【課題】バリア性に優れた窒化酸化珪素膜を形成可能にしたガスバリア性フィルムの製造方法およびガスバリア性フィルムを提供する。
【解決手段】プラスチック基材１１と、プラスチック基材１１の両面または一方の面に設けた窒化酸化珪素膜１３とを備えるガスバリア性フィルムの製造方法であって、窒化酸化珪素膜１３が、窒化珪素と、珪素、一酸化珪素、二酸化珪素のうち一種類以上とを含む蒸着材料を用いた真空蒸着法により形成され、成膜中の真空槽内の圧力が０．１０Ｐａ以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】テラヘルツ波発生器やテラヘルツ波検出器等のテラヘルツ帯デバイスにおいて優れた特性を発揮できるテラヘルツ帯デバイス用ＺｎＴｅ薄膜及びその製造方法を提供する。
【解決手段】テラヘルツ帯デバイス用ＺｎＴｅ薄膜において、気相成長法によって基板上に気相成長され、厚さが５〜１０μｍであり、厚さのばらつきの範囲が厚さの１０％以内である。
また、テラヘルツ帯デバイス用ＺｎＴｅ薄膜の製造方法において、基板上にＺｎＴｅ下地層を１０〜２００オングストロームの厚さで形成する工程と、前記ＺｎＴｅ下地層上にＺｎＴｅ層を５〜１０μｍの厚さで気相成長させる工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】前駆体薄膜中のＩＢ族元素及びＩＩＩＢ族元素とＶＩＢ族元素との発熱反応を抑制し、結晶成長を良好にし、ボイド等が少ない綺麗な連続膜である化合物半導体薄膜及びその製造方法を提供する。
【解決手段】（ａ）スパッタリング法により、基板上に、（ＩＢ族元素）−（Ｉｎ_ｘ、Ｇａ_１−ｘ）−（ＶＩＢ族元素）_２（但し、０＜ｘ＜１である）の組成を有する複数の膜を、この複数の膜中のＩｎ元素含量（ｘ）が下層から上層へと増加し、かつＧａ元素含量（１−ｘ）が下層から上層へと減少するように形成した後、その上に、上記組成を有し、Ｉｎ元素含量がその下の膜中のＩｎ元素含量よりも少なく、Ｇａ元素含量がその下の膜中のＧａ元素含量よりも多い膜を形成し、基板上に前駆体薄膜を形成する工程と、（ｂ）工程（ａ）で形成される前駆体薄膜の少なくとも１層の形成毎に、ＶＩＢ族元素の蒸気を供給し、接触させながら熱処理を施す工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】インライン方式で溶液の状態の蒸着材料を用いて真空蒸着する場合、形成される膜の膜質の劣化の防止が困難である。
【解決手段】蒸着チャンバ１０、隔壁４０で隔てられた副チャンバ２０、隔壁を貫通して蒸着チャンバから副チャンバへ移動可能に設けられた蒸着材料供給ベルト３０、蒸着材料溶液を副チャンバ中において蒸着材料供給ベルト上に供給する蒸着材料溶液供給部（３４）、蒸着チャンバ内の蒸着材料供給ベルト上の蒸着材料が気化するように加熱する加熱部３３、成膜対象物１の保持搬送部を有し、副チャンバにおいて蒸着材料溶液供給部から供給された蒸着材料溶液のうちの蒸着材料を蒸着材料供給ベルト上に残して溶媒を蒸発させて分離し、蒸着チャンバにおいて加熱部で加熱された蒸着材料を気化して得られた蒸着材料の蒸気を成膜対象物に噴出して堆積させ、蒸着材料の膜を形成する構成とする。 （もっと読む）

【課題】光電変換効率が高く、光電流／暗電流のＳ／Ｎ比の良好であり、且つ、応答速度の速い光電変換素子を提供する
【解決手段】一対の電極（２０，４０）と、一対の電極（２０，４０）に挟持された少なくとも光電変換層３２を含む受光層３０を有する光電変換素子１は、受光層３０の少なくとも一部の層が、フラーレン又はフラーレン誘導体を主成分とする複数の粒子又は該複数の粒子が成形されてなる成形体であり、複数の粒子のＤ５０％で表される平均粒径が５０μm〜３００μmであるの光電変換素子用蒸着材料を用いて蒸着されたフラーレン又はフラーレン誘導体を含むものである。 （もっと読む）

