【課題】本発明は、簡易な方法でペレットがインゴット上を転がることを防止できる蒸着装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本願の発明に係る蒸着装置は、蒸着材料で形成されたインゴットと、該インゴットの上に供給され、該インゴットと同一材料で形成された複数のペレットと、該インゴットと同一材料で形成され、該複数のペレットが該インゴットの上を転がらないように該複数のペレットを囲う固定用ペレットと、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高精細で高輝度の表示性能を備え、かつ低消費電力のプラズマディスプレイパネルを実現することを目的とする。
【解決手段】本発明のプラズマディスプレイパネルは、保護層を形成した前面板と、前記前面板に対向配置した背面板とを備え、前記保護層は、酸化マグネシウムと酸化カルシウムからなる金属酸化物により形成され、前記保護層は、アルミニウムを含み、前記保護層面におけるＸ線回折分析において、酸化マグネシウムの結晶方位面（１１１）ピークが発生する回折角と、当該ピークと同一方位の前記酸化カルシウムのピークが発生する回折角との間にピークが存在するとともに、前記保護層のカルシウムの濃度を３ａｔｏｍ％以上１５ａｔｏｍ％以下である。また前記保護層のアルミニウムの濃度は、重量比率で１００ｐｐｍ以上２００ｐｐｍ以下であることが望ましい。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、蒸着用マグネシウムペレットの突沸を防止することができ、安定した蒸着レートを維持できるマグネシウムの蒸着方法を提供することを課題とする。
【解決手段】 本発明は、マグネシウム塊体と前記塊体の表面を覆う酸化マグネシウム被膜とを有する被包ペレットの、前記マグネシウム塊体の一部又は全部を露出させる露出工程と、前記露出工程を経て得られたペレットを加熱してマグネシウムを被着体に蒸着させる蒸着工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ドロップレットが少なく、表面凹凸の少ない膜を基材上に形成する技術の提供を目的とする。
【解決手段】本発明は、ターゲットから構成粒子を叩き出し若しくは蒸発させるパルス状レーザー光を出射するアブレーション用第１のレーザー光源と、第１のレーザー光源がターゲットの表面にレーザー光を集光照射した領域とその領域周辺をスポット加熱する連続波レーザー光を出射する第２のレーザー光源とを処理容器の外部に備えた成膜装置を用い、第２のレーザー光源からターゲットの表面に処理容器に設けた照射窓を介し連続波レーザー光を集光照射してアブーション領域とその周辺領域のターゲット表面の温度を上昇させ、第１のレーザー光源からアブレーション領域に処理容器に設けた照射窓を介しパルス状のレーザー光を集光照射して基材上に成膜することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】三価クロム及び六価クロムを利用しない、銀またはステンレス鋼の外観を有する、着色した金属基材の製造方法を提供する。
【解決手段】ベース層１０を基材１２の上に析出させて、第一の被覆基材１４を形成し、窒化クロム１６を第一の被覆基材１４の上に析出させて、被覆基材２０を形成する。特徴的なことは、前記窒化クロム層は、約４５原子％未満の窒素原子％を有し、前記ベース層と前記窒化クロム層は、物理蒸着によって析出させる。 （もっと読む）

【課題】結晶配向性が良好なＣｅＯ_２のキャップ層を備えた酸化物超電導導体用基材を低コストで製造できる製造方法、及びこれを用いて製造された酸化物超電導導体用基材並びに酸化物超電導導体の提供。
【解決手段】本発明の酸化物超電導導体用基材の製造方法は、ＹＡＧレーザ光の第３高調波（波長３５５ｎｍ）、第４高調波（波長２６６ｎｍ）、第５高調波（波長２１３ｎｍ）のいずれかを、ターゲット上でのエネルギー密度が６Ｊ／ｃｍ^２以上となるように該ターゲット上に照射して、このターゲットの構成粒子を叩き出し若しくは蒸発させ、前記構成粒子を基材の上方に形成された中間層の表面上に堆積させて、該中間層上にＣｅＯ_２のキャップ層を形成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＺｎＯ膜の成膜時にスプラッシュの発生を防止することができる、ＺｎＯ蒸着材を提供する。
【解決手段】ＺｎＯ蒸着材は、ＺｎＯの多孔質焼結体からなり、その焼結体が０．２以上３．０％未満の気孔率とすることで、内部に存在するガスを著しく減少させることができ、０．１〜３００μｍの範囲の平均気孔径をとすることで、蒸発速度を高くすることが可能となり、製造コストを低減することができる。ＺｎＯ膜は、上記ＺｎＯ蒸着材を用いて形成される。 （もっと読む）

