【課題】 被覆材料の状態をより正確に検出して制御することで、安定した成膜を行うことができる成膜制御方法、成膜制御装置、この制御装置を具える成膜装置を提供する。
【解決手段】 本発明成膜制御装置は、窓部105を有する成膜装置100内で被覆材料を蒸発させて成膜対象200に薄膜を形成する際、窓部105を透過してきた被覆材料からの光を検出し、この検出光に基づいて蒸発量を調整する。窓部105に付着した被覆材料により窓部105の透過率が低下し、検出光が減衰した分を補償するべく、本発明制御装置は、成膜装置100の外部に配される光源20から出射されて窓部105を透過していない基準光の強度と、窓部105を透過した透過光の強度とを第一・第二測定部21,22によりそれぞれ測定し、これら強度を比較して窓部105の透過率を求め、この透過率に基づいて補正部により検出光を補正する。 （もっと読む）

【課題】スプラッシュが発生しても、長尺帯状基材に付着するのを防止でき、かつ、長尺帯状基材に蒸着されていない部分の発生をできるだけ少なくすることができる真空蒸着装置を提供する。
【解決手段】長尺帯状基材を連続走行させる基材搬送装置3と、ルツボ4内の蒸発材料を加熱する加熱装置51,52と、蒸発材料をルツボ4に供給する蒸発材料供給装置7と、開閉シャッター6と、溶湯量検知装置81と、温度検知装置82と、制御手段9とを備える。開閉シャッター6は、長尺帯状基材とルツボ4との間に進退可能に配置され、進出位置においてルツボ4と長尺帯状基材との間を遮断して蒸発材料が長尺帯状基材に付着するのを阻止する。蒸発材料をルツボ4に供給する際には、長尺帯状基材の走行を停止し、かつ、長尺帯状基材とルツボ4との間を、開閉シャッター6で遮断する。成膜工程時は、蒸発材料のルツボ4への供給は行わない。 （もっと読む）

【課題】 大気中及び真空中の両方で十分な摩擦特性を発現し得る摺動材を提供する。
【解決手段】 基材１００上に設けられる摺動材１１０であって、フッ素含有ダイヤモンド・ライク・カーボン（Ｆ−ＤＬＣ）からなる第一の層１１１と、第一の層１１１上に設けられてフッ素含有ポリマー・ライク・カーボン（Ｆ−ＰＬＣ）からなる第二の層１１２とを備えると共に、第一の層１１１と基材１００との間に位置するように当該基材１００上に設けられてフッ素を含有しないダイヤモンド・ライク・カーボン（ＤＬＣ）からなる基礎層１１３を備えている。 （もっと読む）

本発明は、物理的蒸着を利用して基材を被覆する装置であって、コイル中で変動電流を用いて、ある量の導電性材料（１０）を空中浮揚状態に維持し、かつ該材料を加熱および蒸発させるためのコイル（１）が配置された真空チャンバを備えてなり、該コイルを空中浮揚された材料から隔離するための手段（３）が該コイル中に配置されている、装置に関する。本発明によれば、該装置は、該隔離手段が、非導電性材料製の容器（２）の一部であり、該容器が、蒸発した導電性材料を被覆されるべき該基材に導くための一個以上の開口部（５）を有することを特徴とする。本発明は、物理的蒸着を利用して基材を被覆する方法にも関する。
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【課題】 中性粒子ビームのビーム径を広げ、基板上のより広い面積に粒子の堆積を行う
。
【解決手段】 中性粒子生成源として不活性ガスを満たしたクラスター生成容器５内で、
間欠的なレーザビームを材料の固体ターゲットに照射し、発生した材料蒸気の分子又は原
子同士の結合によりクラスター群を形成せしめ、形成されたクラスター群を、該クラスタ
ー生成容器５の容器窓７から中性粒子ビームとして流出せしめ、該中性粒子ビームの途中
において該中性粒子に対してビーム中央から外周に向かう力を作用させるガイド１１ａお
よびガス噴射口１２ａを設け、中性粒子の流れを変化させる。 （もっと読む）

【課題】ナノ粒子の積層構造及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板と、基板上に形成されたナノ粒子と、を備え、ナノ粒子は、シリサイドを含むことを特徴とするナノ粒子の積層構造である。また、要求される大きさのナノ粒子が形成されるように、その大きさに対応する厚さにシリコンソース層を形成するステップと、所定金属とシリコンからなるナノ粒子を形成するステップと、ナノ粒子をシリコンソース層に蒸着させるステップと、ナノ粒子を成長させてシリサイドを形成するステップと、を含むナノ粒子の製造方法である。これにより、シリコンソース層の厚さを調節してナノ粒子のサイズを調節するので、要求されるサイズのナノ粒子を容易に得られる。 （もっと読む）

