本発明は、原料物質を液化させる液化部と、前記液化部と連通されて液化された原料物質を気化させる気化部と、前記気化部と連通されて気化された原料物質を噴射するインジェクターと、を備え、前記液化部は、原料物質が貯蔵されるシリンダー状のルツボと、前記ルツボの一方の側に挿入されて原料物質を排出するピストン部と、前記ルツボを加熱して原料物質を液化させる液化加熱部と、を備える原料供給ユニットと、これを備えた薄膜蒸着装置および薄膜蒸着方法を提供する。
このように、本発明によれば、固体状の原料物質を液化させた後、これらのうち必要な一部だけを気化させて供給することにより、原料物質の大容量化を達成しつつも、これを気化させて供給するための熱量の消耗を極力抑えることができる。
（もっと読む）

【課題】アーク放電を連続して行った際の、着火不良を大幅に向上できる成膜方法、成膜装置、及び半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】
第１の電極１４をカソード１２の所定位置に接触させ、前記カソード１２とアノード１３との間にアーク放電が発生したかどうかを検出する。前記検出結果に応じて、第２の電極１５を前記所定位置とは異なる位置に接触させ、前記アーク放電を発生させてプラズマを生成し、前記プラズマに含まれる導電材料を、基板５１の上方に堆積させる。成膜時の電極の着火確率を大幅に向上させることができ、ひいては、半導体装置の製造効率や製造歩留まりの改善を図ることができる。 （もっと読む）

【課題】光学的性質を劣化させずに長期間に渡って帯電防止効果を保つことができるとともに耐薬品性に優れる光学多層膜フィルターと、該フィルターを簡便に製造する光学多層膜フィルターの製造方法を提供すること。
【解決手段】光学多層膜フィルター１０は、ガラス基板１と、ガラス基板１の上面に複数層の光学薄膜２と、防汚層３と、を備えて構成される。光学薄膜２は、ガラス基板１側から高屈折率層２Ｈ１がまず積層され、積層された高屈折率層２Ｈ１の上面に低屈折率層２Ｌ１が積層され、以下、高屈折率層、低屈折率層が順次、交互に積層され、低屈折率層２Ｌ３０と高屈折率層２Ｈ３０との間にa−Ｓｉ層２１が積層され、高屈折率層と低屈折率層とが各々３０層とa−Ｓｉ層２１との計６１層の光学薄膜２を形成している。 （もっと読む）

【課題】蒸着材料による開口部の閉塞を防止し、安定した成膜レートで高品質な膜を成膜することが可能な坩堝を提供する。
【解決手段】本発明の坩堝１は、同軸的に設けられた内筒部１２と外筒部１１とを有し、内筒部１２と外筒部１１との間に挟まれた環状空間の内部に蒸着材料Ｍを装填可能な有底筒状の蒸着セル１０と、内筒部１２を挿通可能な開口部３０ａを有し、蒸着セル１０の上部に装着された蓋部材３０と、内筒部１２の内壁面に設けられた中央加熱部２１と外筒部１１の外壁面に設けられた周辺加熱部２２とを含む加熱装置２０と、を備え、中央加熱部２１が、少なくとも内筒部１２の底部から蓋部材３０の開口部３０ａと同じ高さまで配設され、内筒部１２を蒸着材料Ｍの蒸着温度以上の温度に加熱するように構成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 非晶質炭素被覆部材において、基材をArイオンでエッチングした後に非晶質炭素膜を基材上に被覆する方法ではエッチング効果が低く、中間層を基材と非晶質炭素膜の間に形成する方法でも、機械部品や、切削工具、金型に対して実用可能な密着性が得られないという問題を有していた。
【解決手段】 基材に負のバイアス電圧を印加することにより、基材表面に周期律表第IIIa、IVa、Va、VIa、IIIb、IVb族元素から選択される１種以上の元素イオン、あるいは、該元素イオンとKr、Xe、CH₄、C₂H₂、C₂H₄、C₆H₆、CF₄から選択される１種以上のガスを少なくとも含む雰囲気ガスによるガスイオンを複数組み合わせて照射した後、基材上に非晶質炭素膜を被覆する。 （もっと読む）