【課題】より効率的な蒸着レートでのＳｉと金属Ｍとを含む膜の製造方法を提供する。
【解決手段】Ｓｉと金属Ｍ（但し、金属ＭはＳｉ以外の金属である。）とを蒸着源に用いて、柱状構造の集合体を有する膜を基板に蒸着により形成するＳｉと金属Ｍとを含む膜の製造方法であって、下記（１）および（２）の条件で蒸着するＳｉと金属Ｍとを含む膜の製造方法。
（１）蒸着時の蒸着源の温度が、蒸着源の融点よりも１００Ｋ以上高い温度であること
（２）蒸着時のＳｉ原子の平均自由行程（λ）が蒸着源−基板間距離（Ｄ）よりも小さいこと （もっと読む）

【課題】真性に近い単結晶ＧaＮ膜を有し、かつこの膜をｎ形又はｐ形に選択的にドープした半導体デバイスを提供する。
【解決手段】次の要素を有する半導体デバイス：基板であって、この基板は、（１００）シリコン、（１１１）シリコン、（０００１）サファイア、（１１−２０）サファイア、（１−１０２）サファイア、（１１１）ヒ化ガリウム、（１００）ヒ化ガリウム、酸化マグネシウム、酸化亜鉛、および炭化シリコンからなる群から選択される物質からなる；約２００Å〜約５００Åの厚さを有する非単結晶バッファ層であって、このバッファ層は前記基板の上に成長した第一の物質を含み、この第一の物質は窒化ガリウムを含む；および前記バッファ層の上に成長した第一の成長層であって、この第一の成長層は窒化ガリウムと第一のドープ物質を含む。 （もっと読む）

【課題】蒸発した材料の堆積の均一性、特にインジェクターの軸に沿っての均一性を改善することにある。
【解決手段】 本発明は、真空蒸着システムのためのインジェクターに関し、該インジェクターは、真空蒸発源からの蒸発した材料を受けるのに適したインジェクション・ダクト、および蒸発した材料を真空蒸着室内に放射するための複数のノズルを備えたディフューザーを備えており、各ノズルは、前記インジェクション・ダクトを前記蒸着室に連結するのに適したチャンネルを備えている。本発明によれば、前記ディフューザーは、空間的に変化があるノズル配置を有している。本発明はまた、インジェクターを較正する方法、インジェクターのディフューザーを製造する方法に関する。 （もっと読む）

【課題】ピンチングにより高エネルギーのプラズマ・電子ビームを発生できるプラズマ・電子ビーム発生装置、薄膜製造装置及び薄膜の製造方法を提供する。
【解決手段】薄膜製造装置は、パルス生成器２でパルストリガーが付与される予備室１と、予備室１の下流域に取り付けられ、かつ高電圧が印加され、真空下及び減圧下でプラズマを発生させる中空カソード４と、中空カソードから延びるキャピラリー状放電管３と、前記電圧を印加する印加手段６と、前記放電管３を収容する真空チャンバー７と、真空手段８と、放電管３からのプラズマ・電子ビームが照射されるターゲット９と、ターゲットの構成元素を蒸着させるための基板１０とを備えている。さらに、前記放電管３をアノードと同電位に接地するためのアース手段１１を備え、前記放電管３は、比誘電率が３．５以上を越え、二次電子放電係数γが１以上であり、かつ沿面放電によりプラズマを発生可能な材料で形成されている。この装置は、基板に硬質炭素膜などを形成するのに有用である。 （もっと読む）

