【課題】蒸着源、蒸着装置及び蒸着方法の技術分野に関し、特に、同軸型真空アーク蒸着源に関する。
【解決手段】本発明の蒸着源５では、絶縁部材１０の側面２０と、トリガ電極１２の表面２２と、蒸着材料１４ａの側面２４とが、面一になるように構成されている。トリガ電極１２と蒸着材料１４ａとの間に電圧を印加して、トリガ放電を発生させると、蒸着材料１４ａの側面２４から荷電微粒子３１や巨大粒子３３が放射状に放出されるが、蒸着材料の側面２４に沿う方向に放出される荷電微粒子３１や巨大粒子３３の数は非常に少ない。このため、蒸着材料の側面２４と面一に配置された絶縁部材の側面２０には、巨大粒子３３がほとんど付着しないので、付着した巨大粒子３３が再蒸発して基板４の表面に付着する量を少なくすることができ、従来に比して膜質の良好な薄膜を成膜することができる。 （もっと読む）

【課題】 絶縁体である担体粒子の表面に均等に、かつ排ガスの浄化触媒として機能する場所である排ガスと貴金属ナノ粒子と担体との三相界面が効率よく形成されるように貴金属ナノ粒子を担持させること。
【解決手段】 白金の円柱状カソード電極２２、その外周の絶縁碍子２３、その外周のトリガ電極２４、その外周から所定の間隔をあけた円筒状で一端が真空チャンバ１１内に開口され他端が閉じられたアノード電極２５からなる同軸型真空アーク蒸着源２１を備えた真空アーク蒸着装置１を使用し、カソード電極２２とアノード電極２５との間に間欠的にアーク放電を誘起させて、カソード電極２２から蒸発しプラズマ化される白金を担体のアルミナ粒子Ｐへに到らせ、その表面に白金のナノ粒子を形成させる。 （もっと読む）

【課題】同軸型真空アーク蒸着源を用いた金属材料の微粒子膜の製造において、微粒子膜の成膜レートを向上させる。
【解決手段】
同軸型真空アーク蒸着源５を用いて、被蒸着物であるポリマ等の絶縁基板４上に、所定の粒径の微粒子からなる白金等の金属材料の微粒子を付着せしめる微粒子膜の製造において、絶縁基板４に微粒子の付着によってもたらされた電荷は、後から来る微粒子に対する反発力を生じるため、後から来る微粒子の絶縁基板４への付着の妨げとなる。そこで、電荷を絶縁基板４上に滞留させないように除電する。これにより、微粒子膜の成膜レートを向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】組み立て、または分解の際の作業性を向上できるプラズマガンを提供することを目的とする。
【解決手段】カソードフランジ１２と第１中間電極５との間にガラス管１３が配置されたプラズマガン１において、第１中間電極５のフランジ部５ａに固定されると共に、カソードフランジ１２に形成されたガイド孔１２ｂに挿通されたスタッドボルト２１と、スタッドボルト２１が挿通されたカソードフランジ１２を第１中間電極５側に向けて押圧するスプリング押え機構３５とを備える。このプラズマガン１では、カソードフランジ１２を簡単に位置合わせでき、さらに、カソードフランジ１２はスタッドボルト２１に沿ってガラス管１３を押圧するので、ガラス管１３に対する均一な押圧を行い易く、さらに、第１中間電極５とカソードフランジ１２との間にガラス管１３を挟み付けて簡単に固定できるために、組み立てや分解の際の作業負担が軽減する。 （もっと読む）

本発明は優れた耐久性及び信頼性の電気的接続を新空室（２２５）の壁（２７）を通って形成するための電気的貫通接続構造（２００）を提供する。電気的貫通接続構造（２００）は、開口端（２１７）及び閉口端（２１８）を持つチューブ状部材を備える。少なくとも１つの導電体（２０１）が閉口端（２１７）を通って伸びており、閉口端（２１７）に真空密閉接合部（２１４）によって固定される。接合部（２１４）は、開口端（２１７）からの視野方向に含まれないように構成されている。このようにすることで、衝突物（２２０）及び直熱放射（２２１）が接合部（２１４）に直接当たることを防ぎ、問題を起こし得る接合部（２１４）の汚染にかかる時間を延ばす。 （もっと読む）

【課題】従来のフラーレン気化装置は、昇華効率が悪く、時間当たり昇華量が少ない、昇華せずに加熱容器中に残るフラーレン量が多い、昇華温度を高くすると突沸が発生するという問題があった。
【解決手段】気化装置に銅製のメッシュ膜などの伝熱部材を挿入し、その中にフラーレンを充填して加熱することにした。フラーレン全体に均一に熱が伝達されるので、昇華効率が向上し、未昇華フラーレンの量が低減し、時間あたりの昇華量が増えた。突沸の防止にも効果があった。 （もっと読む）