第一のデバイスが提供される。第一のデバイスは、プリントヘッドと、プリントヘッドに気密的に密閉された第一のガス源とを含む。プリントヘッドは、複数のアパーチャを備えた第一の層を含み、各アパーチャは０．５から５００マイクロメートルの最小寸法を有する。第二の層が第一の層に結合される。第二の層は、第一のガス源及び少なくとも一つのアパーチャと流体連結した第一のビアを含む。第二の層は絶縁体製である。
（もっと読む）

【課題】反応容器内で第１及び第２の原料ガスを反応させ、基板表面に薄膜を成膜する場合において、第１及び第２の原料ガスを、インジェクタの近傍で均一に混合してから基板に到達させることができ、成膜する薄膜の膜質、膜厚を基板間及び面内で均一に揃えることができる成膜装置を提供する。
【解決手段】反応容器内に第１及び第２の原料ガスを吐出する第１及び第２のインジェクタ１１、１２を備え、第１及び第２のインジェクタ１１、１２は、第１及び第２の原料ガスを基板に向けて吐出する複数の第１の吐出口Ｎ１、Ｎ２が設けられ、第１の吐出口Ｎ１から吐出された第１の原料ガスの流路ＦＬ１が、対応する第２の吐出口Ｎ２から吐出された第２の原料ガスの流路ＦＬ２と略同一であり、第１の原料ガスは、第１の吐出口Ｎ１から吐出された後、基板に到達する前に、第２の原料ガスと混合されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】電子キャリア濃度が低い、アモルファス酸化物薄膜の成膜方法の提供。
【解決手段】組成が、式［Ｓｎ_１−ｘＭ４_ｘＯ_２］ａ・［（Ｉｎ_１−ｙＭ３_ｙ）_２Ｏ_３］ｂ・［Ｚｎ_１−ｚＭ２_ｚＯ］ｃ(ここで、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１、かつｘ、ｙ、ｚは同時に１ではなく、０≦ａ≦１、０＜ｂ≦１、０≦ｃ≦１、かつａ＋ｂ＋ｃ＝１）、で示される酸化物の多結晶をターゲットとして、基板の温度は意図的に加温しない状態で、酸素ガスを含む雰囲気中の酸素分圧を制御して、基板上に薄膜を堆積させることによって、室温での電子移動度が０．１ｃｍ^２／（Ｖ・秒）以上、かつ電子キャリヤ濃度が１０^１８／ｃｍ^３未満である半絶縁性である透明アモルファス酸化物薄膜を気相成膜する。 （もっと読む）

【課題】真空チャンバー内の真空状態を保持すると共に、冷却媒体収容部内での電食を防いで耐久性の向上を図ることができる電流導入構造を提供することを目的とする。
【解決手段】成膜チャンバー３内の補助陽極９に電流を導入する電流導入構造２０において、コイル１７及び冷却水Ｗａを収容する水冷ジャケット１５と、コイル１７の余剰部分となる絶縁導線部１９と、水冷ジャケット１５の外周壁部１５ｅに設けられると共に、水冷ジャケット１５の周囲の真空を保持しながら絶縁導線部１９が貫通して絶縁導線部１９の先端を真空側に露出させるシール構造部２３と、を備える。その結果、冷却水Ｗａを収容する水冷ジャケット１５内において絶縁導線部１９と他の導体部との間での接点を設ける必要が無くなり、冷却水Ｗａによる電食の虞を低減でき、コイル１７の耐久性を向上できる。 （もっと読む）