分子線エピタキシャル成長法によりＩＩＩ−Ｖ族系化合物半導体のヘテロ接合を有する半導体薄膜を形成するエピタキシャル成長方法であって、少なくとも一種類以上のＩＩＩ族元素の分子線と第１のＶ族元素の分子線とを照射して第１の化合物半導体層を形成する第１の工程と、前記ＩＩＩ族元素の分子線と前記第１のＶ族元素の分子線の照射を停止し、前記第１のＶ族元素の供給量が前記第１の工程における供給量の１／１０以下となるまで成長を中断する第２の工程と、少なくとも一種類以上のＩＩＩ族元素の分子線と第２のＶ族元素の分子線とを照射して前記第１の化合物半導体層上に前記第１の化合物半導体とは異なる第２の化合物半導体層を形成する第３の工程と、を備えるようにした。
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【課題】 歩留まり良く製造し、広い温度範囲にわたって良好な放電応答性が得られ、更にパネル輝度の低下なしに大幅なアドレスＩＣ数を削減する。
【解決手段】 ＰＤＰ保護膜２２の成膜用ＭｇＯ蒸着材はＭｇＯ純度９８％以上かつ相対密度９０％以上のＭｇＯのペレットからなる。ペレットは希土類元素としてＳｃ元素のみを含む。Ｓｃ元素の濃度は５〜５０００ｐｐｍ、好ましくは１０〜３０００ｐｐｍ、更に好ましくは２０〜２０００ｐｐｍである。 （もっと読む）

【課題】 低い温度で成膜が可能なので、高温の熱源を必要とせず、形成される薄膜の機械的、電気的特性を向上させることができる薄膜形成方法及び有機電界発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明による薄膜形成方法は、蒸着物質と添加物質とを混合した成膜物質を蒸着させて薄膜を形成する段階を含み、前記添加物質は、前記蒸着物質と共融点を有する物質を使用する。これにより、従来、蒸着物質だけを使用して成膜する場合より、さらに低い温度で成膜が可能である。 （もっと読む）

【課題】耐摩耗性、潤滑特性に優れ、更に硬質皮膜内の残留圧縮応力が低減させて硬質皮膜の厚膜化を可能にし、過酷な摺動環境下においても部材の摩耗、焼き付き、相手材の攻撃性を低減させることのできる硬質皮膜被覆部材を提供する。
【解決手段】硬質皮膜の少なくとも１層は（Ｃｒ_{（１００−α）}Ｓｉ_α）（Ｎ_{（１００−γ−η）}Ｂ_γＧ_η）で示され、０．５≦α≦２０、０＜γ＜４５、０≦η≦５５を満たし、ＧはＣ、Ｏ、Ｓから選択される少なくとも１種以上を有し、岩塩構造型の（２００）面にＸ線回折ピーク強度を有し、半価幅が０．５度以上、２．０度以下であり、少なくともＳｉ及び／又はＢの窒化物相、酸化物相、金属相から選択される少なくとも１種以上を有し、該硬質皮膜はＳｉ含有量の濃度変調を有し、該硬質皮膜の膜厚は１μｍ以上、６０μｍ未満であることを特徴とする硬質皮膜被覆摺動部材である。 （もっと読む）

【課題】高容量で、かつハイレート充放電特性とサイクル特性に優れたリチウムイオン二次電池用負極およびその負極を用いたリチウムイオン二次電池を提供する。
【解決手段】集電体２と、前記集電体上に担持された活物質層１を含み、活物質層が、その厚さ方向に交互に積層された第１層１ａと第２層１ｂを含み、第１層がシリコンまたはシリコンと少量の酸素とを含み、第２層がシリコンと第１層よりも多量の酸素を含むリチウムイオン二次電池用負極およびその負極を用いたリチウムイオン二次電池。 （もっと読む）

【課題】気化中に固体材料又は液体材料が凝固、液化して詰まってしまうという問題を起こすことなく、所定の方向にスムーズに導出できる気化器を提供する。
【解決手段】気化部１０７にフラーレン１０１を収納する。気化部１０７の上部には、高温保持室２０３と導出口１０６から成る導出部を設ける。導出部の壁１０４は、気化部１０７の壁１０２よりも熱伝導度の高い材料で作る。気化部１０７の外周に巻かれた第一ヒーター１０３に通電して、気化部１０７の温度を400〜600℃に上げる。また導出部の高温保持室２０３の外周に巻かれた第二ヒーター１０５にも通電して、高温保持室２０３の温度を600〜800℃に上げる。高温保持室２０３の温度は導出部の壁全体に均一に拡がり、気化したフラーレンガスが凝固、液化して導出口１０６の内側を詰めたり、希望する方向に導出しなくなったりするという問題を起こさずに、スムーズに導出される。 （もっと読む）

