩堝１３を加熱する加熱部１４、および坩堝１３内で気体化した蒸着材料３０を被処理物に向かって放出するノズル１２、を備える蒸発源１０、および被処理物を真空チャンバ内に配置する。次に、坩堝１３に収納された蒸着材料３０を加熱部１４により加熱して、気体化した蒸着材料ガスを発生させ、被処理物に蒸着膜を形成する。次に、蒸発源１０の外側からノズル１２を介して坩堝１３内にガス２６を供給し、かつ、加熱部１４を停止させて坩堝１３を冷却する。 （もっと読む）

【課題】真空中における薄膜堆積中に、チャンバー内壁堆積物の内部まで確実かつ効率的に酸化処理し、大気解放後の反応を抑制すること。
【解決手段】チャンバー１、真空ポンプ２、巻き出しロール３、搬送ロール４、巻き取りロール５、蒸着ロール６、蒸発源７、電子銃８、シャッター９（閉じた状態）、マスク１０、紫外光源ユニット１１、ガス供給配管１２、基板フィルム１３を含む真空蒸着装置１００において、シャッター９を開いて基板フィルム１３を、巻出しロール３と巻き取りロール５の間を往復させて繰り返し蒸着する途中において、シャッター９を閉じ、ガス供給配管１２から酸素あるいはオゾンガスを供給し、紫外光源ユニット１１から紫外線をマスク１０に照射することによって、マスク１０に付着した堆積物を酸化処理することができる。 （もっと読む）

【課題】従来の成膜装置において、マスクに対するクリーニングは、長時間にわたり行われていた。
【解決手段】成膜室を有し、成膜室は、プラズマを発生させる手段を有し、プラズマを発生させる手段は、成膜室に配置されるマスクを電極として有することができ、マスクに高周波電界を印加して、成膜室に導入されたガスを励起してプラズマを発生することができる。Ａｒ、Ｈ、Ｆ、ＮＦ_３、またはＯから選ばれた一種または複数種を有するガスを用いてプラズマを発生させる。 （もっと読む）

【課題】成膜容器の圧力を測定するための圧力計に耐熱性を要求せず、かつ、設置面積を低減可能な成膜装置を提供する。
【解決手段】成膜容器１１内に保持されている基板に原料ガスを供給することによって、基板に膜を成膜する成膜装置において、成膜容器１１に原料ガスを供給する供給機構と、成膜容器１１からガスを排気する排気機構２５と、成膜容器１１から排気機構２５にガスが流れる排気流路５５の途中に設けられており、原料ガスを含む生成物を析出させることによって、原料ガスを捕捉するトラップ部３０と、成膜容器１１とトラップ部３０との間で排気流路５５に合流するように接続されており、排気流路５５にパージガスを供給するパージガス供給部５０と、パージガス供給部５０から排気流路５５にパージガスが流れるパージガス供給流路５２の途中に設けられた圧力計５１とを有する。 （もっと読む）

【課題】高速動作可能な半導体装置を提供する。また、短チャネル効果による電気特性の変動が生じにくい半導体装置を提供する。
【解決手段】トランジスタの半導体層に結晶性を有する酸化物半導体を用い、該半導体層にチャネル形成領域とソース領域とドレイン領域を形成する。ソース領域及びドレイン領域は、ゲート電極をマスクとして、半導体層に第１５族元素のうち一種類または複数種類の元素を添加する自己整合プロセスにより形成する。ソース領域及びドレイン領域に、ウルツ鉱型の結晶構造を付与することができる。 （もっと読む）

【課題】大気への開放後、すぐにメンテナンスを実施することが可能で、作業時間の短縮化を実現できる、スパッタ装置を提供する。
【解決手段】製膜室内に、基板２を挟んで、基板の一方側に、防着板により少なくともその基板側が被覆されたアノードバー７と、ターゲット３とが、その順に配置され、基板の他方側にヒータが配置されているスパッタ装置における保護カバー９ａであり、基板がアノードバーとヒータとの間に位置して、基板表面に薄膜をスパッタ中には保護カバーは、薄膜が当該保護カバーに薄膜が堆積しないように収納部１０に収納されており、スパッタ終了時には、アノードバーの少なくとも基板側と側面側とを覆うように配置される。 （もっと読む）

