【課題】連続的に多数の基板を成膜するのに適した基板搬送機構を真空槽内部に備えた下方蒸着装置を提供する。
【解決手段】本発明の蒸着装置は、真空槽、真空槽内で基板を格納位置と成膜位置の間で移動させる搬送機構、及び真空槽内に配置され成膜位置の上方から蒸着材料を蒸発させる蒸発源を備え、搬送機構は、開口部を有し水平方向に延在する中空体からなる水平経路、水平経路内で、格納位置と開口部の直下である方向転換位置との間で基板を移動させる水平搬送手段、及び基板を方向転換位置と成膜位置の間で移動させる昇降可能な基板ステージを備える。 （もっと読む）

【課題】アルカリ金属又はアルカリ土類金属を含む材料の薄膜を成膜する際において、生産性を低下させず且つ安全にメンテナンスを行うことができる成膜装置及び成膜方法を提供する。
【解決手段】処理室と、処理室内を真空にする真空排気手段と、処理室内に設けられ、成膜材料を放出するための手段と、成膜材料を放出するための手段に対向して設けられた基板支持手段と、一方の面が処理室の内壁と対向し、且つ熱伝導性を有する領域であり、他方の面が熱伝導性を有する領域に接して設けられた酸化物を含む領域である、防着板と、を備えている成膜装置である。そして、当該成膜装置を用いた成膜方法である。 （もっと読む）

【課題】分光特性の再現性が良く、さらに帯電抑制を図る。
【解決手段】光学フィルタ１には、透明基板２と、透明基板２上に形成されたフィルタ群３とが備えられている。フィルタ群３は、ＩＡＤ蒸着法により形成された高屈折率材料からなる第１薄膜３１と、ＥＢ蒸着法により形成された低屈折率材料のＳｉＯ₂からなる第２薄膜３２とが交互に複数積層されてなる。 （もっと読む）

【課題】溶融した蒸着材料をリザーバ等に溜めておくことなく下方蒸着を行う蒸着装置を提供する。
【解決手段】蒸着装置は、真空槽１０、真空槽内部に配置され基板１を載置する基板ステージ２４、真空槽内部で前記基板ステージよりも上方に配置され下面３１ａに加熱面を有する抵抗加熱ボード３１、及び真空槽内部に配置され抵抗加熱ボードの下面加熱面に線蒸着材３の先端を接触させる線蒸着材供給部４０を備える。 （もっと読む）

【課題】高速蒸着と、坩堝内の材料に照射された後の反射電子や軌道をそれた電子による成膜部へのダメージを抑制する。
【解決手段】加速した電子を照射し加熱して蒸発させた材料５を、形成した磁場により電子を遮蔽しつつ基板フィルム２の表面に付着させて薄膜を形成する電子ビーム蒸着装置である。前記磁場を、複数の磁石１０によって基板フィルム面に沿って形成させると共に、基板フィルム２を複数に配置した磁石１０の一方側から他方側に向けた移動が可能なように構成する。
【効果】成膜範囲を広くした場合にも各々の磁石の磁場強度を低減でき、磁石と電子ビーム源間の距離を短くできるので、高速蒸着と、坩堝内の材料に照射された後の反射電子や、軌道をそれた電子による成膜部へのダメージ抑制を共に達成することができる。 （もっと読む）

【課題】シャッター部を狭ピッチで並設することのできるシャッター装置を提供すること。
【解決手段】シャッター装置１は、ｘ軸方向に往復移動可能なシャッター部３と、シャッター部３をｘ軸方向へ移動させる駆動部４と、シャッター部３のｘ軸方向への移動を案内するガイド手段７とを有する。シャッター部３は、遮蔽部３１と、遮蔽部３１と駆動部４とを連結する連結部３２とを有する。ガイド手段７は、ｙ軸方向に連結部３２を挟んで設けられた一対の凸部７５１、７５２を有している。遮蔽部３１のｙ軸方向の幅をＬ１とし、連結部３２（第１連結部３２１）のｙ軸方向の幅をＬ２とし、凸部７５１、７５２の離間距離をＬ３とすると、Ｌ１＞Ｌ３＞Ｌ２なる関係を満足する。 （もっと読む）

【課題】静電チャックの基板吸着面にパーティクルが付着することを抑制できるようにした多元スパッタリング装置を提供する。
【解決手段】本発明の多元スパッタリング装置ＳＭは、真空チャンバ１と、この真空チャンバの底部に配置され、上面に基板Ｗを吸着する静電チャック３を有するステージ２と、この真空チャンバの上部に、静電チャックで吸着された基板に対してスパッタ粒子を斜入射させるように配置された少なくとも２個のスパッタリングカソードＣと、各スパッタリングカソードと基板との間を選択的に遮蔽する遮蔽手段４とを備える。静電チャックの上面が露出している場合に、当該静電チャックの上面を選択的に覆う保護板５を更に備える。 （もっと読む）

