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Fターム[4K029DB01]の内容

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Fターム[4K029DB01]に分類される特許

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【課題】正電荷又は負電荷に帯電した不揮発性分子の分子ビームをパルス化して照射できるようにするとともに、真空室の排気系の負担を軽減する。
【解決手段】大気圧とされた導入チャンバ2と、真空雰囲気とされた真空チャンバ3と、導入チャンバ2内に不揮発性分子を含有する試料溶液を液滴状にして噴霧する液滴生成部4と、導入チャンバ2及び真空チャンバ3の間に設けられ、液滴生成部4から出た液滴を真空チャンバ3内に間欠的に導入するパルスノズル部5と、液滴を帯電させるために、液滴生成部4又はパルスノズル部5に高電圧を印加する高電圧印加部6とを具備する。 (もっと読む)


【課題】スプラッシュの発生を顕著に抑制できる、水を用いて成型した蒸着材料及びその製造方法を提供する。
【解決手段】水を用いて成型した一酸化ケイ素粉末を含有する蒸着材料において、焼成条件を最適化することにより、強熱減量(物質を強熱(600±25℃2時間)したときの質量の減少量)での重量変化率が1%以下である。また、蒸着材料の製造方法において、成型体を焼成する工程での焼成条件が大気雰囲気であり、かつ焼成温度が200℃以上700℃以下とする。 (もっと読む)


本発明は、原料物質を液化させる液化部と、前記液化部と連通されて液化された原料物質を気化させる気化部と、前記気化部と連通されて気化された原料物質を噴射するインジェクターと、を備え、前記液化部は、原料物質が貯蔵されるシリンダー状のルツボと、前記ルツボの一方の側に挿入されて原料物質を排出するピストン部と、前記ルツボを加熱して原料物質を液化させる液化加熱部と、を備える原料供給ユニットと、これを備えた薄膜蒸着装置および薄膜蒸着方法を提供する。
このように、本発明によれば、固体状の原料物質を液化させた後、これらのうち必要な一部だけを気化させて供給することにより、原料物質の大容量化を達成しつつも、これを気化させて供給するための熱量の消耗を極力抑えることができる。
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【課題】成膜の生産性が高く、低い体積抵抗率を有しかつ高湿環境下において体積抵抗率の上昇が抑制されるZnO蒸着膜、及びその成膜方法を提供する。
【解決手段】希土類元素を0.1〜15質量%含むZnO焼結体を蒸着材に用い、反応性プラズマ蒸着法により酸素ガス流量0〜500sccm、成膜速度0.5〜5.0nm/秒で成膜を行い、高耐湿性のZnO膜を成膜する。希土類元素は、Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm又はSmの少なくとも1種であることが好ましい。 (もっと読む)


【課題】コバルト前駆体の使用効率の高い、化学気相成長によるコバルト膜の形成方法を提供すること。
【解決手段】上記方法は、オクタカルボニルジコバルトを含むコバルト前駆体を昇華して基体上に供給し、該基体上で該コバルト前駆体をコバルトに変換して基体表面上にコバルト膜を形成する方法において、コバルト前駆体を炭素数5〜8の脂肪族炭化水素、炭素数5〜8の脂環族炭化水素及び炭素数6〜8の芳香族炭化水素よりなる群から選択される少なくとも一種の溶媒に溶解した溶液を準備し、上記基体上に供給されるコバルト前駆体は上記溶液に由来するコバルト前駆体の昇華物であり、そしてコバルト膜形成後のコバルト前駆体の残存率が12重量%以下であることを特徴とする方法である。 (もっと読む)


【課題】品質に優れ、平坦で厚い化合物半導体を成長させるための方法を提供する。
【解決手段】HVPEを利用し、ナノ構造層を使用して高品質の平坦かつ厚い化合物半導体(15)を異種基板(10)上に成長させる。半導体材料のナノ構造(12)は、分子線エピタキシャル成長(MBE)、化学気相成長(CVD)、有機金属化学気相成長(MOCVD)又はハイドライド気相エピタキシャル成長(HVPE)によって基板(10)上に成長させることができる。化合物半導体の厚膜(15)又はウェハは、HVPEを使用したエピタキシャル横方向成長によってナノ構造(12)上に成長させることができる。 (もっと読む)