【課題】 合成樹脂フィルム上に成膜される昇華材料膜の特性を向上させるために、昇華した昇華材料を安定的に合成樹脂フィルム上に付着させる手段を有する装置を提供する。
【解決手段】 マイクロ波発生手段を用いて予備的に、かつ、均一的に昇華材料を加熱する。また、電子線発生手段を用いて電子線を照射する昇華材料表面がほぼ平滑であり、かつ、材料容器が可動式である。また、材料容器と冷却ロールとの間に高融点材料からなる網目状のフィルターを備えている。 （もっと読む）

【課題】材料の利用効率が高く、膜厚及び膜質の均一性が高い膜を形成する成膜方法を提供する。
【解決手段】蒸着源基板の一主表面上に蒸着材料を含むバインダ材料層を形成し、該バインダ材料層と一主表面が対向するように被成膜基板を配置し、蒸着源基板の裏面を加熱処理することでバインダ材料層中の蒸着材料を加熱して昇華等させることで、被成膜基板に蒸着材料の層を形成する。蒸着材料を低分子材料とし、バインダ材料を高分子材料とすることで、粘度の調整が容易であり、従来よりも高いスループットで成膜することが可能になる。 （もっと読む）

【課題】同軸型アーク蒸着源のメンテナンスに要するコストを低減する。
【解決手段】本発明の蒸着源５は、円筒状のアノード電極２３と、円柱状のカソード電極１２と、円筒状のトリガ電極１３と、カソード電極１２に接続された蒸着材料１１と、蒸着材料１１とトリガ電極１３との間に配置されたハット状の絶縁碍子１４とを有し、ハット状の絶縁碍子１４は、円筒状部分と円板状部分からなり、円板状部分の側周部に凹所または凸所がある。このため、蒸着材料１１とトリガ電極１３との間の耐電圧が低下しないように、沿面距離を確保しつつ絶縁碍子１４の高さを低くできるので、交換部品である絶縁碍子１４のコストを低減することができる。 （もっと読む）

【課題】表面が平坦であり、かつ結晶化の高い緻密な金属酸化物膜の成膜方法を提供すること。
【解決手段】トリガ電極と蒸着用金属材料で少なくとも先端部が構成されたカソード電極とが、絶縁碍子を挟んで同軸状に隣接して固定されており、カソード電極の周りに同軸状に円筒状のアノード電極が離間して配置されている同軸型真空アーク蒸着源を用いて、酸化性雰囲気中でカソード電極を構成する金属材料を成膜装置内に載置した基板上に蒸着せしめて、金属酸化物微粒子を形成し、次いで前記カソード電極と同じ金属材料又はその金属の酸化物で構成されたスパッタリングターゲットを備えた蒸着源を用いて、金属酸化物微粒子の上に金属酸化物膜を形成した後、蒸着膜の形成された基板を加熱処理する。 （もっと読む）

【課題】ライン型蒸発源の設置間隔を狭く設定すると、メンテナンス性が悪くなる。
【解決手段】蒸着装置の構成として、Ｙ方向に並べて設けられた複数のライン型蒸発源３と、複数のライン型蒸発源３を、当該ライン型蒸発源の並び方向Ｙ及び／又は長手方向Ｘに個別に移動可能に支持する移動支持手段（１１〜１６）とを備える。 （もっと読む）

【課題】増大して安定した熱吸収係数を具備する炭素に基づく材料を用いたアブソーバ層およびそのようなアブソーバ層を生成するための経済的な方法を提供する。
【解決手段】一実施形態は、基板３００の上面にアブソーバ層３１２を堆積し、基板は第１の温度の下で維持されるステップと、加熱処理チャンバにおいて基板をアニーリングし、基板は第２の温度まで加熱され、第２の温度は第１の温度より高いステップと、基板からアブソーバ層を除去するステップとを備える。 （もっと読む）

【課題】蒸着材料の利用効率をたかめ、有機化合物を含む層を有する発光装置の製造コストを低減するとともに、発光装置の製造に要する製造時間を短縮させることを課題とする。
【解決手段】成膜室内を減圧下とし、導電表面基板への通電によって、導電表面基板を急速に加熱し、導電表面基板上の材料層を短時間に蒸発させ、被成膜基板に蒸着し、被成膜基板上に材料層を成膜する。なお、急速に加熱する導電表面基板の加熱面積は、被成膜基板と同等のサイズとし、１回の加熱で１枚の被成膜基板への成膜を終了させる。 （もっと読む）