【課題】 基材表面に位置する官能基がアミド化や窒化することを防ぎつつ、また酸素結合に頼ることなく層間密着力を向上させることを可能としたガスバリアフィルムの製造方法及び係る製造方法によるガスバリアフィルムを提供する。
【解決手段】 基材となるプラスチックフィルムの表面に対し、不活性ガス導入下において、気圧１×１０^−１〜１×１０^−３Ｔｏｒｒという環境下にて予めグロー放電によるプラズマ処理を施すプラズマ処理工程と、前記プラズマ処理工程を実施した後に、その表面にシラノール基を有する鱗片状シリカを主剤に対して添加した第１高分子樹脂層、ガスバリア層、をこの順に積層してなる備えてなる製造方法、及び該方法により得られるガスバリアフィルムとした。 （もっと読む）

【課題】 樹脂基板からの脱ガスによるガスバリア性の劣化を抑制し、高いガスバリア性を有する透明ガスバリアフィルムおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】 樹脂基板上にガスバリア性を有する透明ガスバリア層が形成された透明ガスバリアフィルムであって、前記透明ガスバリア層が、亜酸化物無機層と無機層とを含む積層体であり、前記樹脂基板上に、前記亜酸化物無機層と前記無機層とがこの順に積層されており、前記亜酸化物無機層が、スパッタリング法により形成される層であり、前記無
機層が、蒸着法により形成され、かつ、金属および半金属の少なくとも一方と、酸素、窒素および炭素から選ばれる少なくとも１種とを含む層であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】真空中における薄膜堆積中に、チャンバー内壁堆積物の内部まで確実かつ効率的に酸化処理し、大気解放後の反応を抑制すること。
【解決手段】チャンバー１、真空ポンプ２、巻き出しロール３、搬送ロール４、巻き取りロール５、蒸着ロール６、蒸発源７、電子銃８、シャッター９（閉じた状態）、マスク１０、紫外光源ユニット１１、ガス供給配管１２、基板フィルム１３を含む真空蒸着装置１００において、シャッター９を開いて基板フィルム１３を、巻出しロール３と巻き取りロール５の間を往復させて繰り返し蒸着する途中において、シャッター９を閉じ、ガス供給配管１２から酸素あるいはオゾンガスを供給し、紫外光源ユニット１１から紫外線をマスク１０に照射することによって、マスク１０に付着した堆積物を酸化処理することができる。 （もっと読む）

【課題】 ガスバリア層が単層であってもガスバリア性に優れ、かつ高い透明性を有しているガスバリアフィルムおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】 樹脂基板上に透明ガスバリア層が形成されたガスバリアフィルムであって、前記透明ガスバリア層が、アーク放電プラズマを用いた蒸着法により形成され、かつ、金属および半金属の少なくとも一方、酸素、炭素、および、窒素を含み、前記樹脂基板において、ガラス転移点が１３０℃以上３００℃以下の範囲であり、かつ、１５０℃で０．５時間における熱収縮率が０％を超え０．５％以下の範囲であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＭＢＥ成膜装置において、フェイスアップ状態で被処理体の表面に化合物半導体よりなる薄膜を形成することができる原料供給装置を提供する。
【解決手段】化合物半導体の製造に用いる原料を供給する原料供給装置６２において、鉛直方向に延びて外周面が液体を流下させることができるような表面である液体流下面９０になされた原料保持体６４と、原料保持体の高さ方向の途中に設けられて原料の液体である原料液体を貯留すると共に濡れ性によって原料液体を液体流下面９０に沿って流下させる原料液体貯留部６６と、原料保持体内に設けられて、原料液体貯留部を原料が濡れ性を発揮するように加熱すると共に原料保持体の先端部を原料液体の蒸発温度まで加熱する加熱手段６８とを備える。 （もっと読む）

【課題】ロールツーロール方式の成膜装置において、基板幅方向全幅にわたって蒸着膜を形成することができる、量産性に優れた成膜装置を提供する。
【解決手段】表面と裏面を有する帯状の基板の表面上に、薄膜を形成する成膜装置１００が、基板を搬送するための、２つのロール３、８を含む搬送機構と、２つのロールに巻き付けられ直線状に保持されている基板４の表面上に、薄膜形成領域内で薄膜を形成するため、薄膜形成領域と対向して配置され薄膜原料を収容する原料容器９を含む薄膜形成手段と、基板の表面の幅方向全幅にわたって薄膜が形成されるように薄膜形成領域を確定する遮蔽部材と、拡散防止部材７０とを含む。拡散防止部材は、薄膜形成領域において、基板の裏面と対向して、基板とは接触しないように配置され、かつ、原料容器から見て、基板の幅方向両端から突出する突出部を有し、当該突出部が、基板を搬送する方向に対し平行ではない方向に移動可能に構成されている。 （もっと読む）

