【課題】内燃機関用中実ピストンピンにおいて、表面処理に際して、１本ずつ治具に挟んで処理で、１バッチに処理可能な本数が少なく、能率が低かった。そこで、複数個の中実ピストンピンに、同時に表面処理を施す手段を提供する。
【解決手段】ピストンピン１の中心部を中実に形成するとともに、両端面に間隔保持用治具３が係合する凹部２を形成した。間隔保持用治具３は、上下に円錐を重ねた形状、即ちそろばん玉形状、を呈している。ピストンピン１の凹部２は円柱状の穴よりなり、端部に間隔保持用治具３と係合する円錐状の面取り部が形成されている。ピストンピン１と間隔保持用治具３とを交互に表面処理用治具４に装着して表面処理を行う。 （もっと読む）

【課題】結晶粒が大きく移動度の高い均一な特性のトランジスタを作製できる半導体製造装置を提供すること。
【解決手段】真空チャンバ内において試料基板上に半導体を蒸着することにより半導体素子を形成する半導体製造装置において、試料基板表面に蒸着源から供給される半導体を遮蔽するマスクを、半導体素子の設計時に設定された電流が流れる向きとなるようにマスクを移動させ、蒸着源から半導体を供給する蒸着速度をv_ｅとし、マスク移動機構を用いてマスクを移動させる速度をv_ｍとし、半導体の単分子膜厚をt₀とし、試料基板表面の結晶成長核の密度をd_ｎとしたとき、v_ｅ /v_ｍ > t_０ d_ｎ^1/2を満たすように、少なくともマスク移動速度を制御する制御装置を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】なるべくスプラッシュを発生させず、蒸発源に安定して供給できるシリコン材料を提供する。
【解決手段】薄膜を製造する際の蒸発源にシリコンを供給するために用いられる、棒状のシリコン材料であって、長軸方向に垂直な断面における中心から外周部に向かって、長さ９０％の位置に存在する、それぞれ粒界で囲まれた複数の第一領域と、前記中心から前記外周部に向かって長さ５０％の位置に存在する、それぞれ粒界で囲まれた複数の第二領域と、を含み、前記第一領域は長径の面積加重平均値が２００μｍ以下であり、かつ前記第二領域は、長径の面積加重平均値が１０００μｍ以上である、棒状のシリコン材料。 （もっと読む）

【課題】正負極層間に短絡を生じさせたり、サイクル特性を低下させたりすることがなく、固体電解質電池の歩留まりを低下させない固体電解質膜の製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に集電体、正極活物質、固体電解質、負極活物質、集電体の各膜が積層された固体電解質電池における固体電解質膜の製造方法であって、密度１．５〜２．０ｇ／ｃｍ^３の蒸発源を用いて、正極活物質表面に、抵抗加熱蒸着法により、０．０１〜１．０μｍ／分の成膜レートで成膜する。得られた固体電解質膜は、スプラッシュ数が１０〜３００個／□３００μｍである。 （もっと読む）

【課題】アーク放電を連続して行った際の、着火不良を大幅に向上できる成膜方法、成膜装置、及び半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】
第１の電極１４をカソード１２の所定位置に接触させ、前記カソード１２とアノード１３との間にアーク放電が発生したかどうかを検出する。前記検出結果に応じて、第２の電極１５を前記所定位置とは異なる位置に接触させ、前記アーク放電を発生させてプラズマを生成し、前記プラズマに含まれる導電材料を、基板５１の上方に堆積させる。成膜時の電極の着火確率を大幅に向上させることができ、ひいては、半導体装置の製造効率や製造歩留まりの改善を図ることができる。 （もっと読む）

【課題】光電変換素子の構成膜等の成膜に好ましく適用でき、複数のライン状パターンを有するパターン膜を直接パターン成膜することが可能な成膜方法を提供する。
【解決手段】ライン状パターンの幅に合わせた間隔で配列された複数のワイヤを有するマスクＭを用いて、物理気相成長（ＰＶＤ）法によりパターン成膜を行う。若しくは、１本のワイヤが折り曲げられて形成され、ライン状パターンの幅に合わせた間隔で配列された複数のワイヤ部を有するマスクを用いて、ＰＶＤ法によりパターン成膜を行う。 （もっと読む）