【課題】水蒸気バリア性に優れた、透明なガスバリア性積層フィルムを提供する。
【解決手段】プラスチックフィルムからなり、表面の算術平均粗さ（Ｒａ）が１０ｎｍ以上となる基材層１の上に、重合可能なアクリル系のモノマーまたはモノマーとオリゴマーとの混合物を含むアンカー層２と、ＳｉＯｘＣｙ（ｘは１．５以上２．０以下、ｙは０以上０．５以下）で表される酸化珪素からなり、厚さが１０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下のガスバリア層３とを順次積層してなるガスバリア性積層フィルムにおいて、前記アンカー層２の厚みが０．１μｍ以上１０μｍ以下、かつ、前記アンカー層２の表面の算術平均粗さ（Ｒａ）が５ｎｍ以下であることを特徴とするガスバリア性積層フィルム。 （もっと読む）

【課題】電子ビームの幾何学的制約によって加熱が不均一になる問題を回避し、蒸発安定化及び蒸着膜の均一化を図ることで、蒸着フィルムの収率及び生産性が向上する巻取式電子ビーム蒸着装置を提供する。
【解決手段】蒸発原料移動台１８の上に設置された昇華性蒸発原料１７の電子ビームによる加熱が不十分な部分と成膜ロール１５との間に電極２２を設置する。加熱が不十分な部分と電極２２との間に正電位の直流のバイアス電圧を印加することで、昇華性蒸発原料１７の幅方向の蒸発速度が均一化する。 （もっと読む）

【課題】ナノ粒子を高いスループットにて堆積させることができるナノ粒子堆積技術を提供する。
【解決手段】真空チャンバー１０には、基板保持部３０に保持された基板Ｗの直下にＫセル４０が配置されている。Ｋセル４０のるつぼ４１にはナノ粒子の原材料となるコバルトが投入される。るつぼ４１の開口部はガス噴出治具５０のガス噴出部５１によって覆われている。ガス噴出部５１は上端にアパーチャ５２を形成したテーパ面を有しており、その内側が蒸気発生空間４５とされる。るつぼ４１を加熱してコバルトの蒸気が発生している蒸気発生空間４５にガス供給部６０からヘリウムガスを供給する。ヘリウムガスはアパーチャ５２から噴出されて基板Ｗへと向かう気流を形成する。コバルトの蒸気はヘリウムガスの気流によってクラスターを形成しつつ基板Ｗまで運搬される。 （もっと読む）

工具に硬質物質層を生成するためのアーク蒸発源。本発明は、少なくとも１つの電磁コイルと、ターゲット表面に関して可動の永久磁石構造とを有するアーク蒸発源を対象とする。この蒸発源は、酸化物層、窒化物層、または金属層のさまざまな要求事項に合わせて適合化することができる。蒸発するべきターゲットの耐用寿命中のレートの低下は、ターゲット前面に対する永久磁石の適合化された間隔によって一定に保つことができ、もしくは調整することができる。層の粗さとレートとの間の妥協を図ることができる。
（もっと読む）

【課題】材料容器から放出口まで連なる輸送管温度の影響が、輻射あるいは伝導により材料容器に及ぶことにより、材料容器への材料補充や交換のための装置停止期間が長時間に及び、装置の稼動効率が低下するのを防ぐ。
【解決手段】材料容器１０において気化した成膜材料を放出口２０へ輸送するための輸送管１４と材料容器１０の間は、材料容器１０を輸送管１４から取り外し交換可能とする連結部１３によって接続されている。輸送管１４を加熱する加熱手段を複数に分割し、連結部１３の近傍の輸送管１４の温度を残りの部位から独立して制御するための連結部加熱手段１６を設ける。材料容器交換等のために成膜を停止するときは、材料容器加熱手段１１及び連結部加熱手段１６を輸送管加熱手段１５より先に停止する。 （もっと読む）

本発明は、面上に像を投影するための装置であって、光線を生成するための光源と、上記光線の進路に配置されたマスクと、上記マスクの上記像の焦点を面上に合わせるために、上記マスクの後に配置され、上記面に平行ではないレンズとを備え、上記マスクのエッジに沿ったほぼ全ての位置の各々における上記レンズに対する距離ｖ、および、上記マスクの上記像の上記エッジにおける上記レンズに対する対応する位置の距離ｂは、式１／ｖ＋１／ｂ＝１／ｆに略対応し、ｆが上記レンズの焦点の長さであることを特徴とする装置に関する。また、本発明は、面上の像を移動するための装置に関する。
（もっと読む）