【課題】蒸着装置及び薄膜製造方法を提供する。
【解決手段】大型基板の場合にも、均一な薄膜を形成し、基板のサイズが変更される場合にも、装備の変更なしに容易に適用するためのものであって、直線動するように備えられた第１蒸着源と、第１蒸着源から離隔され、第１蒸着源と同時及び同一方向に直線動するように備えられた第２蒸着源と、第１蒸着源及び第２蒸着源と被蒸着体との間に位置し、第１蒸着源及び第２蒸着源と同時及び同一方向に直線動するように備えられた補正部材とを含み、補正部材は、第１蒸着源に対応する位置に備えられた第１補正板及び第２蒸着源に対応する位置に備えられた第２補正板を備える蒸着装置である。 （もっと読む）

【課題】金属カルコゲナイド膜の積層体を有する相変化メモリにおいて、読み書き動作の速度を高めることのできる相変化メモリの形成装置、及び相変化メモリの形成方法を提供する。
【解決手段】ＧｅＴｅ膜とＳｂＴｅ膜とを基板上にて交互に積層することによって相変化メモリを形成する際に、処理基板Ｓの温度を２５０℃以上３５０℃以下の所定温度に維持する。加えて、互いに異なる組成を有する二つのターゲットであるＧｅＴｅターゲット２２ａとＳｂ_２Ｔｅ_３ターゲット２２ｂの各々を互いに異なるタイミングでアルゴンガスによりスパッタする。このとき、互いに異なる組成を有した二つ以上の金属カルコゲナイド膜であるＧｅＴｅ膜とＳｂ_２Ｔｅ_３膜とを毎秒３ｎｍ以上１０ｎｍ以下の速度で前記基板上に積層する。 （もっと読む）

【課題】多元系合金からなる接点材料の絶縁破壊電圧特性の組成依存性を短時間で測定する。
【解決手段】接点材料に用いられるＣｕ、Ｃｒ、Ａｇなどの複数の金属系物質を加熱して蒸気化し、それを基板５に蒸着させ、成分が順次変化した薄膜６を形成し、この薄膜６を平板電極として接地し、薄膜６と所定のギャップを持って針電極１１を対向配置し、薄膜６を針電極１１の軸方向と直交する方向に所定間隔で移動させながら、針電極１１と薄膜６間の絶縁破壊電圧を測定する。変化した成分量と絶縁破壊電圧の関係を求める評価方法である。 （もっと読む）

【課題】シャドウマスクを使用することなく高精細な薄膜パターンの蒸着形成を容易にする。
【解決手段】蒸発源２から蒸発した有機ＥＬ材料の蒸着分子２３が有機ＥＬ表示用基板５に到達する前に上記蒸着分子２３を帯電させる段階と、発光層１６を形成する箇所に対応して位置する画素電極１４の基板側の面に電気的に接触させて設けられた抵抗体２１に、帯電された蒸着分子２３の帯電極性とは異なる極性で且つ有機ＥＬ材料を昇華させない程度に制限された温度を発生させ得る電圧を印加して通電する段階と、発光層１６を形成しない箇所に対応して位置する画素電極１４の基板側の面に電気的に接触させて設けられた抵抗体２１に、帯電された蒸着分子２３の帯電極性と同じ極性で且つ有機ＥＬ材料を昇華させるのに十分な温度を発生させ得る電圧を印加して通電する段階と、を行う。 （もっと読む）

【課題】不純物導入層形成装置の静電チャックの性能劣化を抑制する。
【解決手段】静電チャック保護方法は、真空環境で揮発性を有する物質を含む異物の付着を妨げるための保護表面２３を、露出されたチャック面１３に提供することと、チャック面１３に静電吸着された基板Ｗに、真空環境で揮発性を有する物質を含む表層を形成するプロセスを実行するために、保護表面２３を解除することと、を含む。保護表面２３は、チャック面を取りまく真空環境に低真空排気運転を実施しているときに提供されてもよい。 （もっと読む）

【課題】基板の位置をターゲットに正対する位置から基板表面に平行な方向にずらした位置とした斜め入射スパッタ法を用いた従来の結晶軸傾斜膜の製造方法と比較して、製造時間を短縮し、膜厚の均一性を向上させる。
【解決手段】ターゲット１０に正対する位置から基板表面２０に平行な方向にずらした位置に基板２０を配置した斜め入射スパッタ法により、基板表面２０ａ上に結晶軸傾斜膜のシード層２１を形成するシード層形成工程と、形成したシード層２１の表面を平坦化する平坦化工程と、ターゲット１０に正対する位置に基板２０を配置した垂直入射スパッタ法により、平坦化されたシード層２１の表面上に、シード層２１と同じ材料にてエピタキシャル成長させた成長層２３を形成する成長層形成工程とを行う。 （もっと読む）

【課題】温度の急上昇や他の原因によって共振周波数の測定値が急変したときにも正常な膜厚値を求める。
【構成】成膜開始時に、符号Ｌ₁で示すように、共振周波数の測定値が急変したとき、所定の回復時間まで測定値を異常値とし、回復時間後、最小個数の正常な測定値から、時間と共振周波数との間に成立する一次式の“傾きａ”と“ｙ切片ｂ”とを算出し、算出した一次式から、回復時間間に成長した薄膜の膜厚を求め、回復時間後の測定値から求めた膜厚に加算する。異常値が出力されている間の膜厚値が加算されるので、実際より小さい値の膜厚値を出力することが無くなる。正常状態から異常値が得られた場合も、異常値が出力されている間の膜厚は、一次式から求め、正常な測定値から求めた膜厚に加算する。 （もっと読む）