【課題】スパッタリングターゲットや蒸着用タブレットとして利用され、成膜中にクラック等が発生し難いＺｎ−Ｓｎ−Ｏ系酸化物焼結体とその製法を提供する。
【解決手段】上記酸化物焼結体は、錫がＳｎ／（Ｚｎ＋Ｓｎ）の原子数比として０．０１〜０．６含有され、焼結体中における平均結晶粒径が４．５μｍ以下で、ＣｕＫα線を使用したＸ線回折によるＺｎ_２ＳｎＯ_４相における（２２２）面、（４００）面の積分強度をそれぞれＩ_{（２２２）}、Ｉ_{（４００）}としたとき、Ｉ_{（２２２）}／［Ｉ_{（２２２）}＋Ｉ_{（４００）}］で表される配向度が０．５２以上であることを特徴とする。この酸化物焼結体は機械的強度が改善されているため、焼結体を加工する際に破損が起こり難く、スパッタリングターゲット若しくは蒸着用タブレットとして使用された際においても透明導電膜の成膜中に焼結体の破損やクラック発生が起こり難い。 （もっと読む）

【課題】本発明は、高蒸着速度の電子ビーム物理的蒸着による燃料電池用の固体酸化物電解質を提供し、さらにこの固体酸化物電解質を使用した燃料電池を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、高蒸着速度の電子ビーム物理的蒸着による燃料電池用の固体酸化物電解質であって、柱状酸化物微細構造を有している。前記酸化物電解質は、前記燃料電池のアノードとカソードとを気体密封するに十分に高密である。アノードと、カソードと、前記アノードと前記カソードとの間の酸化物電解質とからなる燃料電池であって、前記酸化物電解質は、複数の酸化物柱からなる微細構造を有する。前記酸化物柱は、前記アノードおよび前記カソードの対向面に対して直角の方向に延長している。 （もっと読む）

【課題】ＩＴＯ膜に迫る高い導電率の膜を高速成膜することができる。
【解決手段】透明導電膜を成膜するために用いられるＺｎＯ蒸着材において、ＺｎＯを主成分としたペレットからなり、ペレットがＣｅとＡｌの双方の元素を含み、ＣｅがＡｌよりも含有割合が高く、Ｃｅの含有割合が０．１質量％を越え１４．９質量％以下、Ａｌの含有割合が０．１質量％以上１０質量％以下の範囲内であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ピンチングにより高エネルギーのプラズマ・電子ビームを発生できるプラズマ・電子ビーム発生装置、薄膜製造装置及び薄膜の製造方法を提供する。
【解決手段】薄膜製造装置は、パルス生成器２でパルストリガーが付与される予備室１と、予備室１の下流域に取り付けられ、かつ高電圧が印加され、真空下及び減圧下でプラズマを発生させる中空カソード４と、中空カソードから延びるキャピラリー状放電管３と、前記電圧を印加する印加手段６と、前記放電管３を収容する真空チャンバー７と、真空手段８と、放電管３からのプラズマ・電子ビームが照射されるターゲット９と、ターゲットの構成元素を蒸着させるための基板１０とを備えている。さらに、前記放電管３をアノードと同電位に接地するためのアース手段１１を備え、前記放電管３は、比誘電率が３．５以上を越え、二次電子放電係数γが１以上であり、かつ沿面放電によりプラズマを発生可能な材料で形成されている。この装置は、基板に硬質炭素膜などを形成するのに有用である。 （もっと読む）