【課題】 高温においても劣化し難く所望の耐摩耗性を維持、発揮し得る耐摩耗性膜で被覆された耐摩耗性膜被覆物品を提供する。
【解決手段】窒素、酸素、炭素及びホウ素のうち少なくとも窒素及び酸素を含むクロムアルミニゥムの化合物の層を最上層として含む耐摩耗性膜Ｆで被覆されており、該耐摩耗性膜Ｆの室温でのマイクロビッカース硬度が２０００以上である耐摩耗性膜被覆物品（例えばエンドミルＥＭ）。 （もっと読む）

【課題】 メンテナンス作業を短時間で容易に行うことができる成膜装置及び蒸着装置を提供する。
【解決手段】 本発明に係る成膜装置は、チャンバー上部１ａとチャンバー下部１ｂを有する外部チャンバー１と、前記外部チャンバー１内に配置され、前記チャンバー下部１ｂに取り付けられた内部チャンバー６と、前記内部チャンバー６内に配置され、被成膜基板１６が保持される基板保持部４ａと、具備し、前記チャンバー上部１ａと前記チャンバー下部１ｂは分離自在に形成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】酸化アルミニウム層と１，３，５−トリアジン誘導体蒸着層の密着性を改善し、優れたガスバリア性フィルムを提供することにある。
【解決手段】プラスチック材料からなる基材１の少なくとも一方の面に、酸化アルミニウムと１，３，５−トリアジン誘導体の共蒸着層を厚さ５０〜３０００ｎｍで、好ましくは前記共蒸着層が、基材１に近い側からＡｌＯｘ層２／ＡｌＯｘ−１，３，５−トリアジン誘導体混合層３／１，３，５−トリアジン誘導体層４となる傾斜構造を持つこと特徴とする。 （もっと読む）

分配可能なアルカリ金属量を増大し、期間内に一定の金属蒸気を放出する特性を用いて使用できるアルカリ金属分配システム（１０）であって、１以上の第一開口部（１３）を備えた金属容器（１１）を含む金属分配装置を含み、また、好ましくはルースパウダーの形態または該パウダーのペレットの形態を有する１以上のアルカリ金属化合物と１以上の還元性化合物との混合物（１５）を含む。さらに、該システムは、前記第一開口部に面する１以上の第二開口部（１４）を備えた、前記容器を実質的に包囲する金属シールド（１２）を含む。
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【課題】 高品質で均質な膜を得ることができる炭素被膜の製造方法およびその装置を提供すること。
【解決手段】 蒸着源７としてバルク状のカーボンを用意し、このバルク状のカーボンに電子ビームを照射する。これによって、前記カーボンを蒸発させ、これら蒸発したカーボンをワークに被着させることにより前記ワークの成膜を行うことを特徴とする。このときの蒸着源７は、バルク状に形成されているため、電子ビームが照射される領域の表面積が小さくなる。そのため、カーボン表面において、電子ビームを収束させ易くすることができる。 （もっと読む）

本発明は、アノード（５）と、炭素から成るターゲットカソード（１０）と、パルスエネルギ源（１５）と、少なくとも２つの点弧ユニット（２０）とを備えた、パルス式のプラズマ支援された真空アーク放電による炭素析出のための装置に関する。少なくとも２つの点弧ユニット（２０）はターゲットカソード（１０）の縁部領域に配置されており、それぞれ２つの平面的な金属製の電極（２５，３０）と、両電極（２５，３０）間に配置された平面的な絶縁セラミック（３５）とを有している。点弧ユニット（２０）の平面的な形状および支持カソード（１０）におけるその配置により、ターゲット面全体の均等な使用およびワークピースの均等なコーティングが可能となる。
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本発明は、点火ユニット（２０）のための固定装置及び炭素析出装置に関する。点火ユニットのための固定装置は、第１及び第２のホルダ（８５，９０）を有しており、この場合、前記点火ユニット（２０）は２つのホルダ（８５，９０）間に配置されていて、これらのホルダ（８５，９０）は少なくとも１つの固定手段（９５）によって結合されている。この場合、第１のホルダ（８５）は、第１のホルダ（８５）の長手方向軸線（１０５）に対して０゜〜４５゜の間の角度（１１０）を有する平面（１００）を有している。点火ユニット（２０）は、点火ユニット（２０）の端面側（５５）が前記平面（１００）に対して直角を形成するように、配置されている。
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(a)蒸着ゾーン中でホウ素を支持体の表面に蒸着させる工程;(b)支持体を加圧された気体マグネシウムを含む反応ゾーンに移動する工程;(c)支持体を蒸着ゾーンに戻す工程;および(d)工程(a)〜(c)を繰り返す工程を含むMgB₂膜を形成する方法。本発明の好ましい態様で、支持体は回転可能なプラテンを用いて蒸着ゾーンおよび反応ゾーンに入れられたり出されたりする。

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