【課題】良好な結晶を安定して成長させることができる分子線結晶成長装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】原料を放出する開口１１ａを有する坩堝１１と、坩堝１１の外周及び開口１１ａの縁を覆う遮蔽部材１８と、遮蔽部材１８を冷却する冷却部材２１と、坩堝１１に対向するように基板を保持する基板保持部材と、が設けられている。遮蔽部材１８には、鉛直上方から坩堝１１を覆う被覆部１９が設けられている。 （もっと読む）

【課題】生産性を高めることができるとともに均一な蒸着膜を形成することができる真空蒸着装置および真空蒸着方法を提供する。
【解決手段】フィルムＦを外周に沿わせて連続的に送る冷却ドラム２１を備え、このフィルムＦの外周側に、有機材料を加熱して蒸発させるとともに放出させて当該フィルムＦに負圧下で蒸着させる蒸発源３１を４基配置した真空蒸着装置１であって、上記蒸発源３１のうち、第１蒸発源３１Ａおよび第２蒸発源３１Ｂは、同一の有機材料を蒸着させるものであり、上記第１蒸発源３１Ａは蒸発させた有機材料の放出量を調整し得るバルブ駆動部３３を有せず、第２蒸発源３１Ｂは当該バルブ駆動部３３を有するものであり、上記第１蒸発源３１Ａおよび第２蒸発源３１Ｂ以外の他の蒸発源３１Ｃ，３１Ｄは、上記バルブ駆動部３３を有するものである。 （もっと読む）

【課題】基板に蒸着される膜の膜厚均一性を向上させることができる成膜装置を提供する。
【解決手段】成膜装置１０は、基板Ｓを収容する処理チャンバ１２と、基板Ｓを保持するステージ１４と、蒸着材料を含むガスＧを基板Ｓに噴き付ける複数のノズル１６ｃを有する蒸着ヘッド１８ｃとを備える。ノズル１６ｃはＹ方向に沿って配列される。成膜装置１０は、ノズル１６ｃに対して相対的に基板ＳがＹ方向と交差するＸ方向に沿って移動するように、蒸着ヘッド１８ｃ及びステージ１４の少なくとも一方を駆動する駆動装置２２と、Ｙ方向に沿った基板Ｓの側面ＳａとＸ方向に沿った基板Ｓの側面Ｓｂとを覆う枠Ｆとを備える。 （もっと読む）

【課題】 表面処理中のパーティクルを計測し、パーティクルの粒度分布、荷電状態を測定し、その発生源を特定することにより、重点的・効率的なメンテナンスが可能な方法及び装置を提供する。
【解決手段】 プラズマ６を用いた真空チャンバ１内に１個以上のパーティクル計測用基材４を配置し、前記パーティクル計測用基材４にプラズマ電位より高い電位、略同一の電位、低い電位のうち少なくとも１つの電圧を前記基材４に個別に印加して所定の表面処理を実施した後前記基材に付着した前記パーティクルの粒度分布を計測し、該計測結果から所定の算出式により前記パーティクルの粒度別帯電状態の分布を算出する。 （もっと読む）

【課題】高温特性がより一層優れた硬質皮膜を提供する。
【解決手段】硬質皮膜は、下記式（１ａ）で示されかつ厚さが１〜８０ｎｍである第１の層と、下記式（２ａ）で示されかつ厚さが１〜８０ｎｍである第２の層とが、交互に複数積層されたものである。
（Ｃｒ_(1-a)Ａｌ_a）（Ｃ_(1-x)Ｎ_x） …（１ａ）
（Ｚｒ_(1-k)Ｈｆ_k）（Ｃ_(1-y)Ｎ_y） …（２ａ）
［式中の添字は、原子比を示す；これら添字は、以下の関係を満足する；
０．２≦ａ≦０．８
０．７≦ｘ≦１
０≦ｋ≦１
０．５≦ｙ≦１ ］ （もっと読む）

【課題】蒸着膜を均一な厚みで成膜しつつ、蒸着材料の使用効率および処理効率を向上させることができる電子ビーム蒸着装置を提供する。
【解決手段】上記電子ビーム蒸着装置１０は、チャンバ１１と、搬送機構１２と、容器１７と、マスク１９と、電子ビーム形成機構１５とを具備する。搬送機構１２は、チャンバの内部で基板Ｓを支持する支持部材１３と、支持部材を第１の方向に搬送する駆動源１４とを有する。容器１７は、蒸着材料Ｍを収容する。マスク１９は、支持部材１３と容器１７との間に配置され、支持部材１３に支持された基板Ｓに対する蒸着材料Ｍの成膜領域を規制する。電子ビーム形成機構１５は、電子銃１６を含み、マスク１９側から容器１７側へ向かう第２の方向より、電子ビームｅが容器１７へ入射するビームラインを形成する。 （もっと読む）