【課題】ホールサイズが小さい場合でも、ホール底部の表面にＣＮＴを成長せしめることができるＣＮＴ成長用微細ホール形成方法、ＣＮＴ成長用基板及びＣＮＴ成長方法の提供。
【解決手段】ＣＮＴ成長用基板の主面上に母線層、ＣＮＴ成長用触媒層としての触媒金属の酸化物層、及び絶縁層をこの順番に設け、絶縁層をエッチングして絶縁層にＣＮＴ成長用の微細ホールを形成する。このＣＮＴ成長用微細ホールが形成されている基板。このＣＮＴ成長用微細ホールの底部表面に、ＣＶＤ法によりＣＮＴを成長せしめる。 （もっと読む）

【課題】蒸着源の開口の温度が低下する部分で、蒸発した蒸着材料が堆積することを防止
する。
【解決手段】内部に蒸着材料が収納されているセル４１と、セル上部に設けられ、蒸着材料の蒸気排出用開口が形成されたセルキャップ４２と、セル外側に位置し、セル外側に設けられた加熱手段４３Ａを支持する側壁部材４３と、側壁部材上端に固定された状態でセルキャップ上に密着されて配置され、蒸気排出用開口４２Ａと対応する位置に開口が形成された蓋４５とを含む。 （もっと読む）

本発明は、カソード３２の蒸発表面３３上でアーク放電を生成するために、リング形状の磁場源２と、カソード３２としての蒸発材料３１を備えたカソード本体３とを有する真空アーク蒸発源１に関する。カソード本体３は、軸線方向において、カソード底部３４によって第１の軸線方向に、また蒸発表面３３によって第２の軸線方向に制限されており、リング形状の磁場源２は、蒸発表面３３の面法線３００に平行又は反平行に極性を有するように、且つ蒸発表面３３の面法線３００に同心になるように配置されている。本発明によれば、磁場振幅リング４が、蒸発表面３３から遠い側で、カソード底部３４の正面に、第２の予め指定された距離Ａ２に配置される。さらに、本発明は、アーク蒸発源１を有するアーク蒸発チャンバ１０に関する。
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【課題】材料元素の供給温度を上げることができ、材料元素の安定供給を行うことができる材料供給装置を提供する。
【解決手段】
材料供給装置の容器１０は、坩堝１とオリフィス３とで構成されている。坩堝１は、円筒型や角柱型等の形状で、かつ中空の形状に構成されている。坩堝１の周囲にヒータ等の熱源２が配置されており、坩堝１の材料元素供給方向には、開口部３ａを有するオリフィス３が設けられている。オリフィス３は材料元素供給側に向かって伸びている管部３ｃを備えており、管部３ｃの先端には開口部３ａが形成されている。また、管部３ｃの開口面積は、材料元素供給側、すなわち開口部３ａの方向に向かって、次第に小さくなって行くように形成されている。 （もっと読む）

【課題】
金属表面に形成された高分子薄膜の架橋膜形成を容易に行ない、均一な被膜が形成でき、離型性が高く、かつ薄膜表面の機能性を維持しつつ薄膜を長時間の使用に耐えるようにした、金属表面被膜形成方法を提供すること。
【解決手段】
金属表面に特定の化学式（化１、化２、又は化３）で示されるトリアジンチオール誘導体もしくはチオール化合物を含む溶液を用いた湿式法によって成膜し、その次に含フッ素有機化合物を乾式法によって成膜することを特徴とする金属表面被膜形成方法である。 （もっと読む）

【要 約】
【課題】成膜速度が速い蒸着装置を提供する。
【解決手段】カソード電極３１の先端とアノード電極２１の先端とを揃え、アーク放電によって生じたプラズマがアノード電極２１に接触しないようにする。プラズマ中に微小荷電粒子が電荷を失い、中性粒子となることが防止されるので、磁界形成装置１５によって成膜対象物１７方向に曲げられる粒子が増加し、成膜速度が速くなる。アノード電極２１の先端の成膜対象物１７が配置された側に遮蔽電極２７を設けておくと、巨大粒子が成膜対象物１７に到達せず、膜質が向上する。 （もっと読む）

【課題】プラズマＣＶＤによる成膜と、蒸発源を用いる成膜とを、成膜空間を大気圧に開放することなく、連続して行うことのできる成膜装置を提供する。
【解決手段】蒸発材料８ａが充填される坩堝８ｂの開口には、開閉可能な遮蔽部材８ｃが配置され、遮蔽部材８ｃは、プラズマ源２の陽極を兼用する。これにより、プラズマＣＶＤ工程では、陽極を兼用する遮蔽部材８ｃによって蒸発材料８ａを遮蔽することができるため、蒸発材料８ａに膜が付着しない。また、遮蔽部材８ｃを陽極とすることにより、遮蔽部材８ｃがプラズマの放電に影響を与えない。また、遮蔽部材８ｃを開放し、蒸発材料８ａを蒸発させて蒸着工程を行うことができる。遮蔽部材８ｃがプラズマ５ａで加熱されるため、遮蔽部材８ｃの内側に付着する蒸発物を蒸発させて除去することも可能である。 （もっと読む）