【課題】金属酸化物を蒸発材料とする金属酸化膜の蒸着方法に関するものであり、特にプラズマディスプレイパネル（以下、ＰＤＰという）の保護膜の形成に関するもので、保護膜としての＜１１１＞配向したＭｇＯ膜の成膜速度を早くして、生産性の向上とパネル特性の向上を図る。
【解決手段】金属酸化物を蒸発材料とする蒸着方法において、前記蒸発材料の加熱手段として電子銃を使用し、該電子銃からの電子ビームを絞り、該電子ビームの直径をもとに蒸発材料への電子ビームの照射面積に合わせて、電子ビームの揺動波形を制御することを特徴とする金属酸化膜の蒸着方法であり、走査電極、維持電極、誘電体層及び保護膜から成る前面基板とアドレス電極、バリアリブ及び蛍光体からなる背面基板から構成されているプラズマディスプレイの保護膜であるＭｇＯ膜の成膜速度が速くなり、かつ良好なパネル特性が得られた。 （もっと読む）

【課題】生鮮食品、加工食品、医療品、医療機器、電子部品などの包装用フィルムとして、低コストで高度なガスバリア性と透明性に優れた、蒸着膜のクラックが発生しにくく、蒸着フィルムを供することを目的とする。
【解決手段】高分子フィルムから成る基材と、この基材の少なくとも片面に電子ビーム式真空蒸着法によりＳｉＯｘを成膜された無機化合物層とを備える蒸着フィルムにおいて、蒸着膜厚が１５〜３５ｎｍである前記蒸着フィルムを５枚重ねて測定した黄色度（ＹＩ）が３０以下であり、かつ、前記蒸着膜のクラック発生開始歪量［％］が２．５％以上であることを特徴とする蒸着フィルムである。 （もっと読む）

【課題】面内方向における膜厚分布・膜質分布を均一にすることができ、かつ、成膜材料を交換するために成膜を一時的に停止せずに成膜できる成膜装置を提供する。
【解決手段】被処理対象を走行させる搬送手段と、被処理対象の走行方向に対して直交する方向に沿うように設けられたライン状の一以上の蒸着原料と、蒸着原料を溶融し、走行方向に対して直交する方向に列設される電子ビーム装置と、蒸着原料にイオンビームを照射し、走行方向に対して直交する方向に列設されるイオンソースとを備え、蒸着原料を支持する支持部材２４と、蒸着原料を昇降させる昇降部材２５とを備える。 （もっと読む）