【課題】 非晶質炭素被覆部材において、基材をArイオンでエッチングした後に非晶質炭素膜を基材上に被覆する方法ではエッチング効果が低く、中間層を基材と非晶質炭素膜の間に形成する方法でも、機械部品や、切削工具、金型に対して実用可能な密着性が得られないという問題を有していた。
【解決手段】 基材に負のバイアス電圧を印加することにより、基材表面に周期律表第IIIa、IVa、Va、VIa、IIIb、IVb族元素から選択される１種以上の元素イオン、あるいは、該元素イオンとKr、Xe、CH₄、C₂H₂、C₂H₄、C₆H₆、CF₄から選択される１種以上のガスを少なくとも含む雰囲気ガスによるガスイオンを複数組み合わせて照射した後、基材上に非晶質炭素膜を被覆する。 （もっと読む）

【課題】基板の表面状態の影響を低減して微細構造を所定の位置に形成でき、かつ基板に効率よく高周波を伝送できる微細構造物の蒸着装置及び方法を提供する。
【解決手段】圧電体１１の表面に間隔を隔てて位置する少なくとも１対の電極１２，１３を有する表面弾性波素子１０と、表面弾性波素子の表面に２以上の物質Ａ，Ｂを真空蒸着可能な真空蒸着装置２０と、表面弾性波素子の電極間に高周波電圧を印加する高周波印加装置３０とを備え、前記高周波電圧の印加により表面弾性波素子の表面に表面弾性波の定在波を発生させた状態で、複数の薄膜層を構成し、定在波の特定位置に微細構造物を蒸着する。 （もっと読む）

【課題】真空中、長尺基板上に薄膜を形成する薄膜形成法において、長時間安定して、薄膜形成の可能なように、棒状の供給材料を先端より順次溶解して供給する安定した材料供給を提供する。
【解決手段】薄膜を形成するための棒状材料３２を薄膜形成源上方まで搬送し、前記薄膜形成源の上方で溶解し、溶解した液滴１４を薄膜形成源に滴下するにあたり、棒状材料３２として、棒の軸方向に垂直な断面において材料強度に異方性があるシリコン材料を用いる。 （もっと読む）

【課題】複数のノズルに供給される複数の坩堝から蒸発した材料の量を正確に制御する堆積供給源を提供する。
【解決手段】堆積供給源１００であって、ａ）堆積材料を収容する複数の坩堝１０２と、ｂ）複数のコンダクタンスチャネルを備える本体１１２と、ｃ）坩堝とコンダクタンスチャネルと熱的な連通をするように配置されたヒータと、ｄ）複数の坩堝のうちの少なくとも１つに、部分的な熱分離を提供する熱シールドと、ｅ）複数のノズルからなり、該ノズルの各々の入力は該複数のコンダクタンスチャネルの出力に連結され、蒸発した堆積材料は、該複数の坩堝から、該コンダクタンスチャネルを通って該ノズルまで移送され、該蒸発した堆積材料は該ノズルから排出され堆積フラックスを形成する。 （もっと読む）

【課題】良好な特性の多結晶シリコン膜を短時間に形成できる多結晶シリコン膜の形成方法、形成装置及びそれにより形成された多結晶シリコン膜が形成された基板を提供する。
【解決手段】シリコン蒸発源１５の加熱によりシリコン微粒子を生成し、次に、シリコン微粒子を移送し、超音速フリージェットＪの気流に乗せて真空チャンバー３０中に噴出して、真空チャンバー３０中に配置された基板３３上に物理蒸着させ、シリコン微粒子からなる多結晶シリコン膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】大幅な低フリクション化を図ることができるのはもちろんのこと、量産化が可能となるとともに、製造コストを低減することができる摺動部材およびその製造方法を提供する。
【解決手段】部材１，２間への高面圧の印加によって、局所的固体接触が摺動界面で起こり、摺動部材の摺動面で微視的摩耗が生じる。摺動部材１の潤滑膜１１には、炭素系分子１２が、単体あるいはその単体の集合体として含有されている。炭素系分子１２が、上記微視的摩耗によって、潤滑膜１１から露出し、その一部がそこから遊離し、摺動界面に供給される。そのような炭素系分子１２は、転動可能な中空構造を有するから、摺動界面で分子レベルのボールベアリングとして作用する。この場合、炭素系分子が少なくとも一つ存在すると、存在しない場合と比較して、局所的フリクションを低減することができる。 （もっと読む）

【課題】ルツボの有機材料への水分の混入を抑えるとともに、成膜時の成膜レートや圧力等の安定性を向上させる。
【解決手段】成膜室２の前段に設けられた材料前処理室１において、ルツボ４にて昇華精製された有機材料を前処理ヒーター６によって加熱し、水分量を低減した環境で溶融して固化させる。この材料前処理工程で、ルツボ４の有機材料から水分を除去するとともに、有機材料の材料充填率を高めて、成膜室２における成膜の安定性を向上させる。 （もっと読む）