【課題】ロール・ツー・ロール方式を用いた成膜装置において、基板上に付着したパーティクルを除去、回収することができる成膜装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 ロール・ツー・ロール方式により長尺基板を搬送する成膜装置において、前記長尺基板の進行方向に位置する第一のローラと、前記長尺基板の進行方向に対して前記第一のローラの次に位置する第二のローラと、パーティクル回収容器と、を有し、前記パーティクル回収容器は、前記第一のローラの鉛直下方に設けたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】成膜に適さない巨大粒子の発生を抑制またはその除去をすることのできる装置を提供する。
【解決手段】粒子生成室１から伸びた搬送管２の第一分岐点に設けられた巨大粒子トラップ１７と、第一分岐点から分岐された搬送管２の第二分岐点に設けられた、成膜室３内の基板８に向かう搬送管２の成膜用バルブ１８Ａ及び成膜室３内の余分粒子トラップ１９に向かう搬送管２の捕集用バルブ１８Ｂとを備え、巨大粒子トラップ１７は、粒子生成室１から搬送管２の第一分岐点を越えて流れてきた巨大粒子を捕集し、成膜用バルブ１８Ａ及び捕集用バルブ１８Ｂは、成膜時にそれぞれ開及び閉とされて第二分岐点に流れてきたナノ粒子を基板８に送り、成膜停止時にそれぞれ閉及び開とされて第二分岐点に流れてきたナノ粒子を余分粒子トラップ１８に送る。 （もっと読む）

【課題】結晶性の高いバッファ層を有する半導体発光素子を形成することができるスパッタ成膜装置、並びに半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】スパッタ成膜装置４０を用いて、スパッタ法により基板１１上に薄膜を成膜する工程を含む、半導体発光素子の製造方法であって、前記スパッタ法で成膜される薄膜の材料からなるコーティング原料粒子又は前記材料の構成元素からなるコーティング原料粒子を未溶融状態で、ガスの流れを用いて前記スパッタ成膜装置４０内の成長室４１ａの内壁に吹き付けて、前記成長室４１ａの内壁に前記コーティング原料粒子からなるコーティング膜１００を形成する工程と、前記コーティング膜１００を形成する工程の後に、前記基板１１上に前記薄膜を成膜する工程、を有することを特徴とする半導体発光素子の製造方法を採用する。 （もっと読む）

【課題】ゲッター作用を有する蒸着材料中の不純物の基板及び堆積膜中への付着を防止すると共に、成膜チャンバー内を短時間で高真空に到達させ、真空排気後短時間で蒸着の成膜速度安定性を実現した蒸着方法、及び蒸着装置を提供する。
【解決手段】少なくとも蒸着源４ａ、４ｂに対向する面を備えたダミー部材７を、成膜チャンバー１の真空排気の過程で該成膜チャンバー１内に搬入し、該ダミー部材７に所定の厚さの蒸着膜を形成した後、実基板２への蒸着を行うことにより、ダミー部材７に堆積する蒸着膜に、蒸着源４ａ、４ｂから放出される不純物や成膜チャンバー１内に残留する水分が取り込まれ、実基板２に堆積する膜に混入する不純物が低減され、実基板２へ蒸着を行う際の圧力に達するまでの時間が短縮される。 （もっと読む）

【課題】成膜室内に保持された基板を三次元方向に移動させる機能を有すると共に、その機能に伴って設けられたベローズの内部に侵入する成膜関与物質の量を低減する成膜装置を提供する。
【解決手段】基板２の表面に対して真空状態下で成膜処理する成膜室１０と、成膜室１０に形成された開口部１０ａを貫通して基板２を保持する基板保持手段２０と、基板保持手段２０を介して基板２を三次元方向に移動させる基板駆動手段３０と、基板保持手段２０の少なくとも一部を収容し、開口部１０ａに一方の端部６０ａを連通させるように設けられたベローズ６０と、基板保持手段２０が摺動可能となるように開口部１０ａを塞ぐ遮蔽手段８０と、遮蔽手段８０を成膜室１０の上部内壁面１０ｄに押し付ける付勢手段９０とを有する成膜装置である。 （もっと読む）

【課題】真空成膜装置で内部応力が大きい薄膜を成膜する際に、成膜工程中に付着する成膜材料の剥離を安定かつ有効に防止し、装置クリーニングや部品の交換などに伴う生産性の低下や成膜コストの増加を抑える。
【解決手段】Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｗ、Ｒｕ、Ｐｄ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ａｇ、ＡｕおよびＩｎから選ばれる金属元素の単体、もしくは前記金属元素を含む合金または化合物の薄膜を成膜する真空成膜装置の構成部品の製造方法であって、部品本体の表面にＣｕの含有比率が６５〜９５質量％の範囲のＣｕ−Ａｌ合金からなるＣｕ−Ａｌ合金膜を形成する工程と、前記Ｃｕ−Ａｌ合金膜に１．３３×１０^−３Ｐａ以下の真空雰囲気中で３００〜８００℃の温度でアニール処理を行う工程とを有する。 （もっと読む）