【課題】蒸発物の回収部と回収物の収納場所とを切り離して別個のものとすることにより処理効率を向上させ、また、収納容器を十分に大きなものとすることを可能にしてその交換頻度を激減させてその交換の手間を省くことができ、以て、有価金属の加熱蒸発回収作業の簡素化と高効率化を実現し得る、真空蒸発回収方法及び装置を提供する。
【解決手段】有価金属を含む処理品を、還元ガスを用い又は用いることなく真空炉1内において減圧下で加熱蒸発処理して前記有価金属を回収するための装置であって、前記真空炉1に付設され、前記処理により発生する蒸発金属を付着堆積させて前記有価金属を回収する回収筒2と、回収部2において回収され、加熱されてそこから剥落される回収金属を収納する収納容器4とが分離されて設置される。回収筒2は、真空炉1の下面に下向きに設けられる、ヒータ層5、6を備え、収納容器4は回収筒2の下方に搬入される。 (もっと読む)


【課題】レーザ蒸着装置に用いる酸化物ターゲットにおいて、高レーザー出力および高温雰囲気によるターゲットの割れの伸展を防いで、安定した成膜を長時間行うことができるレーザー蒸着用酸化物ターゲットの提供。
【解決手段】ターゲットにレーザー光を照射してターゲット表面から酸化物の微粒子を発生させ、該微粒子を基材表面に堆積させ、基材表面に酸化物膜を成膜するレーザ蒸着装置に用いる酸化物ターゲットにおいて、希土類酸化物粉末、炭酸バリウム粉末及び酸化銅粉末を一定比率で混合し、この混合粉末を圧粉成型し、さらに部分溶融成型して得られたターゲット本体に銀網が埋設されたことを特徴とするレーザー蒸着用酸化物超電導ターゲット。 (もっと読む)


【課題】1回の工程で2種以上の蒸着材料を対象物に蒸着させることができ、蒸着対象物側と表面側とで蒸着材料の濃度の傾斜特性を有する蒸着膜を形成することができる蒸発源の形成方法、光学部材の製造方法及び光学部材を提供する。
【解決手段】異なる2種以上の蒸着材料を積層してなる蒸発源の一方の側から加熱し、対象物に蒸着させ蒸着膜を形成する蒸着膜の形成方法、前記対象物が光学部材であり、該光学部材上に前記方法により蒸着膜を形成する光学部材の製造方法、この方法によって製造されてなる光学部材である。 (もっと読む)


イオン液体を真空に暴露後に、真空中または保護雰囲気中でイオン液体から基板上に物質を電着または無電解沈着するための方法並びに生成される物質。本発明に従うと、イオン液体を真空に暴露後に、真空中または保護雰囲気中で、望ましくない成分を含まない緻密な層を生成することができる。 (もっと読む)


本発明の多目的容器は外部容器と、内部充填材と、メッシュ及びワッシャーとを備える。外部容器はステンレススチール、鉄、銅、モリブデン、タングステン又はチタンなどの金属材料からなる。内部充填材は炭素繊維フェルト、炭素繊維又は金属フェルトなどからなる。メッシュ及びワッシャーは、ステンレススチール、鉄、銅、モリブデン、タングステン又はチタンなどの金属材料からなり、内部充填材上に配置される。これらの構成要素は安定した一体型の構造物として組み立てられるか又は溶接される。多目的容器に含浸又は充填された様々な機能を有する各種の蒸着物質は、真空蒸着装置内で電子ビーム加熱方法又は抵抗加熱方法によって超薄膜として均一に蒸着されうる。蒸着物質は粉末及び粒子のような固体状、様々な粘性を有する液体状、及びスラリーのような半固体状のうちのいずれかの状態を有する有機系及び/又は無機系化合物からなる。
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【課題】保護膜層を蒸着させる装置及び該装置を利用した蒸着方法を提供する。
【解決手段】基板投入口から基板が装入され基板がキャリアに装着される空間を提供するアンチ・ハイドレーション・モジュールと、アンチ・ハイドレーション・モジュールと連結され真空を維持するロードロック・チャンバと、ロードロック・チャンバと連結されキャリアに装着された基板が移送される複数の真空チャンバと、真空チャンバ内に設けられた蒸着室と、蒸着室内に設けられ基板上に保護膜層の元素材を蒸着させるターゲット部と、アンチ・ハイドレーション・モジュールとロードロック・チャンバと真空チャンバと蒸着室とに連続的に設けられキャリア上に装着された基板を移送させる移送部と、アンチ・ハイドレーション・モジュールとロードロック・チャンバと真空チャンバと蒸着室との境界部に設けられ各空間を選択的に開閉させるゲート弁と、を備えることで保護膜層を蒸着させる。 (もっと読む)


