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Fターム[4K029DB18]の内容

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Fターム[4K029DB18]に分類される特許

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【課題】表示装置を高精細化することが可能な蒸着マスク及び自発光表示装置の製造方法の提供。
【解決手段】マスク薄膜MPの一面側からのエッチングで形成された第1エッチング領域と、他面側からのエッチングで形成された第2エッチング領域との形成により、当該マスク薄膜の一面側から他面側に貫通する開孔部HL1,HL2が形成され、行方向及び列方向にマトリクス状に前記開孔部が配列されるマスク薄膜を備える蒸着マスクであって、前記開孔部は前記行方向及び/又は列方向に異なる開孔幅を有する第1開孔部HL1と第2開孔部HL2とから構成された蒸着マスク。 (もっと読む)


【課題】本発明は、熱力学的平衡条件下では合成出来ない単相のT*構造をもつLa2CuO4を、薄膜合成手法をベースとする方法により製造する方法、及び同一組成式(La2CuO4)を有し、3種類の異なる結晶構造(T構造、T*構造、T’構造)を持つ物質を、別々の基板上に一度の成膜過程で合成する方法を提供する。
【解決手段】超高真空中で構成元素を別々に供給し、適切に加熱した単結晶基板上に薄膜成長を行う(MBE法)際に、LaSrAlO4単結晶基板と、格子定数の異なる第1のREScO3単結晶基板と、更に格子定数の異なる第2のREScO3単結晶基板とを同一のMBE装置に装着し、基板温度575℃〜600℃で、La及びCuの原子線を供給してLa2CuO4薄膜を成膜することにより、同一組成式La2CuO4を有しT、T*、T’の3つの異なる結晶構造を持つ単結晶薄膜を、一度に成長させる。 (もっと読む)


【課題】成長させた酸化亜鉛系半導体の不純物濃度を低減できる酸化亜鉛系基板を提供する。
【解決手段】酸化亜鉛系基板2は、IV族元素であるSi、C、Ge、Sn及びPbの不純物濃度が、1×1017cm−3以下の条件を満たす。より好ましくは、酸化亜鉛系基板2は、I族元素であるLi、Na、K、Rb及びFrの不純物濃度が、1×1016cm−3以下の条件を満たす。 (もっと読む)


【課題】高精細のパターニングを有する大型基板の量産工程に適した薄膜蒸着装置及びこれを利用した有機発光表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板500に薄膜を蒸着する薄膜蒸着アセンブリ100を含む真空に維持される複数のチャンバにおいて、被蒸着用基板と接し、基板を支持する支持面を具備した本体と、本体に内蔵され、支持面に静電気力を生成させる電極と、電極に電気的に連結され、本体に備わった電池を有する静電チャック600がチャンバを通過するように移動させるキャリアを含む薄膜蒸着装置、及びこれを利用した有機発光表示装置の製造方法である。 (もっと読む)


【課題】薄膜蒸着装置及びこれを利用した有機発光表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】大型基板の量産工程にさらに適し、高精細のパターニングを可能にするためのものであり、被蒸着用基板を静電チャックに固定させるローディング部;真空に維持されるチャンバと、チャンバの内部に配され、基板と所定程度離隔されて静電チャックに固定された基板に薄膜を蒸着する薄膜蒸着アセンブリを含む蒸着部;静電チャックから、蒸着が完了した基板を分離させるアンローディング部;基板が固定された静電チャックを、ローディング部、蒸着部及びアンローディング部に順次移動させる第1循環部;アンローディング部から、基板と分離された静電チャックを、ローディング部に送り戻す第2循環部;を含み、第1循環部は、蒸着部を通過するとき、チャンバ内部に貫通するように備わった薄膜蒸着装置、及びこれによって製造された有機発光表示装置を提供する。 (もっと読む)


【課題】基板上に膜厚が均一な薄膜を形成可能な有機ELデバイス製造装置及び成膜装置を提供する。
【解決手段】有機ELデバイスの製造装置において、蒸発させた蒸着材料を線上に配置した複数のノズルを介して真空槽の内部に放出させる蒸発源の各ノズルからの有機EL材料の蒸発量を、蒸発量モニタ手段で各ノズルにモニタし、このモニタした各ノズルの有機EL材料の蒸発量の情報を用いて制御手段で蒸発源を制御するようにした。 (もっと読む)


【課題】高精細のパターニングを有する大型基板の量産工程に適した薄膜蒸着装置及びこれを利用した有機発光表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本体601に内蔵され、本体の互いに異なる位置に備わった複数の電源ホール603a,603bを含む基板500を支持する静電チャック600で、キャリアのチャンバ731通過時に電源ホールへの着脱自在の、電極に電力を提供する移動経路の上流の第1電源フィン604aと他の電源ホールに着脱自在の下流に位置する第2電源フィン604bを含む薄膜蒸着装置及びこれを利用した有機発光表示装置の製造方法である。 (もっと読む)