本発明のシリコーン薄膜の製造方法は、基板を提供する段階と；前記基板上にシリコーンソースを供給する段階と；前記シリコーンソースを供給してシリコーン薄膜を形成するとともに、電子ビームとイオンビームを照射したり、シリコーンソースを供給してシリコーン薄膜を形成した後後処理として前記基板上に電子ビームとイオンビームを照射する段階とを含む。本発明によって、前記供給されたシリコーンソースによって前記基板上にシリコーン薄膜が蒸着されながら前記照射された電子ビームが前記蒸着中のシリコーン薄膜にエネルギーを供給してこのシリコーン薄膜を蒸着工程中に（ｉｎ−ｓｉｔｕ）結晶化させたり、非晶質シリコーン薄膜が形成された後後処理として電子ビームとイオンビームを照射することによって結晶化させることができる。また、電子ビームを照射するとともに、イオンビームをともに照射することによって、基板表面に蓄積される電子ビームの電荷がイオンビームの電荷によって中和されるようにして、電子ビームの電荷が基板表面に蓄積されて不必要な表面電流を形成することを防止し、效率的に非晶質シリコーン薄膜を結晶化させることができる。
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作動波長域を軟Ｘ線領域又は極紫外線領域とする、特にＥＵＶリソグラフィにおいての使用のための応力軽減型反射光学素子を製造するために、基材と作動波長域においての高反射率のために最適化された多層系との間に応力軽減型多層系を４０ｅＶ以上の、好適には９０ｅＶ以上の、エネルギーを有する層形成粒子によって蒸着することが提案される。得られる反射光学素子はその低い界面粗さ、応力軽減型多層系における周期数の少なさ及び応力軽減型多層系におけるΓ値の高さにより特徴付けられる。
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【課題】蒸発源から蒸発させた蒸着粒子の流れを乱すことなく、効率よくガスを供給し、連続斜め蒸着可能な蒸着装置を提供する。
【解決手段】チャンバーの外部からガスを供給するノズル部３１ａ１，３１ａ２，３１ｂ１，３１ｂ２を、基板の表面に垂直で、かつ、基板を搬送する方向に平行な面に配置し、基板が第１および第２の蒸着領域６０ａ，６０ｂを通過する間に、蒸着方向の異なる２段の蒸着工程を連続して行い、量産性に優れたプロセスで、成長方向の異なる複数の層からなる蒸着膜を製造する。 （もっと読む）

【課題】カーボンナノチューブネットワークとインジウムスズ酸化物との複合体を含み得る透明導電性フィルム及びその製造方法を提供する。
【解決手段】カーボンナノチューブネットワークとインジウムスズ酸化物との複合体は、カーボンナノチューブネットワーク層と、カーボンナノチューブネットワーク層上に配置されたインジウムスズ酸化物層とを含み得る。透明導電性フィルムの製造方法は、透明基板を提供する工程、金属タイプカーボンナノチューブ溶液を透明基板上に配置する工程、金属性カーボンナノチューブネットワーク層を金属性カーボンナノチューブ溶液から形成する工程、およびインジウムスズ酸化物層を金属性カーボンナノチューブネットワーク層上全体に配置する工程を含み得る。 （もっと読む）

【課題】合金膜を容易に形成することができる同軸型真空アーク蒸着源及びこれを備えた真空蒸着装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る同軸型真空アーク蒸着源８は、円筒状の絶縁碍子１４と、絶縁碍子１４の内周部に配置され、２種以上の金属箔８２（８２ａ，８２ｂ）が重ねて巻回されてなる蒸着材料８０と、絶縁碍子１４の外周部に配置されたトリガ電極１３と、トリガ電極１３の周囲に配置された筒状のアノード電極２３とを具備する。これにより、２種以上の金属の合金インゴットの作製が不要となる。また、合金化が困難な材料の合金膜の形成が可能となる。さらに、３種以上の金属箔を用いることで、３元系以上の合金膜をも容易に形成することが可能となる。 （もっと読む）

本発明は、基板と、対応する電極構造物とを有する電子音響部品（１）、特に、表面音波またはバルク音波で動作する部品に誘電体層（３）を形成する製造方法に関し、多重部品システムとしてのホウケイ酸ガラスなどの蒸着ガラス材料や、二酸化ケイ素、窒化ケイ素、酸化アルミニウムなどの単部品システムからなる、蒸着材料のグループから選ばれる少なくとも一つの蒸着材料が、熱蒸着により析出するので、上記誘電体層（３）が、少なくとも部分的に形成される。本発明は、さらに、電子音響部品に関する。
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