【課題】膜の成膜時にスプラッシュの発生を防止する蒸着材を製造する。
【解決手段】蒸着材の製造方法は、純度が９９．０％以上あって平均粒径が０．１〜１０μｍである金属酸化物粉末とバインダと有機溶媒とを混合して金属酸化物粉末の濃度が４５〜７５質量％のスラリーを調製する工程と、そのスラリーを噴霧乾燥して平均粒径が５０〜３００μｍの多孔質造粒粉末を得る工程と、その多孔質造粒粉末を成形して多孔質成形体を得る工程と、その多孔質成形体を所定の温度で焼結して金属酸化物の多孔質焼結体を得る工程とを有する。スラリー調製工程、造粒工程及び成形プレス工程の３工程のうち、少なくとも多孔質成形体の成形プレス工程が減圧下において行われる。３工程全てが減圧下で行われ、減圧下が５００ｈＰａ以下であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】透明性及びガスバリア性に優れた薄膜の形成に好適な蒸着材及び該薄膜を備える薄膜シート並びに積層シートを提供する。
【解決手段】第１酸化物粉末と第２酸化物粉末とを混合して作られた蒸着材において、
第１酸化物粉末がＳｉＯ粉末であって、第１酸化物粉末の第１酸化物純度が９８％以上であり、第２酸化物粉末がＺｎＯ、ＭｇＯ及びＣａＯからなる群より選ばれた１種の粉末又は２種以上の混合粉末であって、第２酸化物粉末の第２酸化物純度が９８％以上であり、蒸着材が第１酸化物粒子と第２酸化物粒子を含有するペレットからなり、蒸着材中の第１酸化物と第２酸化物とのモル比が５〜８５：９５〜１５であり、かつ、ペレットの塩基度が０．１以上であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】透明性及びガスバリア性に優れた薄膜の形成に好適な蒸着材及び該薄膜を備える薄膜シート並びに積層シートを提供する。
【解決手段】第１酸化物粉末と第２酸化物粉末とを混合して作られた蒸着材において、
第１酸化物粉末がＴｉＯ₂粉末であって、第１酸化物粉末の第１酸化物純度が９８％以上であり、第２酸化物粉末がＺｎＯ、ＭｇＯ及びＣａＯからなる群より選ばれた１種の粉末又は２種以上の混合粉末であって、第２酸化物粉末の第２酸化物純度が９８％以上であり、蒸着材が第１酸化物粒子と第２酸化物粒子を含有するペレットからなり、蒸着材中の第１酸化物と第２酸化物とのモル比が５〜８５：９５〜１５であり、かつ、ペレットの塩基度が０．１以上であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】耐水性等の諸性能が良好な反射防止層、および反射防止層を備えたレンズなどの光学物品を提供する。
【解決手段】レンズ１０は、ｎ＋１層の低屈折率層３１とｎ層（ｎは２以上の整数）の高屈折率層３２から構成される反射防止層３を含む。低屈折率層３１と高屈折率層３２とが交互に積層され、複数の高屈折率層３２のうちの少なくとも１層は酸化ジルコニウムを主成分とする第１の蒸着源のみを用いて蒸着形成された第１タイプの層であり、その他の高屈折率層３２は酸化チタンを主成分とする第２の蒸着源のみを用いて蒸着形成された第２タイプの層である。複数の低屈折率層３１はそれぞれ酸化シリコンを主成分とする第３の蒸着源のみを用いて蒸着形成された第３タイプの層である。 （もっと読む）

【課題】透明性及びガスバリア性に優れた薄膜の形成に好適な蒸着材及び該薄膜を備える薄膜シート並びに積層シートを提供する。
【解決手段】第１酸化物粉末と第２酸化物粉末とを混合して作られた蒸着材において、
第１酸化物粉末がＳｉＯ₂粉末であって、第１酸化物粉末の第１酸化物純度が９８％以上であり、第２酸化物粉末がＺｎＯ、ＭｇＯ及びＣａＯからなる群より選ばれた１種の粉末又は２種以上の混合粉末であって、第２酸化物粉末の第２酸化物純度が９８％以上であり、蒸着材が第１酸化物粒子と第２酸化物粒子を含有するペレットからなり、蒸着材中の第１酸化物と第２酸化物とのモル比が５〜８５：９５〜１５であり、かつ、ペレットの塩基度が０．１以上であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＣｕＯ又はＣｕ_２Ｏを選別して得ることができ、単分散状態で良好な結晶性を有する銅酸化物量子ドットの製造方法を実現する。
【解決手段】レーザアブレーション装置１ではＣｕ_２Ｏセラミックロッドをターゲットにしてレーザ光を照射し、量子ドットの集合体を生成する。次いで気流中に分散した量子ドットを帯電器２で帯電させた後、電気炉３では気流中に分散した量子ドットを加熱温度を制御しながら熱処理する。加熱温度を６００〜７００℃に設定して熱処理を行った場合はＣｕＯが生成され、加熱温度を９００℃以上に設定して熱処理を行った場合はＣｕ_２Ｏが生成される。次いでＤＭＡ４で分級処理を行い、平均粒径Ｄが１５ｎｍ以下であって標準偏差σと平均粒径Ｄとの比σ／Ｄが０．２以下の銅酸化物量子ドットを捕集器５で捕集する。 （もっと読む）