【課題】周期表第2A族に属する元素の酸化物からなるPDP用蒸着材の耐湿性を改善し、電子ビーム蒸着法を使用して基板上に保護膜を成膜するためのターゲット材として使用する焼結体であって、得られた保護膜の密度及び耐スパッタ性を低下させることなく、優れた膜特性、例えば、PDP用保護膜として使用した場合の放電特性などを向上させることが可能な焼結体及びその製造方法、並びにこの焼結体をターゲット材として得られたPDP用保護膜を提供することである。
【解決手段】周期表第2A族に属する元素の酸化物からなる相対密度が90%以上の焼結体で、平均粒子径が100μm以上であるPDP保護膜用蒸着材であり、また、それらの酸化物単体および、それらの2つ以上の組合せによる混合物あるいは固溶体からなるPDP保護膜用蒸着材で、更に、有機シリケートで表面処理したことを特徴とするPDP保護膜用蒸着材である。 (もっと読む)


【課題】大電流放電を行ってアークを安定して蒸発面上所定のエリアに閉じ込め制御可能とする真空アーク蒸発源を提供する。
【解決手段】 柱状蒸発物質の蒸発面を含む領域に磁界を形成して放電する真空アーク蒸発源であって、柱状蒸発物質の蒸発面における柱状蒸発物質の軸方向に伸びる略長円状の放電電圧の低い放電領域にアークスポットを閉じ込めるように、磁力線の角度を設定する磁場発生源と、200A以上のアーク電流値を設定するアーク電源とを備えている。 (もっと読む)


【課題】長期間一定条件でターゲットを蒸散可能にすること。
【解決手段】蒸散室(3)内に設定された蒸散領域(3a)に、被膜原料が含まれる被膜原料溶液により構成された液体ターゲット(T)を供給する液体ターゲット供給装置(6)と、前記蒸散領域(3a)に前記被膜原料を蒸散させるレーザー光(L)を照射するレーザー光源装置(9)と、前記被膜原料を組成に含む被膜が形成される基板(12)を前記蒸散領域(3a)の近傍に支持する基板支持部材(11b)と、を備えたことを特徴とする被膜生成装置(1)。 (もっと読む)


【課題】超合金基体と基体用の保護コーティングとの間に配置される拡散障壁層を提供すること。
【解決手段】例示的な実施形態において、拡散障壁コーティングは、レニウムおよびルテニウムを含む固溶体合金であって、ルテニウムが組成物の約50原子%以下を構成し、レニウムおよびルテニウムの総量が70原子%超である固溶体合金、Ru(TaAl)およびRuTaAlの少なくとも1つを含む金属間化合物であって、Ru(TaAl)がB2構造を有し、RuTaAlがホイスラー構造を有する金属間化合物、ならびに金属マトリックス内に分散した酸化物であって、マトリックスの約50体積パーセント超が該酸化物から構成される酸化物からなる群から選択される組成物を含む。 (もっと読む)


【課題】 高い撥水撥油性を有する均一な膜を形成するための表面処理方法を提供する。
【解決手段】 炭素数1〜5のフルオロアルキル基または分子量3000以下のパーフルオロポリエーテル基を有するフッ素化合物を含んでなる表面処理剤を気相中で基板表面に堆積することを特徴とする、表面処理された撥水撥油性基板の製造方法。 (もっと読む)


【課題】 硫化アルミニウムを含有する硫化物成膜材料を保管する際に、水分による表面の酸化を防ぎ、保管後の良好な成膜が可能な保管方法を提供する。
【解決手段】 硫化アルミニウムを含有する硫化物成膜材料を、フッ素系液体中に保存する。フッ素系液体は0〜40℃で液体であり、且つ沸点が75℃以上160℃以下であることが好ましい。好ましいフッ素系液体としては、パーフルオロコンパウンド又はハイドロフルオロエーテルを用いることができる。 (もっと読む)


【課題】 歩留まり良く製造し、広い温度範囲にわたって良好な放電応答性が得られ、更にパネル輝度の低下なしに大幅なアドレスIC数を削減する。
【解決手段】 PDP保護膜22の成膜用MgO蒸着材はMgO純度98%以上かつ相対密度90%以上のMgOのペレットからなる。ペレットは希土類元素としてSc元素のみを含む。Sc元素の濃度は5〜5000ppm、好ましくは10〜3000ppm、更に好ましくは20〜2000ppmである。 (もっと読む)


【課題】 低い温度で成膜が可能なので、高温の熱源を必要とせず、形成される薄膜の機械的、電気的特性を向上させることができる薄膜形成方法及び有機電界発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明による薄膜形成方法は、蒸着物質と添加物質とを混合した成膜物質を蒸着させて薄膜を形成する段階を含み、前記添加物質は、前記蒸着物質と共融点を有する物質を使用する。これにより、従来、蒸着物質だけを使用して成膜する場合より、さらに低い温度で成膜が可能である。 (もっと読む)


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