【課題】成膜材の物性との違いに関わらずドーピング材を自由に選択可能なイオンプレーティング装置を提供すること。
【解決手段】真空チャンバ３と、プラズマビームＰを発生するプラズマガン４と、プラズマビームＰが照射されるハース５と、ハース５に電気的に接続され、ハース５に近接配置されたタブレット２１を支持する導電性のタブレット支持棒２５とを備え、ハース５の真空チャンバ３内における露出面にはタブレット２１と共に気化されてドーピングされるドーピング材２２が支持され、ハース５およびタブレット２１に対する通電量を調整可能な構成とした。 （もっと読む）

【課題】光による加熱成膜法により正確なパターンで、かつ良質な膜を成膜し、高繊細な発光装置を生産性よく作製できる技術を提供することを課題の一とする。
【解決手段】光による加熱成膜法において、光吸収層への光照射工程を、光照射時間を０．１ミリ秒以上１ミリ秒未満（より好ましくは０．２ミリ秒以上０．５ミリ秒未満）とし、かつ光源から光吸収層に向かって照射されるエネルギー密度を２×１０^３Ｗ／ｃｍ^２以上２×１０^５Ｗ／ｃｍ^２以下（より好ましくは２×１０^３Ｗ／ｃｍ^２以上１×１０^５Ｗ／ｃｍ^２以下）とする。さらに、成膜する材料層（有機化合物材料を含む層）が設けられた成膜用基板と、対向して配置される被成膜基板とを、材料層表面と被成膜面との間隔ｄを０＜ｄ≦１０μｍ（より好ましくは０＜ｄ≦５μｍ）とすることが好ましい。 （もっと読む）

アーク・エバポレーターは少なくとも１つのアノード(４)、カソード(３)、収束磁場成分を形成する一組の永久磁石(８，９)から成る第１サブシステムおよび少なくとも１つのコイル(１０)を有して成り、そして第２発散磁場成分が発生している少なくとも１つの第１操作モードで操作するために構成された第２サブシステムを有して成る磁場発生システムを有して成る。
（もっと読む）

【課題】室内の気密を保持しながら成膜材料を補充する材料供給装置を提供する。
【解決手段】材料供給装置１００は、有機材料３０５が収納された材料容器３００と、材料容器３００を投入する材料投入室１１０と、蒸着源ヘッド２００ａに連結された連結管１２０ｂの内部通路と連通し、その連通した部分を材料気化部として、投入された材料容器３００を材料気化部まで搬送させる搬送路１２０ａを有し、材料気化部にて気化された有機分子を連結管１２０ｂの内部通路を介して蒸着源ヘッド２００ａに向けて送り出す材料輸送室１２０と、材料輸送室１３０から材料容器３００を取り出す材料取出室１３０と、を有する。材料投入室１１０と材料輸送室１２０と材料取出室１３０とは、それぞれ所望の減圧状態に維持されている。 （もっと読む）

【課題】固体原料を加熱して蒸発させて成膜用の原料ガスを得るにあたって、熱による劣化や変質を抑えながら長時間に亘って安定した量の原料ガスを得ること。
【解決手段】固体原料を貯留する粉体貯留部と、この粉体貯留部から供給される固体原料を溶融させて液体原料を得る粉体受け入れ室と、この粉体受け入れ室から取り出した液体材料を気化させることにより原料ガスを得る気化室と、を設けて、気化室では成膜処理に必要な生成量となるように液体材料に大きな熱量を加えて原料ガスを発生させる一方、粉体受け入れ室では固体原料が溶融できる程度の小さな熱量を加えて熱劣化を抑えながら液体原料を得て、この液体原料を粉体受け入れ室から気化室に向かって通流させる。 （もっと読む）