【課題】高品質の薄膜を基板上に堆積させることを容易にする原料ガス分解機構を提供すること。
【解決手段】減圧下のチャンバ17内で基板21上に薄膜を気相堆積させる薄膜製造装置1に設けられ、薄膜の原料となる1種類または複数種類の原料ガスの分解種を分解して該原料ガスの分解種を生成する原料ガス分解機構に、反応室に連通される開口部を有し、該開口部を介して反応室に原料ガスを導入する1つまたは複数のガス導入管13と、上記の開口部での反応室側の開口面よりも基板側に変位した状態で、かつ上記の開口部に近接した状態で接配置される原料ガス分解用の触媒体10と、触媒体に導線11a,11bを介して通電することで該触媒体を昇温させる加熱電源12とを設ける。 (もっと読む)


【課題】RF電源を用いて基板ホルダにRF電力を印加するとともに、単純な構造のDC電源を用いて基板ホルダにDCパルスを印加することができる給電機構を提供する。
【解決手段】給電機構110は、基板ホルダ12に電気的に接続された回転軸11と、高周波電源31の高周波電力が印加される第1送電ブラシ21と、直流電源33の直流電圧が印加される第2送電ブラシ22と、を備える。そして、回転軸11の回転によって、第1送電ブラシ21と回転軸11との間の摺動による回転軸11への高周波電力の印加、および、第2送電ブラシ22と回転軸11との間の断続的な摺動による回転軸11への直流電圧の印加が行われる。 (もっと読む)


【課題】大型基板の量産工程に容易に適用され、製造収率が向上した薄膜蒸着装置を提供する。
【解決手段】複数個の蒸着アセンブリ100、200、300を含み、蒸着アセンブリそれぞれは、蒸着物質を放射する蒸着源110と、蒸着源の一側に配され、第1方向に沿って複数個の蒸着源ノズル121が形成される蒸着源ノズル部と、蒸着源ノズル部と対向するように配され、第1方向に沿って複数個のパターニングスリットが形成されるパターニングスリット・シート151と、蒸着源ノズル部とパターニングスリット・シートとの間に、第1方向に沿って配され、蒸着源ノズル部とパターニングスリット・シートとの間の空間を複数個の蒸着空間に区画する複数枚の遮断板131を具備する遮断板アセンブリとを含み、該薄膜蒸着装置は、基板400と所定距離離隔されるように形成され、薄膜蒸着装置と基板は、いずれか一側が他側に対して、相対的に移動自在に形成される。 (もっと読む)


【課題】高温・高湿環境でガスバリア性に対して優れた耐久性を有するガスバリア積層体を提供することを目的とする。
【解決手段】プラスチックフィルム基材1の両面または片面に酸化珪素膜2を積層するガスバリア積層体において、動的粘弾性測定(DMA)よって算出される前記酸化珪素膜の弾性率が60〜150GPaの範囲内であること、酸素と珪素の比(O/Si)が1.6〜2.0の範囲内であることにより、高温高湿環境下でガスバリア性の劣化を抑えることができるガスバリア積層体を提供することができる。 (もっと読む)


【課題】放射線画像変換パネルの蛍光体を蒸着法で成膜するときに、突沸や再蒸発による膜欠陥がない薄膜を作製することを可能とする蒸着装置、及び、該成膜方法を用いた放射線画像変換パネルの蛍光体の成膜方法を提供することを目的とする。
【解決手段】蒸着装置1のルツボ2の蓋3に、ルツボ2の内部方向に凸部を有し凸部の側壁面8にルツボ2内部へ連通する穿孔34を備えルツボ2に取り外し可能な蓋3を採用し、穿孔34を通して蒸着面のいかなる場所からもルツボ2内部の原材料を直接見ることができない位置に穿孔34を配置する。 (もっと読む)


【課題】 透明導電層を、簡便な転写法で、低温で、十分な導電性を有し、安価に形成することを可能にする転写フィルム、透明導電膜付き接着フィルムを提供する。
【解決手段】 仮支持体14と、仮支持体14上に形成された金属層13と、金属層13上に形成された透明導電層12と、透明導電層12上の接着層11と、を備え、接着層11と透明導電層12とが剥離しないように、かつ、透明導電層12と金属層13とが剥離しないように、仮支持体14を金属層13から剥離することが可能である、転写フィルム10。 (もっと読む)


【課題】ライン状の蒸発源を複数用い、複数の蒸発材料を混合して蒸着を行う際、膜厚方向において、蒸発材料の混合比が一定となる均質な薄膜を形成することができる真空蒸着装置を提供する。
【解決手段】複数のライン状の蒸着源を備えた真空蒸着装置において、蒸発容器8a、8bの放出孔13a、13bから放出された蒸発材料の蒸気の単位時間当たりの蒸着量が等しくなる等厚面19a、19bを、蒸発容器8a、8b各々について求め、等厚面19a、19bの接する位置が基板4の蒸着面で一致するように、蒸発容器8a、8bを配置した。 (もっと読む)