【課題】 ターゲットから発生した活性粒子を効率良く前駆体に到達させることができるレーザアブレーション装置を提供する。
【解決手段】 レーザアブレーション装置１では、活性粒子Ａを進入させる粒子進入口１１が設けられた包囲部材８が、チャンバ２内において前駆体Ｐ、支持台６及びヒータ７を包囲している。これにより、ターゲットＴから発生した活性粒子Ａがチャンバ２の内面に付着しても、その粒子が、ヒータ７の熱や、加熱された前駆体Ｐ及び支持台６からの輻射熱によって、再蒸発することが抑制される。さらに、当該熱によってターゲットＴが蒸発することも抑制される。そして、再蒸発によって不活性粒子が発生したとしても、包囲部材８によって遮られて、その不活性粒子が前駆体Ｐに到達し難くなる。 （もっと読む）

【課題】周期的微細構造を有する物質を高純度で生成することができる技術を提供
【解決手段】レーザー光ＬＬ１，ＬＬ２はそれぞれ、固体ターゲット５１，５２の湾曲面５１ａ，５２ａ上に照射される。これにより、アブレーションが発生し、固体ターゲット５１，５２の湾曲面５１ａ，５２ａからプルームプラズマＰＰ１，ＰＰ２が放出される。なお、レーザー光ＬＬ１，ＬＬ２の照射により、プルームプラズマＰＰ１，ＰＰ２内のイオンがプルームプラズマの交差衝突部空間を通過する距離に対して、上記イオンの衝突平均自由工程が数分の１以下となるような密度と温度を持つプルームプラズマが生成される。そして、プルームプラズマＰＰ１とプルームプラズマＰＰ２の衝突により、周期的微細構造を有する物質（例えば、カーボンナノチューブ）が生成される。 （もっと読む）

【課題】光電変換層がセレンを含有する場合、基板裏面へのセレンの回り込み、更にはセレンの付着を抑制した成膜装置、およびこの成膜装置により成膜された光電変換層を有する太陽電池を提供する。
【解決手段】本発明の成膜装置は、成膜チャンバ内に基材を搬送する搬送手段と、成膜チャンバ内を所定の真空度にする真空排気手段と、搬送される基材に光電変換層を形成する真空成膜手段と、基板において光電変換層が形成される側の面における搬送方向と直交する幅方向の両端に、前記搬送方向に沿って設けられた、温度調節機能を備えたマスクとを有する。搬送手段により基材が搬送されて真空成膜手段により基材に前記光電変換層が形成される。 （もっと読む）

【課題】 坩堝の側面に原料融液が這い上がった状態で成膜を行うと、形成された薄膜の厚さの均一性が低下してしまう。
【解決手段】 チャンバ内に基板ホルダが配置されている。坩堝の内部に蒸発源が収容される。坩堝の開口部が、基板ホルダに保持された基板に向けられている。第１の加熱装置が坩堝を加熱する。測定装置が、坩堝の深さの１／２の深さよりも浅い位置の、坩堝の温度に依存する物理量を測定する。回転機構が坩堝を回転させる。制御装置が、測定装置による測定結果に基づいて、回転機構を制御する。 （もっと読む）

【課題】有機膜の真空蒸着に用いられる酸化アルミニウムなどの多孔性セラミックス焼結体は有機膜特性を劣化させる要因となる不純物が多く、成膜する有機膜の安定性及び均一性の制御が難しいので、成膜する有機膜の安定性及び均一性を高めることである。
【解決手段】開口部を有する容器１０内に熱伝導体粉末１２が充填されており、容器１０の底部側から熱伝導体粉末１２に有機膜形成用有機物質１１ｂが含浸されており、開口部を密閉するように蓋部１３が設けられている構成である。 （もっと読む）