【課題】ライン状の蒸発容器において、温度むらや蒸発材料の偏りがあっても、蒸発材料の利用効率を下げることなく、大型基板においても、蒸着による薄膜の膜厚分布の均一性を向上することができる真空蒸着装置を提供する。
【解決手段】真空蒸着装置において、同一径の複数の放出孔13を線状に配置すると共に、放出孔13を両端部側で密に配置した蒸発容器8の内部に、蒸発材料7の蒸気が通過する同一径の複数の通過孔18を有する整流板14を設け、放出孔13の配置方向における単位長さあたりのコンダクタンスについて、通過孔18によるコンダクタンスを、放出孔13によるコンダクタンスと比例するように、両端部側で密に配置した。 (もっと読む)


【課題】 真空チャンバの低温パネルの再生中に気体状プレカーサーの分圧が制御されることを特徴とする基板上に材料の薄膜を堆積させる装置、及び真空チャンバの低温パネル上に当初捕捉された気体状プレカーサーを、制御されかつ自動的な方式で前記真空チャンバから排気できるようにする再生方法を提供すること。
【解決手段】 本発明は基板上に材料の薄膜を堆積させる装置及び再生方法に関する。装置はチャンバ(1)と、前記チャンバ内に設けられた低温パネル(10)と、基板を支持可能なサンプルホルダ(6)と、前記チャンバ(1)に気体状プレカーサーを注入可能なガスインジェクター(9)と、前記真空チャンバ(1)に接続され、前記低温パネル(10)により放出された前記気体状プレカーサーの一部を捕捉可能であり、不変の排気容量Sを有する第1の捕捉手段(11)とを備える。
発明によれば、基板上に材料の薄膜を堆積させる装置は気体状プレカーサーの分圧の関数として調節可能な可変排気容量Sを有する第2の捕捉手段(18)を備え、前記第1と第2の捕捉手段は前記真空チャンバ(1)内の前記気体状プレカーサーの分圧を所定の圧力Pに維持するのに十分な総合排気容量S=S+Sをもたらす。 (もっと読む)


【課題】単結晶半導体基板を分割して得られた成膜マスクであって、分割時に生じるバリ等で表面の平滑性が損われない成膜マスク。
【解決手段】支持基板30と支持基板30に取り付けられた複数のチップ20とからなり、被成膜基板42に対向する第1表面11と膜材料源に対向する第2表面12とを有する成膜マスク10であって、チップ20は、単結晶半導体基板7に枠状の溝16を第1表面11側から形成後、溝16に外力を加えて破断分割して得られたチップ20であり、チップ20の側面部は溝16の一部である平滑面19と破断分割時に生じた破断面18とを有しており、破断面18は第1表面11側には形成されていないことを特徴とする成膜マスク。 (もっと読む)


【課題】大型基板量産工程に容易に適用でき、製造収率が向上した薄膜蒸着装置を提供する。
【解決手段】蒸着物質を放射する蒸着源と、蒸着源の一側に配され、第1方向に沿って複数の第1スリットが形成される第1ノズルと、第1ノズルと対向するように配され、第1方向に沿って複数の第2スリットが形成される第2ノズルと、第1ノズルと第2ノズルとの間に第1方向に沿って配されて、第1ノズルと第2ノズルとの間の空間を複数の蒸着空間に区画する複数の遮断壁を備える遮断壁アセンブリーとを備える薄膜蒸着装置。 (もっと読む)


【課題】蒸着材料の利用効率を向上させつつ、基板へのスプラッシュの付着を阻止することができる真空蒸着装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る真空蒸着装置において、蒸発源40は、複数のチムニ(筒状部)42を有し、これらチムニから蒸着材料の蒸気を放出することで、対向する基板T上に蒸着膜を形成する。チムニの先端部と基板との間の距離L1を100mm以下とすることで、チムニの直上に位置する基板に対する蒸発物質の付着量を増加させる。これにより、蒸着レートが向上するとともに、蒸着材料の利用効率を高めることが可能となる。また、チムニを有することで、スプラッシュが基板へ到達することを効果的に阻止することが可能となる。 (もっと読む)


【課題】蒸着材料が充填された開口容器を、その開口部が上向きであるか下向きであるかにかかわらず簡易に載置することが可能な加熱装置およびこの加熱装置を用いた蒸着方法を提供すること。
【解決手段】加熱装置10は、コイル部11を有し、抵抗加熱が可能な導電性線状体からなり、コイル部11は、重力により筒状開口容器20の開口部21および底面部22のいずれを接触させて載置することも可能な直径を有する底部11Aを備える。 (もっと読む)


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